JPS6043819A - 気相反応方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板上にＰ型またはＮ型および！型の導電型を
有する非単結晶半導体を層状に積層してＰＩ接合または
Ｎｌ接合を形成するに際し、それぞれの半導体層をそれ
ぞれに対応した気相反応用容器で形成せしめる気相法に
関する。

本発明は、ＰまたはＮ型の半導体層はプラズマ気相法（
ＰＣＶＤ法という）により、また■型半導体層はプラズ
マを用いない気相法により被膜形成を行うことを目的と
する。さらにかかる複数の反応容器を分離部を介して互
いに連結して設けることにより、外気（大気）に触れさ
せることなく、複数の半導体層を積層せしめる気相反応
方法に関する。

本発明は■型半導体層の形成に際し、プラズマ気相法（
ＰＣＶＤ法）による被形成面への損傷（スパッタ）を除
くため、非プラズマ気相法、即ち光気相反応法（Ｐｈｏ
ｔｏ　ＣＶＤ法ともいう）、減圧気相法（ＬＰ　ＣＶＤ
法ともいう）、さらにＬＰ　ＣＶＤ法の一部である低温
気相法（、ＬＴ　ＣＶＤ法ともいう）により形成せしめ
たものである。即ち、半導体としてきわめて構造敏感な
１層半導体、即ちＰまたはＮ型の不純物をまったく添加
しない、またはｚＱの濃度が１×１０　ＩＱ　Ｃｍ−３
以下の実質的に真性の半導体層であって、■価またはＶ
価の不純物が０．１〜２％添加されたＰまたはＮ型の非
単結晶半導体層に比べてホール、電子の双方のキャリア
のライフタイムが十分大きい活性の半導体層を形成せし
めたものである。即ち本発明はＰまたはＮ型半導体層と
■型半導体層との界面に面的な接合を構成せしめるため
、さらにこの界面領域でのＩ型半導体層中−・のＰまた
はＮ型半導体層からの不純物の混入を防ぐため、非プラ
ズマ気相法（ＮＰ　ＣＶＤ法という）を用いたことを特
徴とする。

本発明におけるＮＰｃｖＤ法の代表例として、低温気相
法（ＬＴ　ＣＶＤ法）は反応性気体の温度を４００〜６
５０℃と高温とし、反応性気体を熱により活性化または
分解せしめ、さらに被形成面を室温〜３５０℃の反応性
気体よりも低い温度とし、被形成面上の半導体層中に水
素または／’％ロゲン元素の再結合中心中和用の元素が
添加された半導体層の作製方法である。

また他のＮＰ　ＣＶＤ法である光ＣＶＤ法は前記ＬＴ　
ＣＶＩ）法と合わせての併用が可能であるが、基板また
は空間に赤外線の反応性気体の共鳴吸収と同一の波長の
光を照射して分解を助長せしめている。即ち、Ｓ　ｉ　
−ＩＩ　、　Ｓ　ｉ　−Ｆ　、　Ｇｅ−Ｈ等の結合の吸
収エネルギと同じ８μ以上（８〜２５μの遠赤外または
１０．８μのＣＯレーザ）により加熱して実施をした。

また他の光ＣＶＤ法として３００ｎｍ以下の紫外光を反
応性気体に照射し、同時に必要に応じて水銀を添加し、
反応性気体であるＳ　ｓ　Ｈｙ　＋　Ｓ　ｉＦ＋　＋　
Ｇ　ｅ　ＩＦ等の反応性気体を分解して被膜形成を行う
ものである。

かかる光ＣＶＤ法、ＬＴ　ＣＶＤ法はスパッタ効果を伴
わず、被膜は被形成面上に滑らかに蒸積されるのみのた
め、下地のＰまたはＮ型半導体層をスバ・ツタして接合
界面に混合層を作ることがない。このため構造特性にお
いて０．５μ以上の深い空乏層を１層内に作ることがで
きるという特長を有する。

