JPH06163955A - 太陽電池用基板及び太陽電池 - Google Patents
太陽電池用基板及び太陽電池Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁物を基板とする太陽電池において、基板
内不純物の太陽電池への拡散を抑制し特性劣化を抑制し
て、より低価格なガラスの使用を可能にする。また、太
陽電池窓材であるｎ型半導体を低面抵抗化、高光透過率
化して、高変換効率化する。 【構成】 絶縁物からなる基板１の表面上に、少なくと
もチタン酸化物を含む絶縁物層２と、ｎ型半導体３と、
ｐ型半導体４とをこの順序で形成して太陽電池とする。
絶縁物層２によって、太陽電池への基板内不純物拡散が
抑制できて、特性劣化を防止する。また、絶縁物層２に
よって、基板に密着し、且つ内部に空隙がなくなり、低
面抵抗、高光透過率ｎ型半導体３が作製できて、太陽電
池の変換効率が向上する。
内不純物の太陽電池への拡散を抑制し特性劣化を抑制し
て、より低価格なガラスの使用を可能にする。また、太
陽電池窓材であるｎ型半導体を低面抵抗化、高光透過率
化して、高変換効率化する。 【構成】 絶縁物からなる基板１の表面上に、少なくと
もチタン酸化物を含む絶縁物層２と、ｎ型半導体３と、
ｐ型半導体４とをこの順序で形成して太陽電池とする。
絶縁物層２によって、太陽電池への基板内不純物拡散が
抑制できて、特性劣化を防止する。また、絶縁物層２に
よって、基板に密着し、且つ内部に空隙がなくなり、低
面抵抗、高光透過率ｎ型半導体３が作製できて、太陽電
池の変換効率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池用基板及びこ
れを用いた太陽電池に関するものである。
れを用いた太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、絶縁物からなる基板を用いた太陽
電池としては、特開平２−１７７３７７号公報で開示さ
れたような構成を採っていた。その構成を図６で説明す
ると、１の絶縁物からなる基板はガラス、３のｎ型半導
体はＣｄＳ、４のｐ型半導体はＣｄＴｅ、５の電極１は
カーボン電極、６の電極２はＡｇＩｎ電極である。
電池としては、特開平２−１７７３７７号公報で開示さ
れたような構成を採っていた。その構成を図６で説明す
ると、１の絶縁物からなる基板はガラス、３のｎ型半導
体はＣｄＳ、４のｐ型半導体はＣｄＴｅ、５の電極１は
カーボン電極、６の電極２はＡｇＩｎ電極である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】低価格なソーダガラス
を太陽電池の基板として、従来の方法により太陽電池を
作製した場合には、アルカリ金属原子等のデバイス特性
を阻害する原子がソーダガラス内から太陽電池に拡散し
て、特性を劣化させることが分かっている。上記理由に
より、現在は、太陽電池の基板に、バリウム硼珪酸ガラ
スのような不純物、取り分けアルカリ金属元素が低濃度
に抑制された材料を用いている。しかし、このような材
料は一般に高価で、量産用太陽電池用の基板として不十
分であり、低価格太陽電池用基板の早期実現が求められ
ている。
を太陽電池の基板として、従来の方法により太陽電池を
作製した場合には、アルカリ金属原子等のデバイス特性
を阻害する原子がソーダガラス内から太陽電池に拡散し
て、特性を劣化させることが分かっている。上記理由に
より、現在は、太陽電池の基板に、バリウム硼珪酸ガラ
スのような不純物、取り分けアルカリ金属元素が低濃度
に抑制された材料を用いている。しかし、このような材
料は一般に高価で、量産用太陽電池用の基板として不十
分であり、低価格太陽電池用基板の早期実現が求められ
ている。
【０００４】さらに、従来の技術によって作製した太陽
電池は、絶縁物からなる基板とｎ型半導体との境界部分
及びｎ型半導体内部に多くの空隙が存在している。スパ
ッタ法、真空蒸着法で作製したｎ型半導体の場合にも、
同様な構造となるために、ｎ型半導体の面抵抗が高く且
つ光透過率が低くなるという問題があった。
電池は、絶縁物からなる基板とｎ型半導体との境界部分
及びｎ型半導体内部に多くの空隙が存在している。スパ
ッタ法、真空蒸着法で作製したｎ型半導体の場合にも、
同様な構造となるために、ｎ型半導体の面抵抗が高く且
つ光透過率が低くなるという問題があった。
【０００５】本発明は、上記の二つの課題を解決するも
ので、基板中に含まれる上記不純物が、太陽電池に拡散
することを抑制することによって、特性劣化を防止し、
より安価な太陽電池の作製を可能にする。また、この基
板を用いることにより、基板と密着しなお且つ内部に空
隙が無い構造であることにより、面抵抗の低い、光透過
率の高い特性を持つｎ型半導体の作製を実現して、従来
よりも変換効率の高い太陽電池を提供することを目的と
する。
ので、基板中に含まれる上記不純物が、太陽電池に拡散
することを抑制することによって、特性劣化を防止し、
