JPH08119674A - タッチパネル用透明導電膜付ガラス - Google Patents
タッチパネル用透明導電膜付ガラスInfo
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- JPH08119674A JPH08119674A JP28397794A JP28397794A JPH08119674A JP H08119674 A JPH08119674 A JP H08119674A JP 28397794 A JP28397794 A JP 28397794A JP 28397794 A JP28397794 A JP 28397794A JP H08119674 A JPH08119674 A JP H08119674A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が６ｗｔ％以
下の透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．２の透明導
電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成された透明導電膜付
ガラス。 【効果】 通電耐湿試験でリニアリティ値が±２％以上
に増大しない安定性に優れた透明導電膜付ガラスを得る
ことが出来る。
下の透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．２の透明導
電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成された透明導電膜付
ガラス。 【効果】 通電耐湿試験でリニアリティ値が±２％以上
に増大しない安定性に優れた透明導電膜付ガラスを得る
ことが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜付ガラス、及
び透明導電膜の成膜方法に関するものであり、特にタッ
チパネルの透明電極として用いられる高抵抗で均一性に
優れた透明導電膜付ガラス、及び該透明導電膜の成膜方
法に関する。
び透明導電膜の成膜方法に関するものであり、特にタッ
チパネルの透明電極として用いられる高抵抗で均一性に
優れた透明導電膜付ガラス、及び該透明導電膜の成膜方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スズをドープした酸化インジウム膜（Ｉ
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。すなわち、フラットパ
ネルディスプレイ用の透明導電膜では低抵抗、高透過率
のものが要求されるが、タッチパネル用の透明導電膜で
は逆に高抵抗、高透過率の膜が要求される。特に最近開
発されて市場の伸びが期待されるペン入力タッチパネル
用の導電膜は、位置の認識精度が高くなくてはならない
ことから、シート抵抗が２００〜３０００Ω／□といっ
た高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優れた膜であることが
要求される。
ＴＯと称す）やフッ素をドープした酸化スズ膜（ＦＴＯ
と称す）、アンチモンをドープした酸化スズ膜（ＡＴＯ
と称す）、アルミニウムをドープした酸化亜鉛膜、イン
ジウムをドープした酸化亜鉛膜はその優れた透明性と導
電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネルの電
極、太陽電池の電極等に広く使用されている。この様に
広い分野で使用されると、使用目的によって抵抗値、透
明度は種々のものが要求される。すなわち、フラットパ
ネルディスプレイ用の透明導電膜では低抵抗、高透過率
のものが要求されるが、タッチパネル用の透明導電膜で
は逆に高抵抗、高透過率の膜が要求される。特に最近開
発されて市場の伸びが期待されるペン入力タッチパネル
用の導電膜は、位置の認識精度が高くなくてはならない
ことから、シート抵抗が２００〜３０００Ω／□といっ
た高抵抗でかつ抵抗値の均一性に優れた膜であることが
要求される。
【０００３】抵抗値の均一性を評価する方法として、リ
ニアリティ試験がある。この方法は透明導電膜の向かい
合った２辺に銀ペースト等で低抵抗の電極を作成し、両
電極間に１〜１０Ｖの直流電圧を印加する。この時、両
電極の間隔をＤ、印加電圧をＶとする。透明導電膜の任
意の点について、マイナスの電極からの距離をｄ、マイ
ナスの電極とその点の電位差をｖとすると（ｄ／Ｄ−ｖ
／Ｖ）×１００をリニアリティ値（％）と定義する。リ
ニアリティ値は位置と、検出した電位差から計算した位
置とのずれを定義する量であり、文字や図形を認識する
目的で製作されるタッチパネルでは通常リニアリティ値
で±２％以内の抵抗値の均一性であることが要求され
る。
ニアリティ試験がある。この方法は透明導電膜の向かい
合った２辺に銀ペースト等で低抵抗の電極を作成し、両
電極間に１〜１０Ｖの直流電圧を印加する。この時、両
電極の間隔をＤ、印加電圧をＶとする。透明導電膜の任
意の点について、マイナスの電極からの距離をｄ、マイ
ナスの電極とその点の電位差をｖとすると（ｄ／Ｄ−ｖ
