JP2718161B2 - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JP2718161B2 JP2718161B2 JP1080329A JP8032989A JP2718161B2 JP 2718161 B2 JP2718161 B2 JP 2718161B2 JP 1080329 A JP1080329 A JP 1080329A JP 8032989 A JP8032989 A JP 8032989A JP 2718161 B2 JP2718161 B2 JP 2718161B2
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- JP
- Japan
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- solar cell
- amorphous silicon
- layer
- type amorphous
- silicon layer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、太陽光や室内光を照射することで電力を発
生する太陽電池に関するものである。
生する太陽電池に関するものである。
従来の技術 従来、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、イ
ンジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上
にアモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後Ｎ型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
ンジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上
にアモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後Ｎ型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
このようなアモルファスシリコン太陽電池は、光吸収
係数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその
光吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照
射した際の、電気エネルギーへの変換効率は10％を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
係数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその
光吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照
射した際の、電気エネルギーへの変換効率は10％を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
発明が解決しようとする課題 上述のように、PIN型アモルファスシリコン太陽電池
は、蛍光灯や太陽光に対しては非常に高い変換効率を有
するが、解放状態のまま強い光を連続的に照射すると、
次第に出力特性が劣化するという問題や、高温保存によ
り出力性能が劣化するという問題を有していた。
は、蛍光灯や太陽光に対しては非常に高い変換効率を有
するが、解放状態のまま強い光を連続的に照射すると、
次第に出力特性が劣化するという問題や、高温保存によ
り出力性能が劣化するという問題を有していた。
課題を解決するための手段 以上のような問題に鑑み、本発明の太陽電池の構造
は、Ｐ−Ｉ接合型アモルファスシリコンのＩ面の特定の
厚さだけ酸化し、これに金属を接合することにより、光
照射に伴う性能劣化や高温保存による性能劣化をより少
なくするものである。
は、Ｐ−Ｉ接合型アモルファスシリコンのＩ面の特定の
厚さだけ酸化し、これに金属を接合することにより、光
照射に伴う性能劣化や高温保存による性能劣化をより少
なくするものである。
作用 高温雰囲気中における太陽電池の性能劣化の原因とし
て、シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコ
ン中に熱拡散する所謂マイグレーションが考えられる。
このような高温雰囲気でのマイグレーションを防ぐ手段
のひとつとしてとして、シリコンと金属との接合面の中
間層に、たとえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を
設け、これにより金属の熱拡散をブロックする方法があ
る。ただしこれらの物質は多くの場合、電気的に絶縁物
質であるため、その膜厚は、電気が量子力学的なトンネ
ル効果で通り抜けられるだけのものでなければならな
い。
て、シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコ
ン中に熱拡散する所謂マイグレーションが考えられる。
このような高温雰囲気でのマイグレーションを防ぐ手段
のひとつとしてとして、シリコンと金属との接合面の中
