JPH11135816A

JPH11135816A - ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法

Info

Publication number: JPH11135816A
Application number: JP9300591A
Authority: JP
Inventors: Junji Nakajima; 潤二中島; Takashi Arita; 孝有田; Mikio Murozono; 幹夫室園
Original assignee: Matsushita Battery Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1997-10-31
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】高効率で高信頼性のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池を製造する方法を提供する。【解決手段】テルル化カドミウム膜上に正電極を形成
する工程が、テルル化カドミウム膜上にカップリング剤
の塗膜を形成する工程、および前記塗膜上に、テルル化
カドミウム膜中のキャリア濃度を高める金属の化合物を
含むカーボンペーストを塗布し、前記金属の化合物の熱
分解する温度で加熱する工程からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高効率、高信頼性
を有するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、炭酸ガスによる地球温暖化、オゾ
ン層の破壊等、地球環境問題がクローズアップされ、ク
リーンな新エネルギーの開発、とりわけ太陽電池の早期
実用化に対する期待は、ますます大きくなっている。し
かし、太陽電池を早期に実用化するためには、解決しな
ければならない課題が多くある。特に、太陽電池の変換
効率、信頼性の向上、および低コスト化は重要な課題で
ある。ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池は、光吸収層として最
適に近い１．４ｅＶの禁制帯幅をもつテルル化カドミウ
ムを用いている。また、使用する材料も安価なことか
ら、低コスト高効率太陽電池の本命の一つとして期待さ
れている。

【０００３】ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を作製するに
は、種々の方法が試みられている。そのなかでも、印刷
焼結法は、使用する装置が安価であるため、この手法に
よって製造される太陽電池は電卓用等に広く使用されて
いる。ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の構成は、例えば、バ
リウムホウ珪酸ガラス等の基板に、ＣｄＳ膜、ＣｄＴｅ
膜、カーボン電極を順次形成させたものであり、各膜は
以下の印刷焼結法で形成される。

【０００４】（１）硫化カドミウム膜粒径２μｍ〜３μｍの高純度（５Ｎ）の硫化カドミウム
の粉末に１２ｗｔ％の塩化カドミウム粉末と適当量のプ
ロピレングリコールなどの粘結剤を加え、混練すること
により硫化カドミウムペーストを作製する。次に、この
ペーストをガラス基板上に印刷し、１２０℃で１時間乾
燥後、アルミナ製焼成ケースに入れ、小さな孔が多数開
いている焼成用蓋を被せて、窒素雰囲気のベルト炉にお
いて６９０℃で９０分間焼成し、硫化カドミウム膜を得
る。

【０００５】（２）テルル化カドミウム膜カドミウム粉末（５Ｎ）とテルル粉末（６Ｎ）を等モル
量ずつ混合し、水とともにボールミルで１μｍ以下の粒
径になるまで粉砕する。乾燥後、この微粉末に適量の塩
化カドミウムを加え、プロピレングリコールを加えて混
練し、ペーストを作製する。次に、ペーストを硫化カド
ミウム膜上に印刷し、１２０℃で１時間焼成し、テルル
化カドミウムの焼結膜を得る。

【０００６】（３）カーボン電極テルル化カドミウム膜側の電極の作製には、一般に、カ
ーボンペーストを用いる。このカーボンペーストは、カ
ーボンブラックと黒鉛質粉末に有機質結着剤を加えて作
製する。この中にテルル化カドミウム膜中のキャリア濃
度を高める金属の化合物、例えば銅や金の化合物を微量
加える。このカーボンペーストをテルル化カドミウム膜
上に印刷後、１２０℃で１時間乾燥し、窒素雰囲気中に
おいて３５０℃で熱処理を行い、カーボン電極を形成す
る。前記化合物は熱分解し、微量の銅または金がテルル
化カドミウム膜中へ拡散してアクセプタとして働くとと
もに、カーボンとの接触面をｐ⁺−ＣｄＴｅ層とし、良
好なオーミック接触を可能にする。

【０００７】上記のようにして作製されるＣｄＳ／Ｃｄ
Ｔｅ太陽電池の最も大きな問題は、テルル化カドミウム
膜上のカーボン電極が、その形成工程において銅化合物
などの熱分解温度の３５０℃程度に加熱されるため、カ
ーボンペースト中の結着剤樹脂は消失し、そのために電
極自体のまとまりが無くなり崩れやすくなることであ
る。樹脂結着剤の代わりにカラスフリットを用いること
もできるが、３５０℃程度の加熱ではガラスフリットが
溶解しないため、時間が経過するにつれて、テルル化カ
ドミウム膜とカーボン電極との接着性は低下し、剥がれ
が生じる。

