JPS59201311A - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS59201311A JPS59201311A JP7542483A JP7542483A JPS59201311A JP S59201311 A JPS59201311 A JP S59201311A JP 7542483 A JP7542483 A JP 7542483A JP 7542483 A JP7542483 A JP 7542483A JP S59201311 A JPS59201311 A JP S59201311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- transparent
- forming
- forming transparent
- screen printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
成条件を検討することによって、スクリーン印刷あるい
はディッピング法により形成された電極を低ＩＪモ１丸
化すること、及び、強度を増大させることを目的とする
。
はディッピング法により形成された電極を低ＩＪモ１丸
化すること、及び、強度を増大させることを目的とする
。
従来、透明Ｍｔｅｋの形成方法としては、［ｒ１２０，
及びＳｎＯ， をに空蒸着あるいけスパッター法によ
り形成されたものが一般的である。しかしながら、これ
らの製法は装置が大がかりであり、製造効率 ２ が悪いためにコストが非常に高い。これを回避するため
にＣＶＤ （ケミカル ブエイパー デポジション）、
スプレー法、スクリーン印刷あるいはディッピング法が
提案されてきた。
及びＳｎＯ， をに空蒸着あるいけスパッター法によ
り形成されたものが一般的である。しかしながら、これ
らの製法は装置が大がかりであり、製造効率 ２ が悪いためにコストが非常に高い。これを回避するため
にＣＶＤ （ケミカル ブエイパー デポジション）、
スプレー法、スクリーン印刷あるいはディッピング法が
提案されてきた。
しかしながら、ＣＶＩ）、１ｓよびスプレー法は、塩素
根あるいは硝酸根が材料中に含捷れるだめに、製造工程
にむいて装置を腐蝕するという問題が存在する。父、ス
クリーン印刷あるいはディッピング法においては、通常
、電気炉にて５００℃、３０分の焼成条件で焼成するが
、焼成後の透明電極膜の比抵抗は１．０〜１．５ ＫＱ
／／と高く、電極強度も十分ではないという欠点がある
。
根あるいは硝酸根が材料中に含捷れるだめに、製造工程
にむいて装置を腐蝕するという問題が存在する。父、ス
クリーン印刷あるいはディッピング法においては、通常
、電気炉にて５００℃、３０分の焼成条件で焼成するが
、焼成後の透明電極膜の比抵抗は１．０〜１．５ ＫＱ
／／と高く、電極強度も十分ではないという欠点がある
。
本発明は、スクリーン印刷あるいけディッピング法にお
ける透明電極形成における上記の欠点を解消したもので
、以下、その一実施例を説明する。
ける透明電極形成における上記の欠点を解消したもので
、以下、その一実施例を説明する。
有機インジウムに化合物換算で７．５〜１５ ｗｔ％の
有機スズをドーピングし、有機溶剤、例えば酢酸エチル
あるいはメチルエチルケトンに溶解した透明電極材料を
、ＳｉＯ２膜でナトリウム溶出時ＩＥを行なったソーダ
ガラスから成る基板上に１０〜５０ｃｒｒｖ’ｔｉａ恩
〜Ｊユ の引き上げスピードでディッピングを行ない、第１図に
示す様に、先ず、紫外線炉（１）により２ＱＯｎｍ〜４
００ ｎｍの紫外線で３０秒〜５分照射し、次に、連続
し１７近赤外、ｌ−＋１！焼成炉（２）で５００℃、２
０分焼成する。
有機スズをドーピングし、有機溶剤、例えば酢酸エチル
あるいはメチルエチルケトンに溶解した透明電極材料を
、ＳｉＯ２膜でナトリウム溶出時ＩＥを行なったソーダ
ガラスから成る基板上に１０〜５０ｃｒｒｖ’ｔｉａ恩
〜Ｊユ の引き上げスピードでディッピングを行ない、第１図に
示す様に、先ず、紫外線炉（１）により２ＱＯｎｍ〜４
００ ｎｍの紫外線で３０秒〜５分照射し、次に、連続
し１７近赤外、ｌ−＋１！焼成炉（２）で５００℃、２
０分焼成する。
その結果、形成されだ透明電極の比１」（抗値は、３０
０〜４００ΩＺｍ２と大変低い値を示した。又膜強度も
５チＮａｏＨａｑ、 ５０℃への浸漬試験においても、
１時間以上耐えるなど大変改良された。
０〜４００ΩＺｍ２と大変低い値を示した。又膜強度も
５チＮａｏＨａｑ、 ５０℃への浸漬試験においても、
１時間以上耐えるなど大変改良された。
これは、前記紫外線炉（１）により、波長２００ｎｍ〜
４００ ｎｍの紫外、冑を照射することによりディッピ
ングされた透明電極材料がより均一に酸化され・続いて
近赤外線□）４％成炉（２）にて焼成を行なうことによ
って熱効率良く透明′ｄイ極材料が焼成されるためと考
えられる。なお、ｔイ〜１図の（３）は透明電極材料を
ディッピングあるいはスクリーン印刷した基板を殿送す
るベルトである。また、実施例では透明箱、極材料をデ
イツピングする場合について説明したが、スクリーン印
刷する場合にも同様な結果が得られた。
４００ ｎｍの紫外、冑を照射することによりディッピ
ングされた透明電極材料がより均一に酸化され・続いて
近赤外線□）４％成炉（２）にて焼成を行なうことによ
って熱効率良く透明′ｄイ極材料が焼成されるためと考
えられる。なお、ｔイ〜１図の（３）は透明電極材料を
ディッピングあるいはスクリーン印刷した基板を殿送す
るベルトである。また、実施例では透明箱、極材料をデ
イツピングする場合について説明したが、スクリーン印
刷する場合にも同様な結果が得られた。
以上の様に、本発明はスクリーン印刷あるいはディ ・
ピング法による透明電極の形成方法において、焼成条件
を紫外線照射炉及び近赤外線焼成炉を順次照射すること
により、低抵抗で安定な透明電極を得るという顕著な効
果を奏する。
ピング法による透明電極の形成方法において、焼成条件
を紫外線照射炉及び近赤外線焼成炉を順次照射すること
により、低抵抗で安定な透明電極を得るという顕著な効
果を奏する。
第１図は本発明の透明箱：極の形成方法を説明する説明
図である。 （１）紫外線焼成炉 （２）近赤外線焼成炉 （３） ベルト
図である。 （１）紫外線焼成炉 （２）近赤外線焼成炉 （３） ベルト
Claims (1)
- 有機インジウムにドーピング剤として有機スズを添加し
た透明電極材料を、基板上にスクリーン印刷あるいけデ
ィッピング法による透明＊極の形成方法において、焼成
条件として紫外線および近赤外線を順次照射することを
特徴とする透明電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7542483A JPS59201311A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7542483A JPS59201311A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201311A true JPS59201311A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13575801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7542483A Pending JPS59201311A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201311A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005353505A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nippon Soda Co Ltd | 酸化インジウム膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7542483A patent/JPS59201311A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005353505A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Nippon Soda Co Ltd | 酸化インジウム膜の製造方法 |
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