間層に、たとえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を
設け、これにより金属の熱拡散をブロックする方法があ
る。ただしこれらの物質は多くの場合、電気的に絶縁物
質であるため、その膜厚は、電気が量子力学的なトンネ
ル効果で通り抜けられるだけのものでなければならな
い。
これらのことをもとにして、本発明の太陽電池は、Ｐ
−Ｉ接合型アモルファスシリコンのＩ面を酸化しこれに
金属を接合する構成とした。このような構成にすると、
アモルファスシリコンと金属とは直接接触することはな
く、マイグレーションによる、性能劣化を防ぐことが出
来る。
−Ｉ接合型アモルファスシリコンのＩ面を酸化しこれに
金属を接合する構成とした。このような構成にすると、
アモルファスシリコンと金属とは直接接触することはな
く、マイグレーションによる、性能劣化を防ぐことが出
来る。
また、予め集電電極を構成する金属材料にある程度の
量の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上述のマ
イグレーション反応を引き起こすのに必要なエネルギー
が金属単体のものよりも大きくなるため、太陽電池の熱
的安定性が向上する。なお、太陽電池を電気的に解放状
態のまま強い光を照射すると、次第に出力が低下する現
象（ステブラー．ロンスキー効果，太陽電池ハンドブッ
ク，電気学会発行，昭和60年）の原因は未だ究明されて
いないが，結果的に本発明の構造を有する太陽電池は、
従来のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、
劣化の度合が大きく低下した。
量の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上述のマ
イグレーション反応を引き起こすのに必要なエネルギー
が金属単体のものよりも大きくなるため、太陽電池の熱
的安定性が向上する。なお、太陽電池を電気的に解放状
態のまま強い光を照射すると、次第に出力が低下する現
象（ステブラー．ロンスキー効果，太陽電池ハンドブッ
ク，電気学会発行，昭和60年）の原因は未だ究明されて
いないが，結果的に本発明の構造を有する太陽電池は、
従来のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、
劣化の度合が大きく低下した。
以下、実施例で具体的に説明する。
実 施 例 （実施例１） 本実施例における太陽電池の断面図を第１図（ａ）に
示す。大きさ15×20mm、厚さ1mmのガラス基体１の上に
酸化インジウムと酸化スズの化合物よりなるITOを大き
さ10×10mm、膜厚0.07μｍ蒸着しITO透明電極２とし
た。つぎにこの透明電極２の上にCVD法により、アモル
ファスシリコン層を前記透明電極２を覆うように大きさ
11×11mm厚さ0.04μｍ形成した後、不純物としてホウ素
をドープしＰ型半導体特性を与えてＰ型アモルファスシ
リコン層３を形成した。さらに連続して上記CVD法によ
りＩ型アモルファスシリコン層４を0.4μｍ形成する。
この後、空気中で1kWの赤外線ランプを用いＩ型アモル
ファスシリコン層４を１時間熱酸化することにより、酸
化珪素層５を形成した。ひきつづきこの酸化珪素層５に
真空加熱蒸着法により３×10-5torrの圧力下、20A/秒の
蒸着速度で、負極用集電電極としての金属アルミニウム
層６を0.2μｍ形成した。最後にエポキシ樹脂で全体を
封止する封止層７を形成し、本実施例の太陽電池Ａとし
た。同図において、８は負極用リード端子であり透明電
極２の作成時に同時に作成した。
示す。大きさ15×20mm、厚さ1mmのガラス基体１の上に
酸化インジウムと酸化スズの化合物よりなるITOを大き
さ10×10mm、膜厚0.07μｍ蒸着しITO透明電極２とし
た。つぎにこの透明電極２の上にCVD法により、アモル
ファスシリコン層を前記透明電極２を覆うように大きさ
11×11mm厚さ0.04μｍ形成した後、不純物としてホウ素
をドープしＰ型半導体特性を与えてＰ型アモルファスシ
リコン層３を形成した。さらに連続して上記CVD法によ
りＩ型アモルファスシリコン層４を0.4μｍ形成する。
この後、空気中で1kWの赤外線ランプを用いＩ型アモル
ファスシリコン層４を１時間熱酸化することにより、酸
化珪素層５を形成した。ひきつづきこの酸化珪素層５に
真空加熱蒸着法により３×10-5torrの圧力下、20A/秒の
蒸着速度で、負極用集電電極としての金属アルミニウム
層６を0.2μｍ形成した。最後にエポキシ樹脂で全体を
封止する封止層７を形成し、本実施例の太陽電池Ａとし
た。同図において、８は負極用リード端子であり透明電
極２の作成時に同時に作成した。
なお、上記アルミニウム層６を形成した直後、２次イ
オン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸
化珪素層５の膜厚を測定した結果、約50オングストロー
ムであり、また金属アルミニウム層６内に均一に約10原
子％の割合で酸素が含まれていることが分かり、この酸
素は当然アルミニウムと結合して酸化物を構成している
ものと考えられる。
オン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸
化珪素層５の膜厚を測定した結果、約50オングストロー