本発明は水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶
半導体層、好ましくは珪素、ゲルマニューム、炭化珪素
（ＳｉＣのみではなく、本発明においては５ｉｘＣ）−
２０＜　ｘ　＜　ｌの総称を意味する）、珪化ゲルマニ
ューム（ＳｉｘＧｅｌ−）（０＜　ｘ　＜　１　）、珪
化スズ（ＳｉｘＳｎｌ、ＬＯ＜　ｘ　＜　１　）であっ
て、再結合中心密度の小さなＰ、ＩおよびＮ型の導電型
を有する半導体層を複数形成し、その積層境界にてＰＩ
接合、Ｎｌ接合またはこれらを組み合わせてＰＩＰ接合
、ＮＩＮ接合、ＰＩＮ接合を形成する気相法に関する。

本発明はかかる気相法により、被膜作製の際、それぞれ
の半導体層に他の隣接する半導体層からの不純物が混入
して接合特性を劣化させることなく形成するとともに、
またそれぞれに半導体層を形成する工程間に大気特に酸
素に触れさせて、半導体の一部が酸化されることにより
、層間絶縁物が形成されることのないようにした連続生
産を行うためのマルチチャンバ方式のプラズマ気相反応
に関する。

本発明はマルチチャンバ方式を基本条件としており、さ
らにそれぞれの反応容器内でチャンバ内壁に不要の反応
生成物が付着することを防ぎ、換言すれば、供給した反
応性気体の被膜になる割合即ち収集効率を高めるため、
基板のホルダ内に配置されている筒状空間にチムニ−（
煙突）状に反応性気体を供給せしめた気相反応に関する
。

従来、非単結晶半導体例えばアモルファス珪素をプラズ
マ気相反応において、ＰＩ、Ｎｌ接合を作らんとする時
、複数の反応容器のすべてにおいて、プラズマ気相反応
を実施していた。このため、ＰｌまたはＮｌ接合を作ら
んとすると、１層中にＰまたはＮ型層からの不純物の混
入が起き、１層内のＰまたはＮ型半導体層近傍の空乏層
が狭く、Ｃ−Ｖ法で測定した時、０．３μ以上に構成せ
しめることができなかった。特にＩＮの形成をＰＣＶＤ
法にて実施すると、その際、反応容器内壁をも同時にス
パッタするため、この内壁の付着物の水、酸素が同時に
混入し、また下地半導体層のＰまたはＮ型用の不純物が
ＯＵＴ　５ＰＵＴＴＥＩ？されてしまい、ｌｆｆ１中に
混入し、接合近傍をＰまたはＮ化してしま９た。

かかる薄い空乏層しかできない原因は、１層の形成方法
にＰＣＶＤ法を用いたために起こるものであり、構造敏
感な１層への炭素、酸素または窒素が意図しないで混入
すること、さらに加えて■価またはＶ価の不純物の混入
を避けることができないためであることが判明した。本
発明はかかる従来の欠点を防ぐため、夏型半導体層はＮ
Ｐ　ＣＶＤ法により形成することにより実施することを
目的としたものである。

本発明はかかる欠点を防ぐため、独立分離のマルチチャ
ンバ反応方式であって、構造鈍感なＰまたはＮ型半導体
層はＰＣＶＤ法で作製した。特にＰまたはＮ型の半導体
を５ｉｘＣ１−＜　（０＜　ｘ　＜　１　）により作製
せんとする時、ＳｔとＣとの結合手を十分有せしめるた
め、高いエネルギのプラズマ反応が特に有効である。か
かるＰＣＶＤ法においての被形成面のスパッタを少なく
するため、そのプラズマ反応に用いられる高周波電界は
被形成面に添って流れるように層流を構成して供給させ
、反応性気体がチャンバ内を乱流を作って混合すること
を防いだ。