／Ｖ）×１００をリニアリティ値（％）と定義する。リ
ニアリティ値は位置と、検出した電位差から計算した位
置とのずれを定義する量であり、文字や図形を認識する
目的で製作されるタッチパネルでは通常リニアリティ値
で±２％以内の抵抗値の均一性であることが要求され
る。
【０００４】更に、液晶ディスプレイの上に置くことか
ら高透過率の膜であることが要求される。通常、高透過
率を達成する方法は膜厚を薄くすることであった。しか
しながら、膜厚を薄くしすぎると抵抗の安定性が悪くな
り、種々の条件で環境試験を行うとリニアリティ値が増
大するために、高透過率と抵抗の安定性を両立すること
は困難なことであった。
ら高透過率の膜であることが要求される。通常、高透過
率を達成する方法は膜厚を薄くすることであった。しか
しながら、膜厚を薄くしすぎると抵抗の安定性が悪くな
り、種々の条件で環境試験を行うとリニアリティ値が増
大するために、高透過率と抵抗の安定性を両立すること
は困難なことであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴ
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電膜の膜厚を
厚くすると基板との界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。
Ｏ、酸化亜鉛膜等の透明導電膜材料はいずれも屈折率が
基板ガラスの屈折率（ソーダライムガラスでは１．５
２）より高く（１．７〜２．２）、透明導電膜の膜厚を
厚くすると基板との界面での反射が大きくなり、可視光
透過率が低下する。
【０００６】高透過率の膜を得ようとする場合は膜厚を
薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知される
５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとすると膜厚
は３０ｎｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％以上の
透過率の場合には膜厚を２０ｎｍ以下の膜厚にする必要
がある。膜厚を３０ｎｍ以下まで薄くすると、温度変化
や湿度変化の影響を受けて抵抗値が変動しやすくなり、
面内の抵抗値の均一性が悪化する。従って、種々の条件
で環境試験を行うと抵抗値の均一性の悪化によりリニア
リティ値が増大してしまう。
薄くする必要があるが、人間の目に感度良く感知される
５５０ｎｍ波長で８５％の透過率を得ようとすると膜厚
は３０ｎｍ以下の膜厚にする必要があり、８９％以上の
透過率の場合には膜厚を２０ｎｍ以下の膜厚にする必要
がある。膜厚を３０ｎｍ以下まで薄くすると、温度変化
や湿度変化の影響を受けて抵抗値が変動しやすくなり、
面内の抵抗値の均一性が悪化する。従って、種々の条件
で環境試験を行うと抵抗値の均一性の悪化によりリニア
リティ値が増大してしまう。
【０００７】一般に行われる環境試験は多く、１５０〜
２００℃で３０〜６０分といった高温−短時間試験、８
０〜１００℃で１００〜３００時間といった中温度−長
時間試験、５０〜８０℃、９０〜１００％ＲＨで１００
〜３００時間といった中温度−高湿度−長時間試験、更
に５〜１０Ｖ直流電圧を印加して３０〜８０℃、９０〜
１００％ＲＨで１００〜３００時間といった通電下−中
温度−高湿度−長時間試験や−５０〜−２０℃で１００
〜３００時間といった低温度−長時間試験がある。これ
らの環境試験によって抵抗が変動しても、面内全ての抵
抗が均一に変動するならば、リニアリティ値は変動せず
増大しないが、通電下−中温度−高湿度−長時間試験
（通電耐湿試験と称す）ではプラス電極とマイナス電極
付近での抵抗変動の仕方が異なるためにリニアリティ値
は顕著に増大する傾向を示す。すなわち、プラス電極付
近では酸化反応が起こり導電膜が高抵抗化するのに対
し、マイナス電極付近では還元反応が起こり、導電膜は
低抵抗化する。そのために、導電膜の面内抵抗は高抵抗
の部分と低抵抗の部分が生じ、その結果リニアリティ値
は±２％以上に増大してしまう。
２００℃で３０〜６０分といった高温−短時間試験、８
０〜１００℃で１００〜３００時間といった中温度−長
時間試験、５０〜８０℃、９０〜１００％ＲＨで１００
〜３００時間といった中温度−高湿度−長時間試験、更
に５〜１０Ｖ直流電圧を印加して３０〜８０℃、９０〜
１００％ＲＨで１００〜３００時間といった通電下−中
温度−高湿度−長時間試験や−５０〜−２０℃で１００
〜３００時間といった低温度−長時間試験がある。これ
らの環境試験によって抵抗が変動しても、面内全ての抵
抗が均一に変動するならば、リニアリティ値は変動せず
増大しないが、通電下−中温度−高湿度−長時間試験
（通電耐湿試験と称す）ではプラス電極とマイナス電極
付近での抵抗変動の仕方が異なるためにリニアリティ値
は顕著に増大する傾向を示す。すなわち、プラス電極付
近では酸化反応が起こり導電膜が高抵抗化するのに対
し、マイナス電極付近では還元反応が起こり、導電膜は
低抵抗化する。そのために、導電膜の面内抵抗は高抵抗
の部分と低抵抗の部分が生じ、その結果リニアリティ値
