JPS60243279A - 透明電極形成方法 - Google Patents
透明電極形成方法Info
- Publication number
- JPS60243279A JPS60243279A JP59096250A JP9625084A JPS60243279A JP S60243279 A JPS60243279 A JP S60243279A JP 59096250 A JP59096250 A JP 59096250A JP 9625084 A JP9625084 A JP 9625084A JP S60243279 A JPS60243279 A JP S60243279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- organic
- base plate
- electrode forming
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、ガラス等の基板に有機金属化合物を含む透明
電極形成液牽塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
電極形成液牽塗布して焼成する透明電極形成方法に関す
る。
「従来技術およびその問題点」
ガラス、セラミックス等の基板上に形成した酸化インジ
ウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどからなる酸化物被
膜は透明で良好な導電性を示すことが知られており、液
晶表示素子、半導体素子などの電極として使用されたり
、窓ガラスなどの結露防Ｗ用電極として使用されている
。
ウム、酸化スズ、酸化カドミウムなどからなる酸化物被
膜は透明で良好な導電性を示すことが知られており、液
晶表示素子、半導体素子などの電極として使用されたり
、窓ガラスなどの結露防Ｗ用電極として使用されている
。
このような透明電極の形成方法として、金属酸化物を直
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。しかしながら、真空蒸
着法では特殊な設備を要し、／ヘツチ式なので量産に適
さない欠点がある。一方、スクリーン印刷法やディッピ
ング法は、比較的大がかりな設備を要せず、量産に適し
ているが、均一な膜厚および膜質を得にくい欠点がある
。
接基板にコーティングして被膜を形成する真空蒸着法や
、有機金属化合物を含む透明電極形成液を基板に塗布し
これを焼成して被膜を形成するスクリーン印刷法、ディ
ッピング法などが知られている。しかしながら、真空蒸
着法では特殊な設備を要し、／ヘツチ式なので量産に適
さない欠点がある。一方、スクリーン印刷法やディッピ
ング法は、比較的大がかりな設備を要せず、量産に適し
ているが、均一な膜厚および膜質を得にくい欠点がある
。
「発明の目的」
本発明の目的は、透明電極形成液を基板に塗布して焼成
する透明電極形成方法において、均一な膜厚および膜質
を有する透明電極が得られるようにすることにある 「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
、紫外線照射した後、近赤外線を照射して焼成する方法
である。
する透明電極形成方法において、均一な膜厚および膜質
を有する透明電極が得られるようにすることにある 「発明の構成」 本発明の透明電極形成方法は、有機金属化合物と有機バ
インダーと溶媒とを含む透明電極形成液を基板に塗布し
、紫外線照射した後、近赤外線を照射して焼成する方法
である。
基板に塗布された透明電極形成液は、紫外線椰射により
発生したオゾン（ｏ３）によって、有機鎖分解と強制耐
化分解が行なわれる。これにより、次の焼成工程におい
て、有機成分が燃えやすくなり、膜質を均一にすること
ができる。また、近赤外線を照射して焼成を行なうこと
により、放射あるいは輻射方式による基板の直接加熱が
可能となるので、ヒーティングレイト（Ｈｅａｔｉｎｇ
Ｒａｔｅ）（基板表面の温度が１００ ’Ｃから５０
０’Ｃに達するまでの時間）を短くすることができ、溶
媒の揮発と有機金属の熱分解とを同時に行なうことがで
きる。したがって、膜厚および膜質がより一層均−な透
明電極を形成することができる。
発生したオゾン（ｏ３）によって、有機鎖分解と強制耐
化分解が行なわれる。これにより、次の焼成工程におい
て、有機成分が燃えやすくなり、膜質を均一にすること
ができる。また、近赤外線を照射して焼成を行なうこと
により、放射あるいは輻射方式による基板の直接加熱が
可能となるので、ヒーティングレイト（Ｈｅａｔｉｎｇ
Ｒａｔｅ）（基板表面の温度が１００ ’Ｃから５０
０’Ｃに達するまでの時間）を短くすることができ、溶
媒の揮発と有機金属の熱分解とを同時に行なうことがで
きる。したがって、膜厚および膜質がより一層均−な透
明電極を形成することができる。
本発明において使用する透明電極形成液としては、イン
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
ジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合物と
有機バインダーと、溶媒とからなる組成のものが好ま
しい。
インジウムとスズとを含む非加水分解性の有機金属化合
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ（ａｃａｃ）３、ビスアセチルアセトナートジ
プチルスズ５ｎＢｕ２ （ａｃａｃ）２などが挙げられ
る。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．５〜
１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物の含
有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
物としては、例えばトリスアセチルアセトナートインジ
ウムＩｎ（ａｃａｃ）３、ビスアセチルアセトナートジ
プチルスズ５ｎＢｕ２ （ａｃａｃ）２などが挙げられ
る。この場合、スズ成分は有機金属化合物中、７．５〜
１５重量％が適当である。そして、有機金属化合物の含
有量は全組成物中３〜８重量％が好ましい。
有機バインダーとしては、例えばニトロセルロース、エ
チルセルロース、ベンジルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
量％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
チルセルロース、ベンジルセルロースなどのセルロース
化合物が使用できる。有機バインダーの含有量は、スク
リーン印刷用のペーストの場合、全組成物中５〜２５重
量％、ディッピング用の液の場合、全組成物中１〜４重
量％が適当である。
溶媒としては、スクリーン印刷用のペーストの場合は例
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディ・じピング用の液の場合は例えばメチルエチルケ
トンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、沸