【０００８】また、上記のような印刷焼結法によると、
それぞれの層が厚く形成される。そのため、半導体膜と
して、抵抗および電気的損失が大きくなる。また、硫化
カドミウム膜が厚いので、太陽光吸収材料である硫化カ
ドミウム膜への光の透過性が大きく損なわれ、得られる
太陽電池の光利用効率は低くなる。太陽電池の光利用効
率を高めるためには、硫化カドミウムおよびテルル化カ
ドミウム膜を薄く形成する必要がある。硫化カドミウム
膜やテルル化カドミウム膜を薄く作製するには、スパッ
タなどの蒸着法を利用するのが有効である。しかし、蒸
着法では、蒸着後テルル化カドミウム膜の結晶化に寄与
する塩化カドミウムによる処理工程をさらに加えなけれ
ばならない。そのためには、塩化カドミウムによる処理
条件およびそのメカニズムを検討する必要がある。この
ような問題が、太陽電池の高効率化及び信頼性向上化の
大きな妨げとなっている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、カーボン電極の密着性を向上させ、高信頼性のＣｄ
Ｓ／ＣｄＴｅ太陽電池を提供することである。また、本
発明の第２の目的は、蒸着法などにより、硫化カドミウ
ム膜やテルル化カドミウム膜を薄く形成し、高効率で高
信頼性のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を提供することであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明導電膜を
有する透明基板上に順次硫化カドミウム膜およびテルル
化カドミウム膜を形成するとともに、前記硫化カドミウ
ム膜の露出部および前記テルル化カドミウム膜上にそれ
ぞれ負電極および正電極を形成するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太
陽電池の製造方法において、前記正電極を形成する工程
が、前記テルル化カドミウム膜上にカップリング剤の塗
膜を形成する工程、および前記塗膜上に、テルル化カド
ミウム膜中のキャリア濃度を高める金属の化合物を含む
カーボンペーストを塗布し、前記金属の化合物の熱分解
する温度で加熱する工程からなることを特徴とする。

【００１１】本発明は、また前記正電極を形成する工程
が、前記テルル化カドミウム膜上に、テルル化カドミウ
ム膜中のキャリア濃度を高める金属の化合物およびカッ
プリング剤を含むカーボンペーストを塗布し、前記金属
の化合物の熱分解する温度で加熱する工程からなるＣｄ
Ｓ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法を提供する。前記カッ
プリング剤としては、ヘキサメチルジシラザン（（ＳＨ
₃）₃ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ₃）₃）、またはオクチル酸珪素
が好ましい。また、前記カーボンペーストは、さらに導
電性フィラーを含むことが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明は、上記のようにテルル化
カドミウム膜上にカーボンペーストにより炭素電極を形
成するに際して、テルル化カドミウム膜上にカップリン
グ剤の塗膜を形成するか、またはカーボンペースト中に
カップリング剤を混合するものである。本発明によれ
ば、カーボンペーストを塗布した後、ペースト中の金属
の化合物が熱分解する温度に加熱したとき、ペースト中
の樹脂結着剤が消失しても、カップリング剤により、テ
ルル化カドミウム膜と生成するカーボン電極との密着性
が確保される。また、カーボンペースト中に導電性フィ
ラーを混合しておけば、電極の抵抗増加を抑制すること
ができる。

【００１３】カーボンペースト中に含有させるテルル化
カドミウム膜のキャリア濃度を高める金属の化合物とし
ては、銅または金の有機化合物など、スズを除く殆どの
金属の有機化合物を用いることができる。なかでもナフ
テン酸銅、銅アルコキサイト、銅ジケトネート類、銅カ
ルボン酸誘導体あるいは銅塩類などの銅の有機化合物が
安価で好ましい。特に、分解温度、熱分解による銅の生
成の容易さ、取り扱い中の化学的および熱的な安定性、
さらに有機結着剤との相溶性などを配慮して選択する。
例えば、銅エチルアセトアセテート（Ｃ₁₂Ｈ₁₈Ｏ₆Ｃ
ｕ）、銅ベンゾイルアセトネート（Ｃ₂₀Ｈ₁₈Ｏ₄Ｃ
ｕ）、銅-２-エチルヘキサノエート（Ｃ₆Ｈ₃₀Ｏ₄Ｃｕ）
等が適している。