は±２％以上に増大してしまう。
【０００８】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、１０〜３０ｎｍの膜厚の透明導電膜の通電耐湿試
験でリニアリティ値が増大しないタッチパネル用の導電
膜付ガラス及び、リニアリティ値を増大させない方法を
提供することを目的とする。
ので、１０〜３０ｎｍの膜厚の透明導電膜の通電耐湿試
験でリニアリティ値が増大しないタッチパネル用の導電
膜付ガラス及び、リニアリティ値を増大させない方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは通電耐湿試
験でリニアリティ値を増大させない方法について鋭意検
討した結果、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が６ｗｔ％
以下の透明ガラスを基板として用い、その上に屈折率
１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成する
ことにより、抵抗安定性の良好な透明導電膜付ガラスが
得られ、通電耐湿試験を行ってもリニアリティ値が±２
％以内に収まることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。以下、本発明を詳細に説明する。
験でリニアリティ値を増大させない方法について鋭意検
討した結果、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が６ｗｔ％
以下の透明ガラスを基板として用い、その上に屈折率
１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成する
ことにより、抵抗安定性の良好な透明導電膜付ガラスが
得られ、通電耐湿試験を行ってもリニアリティ値が±２
％以内に収まることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明の基板上に形成される透明導電膜と
しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、
ＩｎドープＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこ
れに限定されるものではない。
しては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡｌドープＺｎＯ、
ＩｎドープＺｎＯ等が用いられるが、本発明の範囲はこ
れに限定されるものではない。
【００１１】通常一般的に用いられている安価なソーダ
ライムガラス（ＳＬＧと称す）を基板とした場合、シー
ト抵抗が２００〜３０００Ω／□の導電膜で実用的な膜
厚は１０〜３０ｎｍであり、この膜厚での抵抗安定性は
良いとは言えず種々の環境試験を行うと、抵抗値が変動
する。特に通電耐湿試験では面内の抵抗分布が高い部分
と低い部分が生じるためにリニアリティ値が増大し、ペ
ン入力タッチパネル用の透明導電膜付ガラスとしては望
ましくないことである。ＳＬＧ基板では、±１％以内の
リニアリティ値を示す抵抗の均一性に優れた膜でも、例
えば、７Ｖ印加、４０℃、９５％ＲＨの条件で２４０時
間の通電耐湿試験を行うと、プラス電極付近は高抵抗化
し、マイナス電極付近は低抵抗化するためにリニアリテ
ィ値は４％以上に増大してしまう。しかしながら、この
現象は基板にアルカリ分を殆ど含有しないガラス（例：
石英ガラス）を用いると、導電膜の膜厚が２０ｎｍ以下
のの場合でも電極付近の抵抗は変動せず、リニアリティ
値も通電耐湿試験前の値と同じであり、変化しないこと
を見出した。すなわち、通電耐湿試験を行うことでリニ
アリティ値が増大する原因の一つに、基板中のアルカリ
分が関与している可能性が示唆された。すなわち、アル
カリ含有量の少ない基板を用いることで、リニアリティ
値の増大を防止出来ると考えられる。
ライムガラス（ＳＬＧと称す）を基板とした場合、シー
ト抵抗が２００〜３０００Ω／□の導電膜で実用的な膜
厚は１０〜３０ｎｍであり、この膜厚での抵抗安定性は
良いとは言えず種々の環境試験を行うと、抵抗値が変動
する。特に通電耐湿試験では面内の抵抗分布が高い部分
と低い部分が生じるためにリニアリティ値が増大し、ペ
ン入力タッチパネル用の透明導電膜付ガラスとしては望
ましくないことである。ＳＬＧ基板では、±１％以内の
リニアリティ値を示す抵抗の均一性に優れた膜でも、例
えば、７Ｖ印加、４０℃、９５％ＲＨの条件で２４０時
間の通電耐湿試験を行うと、プラス電極付近は高抵抗化
し、マイナス電極付近は低抵抗化するためにリニアリテ
ィ値は４％以上に増大してしまう。しかしながら、この
現象は基板にアルカリ分を殆ど含有しないガラス（例：
石英ガラス）を用いると、導電膜の膜厚が２０ｎｍ以下
のの場合でも電極付近の抵抗は変動せず、リニアリティ
値も通電耐湿試験前の値と同じであり、変化しないこと
を見出した。すなわち、通電耐湿試験を行うことでリニ
アリティ値が増大する原因の一つに、基板中のアルカリ
分が関与している可能性が示唆された。すなわち、アル
カリ含有量の少ない基板を用いることで、リニアリティ