点を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合
に微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用
の液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
えばベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、ベ
ンジルアセテートなどの高沸点溶媒が主として用いられ
、ディ・じピング用の液の場合は例えばメチルエチルケ
トンなどの低沸点溶媒が主として用いられる。なお、沸
点を調整するため、スクリーン印刷用のペーストの場合
に微量の低沸点溶媒を添加し、あるいはディッピング用
の液の場合に微量の高沸点溶媒を添加してもよい。
これらの溶媒は有機金属化合物、有機バインダーを除い
た残りの主たる成分をなすようにする。
た残りの主たる成分をなすようにする。
そして、上記のような透明電極形成液をスクリーン印刷
やディンピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
やディンピングにより基板に塗布する。その際、有機金
属化合物として上記のような非加水分解性のものを使用
した場合には、湿度条件を特に限定する必要がなく、ま
た、透明電極形成液の保存寿命も向上する。
次に−４好ましくは１８４．９ｎｍから２５３．７ｎｍ
に波長のピークを持つ紫外線を例えば３．５分／４ｍｗ
／ｃゴの割合で基板に照射して、発生するオゾンにより
有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成分を燃えやすく
する。これによって、膜質は均一化する６最後に、近赤
外線を基板に照射し、好ましくは４００〜６００℃の温
度で焼成を行なう。ここで近赤外線とは可視光線に近い
赤外線のことで、波長０．８１Ｌから２．５路程度のも
のをさす。赤外線照射により基板は放射あるいは輻射に
よる直接加熱がなされ、ヒーティングレイト（基板表面
の温度が１００°Ｃから５００℃に達するまでの時間）
が短縮される。これにより、溶媒や有機バインダー成分
の揮発と、有機金属化合物の熱分解とがほぼ同時に進行
し、膜質および膜厚がさらに均一化される。
に波長のピークを持つ紫外線を例えば３．５分／４ｍｗ
／ｃゴの割合で基板に照射して、発生するオゾンにより
有機鎖分解と強制酸化を行ない、有機成分を燃えやすく
する。これによって、膜質は均一化する６最後に、近赤
外線を基板に照射し、好ましくは４００〜６００℃の温
度で焼成を行なう。ここで近赤外線とは可視光線に近い
赤外線のことで、波長０．８１Ｌから２．５路程度のも
のをさす。赤外線照射により基板は放射あるいは輻射に
よる直接加熱がなされ、ヒーティングレイト（基板表面
の温度が１００°Ｃから５００℃に達するまでの時間）
が短縮される。これにより、溶媒や有機バインダー成分
の揮発と、有機金属化合物の熱分解とがほぼ同時に進行
し、膜質および膜厚がさらに均一化される。
ヒーティングレイトは０．５〜３分の間に調整すること
が好ましい。ヒーティングレイトが０，５分未満ではガ
ラス等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあり、
３分を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が乏し
くなる。
が好ましい。ヒーティングレイトが０，５分未満ではガ
ラス等の基板を用いた場合、基板が割れる虞れがあり、
３分を超えると透明電極の膜厚を均一にする効果が乏し
くなる。
なお、本発明のさらに好ましい態様によれば、近赤外線
照射による焼成工程の前半を酸素の豊富な雰囲気下、例
えば空気中で行ない、・焼成工程の後半を酸素の乏しい
雰囲気下、例えばＮ、：Ｏ。
照射による焼成工程の前半を酸素の豊富な雰囲気下、例
えば空気中で行ない、・焼成工程の後半を酸素の乏しい
雰囲気下、例えばＮ、：Ｏ。
＝９＝１の気体中で行なうようにする。この場合、Ｎ２
：０□＝狛】とするには空気中にＮ２が８０％含まれて
いることから、空気：窒素；ｌ：１の割合とすればよい
。このように、焼成工程の前半と後半とで酸素の含有量
を変化させることにより、有機金属の酸化をコントロー
ルして低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
：０□＝狛】とするには空気中にＮ２が８０％含まれて
いることから、空気：窒素；ｌ：１の割合とすればよい
。このように、焼成工程の前半と後半とで酸素の含有量
を変化させることにより、有機金属の酸化をコントロー
ルして低抵抗の透明電極を形成することが可能となる。
「発明の実施例」
トリスアセチルアセトナートインジウム８７．５重着％
、ビスアセチルアセトナートジブチルスズ１２．５重量
％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセルロ
ース２．５重量％、ベンジルアルコール２．０重量％、
メチルエチルケトン９０．０重量％からなる透明電極形
成液を作成した。
、ビスアセチルアセトナートジブチルスズ１２．５重量
％からなる有機金属化合物５．５重量％、ニトロセルロ
ース２．５重量％、ベンジルアルコール２．０重量％、
メチルエチルケトン９０．０重量％からなる透明電極形
成液を作成した。
この液にガラス基板を浸漬して引き上げ、液をガラス基
板に塗布した。
板に塗布した。
次に、紫外線を３．５分／４ｍｗ／ｃｍ’の割合で基板
に照射した。
に照射した。
さらに、近赤外線を照射して焼成を行なった。
その場合、ヒーティングレイトは２分とし、温度上昇後
、Ｉｊも半の２０分間は５００°Ｃとし、後半の１５分
間は温度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示
す。図中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の
焼成の時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前
半Ｂの焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２：
０２＋＝９：１の気体中で行なった。
、Ｉｊも半の２０分間は５００°Ｃとし、後半の１５分
間は温度を徐々に低下させた。このようすを第１図に示
す。図中、Ａはヒーティングレイトの時間、Ｂは前半の
焼成の時間、Ｃは後半の焼成の時間である。そして、前
半Ｂの焼成は空気中で行ない、後半Ｃの焼成はＮ２：
０２＋＝９：１の気体中で行なった。
こうして得られた透明電極は均一な膜質および膜厚を崩
し、透明度が良好であった。なお、膜厚は３００人、シ
ート抵抗はＩＫΩ／口であった。
し、透明度が良好であった。なお、膜厚は３００人、シ
ート抵抗はＩＫΩ／口であった。
「発明の効果」 ′
以上説明したように、本発明によれば、透明電極形成液
を基板に塗布した後、紫外線を照射し、近赤外線によっ
て焼成を行なうようにしたので、均一な膜質および膜厚