【００１４】本発明は、またスパッタ、ＣＶＤ法などの
蒸着法により硫化カドミウム膜およびテルル化カドミウ
ム膜を薄膜として形成することにより、高効率な太陽電
池を提供する。すなわち、従来はテルル化カドミウム膜
の結晶化に寄与する塩化カドミウムをテルル化カドミウ
ム膜形成材料中に添加していたが、蒸着法による場合は
原料中に塩化カドミウムを添加しても効果がないので、
テルル化カドミウム膜形成後に塩化カドミウムによる処
理を施す。具体的には、テルル化カドミウム膜に塩化カ
ドミウム水溶液を塗布し、加熱処理することによりテル
ル化カドミウム膜の結晶化を促進する。加熱処理の好ま
しい条件は、温度８０〜５００℃、時間５分〜２時間、
酸素濃度２００００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下である。

【００１５】ここで、テルル化カドミウム膜に塩化カド
ミウム水溶液を塗布する前に、テルル化カドミウム膜を
加湿処理することが好ましい。加湿処理により塩化カド
ミウムがテルル化カドミウム膜に均一に浸透するように
なる。実際、塩化カドミウム水溶液の塗布前にテルル化
カドミウム膜を乾燥処理すると、テルル化カドミウムの
結晶粒が粗くなり、反対に加湿処理した場合は結晶粒が
細かくなることが確認された。

【００１６】上記の塩化カドミウムによる処理を施した
後は、水洗をし、乾燥処理する。これにより不純物を除
去する。水洗する際には、超音波洗浄を採用するのが好
ましい。また、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池では、テルル
化カドミウム膜の表面のＴｅ成分が多いほど、得られる
太陽電池の変換効率がよくなる。従って、テルル化カド
ミウム膜表面に適当な割合のＴｅ層を形成することが好
ましい。このような処理を経たテルル化カドミウム膜上
にカーボン電極を形成する。この電極形成に先だって、
アッシング（粗面化）処理をすると、アンカリング効果
により電極が剥がれにくくなる。この粗面化処理は、酸
素アッシャーによる処理またはレーザ光による処理が適
している。

【００１７】また、本発明は、硫化カドミウム膜を改善
することにより、光利用率の高い太陽電池を提供する。
すなわち、基板の透明導電膜上に硫化カドミウム膜を蒸
着した後、硫化カドミウム膜に紫外線を照射する工程を
設ける。蒸着により形成した硫化カドミウム膜には、硫
化カドミウムソースに含まれている樹脂分が付着してお
り、これが着色して光透過率を低下させる原因となる。
本発明の上記紫外線の照射により樹脂分の着色を脱色
し、光透過率を向上させることができる。この硫化カド
ミウム膜上にテルル化カドミウムを形成するに先だっ
て、硫化カドミウム膜を十分に乾燥処理するのがテルル
化カドミウム膜との密着性が向上し好ましい。この乾燥
条件は、水の沸点温度以上の温度で、水が完全に蒸発す
る時間であればよい。

【００１８】

【実施例】以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をよ
り詳細に説明する。図１は、本発明による太陽電池の一
実施例における縦断面図である。１はガラス基板であ
る。この基板１上に、スパッタ法によって透明導電膜
（ＩＴＯ）２が作製され、蒸着法によって硫化カドミウ
ム膜３が形成されている。硫化カドミウム膜上には、一
部を残してテルル化カドミウム膜４が形成されている。
硫化カドミウム膜の露出部にはＡｇＩｎ電極６が形成さ
れている。また、テルル化カドミウム膜４上には炭素電
極５が形成されている。

【００１９】《比較例１》図１のガラス基板１（コーニ
ング社製；＃１７３７）上に、スパッタ法を用いてＩＴ
Ｏからなる透明導電膜２を２５００オングストロームの
厚みに形成した。この基板のシート抵抗は、７Ω／□で
あった。この透明導電膜２上に硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）膜３を８００オングストローム蒸着した。次に、基
板を１６０℃のオーブンに３０分間放置して乾燥処理し
た後、オーブンから取り出し、ただちにＣｄＴｅ蒸着槽
に入れてテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）膜４を５μｍ
蒸着した。