より安価な太陽電池の作製を可能にする。また、この基
板を用いることにより、基板と密着しなお且つ内部に空
隙が無い構造であることにより、面抵抗の低い、光透過
率の高い特性を持つｎ型半導体の作製を実現して、従来
よりも変換効率の高い太陽電池を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為、
本発明の第１の手段は、絶縁物からなる基板面上に、少
なくともチタン酸化物を含む絶縁物層を形成したものを
太陽電池用基板とすることである。
本発明の第１の手段は、絶縁物からなる基板面上に、少
なくともチタン酸化物を含む絶縁物層を形成したものを
太陽電池用基板とすることである。
【０００７】第２の手段は、絶縁物からなる基板面上に
ｎ型半導体とｐ型半導体をこの順序で積層し、さらにｎ
型半導体に接触する負極とｐ型半導体に接触する正極を
形成する太陽電池において、絶縁物からなる基板とｎ型
半導体の間に、少なくともチタン酸化物を含む絶縁物層
を形成することである。
ｎ型半導体とｐ型半導体をこの順序で積層し、さらにｎ
型半導体に接触する負極とｐ型半導体に接触する正極を
形成する太陽電池において、絶縁物からなる基板とｎ型
半導体の間に、少なくともチタン酸化物を含む絶縁物層
を形成することである。
【０００８】
【作用】第１の手段では、絶縁物からなる基板内部に含
まれる原子が、太陽電池に拡散することを抑制して、特
性劣化を防止する。
まれる原子が、太陽電池に拡散することを抑制して、特
性劣化を防止する。
【０００９】第２の手段では、基板面に密着し、且つ、
内部に空隙が無い構造のｎ型半導体を作製することがで
きることによって、ｎ型半導体の面抵抗が低減される。
絶縁物からなる基板とｎ型半導体が光透過性を示す場
合、ｎ型半導体が基板面に密着し、且つ、内部に空隙が
無い構造となることにより、ｎ型半導体の光透過率は向
上する。
内部に空隙が無い構造のｎ型半導体を作製することがで
きることによって、ｎ型半導体の面抵抗が低減される。
絶縁物からなる基板とｎ型半導体が光透過性を示す場
合、ｎ型半導体が基板面に密着し、且つ、内部に空隙が
無い構造となることにより、ｎ型半導体の光透過率は向
上する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１１】（実施例１）本発明の太陽電池の断面図を
図１に示す。図１において、１はソーダガラスからなる
基板、２は本発明のＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物
層、３はＣｄＳからなるｎ型半導体、４はＣｄＴｅから
なるｐ型半導体、５はカーボンからなる電極１、６はＡ
ｇＩｎからなる電極２である。
図１に示す。図１において、１はソーダガラスからなる
基板、２は本発明のＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物
層、３はＣｄＳからなるｎ型半導体、４はＣｄＴｅから
なるｐ型半導体、５はカーボンからなる電極１、６はＡ
ｇＩｎからなる電極２である。
【００１２】ＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層の作製
方法は、電子ビーム蒸着法による二源蒸着法を使用し
た。蒸着源はＴｉＯ2粉末とＳｉＯ2粉末で、純度はとも
に９９．９９％で、蒸着速度は共に５０Å／分である。
方法は、電子ビーム蒸着法による二源蒸着法を使用し
た。蒸着源はＴｉＯ2粉末とＳｉＯ2粉末で、純度はとも
に９９．９９％で、蒸着速度は共に５０Å／分である。
【００１３】上記方法で形成したＴｉＯ2とＳｉＯ2との
混合絶縁物層の上に、従来と同様の方法によってＣｄ
Ｓ、ＣｄＴｅ、カーボン電極、ＡｇＩｎ電極を形成して
本発明の太陽電池とした。また、少なくともチタン酸化
物を含む絶縁物層を有さない基板を用いた太陽電池を従
来の太陽電池とした。
混合絶縁物層の上に、従来と同様の方法によってＣｄ
Ｓ、ＣｄＴｅ、カーボン電極、ＡｇＩｎ電極を形成して
本発明の太陽電池とした。また、少なくともチタン酸化
物を含む絶縁物層を有さない基板を用いた太陽電池を従
来の太陽電池とした。
【００１４】図２に、基板であるソーダガラスからｎ型
半導体であるＣｄＳ内部へ拡散するナトリウム原子の濃
度分布図を示す。従来のＣｄＳよりも本発明のＣｄＳの
方が、ＣｄＳ中のナトリウム原子濃度が１桁低い。これ
はナトリウム原子がＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層
により一部吸収されていることを示してい、太陽電池へ
のナトリウム原子の拡散が抑制されていることが分か
る。
半導体であるＣｄＳ内部へ拡散するナトリウム原子の濃
度分布図を示す。従来のＣｄＳよりも本発明のＣｄＳの
方が、ＣｄＳ中のナトリウム原子濃度が１桁低い。これ
はナトリウム原子がＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層