ムであり、また金属アルミニウム層６内に均一に約10原
子％の割合で酸素が含まれていることが分かり、この酸
素は当然アルミニウムと結合して酸化物を構成している
ものと考えられる。
これに対して第１図（ｂ）に示した比較例の太陽電池
Ｂを作成した。大きさ15×20mm、厚さ1mmのガラス基体
９の上に前記ITOを0.07μｍの膜厚に蒸着しITO透明電極
10とした。次にこの透明電極10の上にアモルファスシリ
コン層11をCVD法により厚さ0.04μｍ形成した後、不純
物としてホウ素をドープしＰ型半導体特性を与えてＰ型
アモルファスシリコン層11を形成した。さらに連続して
上記CVD法によりＩ型アモルファスシリコン層12を0.4μ
ｍ形成した後、不純物として燐を0.04μｍの深さまでド
ープしＮ型半導体特性を与え、Ｎ型アモルファスシリコ
ン層13とした。次に、このＮ型アモルファスシリコン層
13上に電子ビーム蒸着法により１×10-7torr,200オング
ストローム／秒の蒸着速度で負極用集電電極としての金
属アルミニウム層14を0.2μｍ形成した。最後にエポキ
シ樹脂で全体を封止する封止層15を形成した。なお同図
において、16は負極用リード端子であり透明電極10の作
成時に同時に作成した。
Ｂを作成した。大きさ15×20mm、厚さ1mmのガラス基体
９の上に前記ITOを0.07μｍの膜厚に蒸着しITO透明電極
10とした。次にこの透明電極10の上にアモルファスシリ
コン層11をCVD法により厚さ0.04μｍ形成した後、不純
物としてホウ素をドープしＰ型半導体特性を与えてＰ型
アモルファスシリコン層11を形成した。さらに連続して
上記CVD法によりＩ型アモルファスシリコン層12を0.4μ
ｍ形成した後、不純物として燐を0.04μｍの深さまでド
ープしＮ型半導体特性を与え、Ｎ型アモルファスシリコ
ン層13とした。次に、このＮ型アモルファスシリコン層
13上に電子ビーム蒸着法により１×10-7torr,200オング
ストローム／秒の蒸着速度で負極用集電電極としての金
属アルミニウム層14を0.2μｍ形成した。最後にエポキ
シ樹脂で全体を封止する封止層15を形成した。なお同図
において、16は負極用リード端子であり透明電極10の作
成時に同時に作成した。
このようにして作成した太陽電池Ａ、Ｂに対して出力
特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果を
第２図、第３図、第４図に示した。出力特性は白色蛍光
灯2000ルクス照射時の開放電圧（第２図）、短絡電流
（第３図）、フィルファクター（第４図）の値をそれぞ
れ縦軸とし、保存時間を横軸として示した。保存は、10
0℃及び150℃の温度で暗所で行なった。その結果比較例
の太陽電池Ｂは高温保存時間と共に大きく出力特性が劣
化するのに対して、本実施例の太陽電池Ａは、殆どその
影響をうけないことが分かった。
特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果を
第２図、第３図、第４図に示した。出力特性は白色蛍光
灯2000ルクス照射時の開放電圧（第２図）、短絡電流
（第３図）、フィルファクター（第４図）の値をそれぞ
れ縦軸とし、保存時間を横軸として示した。保存は、10
0℃及び150℃の温度で暗所で行なった。その結果比較例
の太陽電池Ｂは高温保存時間と共に大きく出力特性が劣
化するのに対して、本実施例の太陽電池Ａは、殆どその
影響をうけないことが分かった。
また、強い光の連続照射による、太陽電池Ａ、Ｂの出
力低下の度合を評価し、その結果を第５図、第６図、第
７図に示した。出力特性は白色蛍光灯2000ルクス照射時
の開放電圧（第５図）、短絡電流（第６図）、フィルフ
ァクター（第７図）の値をそれぞれ縦軸とし、太陽電池
Ａ、Ｂに対する光の照射時間を横軸として示した。光照
射は、40℃で80000ルクスの蛍光灯を用いた。その結
果、比較例の太陽電池Ｂは光照射時間と共に出力特性が
劣化するのに対して、本実施例の太陽電池Ａは、殆どの
影響をうけないことが分かった。
力低下の度合を評価し、その結果を第５図、第６図、第
７図に示した。出力特性は白色蛍光灯2000ルクス照射時
の開放電圧（第５図）、短絡電流（第６図）、フィルフ
ァクター（第７図）の値をそれぞれ縦軸とし、太陽電池
Ａ、Ｂに対する光の照射時間を横軸として示した。光照
射は、40℃で80000ルクスの蛍光灯を用いた。その結
果、比較例の太陽電池Ｂは光照射時間と共に出力特性が
劣化するのに対して、本実施例の太陽電池Ａは、殆どの
影響をうけないことが分かった。
実施例２ 実施例１において、Ｉ型アモルファスシリコン層４
（第１図（ａ）参照）の熱酸化時間を変えることによ
り、酸化珪素層５膜の膜厚が異なった３種類の太陽電池
Ｃ、Ｄ、Ｅを作成し、その出力特性を測定した。これら
の太陽電池Ｃ〜Ｅの前記膜厚はそれぞれ約30オングスト
ローム、100オングストローム、150オングストロームで
ある。なお、膜厚以外の構成は実施例１の太陽電池Ａと
全く同一とし、また、膜厚測定は実施例１と同様に２次
イオン質量分析装置により行なった。
（第１図（ａ）参照）の熱酸化時間を変えることによ
り、酸化珪素層５膜の膜厚が異なった３種類の太陽電池
Ｃ、Ｄ、Ｅを作成し、その出力特性を測定した。これら
の太陽電池Ｃ〜Ｅの前記膜厚はそれぞれ約30オングスト