値の増大を防止出来ると考えられる。
【００１２】そこでガラス基板の組成、種類等について
次のように検討を行った。ガラス基板の組成、特にアル
カリ含有量（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計）に着目して、数
社から市販されている組成の異なる数種類のガラス基板
を準備した。これらの基板上に約２０ｎｍのＩＴＯ膜を
成膜して、通電耐湿試験（７Ｖ印加、４０℃、９５％Ｒ
Ｈ、２４０時間）を行ってリニアリティ値の変化を評価
した。その結果、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１０
ｗｔ％以上のいわゆるソーダライムガラス基板では、各
社組成は若干の違いはあるものの通電耐湿試験によりリ
ニアリティ値は試験した全ての基板で±２％以上に増大
した。それにひきかえ、Ｎａ2 ＯとＫ2Ｏの合計含有量
が６ｗｔ％以下の低アルカリガラスや１ｗｔ％以下の無
アルカリガラスの通電耐湿試験後のリニアリティ値は±
２％以内におさまった。また、リニアリティ値はアルカ
リ含有量が少ない程、変化量が少ない傾向を示した。こ
れらの結果から、ガラス基板のアルカリ含有量とリニア
リティ変化量の間に相関関係があることを見出した。
次のように検討を行った。ガラス基板の組成、特にアル
カリ含有量（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計）に着目して、数
社から市販されている組成の異なる数種類のガラス基板
を準備した。これらの基板上に約２０ｎｍのＩＴＯ膜を
成膜して、通電耐湿試験（７Ｖ印加、４０℃、９５％Ｒ
Ｈ、２４０時間）を行ってリニアリティ値の変化を評価
した。その結果、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１０
ｗｔ％以上のいわゆるソーダライムガラス基板では、各
社組成は若干の違いはあるものの通電耐湿試験によりリ
ニアリティ値は試験した全ての基板で±２％以上に増大
した。それにひきかえ、Ｎａ2 ＯとＫ2Ｏの合計含有量
が６ｗｔ％以下の低アルカリガラスや１ｗｔ％以下の無
アルカリガラスの通電耐湿試験後のリニアリティ値は±
２％以内におさまった。また、リニアリティ値はアルカ
リ含有量が少ない程、変化量が少ない傾向を示した。こ
れらの結果から、ガラス基板のアルカリ含有量とリニア
リティ変化量の間に相関関係があることを見出した。
【００１３】本発明に用いられるガラス基板としては、
Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１〜６ｗｔ％の低アル
カリガラス、例えば岩城硝子（株）のパイレックスガラ
ス、日本電気硝子（株）のＢＬＣガラス、旭硝子（株）
のＡＬガラス、ＡＸガラス、独ショット社のＤ−２６３
ガラス、米コーニング社の７７４０ガラスを挙げること
が出来る。また、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１ｗ
ｔ％以下の無アルカリガラス、例えば、日本電気硝子
（株）のＯＡ−２ガラス、旭硝子（株）のＡＮガラス、
独ショット社のＡＦ−４５ガラス、ＮＨテクノグラス
（株）のＮＡ４５ガラス、米コーニング社の７０５９ガ
ラスを挙げることが出来る。更に、アルカリ分を全く含
有しない石英ガラス、例えば旭硝子（株）のＡＱガラ
ス、米コーニング社の７９００ガラスを挙げることが出
来る。
Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１〜６ｗｔ％の低アル
カリガラス、例えば岩城硝子（株）のパイレックスガラ
ス、日本電気硝子（株）のＢＬＣガラス、旭硝子（株）
のＡＬガラス、ＡＸガラス、独ショット社のＤ−２６３
ガラス、米コーニング社の７７４０ガラスを挙げること
が出来る。また、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が１ｗ
ｔ％以下の無アルカリガラス、例えば、日本電気硝子
（株）のＯＡ−２ガラス、旭硝子（株）のＡＮガラス、
独ショット社のＡＦ−４５ガラス、ＮＨテクノグラス
（株）のＮＡ４５ガラス、米コーニング社の７０５９ガ
ラスを挙げることが出来る。更に、アルカリ分を全く含
有しない石英ガラス、例えば旭硝子（株）のＡＱガラ
ス、米コーニング社の７９００ガラスを挙げることが出
来る。
【００１４】透明導電膜を成膜する方法としては、一般
に知られている方法を採用できる。即ち、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学
気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプレー法、
ディップ法等で所定の材料を所定の厚さで成膜すること
で達成される。
に知られている方法を採用できる。即ち、スパッター
法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、化学
気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法、スプレー法、