により一部吸収されていることを示してい、太陽電池へ
のナトリウム原子の拡散が抑制されていることが分か
る。
【００１５】（実施例２）絶縁物からなる基板にバリウ
ム硼珪酸ガラスを使用し、他の構成は実施例１と同様
で、本発明の太陽電池と従来の太陽電池を作製した。但
し、上記の本発明の太陽電池を構成する一部分であるＴ
ｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層は、バリウム硼珪酸ガ
ラス基板面に、Ｓｉアルコキシド５０重量部とＴｉアル
コキシド５０重量部を含むエタノールを主溶剤とする溶
液をスピンコーティング法で塗布し、１５０℃で１５分
乾燥した後、さらに５００℃で１時間焼成して作製し
た。
ム硼珪酸ガラスを使用し、他の構成は実施例１と同様
で、本発明の太陽電池と従来の太陽電池を作製した。但
し、上記の本発明の太陽電池を構成する一部分であるＴ
ｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層は、バリウム硼珪酸ガ
ラス基板面に、Ｓｉアルコキシド５０重量部とＴｉアル
コキシド５０重量部を含むエタノールを主溶剤とする溶
液をスピンコーティング法で塗布し、１５０℃で１５分
乾燥した後、さらに５００℃で１時間焼成して作製し
た。
【００１６】図３は、本発明によりバリウム硼珪酸ガラ
ス上のＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層の上に形成し
たＣｄＳ（以下、本発明のＣｄＳとする）の断面図、図
７は従来の方法によって、バリウム硼珪酸ガラス上に形
成したＣｄＳ（以下、従来ＣｄＳとする）の断面図であ
る。従来は、ＣｄＳ内部及びＣｄＳと基板との境界面に
空隙が存在していたが、本発明のＴｉＯ2とＳｉＯ2との
混合絶縁物層を形成した場合には、ＴｉＯ2とＳｉＯ2と
の混合絶縁物層とＣｄＳが密着しており、その境界部分
に空隙が発生せず、さらにＣｄＳの内部にも空隙は発生
しない。
ス上のＴｉＯ2とＳｉＯ2との混合絶縁物層の上に形成し
たＣｄＳ（以下、本発明のＣｄＳとする）の断面図、図
７は従来の方法によって、バリウム硼珪酸ガラス上に形
成したＣｄＳ（以下、従来ＣｄＳとする）の断面図であ
る。従来は、ＣｄＳ内部及びＣｄＳと基板との境界面に
空隙が存在していたが、本発明のＴｉＯ2とＳｉＯ2との
混合絶縁物層を形成した場合には、ＴｉＯ2とＳｉＯ2と
の混合絶縁物層とＣｄＳが密着しており、その境界部分
に空隙が発生せず、さらにＣｄＳの内部にも空隙は発生
しない。
【００１７】図４は、本発明のＣｄＳと従来のＣｄＳの
面抵抗の比較図である。本発明のＣｄＳの面抵抗は、従
来のＣｄＳの４分の１以下に低減されていることがわか
る。
面抵抗の比較図である。本発明のＣｄＳの面抵抗は、従
来のＣｄＳの４分の１以下に低減されていることがわか
る。
【００１８】図５は、従来のＣｄＳと本発明のＣｄＳの
分光透過率の比較図である。従来のＣｄＳと本発明のＣ
ｄＳを透過光強度比で比較した場合、波長５１５〜６０
０ｎｍ光に対して約１０％、波長６００〜９００ｎｍ光
に対して約１５％、本発明のＣｄＳが光強度比で優れて
いる。この膜を用いてＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を作製
した場合には、光電流で１０％以上の増加が期待でき
る。
分光透過率の比較図である。従来のＣｄＳと本発明のＣ
ｄＳを透過光強度比で比較した場合、波長５１５〜６０
０ｎｍ光に対して約１０％、波長６００〜９００ｎｍ光
に対して約１５％、本発明のＣｄＳが光強度比で優れて
いる。この膜を用いてＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池を作製
した場合には、光電流で１０％以上の増加が期待でき
る。
【００１９】（表１）に実施例１及び２に述べた本発明
の太陽電池と、基板とＣｄＳの間に絶縁物層を有さない
従来の太陽電池とに、光強度１００ｍＷ／cm2の太陽ス
ペクトル光を照射した場合の光電変換特性を示す。
の太陽電池と、基板とＣｄＳの間に絶縁物層を有さない
従来の太陽電池とに、光強度１００ｍＷ／cm2の太陽ス
ペクトル光を照射した場合の光電変換特性を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】従来の太陽電池において、ソーダガラスを
基板とした太陽電池の１セル当たり開放電圧は０．７３
Ｖ程度であり、バリウム硼珪酸ガラスを基板とする太陽
電池の開放電圧０．７７Ｖよりも低くなる。これに対
し、本発明の太陽電池の場合、ソーダガラスを基板とす
る太陽電池の開放電圧は０．７６Ｖであり、バリウム硼
珪酸ガラスを基板とした太陽電池と同等の値を示す。こ
れは、従来は太陽電池に拡散して特性を劣化させていた
ソーダガラス内のアルカリ金属原子が、本発明によっ
て、太陽電池に拡散することが抑制されたことによるも