ローム、100オングストローム、150オングストロームで
ある。なお、膜厚以外の構成は実施例１の太陽電池Ａと
全く同一とし、また、膜厚測定は実施例１と同様に２次
イオン質量分析装置により行なった。
これらの出力特性を実施例１と同一の150℃の高温保
存評価を行い、その結果を第８図、第９図、第10図に示
した。この結果から酸化珪素層の膜厚が大きいほど、高
温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大きいと初期出
力が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
存評価を行い、その結果を第８図、第９図、第10図に示
した。この結果から酸化珪素層の膜厚が大きいほど、高
温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大きいと初期出
力が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
実施例３ 実施例１の太陽電池Ａでは、負極用集電電極６（第１
図（ａ）参照）としてアルミニウムを用いたが、これ以
外に様々な金属を用いて５種類の太陽電池Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉ、Ｊを作成した。これらの太陽電池Ｆ〜Ｊに用いた負
極用集電体の材質、及びＩ型アモルファスシリコン層と
負極用金属集電体層との間の酸化珪素層の膜厚を次表に
示した。なお、各太陽電池Ｆ〜Ｊにより、酸化珪素層の
膜厚を変えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、
出力特性を最適にする膜厚を選択したことによる。
図（ａ）参照）としてアルミニウムを用いたが、これ以
外に様々な金属を用いて５種類の太陽電池Ｆ、Ｇ、Ｈ、
Ｉ、Ｊを作成した。これらの太陽電池Ｆ〜Ｊに用いた負
極用集電体の材質、及びＩ型アモルファスシリコン層と
負極用金属集電体層との間の酸化珪素層の膜厚を次表に
示した。なお、各太陽電池Ｆ〜Ｊにより、酸化珪素層の
膜厚を変えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、
出力特性を最適にする膜厚を選択したことによる。
このようにして作成した太陽電池Ｆ〜Ｊに対して実施
例１とまったく同一の高強度光照射による出力特性の劣
化試験を行なった。その結果を第11図、第12図、第13図
に示した。出力特性は実施例１と全く同じ条件であり、
白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧（第11図）、短
絡電流（第12図）、フィルファクター（第13図）の値そ
れぞれ縦軸とし、光照射時間を横軸として示した。高強
度光照射に用いた光源は80000ルクスの蛍光灯である。
その結果、本実施例で示した太陽電池Ｆ〜Ｊも実施例１
と同様に、耐高強度光照射性能が従来の太陽電池に較べ
て向上したことが分かった。
例１とまったく同一の高強度光照射による出力特性の劣
化試験を行なった。その結果を第11図、第12図、第13図
に示した。出力特性は実施例１と全く同じ条件であり、
白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧（第11図）、短
絡電流（第12図）、フィルファクター（第13図）の値そ
れぞれ縦軸とし、光照射時間を横軸として示した。高強
度光照射に用いた光源は80000ルクスの蛍光灯である。
その結果、本実施例で示した太陽電池Ｆ〜Ｊも実施例１
と同様に、耐高強度光照射性能が従来の太陽電池に較べ
て向上したことが分かった。
発明の効果 本発明に従えば耐高強度光照射性能及び耐高温保存性
能に優れた太陽電池を得ることが出来る。
能に優れた太陽電池を得ることが出来る。
第１図（ａ）は本発明の実施例１における太陽電池Ａの
構成を示す断面図、第１図（ｂ）はその比較例における
太陽電池Ｂの構成を示す断面図、第２図〜第４図は同実
施例および比較例の太陽電池Ａ、Ｂの高温保存による出
力特性の劣化を示し、第２図は開放電圧の特性図、第３
図は短絡電流の特性図、第４図はフィルファクターの特
性図、第５図〜第７図は同実施例および比較例の太陽電
池A,Bの高強度光照射による出力特性の劣化を示し、第
５図は開放電圧の特性図、第６図は短絡電流の特性図、
第７図はフィルファクターの特性図、第８図〜第10図は
本発明の実施例２における太陽電池Ｃ、Ｄ、Ｅの高温保
存による出力特性の劣化を示し、第８図は開放電圧の特
性図、第９図は短絡電流の特性図、第10図はフィルファ
クターの特性図、第11図〜第13図は本発明の実施例３に
おける太陽電池Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊの高強度光照射によ
る出力特性の劣化を示し、第11図は開放電圧の特性図、
第12図は短絡電流の特性図、第13図はフィルファクター
の特性図である。 １……ガラス基板、２……ITO透明電極、３……Ｐ型ア
モルファスシリコン層、４……Ｉ型アモルファスシリコ
ン層、５……酸化珪素層、６……アルミニウム電極。
構成を示す断面図、第１図（ｂ）はその比較例における
太陽電池Ｂの構成を示す断面図、第２図〜第４図は同実
施例および比較例の太陽電池Ａ、Ｂの高温保存による出