ディップ法等で所定の材料を所定の厚さで成膜すること
で達成される。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。
【００１６】実施例１ 厚さ０．７ｍｍ、１００ｍｍ角の日本電気ガラス（株）
のＢＬＣガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が５ｗ
ｔ％以下）を基板として用い、超音波霧化によるＣＶＤ
法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし４５０℃に
加熱した。ＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ溶液（濃度は０．２
５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して１０原子％
添加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化さ
せ基板に導入し、２分間成膜した。その後成膜装置より
取り出し、空気中で冷却した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚２２ｎｍのＩＴＯ結晶膜であった。この膜のシ
ート抵抗を９点測定したところ、平均５５０Ω／□、比
抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の均一性
は±４５Ω／□以内であった。透過率は５５０ｎｍで８
９．８％を示した。この試料の向かい合う辺に導電性の
銀ペーストを５ｍｍ幅で塗布し電極を作成した。この２
本の電極に直流５Ｖを印加してリニアリティ値を５列
（１５ｍｍ間隔）、１０点／列（８ｍｍ間隔）で測定し
たところ−０．３〜０．２％の値であった。この試料の
７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置し
た後のリニアリティ値を測定したところ−０．２〜０．
３％の値であり、ほとんど変化していなかった。
のＢＬＣガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が５ｗ
ｔ％以下）を基板として用い、超音波霧化によるＣＶＤ
法（パイロゾル成膜法）成膜装置にセットし４５０℃に
加熱した。ＩｎＣｌ3 のＣＨ3 ＯＨ溶液（濃度は０．２
５ｍｏｌ／ｌ）にＳｎＣｌ4 をＩｎに対して１０原子％
添加した溶液を超音波により２．５ｍｌ／ｍｉｎ霧化さ
せ基板に導入し、２分間成膜した。その後成膜装置より
取り出し、空気中で冷却した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚２２ｎｍのＩＴＯ結晶膜であった。この膜のシ
ート抵抗を９点測定したところ、平均５５０Ω／□、比
抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の均一性
は±４５Ω／□以内であった。透過率は５５０ｎｍで８
９．８％を示した。この試料の向かい合う辺に導電性の
銀ペーストを５ｍｍ幅で塗布し電極を作成した。この２
本の電極に直流５Ｖを印加してリニアリティ値を５列
（１５ｍｍ間隔）、１０点／列（８ｍｍ間隔）で測定し
たところ−０．３〜０．２％の値であった。この試料の
７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置し
た後のリニアリティ値を測定したところ−０．２〜０．
３％の値であり、ほとんど変化していなかった。
【００１７】実施例２ 厚さ１．１ｍｍ、１００ｍｍ角の米コーニング社の７０
５９ガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が０．３ｗ
ｔ％以下）を基板として用いた以外は実施例１と全く同
様の方法でＩＴＯ成膜した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ結晶膜であった。この膜のシ
ート抵抗を９点測定したところ、平均６１０Ω／□、比
抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の均一性
は±４０Ω／□以内であった。透過率は５５０ｎｍで８
９．２％を示した。この試料について、実施例１と同様
の方法でリニアリティ値を測定したところ−０．２〜
０．２％の値であった。この試料の７Ｖ，４０℃，９５
％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後のリニアリティ
値を測定したところ−０．２〜０．３％の値であり、ほ
とんど変化していなかった。
５９ガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が０．３ｗ
ｔ％以下）を基板として用いた以外は実施例１と全く同
様の方法でＩＴＯ成膜した。得られた膜はｎ＝１．９
５、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ結晶膜であった。この膜のシ
ート抵抗を９点測定したところ、平均６１０Ω／□、比