これらの処理に加えて、被形成面を電極的に浮いた（フ
ローティング）とすることによりプラズマエネルギが被
形成面をスパッタする程度を軽減せしめた。図面におい
ては、反応性気体の導入口、排気口においてフードを設
け、この間の基板の被形成面により実質的に作られた筒
状空間のみに選択的にプラズマ反応を発生せしめること
により、チアンバ（反応容器）内の全空間に反応生成物
が拡散し広がることを防いだ。さらにこの上面に夏型半
導体層をＮＰ　ＣＶＤ法により形成するため、形成され
た不純物のＰまたはＮ型の半導体層から他の夏型の半導
体層への混合を排除し、その混合部を従来のＰＣＶＤ法
のみで実施する方法に比べて２００〜３００人と約１／
１０〜１１５にするとともに、Ｐ型の半導体層上に連続
してショートレンジオーダの秩序性を有する真性または
実質的に真性の半導体層をも成長し得たことを特徴とし
ている。

かくすることにより、その接合またその近傍に集中して
いる再結合中心の密度をＩ　Ｘ　１０”　ｃｍ’以下に
十分小さくさせることができた。即ち再結合中心は不純
物の混合によりアクセプタ、ドナーにならない■価の不
純物とｖ価の不純物とが相互作用して深いトラップレベ
ルを作るが、かかるトラップセンタ（再接合中心）を混
合部の厚さを薄くすることにより少なくし、またモホロ
ジ学的に成長させることにより真性半導体の不対結合手
の存在濃度を従来の１０′８〜１０１９０ｍ−３より約
１　／１００の１０′６〜１０”　ｃｍ−ヨにしたこと
を特徴としている。

以下に本発明の実施例を図面に従って説明する。

実施例１ 第１図に従って本発明のプラズマ気相反応装置の実施例
を説明する。

この図面は、ＰＩ接合、ＮＩ接合、ＰＮ接合、ＰＪＮ接
合、ＰＩＰ接合、ＮＩＮ接合またはＰＩＮＰＩＮ・・・
ｒ’ＩＮ接合等の基板上の半導体に、異種導電型であり
ながらも、形成される半導体の主成分または化学量論比
の異なる半導体層をそれぞれの半導体層をその前工程に
おいて形成された半導体層の影響（混入）を受けること
を防ぐため、前の半導体を形成した反応容器とは異なる
反応容器で第２の半導体層を非プラズマ気相法により形
成して、前の半導体層上に積層して接合を作るとともに
、さらに多層に自動かつ連続的に形成するための装置で
ある。

図面においてはＰＩ接合、ＩＮ接合をさらに複合化して
ＰＩＮ接合を構成する３つのＰ、■およびＮ型の半導体
層を積層して形成する第１および第２の予備室を有する
マルチチャンバ（ここでは３つの反応容器）方式のプラ
ズマ気相反応装置の装置例を示す。

図面における系１１■、■は３つの各反応容器（６＞、
＜　７　＞、＜　８　）を有し、それぞれの反応容器間
に分離部（４４）、＜４５＞、＜４６＞、＜４７）を有
している。またそれぞれ独立して反応性気体の導入手段
としての供給フード（１７）、＜１８＞、（１９）と排
気手段としての排気フード（ｌデ）、（１８’）、＜　
１９’）とを有せしめた。