【００２０】その後、テルル化カドミウム膜に、０．３
ｍｏｌ／ｌのＣｄＣｌ₂水溶液を塗布し、ベルト式電気
炉に入れ、酸素１％の窒素雰囲気中において、４１５℃
で３０分間加熱した。加熱後の基板を取り出し、水洗し
た後、テルル化カドミウム膜の一部を取り除いてＣｄＳ
膜を露出させ、この露出部にＡｇＩｎペーストを印刷し
た。そして、２００℃のオーブンに１時間放置してＡｇ
Ｉｎ負電極６を形成した。また、ＣｄＴｅ膜上に、以下
のようにして作製したカーボンペーストを印刷し、１２
０℃のオーブンに１時間放置して溶媒を除去した後、ベ
ルト式電気炉に入れ、３７５℃で３０分間の熱処理を行
ってカーボン電極５を形成した。

【００２１】カーボンペーストは以下のようにして作製
した。まず、カーボンブラック３．７重量部と黒鉛粉末
２２．２重量部を混合し、これにジエチレングリコール
モノブチルエーテル６０重量部とポリビニルブチラール
１４．１重量部を加えて混練し、さらにナフテン酸銅を
テルピネオールに溶解させたものを混合してカーボンペ
ーストを調製した。なお、ナフテン酸銅の含有量は、金
属銅に換算してカーボンペースト中の炭素粉末（カーボ
ンブラックと黒鉛粉末の混合物）に対して８０ｐｐｍと
した。ナフテン酸銅の熱分解温度は約２４０℃である。
上記のようにして作製した太陽電池の変換効率を、ＡＭ
１．５、１００ｍＶ／ｃｍ²、２５℃のソーラーシミュ
レータ光でＩＶ特性を測定したところ、１４．６％であ
った。

【００２２】《実施例１》比較例１において、基板を塩
化カドミウム水溶液で処理し、水洗した後、１６０℃の
オーブンに３０分間を入れて乾燥処理した。その後、密
閉容器中に前記基板とヘキサメチルジシラザン（東京応
化工業（株）社製；ＯＡＰ）を一緒に入れて３０分間放
置し、基板のテルル化カドミウム膜上にヘキサメチルジ
シラザンを気相で付着させた。その上に、比較例１と同
様にしてカーボン電極を形成した。得られた太陽電池の
変換効率（初期）を比較例１と同様にして測定したとこ
ろ、１４．４％であった。また、８５℃で１０００時間
放置した後の変換効率は、初期値の９９．６％であり、
経持変化はほとんどなかった。

【００２３】《比較例２》硫化カドミウム膜を形成した
後、乾燥処理をせずに１時間放置してから、テルル化カ
ドミウム膜を比較例１と同様にして作製した。そして、
比較例１と同様にしてＡｇＩｎ電極および炭素電極を作
製して太陽電池を作製した。こうして得られた太陽電池
の変換効率を比較例１と同様にして測定したところ、１
２．４％であった。また、硫化カドミウム膜形成後、放
置する時間を２４時間にした以外は、前記と同様にして
作製した太陽電池の変換効率は、１１．８％であった。

【００２４】《実施例２》テルル化カドミウム膜を形成
した後、塩化カドミウム水溶液を塗布する前に、６０
℃、９０％ＲＨの高湿槽に基板を１時間入れた以外は、
比較例１と同様にして太陽電池を作製し、変換効率を測
定した。得られた変換効率は、１５．１％であった。ま
た、前記の加湿処理の代わりに、塩化カドミウム水溶液
を塗布した後、加熱処理するまでに同様の加湿処理をし
ても同様の結果が得られた。

【００２５】《比較例３》テルル化カドミウム膜を形成
した後、塩化カドミウム水溶液で処理する前に、１６０
℃のオーブンに３０分間入れて、基板の乾燥処理を行っ
た以外は、比較例１と同様にして太陽電池を作製し、変
換効率を測定した。得られた変換効率は、９．４％であ
った。この例からもわかるように、テルル化カドミウム
膜形成後、塩化カドミウム水溶液による処理前に、乾燥
処理をすると特性を落とす。