のである。また、従来の太陽電池の短絡電流密度は１
７．８ｍＡ／cm2程度であったが、本発明の太陽電池の
場合には２０．０ｍＡ／cm2を示す。短絡電流密度の増
加率は１４％であった。さらに、従来の太陽電池と本発
明の太陽電池の、曲線率、変換効率をそれぞれ比較した
場合、その全てについて本発明の太陽電池の方が優れた
値であった。以上のように、従来の太陽電池よりも短絡
電流密度、開放電圧、曲線率が大きくなり、変換効率が
大幅に改善された。
基板とした太陽電池の１セル当たり開放電圧は０．７３
Ｖ程度であり、バリウム硼珪酸ガラスを基板とする太陽
電池の開放電圧０．７７Ｖよりも低くなる。これに対
し、本発明の太陽電池の場合、ソーダガラスを基板とす
る太陽電池の開放電圧は０．７６Ｖであり、バリウム硼
珪酸ガラスを基板とした太陽電池と同等の値を示す。こ
れは、従来は太陽電池に拡散して特性を劣化させていた
ソーダガラス内のアルカリ金属原子が、本発明によっ
て、太陽電池に拡散することが抑制されたことによるも
のである。また、従来の太陽電池の短絡電流密度は１
７．８ｍＡ／cm2程度であったが、本発明の太陽電池の
場合には２０．０ｍＡ／cm2を示す。短絡電流密度の増
加率は１４％であった。さらに、従来の太陽電池と本発
明の太陽電池の、曲線率、変換効率をそれぞれ比較した
場合、その全てについて本発明の太陽電池の方が優れた
値であった。以上のように、従来の太陽電池よりも短絡
電流密度、開放電圧、曲線率が大きくなり、変換効率が
大幅に改善された。
【００２２】また、ＣｕＩｎＳｅ2をｐ型半導体とする
太陽電池の特性結果からも同様な結果が得られた。な
お、ここでは、少なくともチタン酸化物を含む混合絶縁
物層がチタン酸化物と珪素酸化物との混合絶縁物層であ
る場合の実施例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではない。さらに、その比率が５：５の場合の実施
例を示したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。また、本発明は二つの実施例についてのみ説明した
が、これらに限定されるものではない。
太陽電池の特性結果からも同様な結果が得られた。な
お、ここでは、少なくともチタン酸化物を含む混合絶縁
物層がチタン酸化物と珪素酸化物との混合絶縁物層であ
る場合の実施例を示したが、本発明はこれに限定される
ものではない。さらに、その比率が５：５の場合の実施
例を示したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。また、本発明は二つの実施例についてのみ説明した
が、これらに限定されるものではない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、絶縁物からなる基板上
に、チタン酸化物を含む絶縁物層を形成することによっ
て、基板中の不純物が太陽電池に拡散することを抑制
し、太陽電池の特性劣化を防止する。これにより、内部
に多くの不純物を含む低価格ガラスを太陽電池用基板と
して使用することが可能となるため、より低価格で太陽
電池を作製することができる。
に、チタン酸化物を含む絶縁物層を形成することによっ
て、基板中の不純物が太陽電池に拡散することを抑制
し、太陽電池の特性劣化を防止する。これにより、内部
に多くの不純物を含む低価格ガラスを太陽電池用基板と
して使用することが可能となるため、より低価格で太陽
電池を作製することができる。
【００２４】さらに、基板に密着して、なお且つ内部に
空隙を持たない構造のｎ型半導体を作製することができ
る。これにより、ｎ型半導体の面抵抗が低減されること
によって、太陽電池の開放電圧と曲線率が増大し、また
基板とｎ型半導体との界面の光反射とｎ型半導体内部に
おける光反射が低減されることによって、短絡電流密度
が増大する。以上のように、開放電圧、曲線率、短絡電
流密度が全て改善されることによって、太陽電池の変換
効率は大幅に向上する。
空隙を持たない構造のｎ型半導体を作製することができ
る。これにより、ｎ型半導体の面抵抗が低減されること
によって、太陽電池の開放電圧と曲線率が増大し、また
基板とｎ型半導体との界面の光反射とｎ型半導体内部に
おける光反射が低減されることによって、短絡電流密度
が増大する。以上のように、開放電圧、曲線率、短絡電
流密度が全て改善されることによって、太陽電池の変換
効率は大幅に向上する。
【図１】本発明の第１の実施例における太陽電池の断面
図
図
【図２】ＣｄＳ内部へ拡散するナトリウム原子の濃度分
布図
布図
【図３】本発明の第２の実施例におけるＣｄＳの断面図
【図４】本発明の第２の実施例におけるＣｄＳと従来の
ＣｄＳの面抵抗の比較図
ＣｄＳの面抵抗の比較図
【図５】本発明の第２の実施例におけるＣｄＳと従来の
ＣｄＳの光透過率の比較図
ＣｄＳの光透過率の比較図
【図６】従来の太陽電池の断面図
【図７】従来のＣｄＳの断面図