この装置は入り口側には第１の予備室（５）が設けられ
、扉（４２）より基板ホルダ（ホルダともいうＸ１５）
に基板（４）を挿着し、この予備室に配置させた。この
被形成面を有する基板は被膜形成を行わない裏面を互い
に接し、１〜１０ｃｍ好ましくは３〜５ｃｍの間隙を有
して林立させている。この間隙は基板の反応性気体の流
れ方向の長さが１０Ｃｍ、　１５ｃｍ、　２０ｃｍと長
くなるにつれて、３〜４ｃｍ、４〜５ｃｍ、５〜６ｃｍ
と広げた。さらにこの第１の予備室（５）を真空ポンプ
（３５）にてバルブを開レノで真空引きをした。この後
予め真空引きがされている反応容器（、６＞、＜　７　
＞、＜　８　）の間の分離部のゲート弁（４４＞、＜　
４５　＞、（４６）、（４７）を開けて基板およびホル
ダを移した。例えば、予備室（５）より反応容器（６）
に移し、さらにゲート弁（４４）を閉じることにより基
板およびホルダを第１の反応容器（６）に移動させたも
のである。この時、第１の反応容器（６）に保持されて
いた基板（１）は第２の反応容器（７）に、また第２の
反応容器（７）に保持されていた基板（２）は第３の反
応容器（８）に、また第３の反応容器（８）に保持され
ていた基板は出口側の第２の予備室（９）に同時にゲー
ト弁（４５）、＜４６＞、＜４７）を開けて移動させた
。

第２の予備室に移された基板はデー１−弁（４７）が閉
しられた後（４１）より窒素が導入されて大気圧にされ
、（４３）の扉より外へ出した。

即ちゲート弁の動きは扉（４２）、（４３）が大気圧で
開けられた時は分離部のゲート弁（４４）、＜４５＞、
＜４６）。

（４７）は閉じられ、各チャンバにおいてはプラズマ気
相反応が行われている。また逆に扉（４２）、＜４３）
が閉じられていて予備室（５）、（９）が十分真空引き
された時は、ゲート弁（４４）、（４５）、（４６）、
（４７）が開けられ、各チャンバの基板、ホルダは隣の
チャンバに移動する機構を有している。

系■における第１の反応容器（６）でＰ型半導体層をＰ
ＣＶＤ法により形成する場合を以下に示す。

反応系Ｉ　（反応容器（６）を含む）は１０−ヨー１０
ｔｏｒｒ好ましくは０．０１〜１　ｔｏｒｒ例えばＱ、
Ｑ３ｔｏｒｒとした。

反応性気体は珪化物気体（２４）に対してはシラン（Ｓ
ｉｎＨ＋ｚ＋、　ｎ　＞　１特にＳｉＨｇ）、ジクロー
ルシラン（ＳｉｌＩＬＣｋとトリクロールシラン（Ｓｉ
ＨＣｌ２＞、四フッ化珪素（ＳｉＦ？）等があるが、取
扱が容易なシランを用いた。

本実施例の５ｉｘＣ＋□（Ｑ＜ｘ＜１）を形成するため
、炭化物気体（２３）に対してはメタン（ＣＩ、　）を
用いた。

炭化珪素（ＳｉｘＣ１−（０＜　ｘ　＜　１　）に対し
ては、Ｐ型の不純物としてボロンを水素にて２０００Ｐ
ＰＭに希釈されたジポランより（２５）より供給した。

まり／’ｌ”）　ユＬをＴＭＧ　（Ｇａ　（ｃＨ’３　
）Ｊ　）　ニより１０１９〜９　Ｘ　１０”　ｃｍ−ヨ
の濃度になるように加えてもよい。

キャリアガス（３９）は反応中は水素（ＨＬ）を用いた
が、反応開始の前後は窒素（Ｎ２）を液体窒素より気化
して用いた。これらの反応性気体はそれぞれの流量計（
３３）およびバルブ（３２）を経て、反応性気体の供給
フード（１７）より高周波電源の負電極（６１）を経て
筒状空間を構成する基板（１）およびホルダ（１５）内
に導入させた。一対をなす容量結合式の電極は負電極（
６１）と正電極（５１）間を電気エネルギ例えば１３．
５６Ｍ１ｌｚＯ高周波エネルギ（１４）を加えてプラズ
マ反応せしめ、基板上に反応生成物を被膜形成せしめた
。