抵抗１．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗の均一性
は±４０Ω／□以内であった。透過率は５５０ｎｍで８
９．２％を示した。この試料について、実施例１と同様
の方法でリニアリティ値を測定したところ−０．２〜
０．２％の値であった。この試料の７Ｖ，４０℃，９５
％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後のリニアリティ
値を測定したところ−０．２〜０．３％の値であり、ほ
とんど変化していなかった。
【００１８】実施例３ 実施例２においてＩＴＯ膜の代わりに以下の方法でＦＴ
Ｏ膜を成膜した。原料はＳｎＣｌ4 のＣＨ3 ＯＨ溶液
（濃度０．３ｍｏｌ／ｌ）にＮＨ4 ＦをＦ／Ｓｎ＝５ｍ
ｏｌ％添加した液を用いた。成膜温度は４３０℃、超音
波により２．０ｍｌ／ｍｉｎ霧化し、２．５分間成膜し
た。得られた膜は膜厚２５ｎｍのＦＴＯ膜であった。こ
の膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均８６０Ω
／□、比抵抗２．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗
の均一性は±７５Ω／□以内であった。透過率は５５０
ｎｍで８８．２％を示した。この試料について、実施例
１と同様の方法でリニアリティ値を測定したところ、−
０．４〜０．５％の値であった。この試料を７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後、試験
前と同じ条件でリニアリティを測定したところ−０．１
〜０．９％の値に増大したが、±２％以内であった。
Ｏ膜を成膜した。原料はＳｎＣｌ4 のＣＨ3 ＯＨ溶液
（濃度０．３ｍｏｌ／ｌ）にＮＨ4 ＦをＦ／Ｓｎ＝５ｍ
ｏｌ％添加した液を用いた。成膜温度は４３０℃、超音
波により２．０ｍｌ／ｍｉｎ霧化し、２．５分間成膜し
た。得られた膜は膜厚２５ｎｍのＦＴＯ膜であった。こ
の膜のシート抵抗を９点測定したところ、平均８６０Ω
／□、比抵抗２．２×１０-3Ωcmであった。シート抵抗
の均一性は±７５Ω／□以内であった。透過率は５５０
ｎｍで８８．２％を示した。この試料について、実施例
１と同様の方法でリニアリティ値を測定したところ、−
０．４〜０．５％の値であった。この試料を７Ｖ，４０
℃，９５％ＲＨの条件下で２４０時間放置した後、試験
前と同じ条件でリニアリティを測定したところ−０．１
〜０．９％の値に増大したが、±２％以内であった。
【００１９】実施例４ 厚さ１．１ｍｍ、１００ｍｍ角の日本電気硝子（株）の
ＯＡ−２ガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が０．
５ｗｔ％以下）を基板として用い、スパッター法で、Ｉ
ＴＯ（Ｓｎ＝０．５ｗｔ％ ｖｓ Ｉｎ）をターゲット
として、ＲＦ出力２００Ｗ、基板温度３００℃、Ａｒ：
Ｏ2 ＝９８：２の条件で４分間成膜を行った。得られた
膜のシート抵抗は６５０Ω／□、膜厚は２０ｎｍ、透過
率は８９．５％の良好な膜であった。この膜のリニアリ
ティ値は０．２〜０．６％であり、７Ｖ，４０℃，９５
％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニアリティ値
は、０．２〜０．８％であり、ほとんど変化していなか
った。
ＯＡ−２ガラス（Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が０．
５ｗｔ％以下）を基板として用い、スパッター法で、Ｉ
ＴＯ（Ｓｎ＝０．５ｗｔ％ ｖｓ Ｉｎ）をターゲット
として、ＲＦ出力２００Ｗ、基板温度３００℃、Ａｒ：
Ｏ2 ＝９８：２の条件で４分間成膜を行った。得られた
膜のシート抵抗は６５０Ω／□、膜厚は２０ｎｍ、透過
率は８９．５％の良好な膜であった。この膜のリニアリ
ティ値は０．２〜０．６％であり、７Ｖ，４０℃，９５
％ＲＨ環境下で２４０時間放置した後のリニアリティ値
は、０．２〜０．８％であり、ほとんど変化していなか
った。
【００２０】比較例１ 実施例１に示したパイロゾル成膜装置を用いて、基板を
厚さ１．１ｍｍ、１００ｍｍ角の日本電気硝子（株）の
セントラル硝子（株）製ソーダライムガラス（Ｎａ2 Ｏ
とＫ2 Ｏの合計含有量が１６．６ｗｔ％）を用いた以外
は実施例１と同じ条件で成膜を行った。得られた膜のシ
ート抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値
を示した。この膜の透過率は５５０ｎｍで８９．７％で
あった。この試料のリニアリティ値は−０．２〜０．２
％であったが、７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨ環境下で２４
０時間放置した後のリニアリティ値は、３．８〜５．１
％に増大した。
厚さ１．１ｍｍ、１００ｍｍ角の日本電気硝子（株）の
セントラル硝子（株）製ソーダライムガラス（Ｎａ2 Ｏ
とＫ2 Ｏの合計含有量が１６．６ｗｔ％）を用いた以外
は実施例１と同じ条件で成膜を行った。得られた膜のシ