１ 絶縁物からなる基板 ２ 少なくともチタン酸化物を含む絶縁物層 ３ ｎ型半導体 ４ ｐ型半導体 ５ 電極１ ６ 電極２ ７ 空隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 室園 幹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】絶縁物からなる基板面上に、少なくともチ
タン酸化物を含む絶縁物層を備えたことを特徴とする太
陽電池用基板。 - 【請求項２】絶縁物からなる基板がガラスであることを
特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - 【請求項３】チタン酸化物を含む絶縁物層が、チタン酸
化物と珪素酸化物との混合物であることを特徴とする請
求項１記載の太陽電池用基板。 - 【請求項４】絶縁物からなる基板面上に、ｎ型半導体と
ｐ型半導体をこの順序で積層し、さらにｎ型半導体に接
触する負極とｐ型半導体に接触する正極を形成する太陽
電池において、絶縁物からなる基板とｎ型半導体の間
に、少なくともチタン酸化物を含む絶縁物層を形成する
ことを特徴とする太陽電池。 - 【請求項５】絶縁物からなる基板がガラスであることを
特徴とする請求項４記載の太陽電池。 - 【請求項６】チタン酸化物を含む絶縁物層が、チタン酸
化物と珪素酸化物との混合物であることを特徴とする請
求項４記載の太陽電池。 - 【請求項７】ｎ型半導体がＣｄＳもしくはＣｄ、Ｓを含
む化合物であることを特徴とする請求項４記載の太陽電
池。 - 【請求項８】ｐ型半導体がＣｄＴｅもしくはＣｄ、Ｔｅ
を含む化合物であることを特徴とする請求項４記載の太
陽電池。 - 【請求項９】ｐ型半導体がＣｕＩｎＳｅ2もしくはＣ
ｕ、Ｉｎ、Ｓｅを含む化合物であることを特徴とする請
求項４記載の太陽電池。 - 【請求項１０】絶縁物からなる基板面上に、ＣｄＳから
なるｎ型半導体と、ＣｄＴｅからなるｐ型半導体とをこ
の順序で積層し、さらにｎ型半導体に接触する負極とｐ
型半導体に接触する正極を形成する太陽電池において、
絶縁物からなる基板とｎ型半導体の間に、少なくともチ
タン酸化物を含む絶縁物層を形成することを特徴とする
太陽電池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163955A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
| US08/146,306 US5411601A (en) | 1992-11-27 | 1993-11-02 | Substrate for solar cell and solar cell employing the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163955A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163955A true JPH06163955A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18096983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06163955A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5411601A (ja) |
| JP (1) | JPH06163955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084650A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Kobe Steel Ltd | 光起電力素子 |
| WO2016104304A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2016127129A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池用保護ガラスおよびその製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0744779A3 (en) * | 1995-05-17 | 1998-10-21 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | A manufacturing method of compound semiconductor thinfilms and photoelectric device or solar cell using the same compound semiconductor thinfilms |
| GB9525111D0 (en) * | 1995-12-08 | 1996-02-07 | Pilkington Plc | Glass and glass products |