基板は１００〜４００℃例えば２００℃に赤外線ヒータ
（１１）、＜１１’）により加熱した。

この赤外線ヒータは、近赤外用ハロゲンランプ（発光波
長１〜５μ）ヒータまたは遠赤外用セラミックヒータ（
発光波長８〜２５μ）を用い、棒状を有するため上方の
ヒータと下方のヒータとが互いに直交する方向に配置し
て、この反応容器内にお□けるホルダにより取り囲まれ
た筒状空間を２００±１０℃好ましくは±５℃以内に設
置した。

この後、前記したが、この容器に前記した反応性気体を
導入し、さらに１０〜５００訂こ高周波エネルギ（１４
）を供給してプラズマ反応を起こさせた。

かくしてＰ型半導体層はＪ％／５ｉ１１．ｆ＝０．５％
。

ＣＨ÷／　（Ｓｔｌｌ＋　＋ＣＩ＋４　）　〜０．５の
条件にて、この反応系Ｉ５．で約１００人の厚さを有す
る薄膜として形成させた。Ｅｇ＝２．ＯｅＶ、　ａ　＝
　１　ｘ　１０−’　〜３　Ｘ　１０−’　（Ωｃｍ＞
−’であった。

基板は導体基板（ステンレス、チタン、アルミニューム
、その他の金属）、半導体（珪素、炭化珪素、ゲルマニ
ューム）、絶縁体（アルミナ、ガラス、有機物質）また
は複合基板（アルミニューム、ステンレス上に絶縁薄を
形成させた絶縁性表面を有する可曲性基板、ガラス絶縁
基板上に弗素が添加サレタ酸化スズ、ＩＴＯ等の導電膜
が単層またはＩＴＯ上に５ｎＯｉが形成された２層膜が
形成されたもの、絶縁基板上にＰまたはＮ型の半導体が
形成されたもの）を用いた。本実施例のみならず本発明
のすべてにおいてこれらを総称して基板という。勿論こ
の基板は可曲性であってもまた固い板であってもよい。

カくシて１〜５分間プラズマ気相反応をさせて、Ｐ型不
純物としてホウ素またはガリュームが添加された炭化珪
素膜を作製した。さらにこの基板を前記した操作順序に
従って第２の反応容器（７）に移動した。この反応容器
にて非プラズマ反応により真性または実質的に真性のＩ
型半導体層を約５’０００人の厚さに形成させた。

即ち第１図における反応系■において、半導体の反応性
気体としてシランを（２８）より、また、１０”　ｃｍ
−”以下のホウ素を添加するため、水素、シラン等によ
り５〜３０ＰＰＭに希釈したＢＨを（２７）より、また
、キャリアガスを必要に応じて（２６）より供給した。

反応性気体は基板（２）の被形成面にそって上方より下
方に流れ、真空ポンプ（３７）に至る。系■において（
４３）の出口側よりみた紺断面図を第２図に示す。

第２図を概説する。

第２図において、ＬＴ　ＣＶＤにて■型珪素被膜を形成
せしめたものである。

図面において、ヒータ（１２＞、＜　１２’）はジルコ
ン（ＺｒＳｉＯ）発熱体を用い、８μ以上の光が十分に
放射できる遠赤外線ヒータとした。反応空間はヒータに
より４００〜６５０℃例えば５３０℃とした。反応性気
体は例えばシランを分解した。

さらに一対をなす基板（２＞、（２’）の間には冷却用
シンク（２１）が設けられており、この冷却用シンクに
より基板の表面が室温〜３５０℃例えば２７０を経て注
入し、反応空間にてヒータ（１２＞、（１２’）により
加熱分解せしめた。

冷却用媒体は窒素またはアルゴンガスを用い、ポンプ（
５７）により循環しつつチラー（５６）にて冷却させて
いる。このため被形成面上に水素が添加された珪素被膜
を非プラズマＣＶＤ法により作ることができた。