【００２６】《実施例３》比較例１におけるカーボン電
極形成用カーボンペーストに、導電性フィラー（石原産
業（株）社製；酸化チタンフィラー）を１ｗｔ％、ヘキ
サメチルジシラザンを１０ｗｔ％添加したものを使用し
た以外は、比較例１と同様にして太陽電池を作製し、変
換効率を測定した。得られた太陽電池は、１４．９％で
あった。この太陽電池を８５℃で１０００時間放置した
後の変換効率は、初期値の９９．４％であった。

【００２７】《比較例４》カーボン電極に導電性フィラ
ーを添加しただけで、ヘキサメチルジシラザンを添加し
なかった以外は、実施例３と同様にして太陽電池を作製
した。得られた太陽電池は、時間の経過と共に電極が崩
れた。また、カーボン電極にヘキサメチルジシラザンを
添加しただけで導電性フィラーを添加しなかった場合
も、電極は若干崩れやすく、また抵抗が大きくなるた
め、変換効率が低下した。

【００２８】《実施例４》実施例１のカーボン電極を形
成するカーボンペーストに、実施例３の導電性フィラー
とヘキサメチルジシラザンを含むカーボンペーストを用
いる以外は、同様にして太陽電池を作製し、変換効率を
測定した。得られた変換効率（初期）は、１４．７％で
あった。また、８５℃で１０００時間放置した後の変換
効率は、初期値の９９．８％であった。

【００２９】《実施例５》実施例３において、ヘキサメ
チルジシラザンに変えて、オクチル酸珪素（旭電化工業
（株）社製）を用いた以外は、実施例３と同様にして太
陽電池を作製し、変換効率を測定した。得られた変換効
率（初期）は、１４．８％であった。また、８５℃で１
０００時間放置した後の変換効率は、初期値の９９．７
％であった。さらに、カーボン電極の密着強度を荷重試
験やピール試験等によって測定した結果、カーボン電極
にオクチル酸珪素を含む方が実施例３に比べてテルル化
カドミウム膜との密着強度は向上した。

【００３０】《実施例６》実施例３において、ヘキサメ
チルジシラザンの代わりに、実施例４のオクチル酸珪素
を用いた以外は、実施例３と同様にして太陽電池を作製
し、変換効率を測定した。得られた変換効率は、１４．
３％であった。また、８５℃で１０００時間放置した後
の変換効率は、初期値の９９．８％であった。

【００３１】《実施例７》比較例１において、テルル化
カドミウム膜を形成した後、Ｏ₂アッシャーを用い、２
Ｔｏｒｒの減圧下、５０℃、１５００Ｗで５分間Ｏ₂を
基板に吹き付けてテルル化カドミウム膜表面を粗面化し
た以外は、比較例１と同様にして太陽電池を作製し、変
換効率を測定した。得られた変換効率は、１４．４％で
あった。また、８５℃で１０００時間放置した後の変換
効率は、初期値の９４．４％であった。

【００３２】《実施例８》実施例６において、実施例７
と同様にしてテルル化カドミウム膜表面を粗面処理して
太陽電池を作製し、変換効率を測定した。得られた変換
効率は、１４．０％であった。また、８５℃で１０００
時間放置した後の変換効率は初期値の９９．９％であっ
た。

【００３３】《実施例９》テルル化カドミウム膜表面を
レーザー光によって粗面処理する以外は、実施例８と同
様にして太陽電池を作製し、変換効率を測定した。レー
ザー処理装置（ＮＥＣのＳＬ１１６）のレーザー光と基
板とが平行になるようにし、テルル化カドミウム膜表面
でカーボン電極を形成する部分の０．３μｍ上に、１０
００分の１秒間隔（０．５μｍピッチ）でレーザーを照
射し、テルル化カドミウム膜表面の粗面化をおこなっ
た。このとき、レーザー照射の条件は周波数５ｋＨｚ、
９．５Ｗ出力、対物レンズｆ＝３５ｍｍ、エキスパング
倍率１．７倍の設定でおこなった。得られた変換効率
は、１４．３％であった。また、８５℃で１０００時間
放置した後の変換効率は初期値の９９．９％であった。

【００３４】《実施例１０》塩化カドミウム処理後、基
板を水洗する時に、超音波洗浄を用いる他は、実施例６
と同様にして太陽電池を作製し、変換効率を測定した。
超音波洗浄器は、振動子底付き式フランジ型の発振器ソ
リッドステート方式で、発振器の出力は６００Ｗ×２、
周波数は９５０ｋＨｚであった。この超音波洗浄を５分
間行い、さらに純水流水洗浄を１０分間行った。得られ
た変換効率は、１４．２％であった。また、８５℃で１
０００時間放置した後の変換効率は、初期値の９９．９
％で、アッシング処理を施したものよりも更に高信頼性
を得た。