を有する透明電極を形成することができる。
を基板に塗布した後、紫外線を照射し、近赤外線によっ
て焼成を行なうようにしたので、均一な膜質および膜厚
を有する透明電極を形成することができる。
第１図は本発明の実施例における焼成温度および時間を
示す図表である。
示す図表である。
Claims (1)
- 有機金属化合物と有機バインダーと溶媒とを含む透明電
極形成液を基板に塗布し、紫外線照射した後、近赤外線
を照射して焼成することを特徴とする透明電極形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096250A JPS60243279A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096250A JPS60243279A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243279A true JPS60243279A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0220706B2 JPH0220706B2 (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=14159965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59096250A Granted JPS60243279A (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | 透明電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243279A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182279A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Futaki Itsuo | 無機質被膜の形成方法とそのための溶液 |
| JPH01111880A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 絶縁性金属酸化膜の形成方法 |
| US6821575B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-11-23 | Advanced Photonics Technologies Ag | Electrode treatment |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102598160B (zh) * | 2009-11-05 | 2013-08-07 | 住友金属矿山株式会社 | 透明导电膜及其制造方法、和元件、透明导电基板及器件 |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP59096250A patent/JPS60243279A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182279A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Futaki Itsuo | 無機質被膜の形成方法とそのための溶液 |
| JPH0555600B2 (ja) * | 1986-02-05 | 1993-08-17 | Suzuki Yasuo | |
| JPH01111880A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 絶縁性金属酸化膜の形成方法 |
| US6821575B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-11-23 | Advanced Photonics Technologies Ag | Electrode treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220706B2 (ja) | 1990-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3944684A (en) | Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate | |
| JPH0220707B2 (ja) | ||
| JPS60243279A (ja) | 透明電極形成方法 | |
| JP4377003B2 (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法及び透明導電膜の形成方法 | |
| KR910000408B1 (ko) | 투명도전막의 제조방법 | |
| JP3338966B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗布液 | |
| JP4522566B2 (ja) | 透明導電膜のシート抵抗値の調整方法 | |
| JPS60243278A (ja) | 透明電極形成方法 | |
| JP4099911B2 (ja) | 透明導電膜形成基板及び形成方法 | |
| JPS6222312A (ja) | 透明導電性被膜の形成方法 | |
| JP4365918B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗布液およびこれを使用した透明導電膜形成方法 | |
| JPH0575706B2 (ja) | ||
| JPH05120933A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPS59201311A (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPS6128713B2 (ja) | ||
| JPH0483564A (ja) | 保護膜の形成方法 | |
| JPS61227311A (ja) | 透明導電性被膜の形成方法 | |
| JPH03110803A (ja) | チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH03184216A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| KR830000478B1 (ko) | 투명 도전막의 제조방법 | |
| JPS6128714B2 (ja) | ||
| JPS63170813A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPS62267476A (ja) | 透明導電性被膜形成組成物 | |
| JP2004349105A (ja) | 透明導電膜用組成物および透明導電膜 | |
| JPS61273815A (ja) | 有色透明導電膜の形成方法 |