不要反応性気体は、排気手段である排気フード（１８）
より真空ポンプ（３７）により排気させた。

かくして第１の反応室にてプラズマ気相法よりＰ型半導
体層を形成した上にＬＴ　ＣＶＤ法により■型半導体層
を形成させてＰＩ接合を構成させた。

またかくして■型半導体層を系■にて約５０００人の厚
さに形成させた後、基板は前記した操作に従って第１図
の系■の反応容器（８）に移され、Ｎ型半導体層が形成
させた。このＮ型半導体層は、ＰＣＶＤ法によりフメス
ヒンをＰＨ３／　５ｉｌｌ？−１，０％としく３１）よ
りまたシランを（３０）より、またキャリアガスの水素
を（２９）より５ｉｌ１４／　Ｈｚ＝５０として供給し
、系Ｉと同様にして約２００人の厚さにＮ型の微結晶性
または繊維構造を有する多結晶の半導体層を形成させ、
さらにその上面に５ｉｘＣｚオ（０〈ｘく１）で示され
るＮ型半導体層を１０〜２００人の厚さ例えば４０人の
厚さに積層して形成させたものである。その他反応装置
については系Ｉと同様である。

かかる工程の後、第２の予備室（９）より外にＰＩＮ接
合を構成して出された基板上に１００〜１５００人の厚
さのＩＴＯをさらにその上にアルミニューム電極を真空
蒸着法により約１μの厚さに作り、ガラス基板上に（Ｉ
ＴＯ＋Ｓｎ　Ｏｘ　）表面電極−（ＰＩＮ半導体）−（
裏面電極）を構成させた。

その光電変換装置としての特性は７〜９％平均８％を１
０ｃ、ｍ　Ｘ　Ｌｏａｍの基板でＡＭＩ　（１００ｍＷ
　／ｃＪｉＹ）の条件下にて真性効率特性として有し、
ハイブリッド型にした２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃ＋ｎの基板
においても、３〜５％を実効効率で得ることができた。

この効率の向上は光が入射する側のＰＩ接合がきわめて
二次的な面的に構成され、Ｃ−Ｖ法で調べた空乏層の巾
も０．５μを有していることがわかる。開放電圧は、０
．８８〜０．９Ｖであったが、短絡電流は１８〜２０ｍ
Ａ　／　ｃＡと太き（、またＦＦも０．７０〜０．７８
と大きく、ＰＩＮ型の半導体層内部特に活性１層でのス
パッタがないため、再結合中心の密度が従来の方法に比
べて、１／１０〜１１５０になったことによる電流増加
、曲線因子の向上が特性改良につながったものと推定さ
れる。

実施例２ この実施例は実施例１の変形であり、第２図に対応した
図面を第３図に示しである。その他は第１図と同様であ
る。

第３図は■型半導体層を形成する非プラズマＣＶＤ法で
ある光ＣＶＤ反応を行わせた容器の縦断面図である。図
面において、反応性気体（２６＞、（２７＞、（２８）
は供給フード（１８）より下方向に噴き出されている。

また排気も排気フード（１８’）を経て真空ポンプ（３
７）に至っている。基板（２）は鉛直方向に立てて林立
させ、ホルダ（１５）により空間に保持されている。

反応性気体は水６Ｎ　（５５）が入ったバブラ（５４）
を経て供給されている。紫外線ランプは１８５ｎｍ、　
２５４ｎｍを発光せしめ、基板加熱用赤外線ランプとと
もに（１２＞、（１２）に配設させている。

かくしてＩ型珪素を基板上にプラズマ気相法で作られた
Ｐ型半導体層上に約５０００人の厚さに形成せしめた。

その他は実施例１と同様である。

以上の本発明の実施例においては、ＰＩＮ接合を１つ有
するものとした。しかしＰＩＮＩＰ型のフォトトランジ
スタ、ＰＩＮＰＩＮ・・・ＰＩＮのタンデム構造の光電
変換装置等多くの応用もその半導体層の数に従って反応
容器をさらに連結すればよく、本発明の技術思想におい
て、これらも含まれることばいうまでもない。