| US20060225776A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Portable Pipe Hangers, Inc. | Skylight solar panel assembly |
| WO2009046178A1 (en) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | University Of Delaware | I-iii-vi2 photovoltaic absorber layers |
| CA2724383A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Solexant Corp. | Thin film solar cells with monolithic integration and backside contact |
| DE102009022342A1 (de) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzellen-Schichtaufbau und Herstellung |
| US9371247B2 (en) * | 2009-05-29 | 2016-06-21 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable sodium free glass |
| US9637408B2 (en) * | 2009-05-29 | 2017-05-02 | Corsam Technologies Llc | Fusion formable sodium containing glass |
| TWI564262B (zh) | 2012-02-29 | 2017-01-01 | 康寧公司 | 高ｃｔｅ之硼矽酸鉀核心玻璃與包含其之玻璃物件 |
| US9190322B2 (en) * | 2014-01-24 | 2015-11-17 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a copper layer on a semiconductor body using a printing process |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2692217B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
| US5248349A (en) * | 1992-05-12 | 1993-09-28 | Solar Cells, Inc. | Process for making photovoltaic devices and resultant product |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP43A patent/JPH06163955A/ja active Pending
-
1993
- 1993-11-02 US US08/146,306 patent/US5411601A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012084650A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Kobe Steel Ltd | 光起電力素子 |
| WO2016104304A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2016127129A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池用保護ガラスおよびその製造方法 |
| JP2016127128A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| US10355147B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-07-16 | Material Concept, Inc. | Solar cell module and method for manufacturing the same |
| TWI684285B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-02-01 | 日商材料概念股份有限公司 | 太陽電池模組及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5411601A (en) | 1995-05-02 |
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