【００３５】《実施例１１》実施例１０において、Ｃｄ
Ｓ膜を蒸着後、乾燥処理を行う前に紫外線（ｇｈｉ混合
線）を照射する他は、実施例１０と同様にして太陽電池
を作製し、変換効率を測定した。用いた紫外線はｇｈｉ
混合線で、３６５ｎｍ近傍での換算エネルギーが３００
０ｍＪとなるように照射した。その結果、基板の光透過
率が向上し、得られた太陽電池の変換効率（初期）は、
１４．７％であった。また、８５℃で１０００時間放置
した後の変換効率は、初期値の９９．９％であったま
た、紫外線はｇｈｉ線でも、ｇ、ｈ、ｉ線単線でも、照
射エネルギーは異なるが同様の結果を得ることができ
た。

【００３６】《実施例１２》テルル化カドミウム膜を形
成した後、テルルを２５００オングストローム程度蒸着
する他は、実施例１１と同様にして太陽電池を作製し、
変換効率を測定した。得られた変換効率は、１４．９％
で、若干向上した。また、８５℃で１０００時間放置し
た後の変換効率は、初期値の９９．９％であった。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、高効率で
高信頼性のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるＣｄＳ／ＣｄＴｅ太
陽電池の縦断面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２透明導電膜（ＩＴＯ）３硫化カドミウム膜４テルル化カドミウム膜５カーボン電極６ＡｇＩｎ電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明導電膜を有する透明基板上に順次硫
化カドミウム膜およびテルル化カドミウム膜を形成する
とともに、前記硫化カドミウム膜の露出部および前記テ
ルル化カドミウム膜上にそれぞれ負電極および正電極を
形成するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法であっ
て、前記正電極を形成する工程が、前記テルル化カドミ
ウム膜上にカップリング剤の塗膜を形成する工程、およ
び前記塗膜上に、テルル化カドミウム膜中のキャリア濃
度を高める金属の化合物を含むカーボンペーストを塗布
し、前記金属の化合物の熱分解する温度で加熱する工程
からなることを特徴とするＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
製造方法。
【請求項２】透明導電膜を有する透明基板上に順次硫
化カドミウム膜およびテルル化カドミウム膜を形成する
とともに、前記硫化カドミウム膜の露出部および前記テ
ルル化カドミウム膜上にそれぞれ負電極および正電極を
形成するＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法であっ
て、前記正電極を形成する工程が、前記テルル化カドミ
ウム膜上に、テルル化カドミウム膜中のキャリア濃度を
高める金属の化合物およびカップリング剤を含むカーボ
ンペーストを塗布し、前記金属の化合物の熱分解する温
度で加熱する工程からなることを特徴とするＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項３】前記カップリング剤が、ヘキサメチルジ
シラザンまたはオクチル酸珪素である請求項１または２
記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項４】前記カーボンペーストが、さらに導電性
フィラーを含む請求項１または２記載のＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ太陽電池の製造方法。
【請求項５】前記硫化カドミウム膜およびテルル化カ
ドミウム膜が蒸着法により形成される請求項１または２
記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項６】前記テルル化カドミウム膜を形成した
後、同膜に塩化カドミウム水溶液を塗布し、加熱処理す
る工程を有する請求項５記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池の製造方法。
【請求項７】前記塩化カドミウム水溶液を塗布する前
に、テルル化カドミウム膜を加湿処理する工程を有する
請求項６記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項８】前記硫化カドミウム膜形成後、同膜に紫
外線を照射する工程を有する請求項５記載のＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項９】前記硫化カドミウム膜形成後、乾燥処理
をし、その後に前記テルル化カドミウム膜を形成する請
求項５記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項１０】前記テルル化カドミウム膜上に正電極
を形成するに先だって前記テルル化カドミウム膜表面を
アッシング処理する工程を有する請求項１または２記載
のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方法。
【請求項１１】前記アッシング処理が酸素アッシャー
による処理である請求項１０記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太
陽電池の製造方法。
【請求項１２】前記アッシング処理がレーザ光による
処理である請求項１０記載のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池
の製造方法。