本発明において形成される非単結晶半導体被膜中の結晶
構造がアモルファスであれ多結晶であれ、その構造には
制限を受けない。本発明は形成された複数の積層された
半導体被膜がＰ型、Ｎ型またはＩ型を少なくともＰＩま
たはＮｌ接合を一つ有する半導体であることが重要であ
る。またこの半導体としての導電特性のリーク特性の軽
減のため、その接合面においてそれぞれを混合させない
高品質な被膜を多量生産することが大きな特徴である。

さらにこの珪素または炭素の不対結合手を水素により５
ｉ−１１，Ｃ−Ｈにて中和するのではなく、５ｉ−ＣＩ
　、　Ｃ−Ｃｌとハロゲン化物特に塩化物気体を用いて
実施してもよいことはいうまでもなく、この濃度は１０
原子％以下、例えば２〜５原子％、が好ましかった。

本発明で形成された非単結晶半導体被膜は、絶縁ゲイト
型電界効果半導体装置におけるＮ（ソース）Ｉ（チャネ
ル形成領域）Ｎ（ドレイン）接合またはＰＩＦ接合に対
しても有効である。さらにＰＩＮダイオードであってエ
ネルギバンド１１がＷ　−−Ｎ　−Ｗ　（ＷＩＤＥ−Ｎ
ＡＬＬＯＷ−ＷＩＤＥ）またはＳ　ｉ　ｘ　Ｃ／、　−
５ｉ　−５ｉ　ｘ　Ｃ＋−（（０＜ｘ＜１）構造のＰＩ
Ｎ接合型の可視光レーザ、発光素子または光電変換装置
を作ってもよい。特に光入射先側のエネルギバンド１ｊ
を大きくしたヘテロ接合構造を有するいわゆるＷ（Ｐま
たはＮ型）−Ｎ（Ｉ型ＸＷＩＤＥ　ＴＯＮＡＬＬＯＷ）
と各反応室にて導電型のみではなく生成物を異ならせて
それぞれに独立して作製して積層させることが可能にな
り、工業的にきわめて重要なものであると信する。

本発明において、分離部は単にゲイト弁のみではな（，
２つのゲート弁と１つのバッファ室を系Ｉと系２との間
に設けてＰ型半導体の不純物の１型半導体層中への混入
をさらに防ぎ、特性を向上せしめることは有効であった
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は本発明を実施するための
半導体膜形成用製造装置の概略を示す。 特許出願人 （２２） 記２Ｃの ３２３５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 工、Ｐ型またはＮ型の第１の非単結晶半導体およびＩ型
   の第２の非単結晶半導体を積層してＰＩ接合またはＮｌ
   接合を少なくとも１つ有する半導体装置を作製するにあ
   たり、前記第１の半導体を形成する反応容器と、前記第
   ２の半導体を形成する反応容器とをそれぞれ独立にかつ
   それぞれの反応容器を互いに分離部を介して連結して設
   けた反応系において、前記第１の半導体をプラズマを用
   いた気相反応方法により形成するとともに、前記第２の
   半導体をプラズマを用いない被膜形成方法により形成す
   ることを特徴とする気相反応方法。 ２、Ｐ型またはＮ型の第１の非単結晶半導体と１型の第
   ２の非単結晶半導体とＮまたはＰ型の第３の非単結晶半
   導体とを積層してＰＩＮ接合、ＮＩＮ接合、ＰＩＰ接合
   を少なくとも１つ有する半導体装置を作製するにあたり
   、前記第１の半導体を形成する反応容器と、前記第２の
   半導体を形成する反応容器と第３の半導体を形成する反
   応容器とをそれぞれ独立にかつそれぞれの反応容器を互
   いに分別部を介して連結して設けた反応系において、前
   記第１および第３のの半導体をプラズマを用いた気相反
   応方法により形成するとともに、前記第２の半導体をプ
   ラズマを用いない被膜形成方決により形成することを特
   徴とする気相反応方法。