力特性の劣化を示し、第２図は開放電圧の特性図、第３
図は短絡電流の特性図、第４図はフィルファクターの特
性図、第５図〜第７図は同実施例および比較例の太陽電
池A,Bの高強度光照射による出力特性の劣化を示し、第
５図は開放電圧の特性図、第６図は短絡電流の特性図、
第７図はフィルファクターの特性図、第８図〜第10図は
本発明の実施例２における太陽電池Ｃ、Ｄ、Ｅの高温保
存による出力特性の劣化を示し、第８図は開放電圧の特
性図、第９図は短絡電流の特性図、第10図はフィルファ
クターの特性図、第11図〜第13図は本発明の実施例３に
おける太陽電池Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊの高強度光照射によ
る出力特性の劣化を示し、第11図は開放電圧の特性図、
第12図は短絡電流の特性図、第13図はフィルファクター
の特性図である。 １……ガラス基板、２……ITO透明電極、３……Ｐ型ア
モルファスシリコン層、４……Ｉ型アモルファスシリコ
ン層、５……酸化珪素層、６……アルミニウム電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−15085（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−55080（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−47170（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−43819（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−25187（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−142778（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】透明基体と透明電極と光電変換活性層と集
電電極を順次積層したものであり、前記光電変換活性層
はＰ型アモルファスシリコン層とＩ型アモルファスシリ
コン層と前記Ｉ型アモルファスシリコン層の表面を酸化
することで作成した酸化物層からなり、前記集電電極は
前記酸化物層に接合されAl,Cd,Ta,Mg,Cu及びFeの少なく
とも１種を含有する合金を用いたことを特徴とする太陽
電池。 - 【請求項２】前記Ｉ型アモルファスシリコン層の表面に
作成した酸化物は、酸素を含有する雰囲気中で加熱する
事により形成したことを特徴とする請求項１記載の太陽
電池。 - 【請求項３】前記集電電極は酸素を１原子％以上含有す
ることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080329A JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080329A JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260465A JPH02260465A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2718161B2 true JP2718161B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=13715216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080329A Expired - Fee Related JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718161B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5615085A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | Solar battery |
| JPS5955080A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜光電変換装置 |
| JPS6043819A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応方法 |
| EP0215289B1 (de) * | 1985-08-23 | 1991-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer hochsperrenden Diodenanordnung auf der Basis von a-Si:H für Bildsensorzeilen |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080329A patent/JP2718161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02260465A (ja) | 1990-10-23 |
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