ート抵抗、比抵抗、均一性は実施例１の膜と全く同じ値
を示した。この膜の透過率は５５０ｎｍで８９．７％で
あった。この試料のリニアリティ値は−０．２〜０．２
％であったが、７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨ環境下で２４
０時間放置した後のリニアリティ値は、３．８〜５．１
％に増大した。
【００２１】比較例２ 実施例４において、基板を厚さ１．１ｍｍ、１００ｍｍ
角の旭硝子（株）製ソーダライムガラス（Ｎａ2 ＯとＫ
2 Ｏの合計含有量が約１７ｗｔ％）を用いた以外は全く
同じ条件でＳｎＯ2 成膜を行った。得られた膜のシート
抵抗、比抵抗、均一性は実施例４の膜と全く同じ値を示
した。この膜の透過率は５５０ｎｍで８９．６％であっ
た。この試料のリニアリティ値は−０．２〜０．６％で
あったが、７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時
間放置した後のリニアリティ値は、２．６〜４．１％に
増大した。
角の旭硝子（株）製ソーダライムガラス（Ｎａ2 ＯとＫ
2 Ｏの合計含有量が約１７ｗｔ％）を用いた以外は全く
同じ条件でＳｎＯ2 成膜を行った。得られた膜のシート
抵抗、比抵抗、均一性は実施例４の膜と全く同じ値を示
した。この膜の透過率は５５０ｎｍで８９．６％であっ
た。この試料のリニアリティ値は−０．２〜０．６％で
あったが、７Ｖ，４０℃，９５％ＲＨ環境下で２４０時
間放置した後のリニアリティ値は、２．６〜４．１％に
増大した。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏ
の合計含有量が６ｗｔ％以下の透明ガラス基板上に屈折
率１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成す
ることにより、所期の目的とする通電耐湿試験でリニア
リティ値が±２％以上に増大しない安定性に優れた透明
導電膜付ガラスを得ることが出来る。
の合計含有量が６ｗｔ％以下の透明ガラス基板上に屈折
率１．７〜２．２の透明導電膜を１０〜３０ｎｍ形成す
ることにより、所期の目的とする通電耐湿試験でリニア
リティ値が±２％以上に増大しない安定性に優れた透明
導電膜付ガラスを得ることが出来る。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が６ｗｔ％
以下の透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．２の透明
導電膜が１０〜３０ｎｍの膜厚で形成された透明導電膜
付ガラス。 - 【請求項２】透明導電膜のシート抵抗値が、２００〜３
０００Ω／□、リニアリティ値が±２％以内である請求
項１記載の高抵抗透明導電膜付ガラス。 - 【請求項３】請求項１および２記載の透明導電膜付ガラ
スを用いることを特徴とするタッチパネル。 - 【請求項４】Ｎａ2 ＯとＫ2 Ｏの合計含有量が６ｗｔ％
以下の透明ガラス基板上に屈折率１．７〜２．２の透明
導電膜を１０〜３０ｎｍの膜厚で形成することを特徴と
する透明導電膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28397794A JPH08119674A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | タッチパネル用透明導電膜付ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28397794A JPH08119674A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | タッチパネル用透明導電膜付ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08119674A true JPH08119674A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17672692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28397794A Pending JPH08119674A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | タッチパネル用透明導電膜付ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08119674A (ja) |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP28397794A patent/JPH08119674A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040621 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040811 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |