JPS60138909A - 気相反応被膜作製装置および作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １　本発明は気相反応被膜作製装置＃および作製方法に
関するす本発明は反応性気体を用いて被膜作製を行うに
際し、非酸化物の被膜を作製するに関して、排気率にお
いてターボ分子ポンプを用いて気′：相反応（以下ＣＶ
Ｄという）を行なわしめることに：、より、被膜中の酸
素の混入量をＩ　ＸＩＯ”　ｃｍ−３以下：、、、の濃
度ときせる気相反応装置およびその作製方法□に関する
。′ 本発明は非酸素系被膜の作製において、その排気系より
の大気の逆流を防ぐため、油回転方式のロニタリーポン
プ、メカ二カルフ゛−スターポンプ等の不連続回転方式
の真空ポンプ（以下単に真空ポンプまたはｖＰという）
のみを用いるのではなく、連続排気方式のターボ分子ポ
ンプ（以下単にターボ分子ポンプまたはＴＰという）を
反応容器と真空ポンプとの間に介在させて、排気系から
の大気の逆流を防止したことを特徴とする。

本発明の非酸化物被膜例えば非単結晶珪素を、反応性気
体であるシラン（ＳｉｎＨ１ｙ＋１　ｎ　＞　１　）を
用いて形成するに際し、その被膜中の酸素の量を５Ｘ　
１０”　ｃｍ−”以下好ましくはＩ　Ｘ　１０”　ｃｍ
−”以下とするため、排気系からの逆流を防ぐことを目
的としている。

本発明はかかる排気系をＴＰを反応室とＶＰとの間に反
応中の圧力調整用のバルブを経て介在させることにより
、反応室内は０．０５〜１０ｔｏｒｒの間の圧力範囲で
プラズマ気相反応（ＰＣＶＤという）、光ＣＶＤ（Ｐｈ
ｏｔｏ　ＣＶＤという）またはこれらを併用した方法（
以下単にＣＶＤ法として総称する）を用いて被膜形成を
行い、かつ圧力調整バルブ下は１×１０″２ｔｏｒｒ以
下（一般には１０叫〜１０−、　ｔｏｒｒ）の圧力とし
て保持し、ＴＰを作用させるため、反応系はこの排気系
よりも高い圧力（ＩＸＩＯ″２ｔｏｒｒ以上即ら０．０
５〜１０ｔｏｒｒ）で保持して被膜形成を行うことを目
的としている。

さらに本発明はかかるプラズマＣＶＤ装置を反応室を複
数ケ連結し、それぞれの反応室にてＰ型非単結晶半導体
、■型非単結晶半導体およびＮ型非単結晶半導体を基板
上に積層して、ＰＩＮ接合を構成する半導体装置の作製
方法に関する。

従来、ＣＶＯ装置例えばＰＣＶＤ装置においては、反応
系の圧力が０．０５〜１０ｔｏｒｒと高い圧力のため、
その排気系等はｖＰのみが用いられ、それ以上の真空度
を発生させるＴＰ等を設けることが全く不可能とされて
いた。

しかし本発明人はかかるｐｃｖｏ装置において、排気系
がｖｐのみではこのｖＰが不連続の回転運動をするため
、空気と接触している大気圧の排気系からの大気（特に
酸素）が逆流し、さらにこの大気の一部が油中に混入し
、ここから再気化することにより反応容器内に逆流して
しまうことが判明した。

さらにこのため、この逆流により酸素が形成する被膜内
に混入し、例えば珪素膜を作製する場合その被膜内に酸
素が３ＸｌＯ’〜２　Ｘ　１０２１０２Ｏ”の濃度に混
入してしまった。

このため、かかる被膜に水素または弗素が添加されて、
珪素半導体であるべきものが低級酸化珪素といってもよ
いようなものになってしまった。

本発明はかかる欠点を防ぐことを目的としている。

本発明は、第１図にその装置の概要を示す。即１゜ち、
反応性気体を導入するドーピング系（５０）、反：応容
器（５１〉、排気系（５２）を有する。反応容器は１内
側に絶縁物で内面が形成された反応空間を有す１６ユＮ
５ｉ＄１１ｍ’ＪＡ　、！＝　Ｌ、　７□。□え６、あ
８．ｊｌに加えてＰ型半導体（図面では系１）２■型型
半体（図面では系■）およびＮ型半導体と積層して接：
、′合を基板上に形成するに際し、それぞれの反応容□
器を分離部（図面では系止）を介して連結せしめたマル
チチャンバ方式のＰＣＶＤ法を第１図に示すごとくに提
案するにある。

本発明は水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶
半導体層の形成により、再結合中心密度の小さなＰ、■
およびＮ型の導電型を有する半導体層を形成し、その積
層境界にてＰＩＮ接合を形成するとともに、それぞれの
半導体層に他の隣接する半導体層からの不純物が混入し
て接合特性を劣化させることを防ぎ、またそれぞれの半
導体層を形成する工程間に、大気特に酸素に触れさせて
、半導体の一部が酸化されることにより眉間絶縁物が形
成されることのないようにした連続生産を行うためのプ
ラズマ気相反応に関する。

さらに本発明は、かかる反応容器をそれぞれの反応にお
いては独立として多数連結したマルチチャンバ方式のプ
ラズマ反応方法において、一度に多数の基板を同時にそ
の被膜成長速度を大きくしたいわゆる多量生産方式に関
する。

本発明は１０ｃｔａ　Ｘ　１０ｃａ＋または電極方向に
１０〜５０ｃｌＩＩ例えば４０ｃｍを有するとともに、
１１１５〜１２０　ｃｍ例えば６０ｃｍの基板（４０ｃ
ｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍＧ　１
バッチ２０枚配役）を用いた。

第１図、第２図においては、反応性気体の導入手段・排
気手段を有し・これらをイ共給ノ門・排気ノズルを設け
、この絶縁フードよりも内側に相対させて一対の電極（
６１）、＜　５１　）または（６２）、＜　５２　＞お
よび反応性気体の供給ノズル（１７）、＜　１８　）お
よび排気ノズル（１７′）　（１Ｂ’）を配設した。即
ち、電極ツ の外側をフードの絶縁物で包む構造（３９＞＃（３９’
）とした０、さらにこのフード間の反応空間を閉じ込め
るため、外側周辺を絶縁物（３８＞、（３８’）で取り
囲んだ。

また、第２図に第１図の断面を示す図面を示すが、反応
容器の前（図面左側）、後（図面右側）に開閉扉を設け
、この扉の内面にハロゲンランプ等による加熱手段（１
３）、＜１３９を設けた。

以下に本発明の実施例を図面に従って説明する。

実施例１ 第１図、第２図に従９て本発明のプラズマ気相反応装置
の実施例を説明する。

この図面は、ＰＩＮ接合、ＰＩＰ接合、ＮＩＮ接合ま・
・・ＰＩＮ接合等の基板上の半導体に、異種導電型であ
りながらも、形成される半導体の主成分または化学量論
比の異なる半導体層をそれぞれの半導体層をその前工程
において形成された半導体層の影響（混入）を受けずに
積層させるｈめの多層に自動かつ連続的に形成するため
の装置である。

図−においてはＰＩＮ接合を構成する複数の反応系の一
部を示している。即ち、Ｐ、ＩおよびＮ型の半導体層を
積層して形成する３つの反応系の２つ（Ｉ、１’）とさ
らに第１の予備室および杼投用のバッファ室（１）を有
するマルチチャンバ方式のプラズマ気相反応装置の装置
例を示す。

図面における系１．ｘ　、ｚは、２つの各反応容器（１
０１）、（１０３）およびバッファ室（１０２）を有し
、それぞれの反応容器間に分離部（４４＞、＜　４５＞
、＜　４６　＞。

（４７）を有している。またそれ−ぞれ独立して、反応
性気体の供給ノズル（１７＞、＜　１８　＞と排気ノズ
ル（１７’）　（１Ｂ’）とを有し１、反応性気体が供
給系から排気系に層流になるべく設けている。

この装置は入り口側には第１の予備室（１００）が設け
られ、まず扉（４２）より基板ホルダ（２）の２つの面
に２つの被形成面を有する２枚の基板（１）を挿着した
。さらにこ雫ホルダ（３）を外枠冶具（外周辺のみ（３
Ｂ＞、＜３８’＞とじて示す）により互いに所定の等距
離を離間９て一部した。即ちこの被形成面を有する基板
は竺膜形成を行わない裏面を基板ホルダ（２）に接ζ、
基板２枚お、よび基板ホルダ＋を一つのホルダ（３）、
として６．ｃａ＋±０．５ｃｍの間隙を有して絶縁物の
外呻冶具内に林立させた。その結果、４０ｃ＋＋＋　Ｘ
　６０ｃｍの箒板を２０枚同時に被膜形成させることが
できた。。力コクシて高、さ５５Ｃ１１％奥行８０ｃｍ
、中８０ｃｍの反応空間（６＞、（８ｊ、は上　□。

方、下方を絶縁物（３９）、＜３９’＞で、囲まれ、ま
た側周　□辺は絶縁外枠冶具（３８）、＜３８’）で、
、取り囲んだ。。

第１の予備室（１００）を圧ｐｍ＊バルブ（７１）を全
開とし、ＴＰ　（８６）を経て真空ポンプ（３５＞に　
・。

より真空引きをした。この後１５．圧力ｍ整バルブ（７
２）を全開とし、ＴＰにより３　Ｘ　１Ｏ−８ｔｏｒｒ
以下にまで予め真空引きがされている反応容器（１０１
）との分離用のゲート弁（４４）を開けて、外枠冶具（
３８）に保持された基板を移した０例えば、予備室（１
００）より第１の反応容器（１０１）に移し、さらにゲ
ート弁（４４）を閉じることにより基板を第１の反棒容
器（１０１）、に移動させたものである。

この時、第１の反応容量　（ｉｏｌ、）に保持されてい
た基板（１）等は、予めまたは同時にバッフ１室（１０
２）に、またバッフ１室（１０２）に保持、されていた
冶具および基板（２）は第２の反応容器（１０３（）に
、また第２の反応容器（１０３）、、に保持されていた
基板は第２のバッフ１室（１０４）に、さらに図示、が
省略されているが、第３の反応室の基＆、ｔ、７よび冶
具は出口側の第２の予備室にゲート弁（４５）、＜　４
６　）、＜　４７　）を開けて移動させることが可能で
ある。この後ゲート弁（４４）、＜　４５　＞、＜　４
６　）、＜　４７　”ｊを閉めた。；。

即ｐ、ゲート弁の動きは、扉（４２）が大気圧で開けら
れた時は分離部のゲート弁（４４ル（４５）、＜　４６
　）、＜　４７　）は閉しられ、各チャンバにおいては
プラズマ気相反応が行われている。また逆に、扉（４２
）が閉じられていて予備室（１００）が十分真空引きさ
れた時は、ゲート弁（４４ル（４５）、（４６＞、＜　
４７　）が開けられ、各チャンバの基板、冶具は隣のチ
ャンバに移動する機構を有し、外気が反応室（１０１）
、＜１０２　）に混入しないようにしている。

系■における第１の反応容器（１０１）でＰ型半導体層
をＰＣＶＤ法により形成する場合を以下に示す。

反応系Ｉ　（反応容器（１０１）を含む）は０．０１〜
１０ｔｏｒｒ好ましくは０．０１〜口ｏｒｒ例えば０．
０８ｔｏｒｒとした。

即ち、圧力調整バルブを閉として、反応容器（１０１）
内の圧力は０．０５〜ｌ　ｔｏｒｒであり、またこのバ
ルブ下はＩ　Ｘ　１０”ｔｏｒｒ以下一般にはｌＸ１０
４〜１×１０−りｔｏｒｒとなり、この真空度をＴＰ　
（８７）を回転させて成就させている。またこの連続排
気方式のＴＰを動作させているため、ＶＰ　（３Ｂ）の
ポリマ化した油の逆拡散、また油中に含浸した排気用の
大気特に酸素を逆流させることを初めて防ぐことができ
た。

反応性気体は系１のドーピング系（５０）より供給した
。即ち珪化物気体（２４）としては精製されてさらにス
テンレスボンベに充填されたシラン（ＳｉｎＨｔ＊−１
ｎ　２１特にＳｉＨ４または５ＩＬＩＩ、５．フン化珪
素（ＳｉＦＬまたはＳｉＦρを用いた。ここでは、取扱
いが容易な超高純度シラン（純度９９．９９％、但し水
、酸素化物は０．１ＰＰ？Ｉ以下）を用いた。

本実施例の５ｉｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１）を形成するた
め、炭化物気体（２５）としてＤＭＳ　（ジメチルシラ
ン（ＳｉＨｌ　（ＣＩ、））Ｌ純度９９．９９％）を用
いた。

炭化珪素（ＳｉｘＣ＋−ｘ　Ｏ＜　ｘ　＜　１　）に対
しては、Ｐ型の不純物としてボロンを前記したモノシラ
ン中に同時に０．５％の濃度に混入させ（２４）よりシ
ランとともに供給した。

必要に応じ、水素（純度７Ｎ以上）または窒素（純度７
Ｎ以上）を反応室を大気圧とする時（２３）より供給し
た。これらの反応性気体はそれぞれの流量針（３３）お
よびバルブ（３２）を経、反応性気体の供給ノズル（１
７）より高周波電源（１４）の負電極（６１）を経て反
応空間（６）に供給された。

反応性気体はホルダ（３８）に囲まれた筒状空間（６）
内に供給され、この空間を構成する基板（１）に被膜形
成を行った。さらに負電極（６１）と正電極（５１）間
に電気エネルギ例えば１３．５６Ｍｆｌｚの高周波エネ
ルギ（１４）を加えてプラズマ反応せしめ、基板上に反
応生成物を被膜形成せしめた。

基板は１００〜４００℃例えば２００℃に第２図に示す
反応容器（１０３）の容器の前後に配設された豚外線ヒ
ータと同じ手段により加熱した。

この赤外線ヒータは、近赤外用ハロゲンランプ（発光波
長１〜３μ）ヒータまたは遠赤外用セラミックヒータ（
発光波長８〜２５μ）を用い１、ミの反応容器内におけ
るホルダにより取り囲まれ元部状空間を２００±１０℃
好ましくは±５℃以内に装置した。

この後、前記したが、この容器に前記した反−性気体を
導入し、さらに１０〜５０咋例えば１００−に−周波エ
ネルギ（１４）を供給してプラズマ反応を−こさせた。

かくしてＰ型半導体層は８ＬＨ，／Ｓｔ町−０，５％。

ＤＭＳ　／　（ＳｔＨ＋＋ＤＭＳ）−ｔｏ％の条件にて
、この反応系■で平均膜厚３０〜３００人例えば約１０
０人の厚さを有する薄膜として形成させた。Ｅｇ＝２．
０５ｅＶσ−１ＸＩＧ”　〜３　ＸＩＯ″’（ＱＣＩＩ
）→であった。

基板は導体基板（ステンレス、チタン、アルミニューム
、その他の金属入牢導体（珪素、ゲルマニユーム）、絶
縁体くガラスい有機薄膜）または複合基板（ガラスまた
は透光性有機樹脂上に透光性導電膜である弗素が添加さ
れた酸化スズ、ＩＴＯ等の導電膜が単層またはＩＴＯ上
にＳｎＯ２が形成された２層膜が形成されたもの）を用
いた。本実施例のみならず本発明のすべてにおいてこれ
らを総称して基板という、勿論この基板は可曲性であっ
てもまた固い板であってもよい。

かくして１〜５分間プラズマ気相反応をさせて、Ｐ型不
純物としてホウ素が添加された炭化珪素膜を約１００人
の厚さに作製した。さらにこの第１の半導体層が形成さ
れた基板をゲー）　（４５）を開は前記した操作順序に
従ってパンツ１室（１０２）に移動し、ゲート（４５）
を閉じた。このパンツ１室（１０２）は予め１０−’ｔ
ｏｒｒ以下例えば４×１０″１°ｔｏｒｒにタライオボ
ンプ（８８）にて真空引きがされている。

またこの基板は系１に同様にＴＰ　（８９）により、Ｉ
　Ｘ　１０−’　ｔｏｒｒ以下社保持された反応容器に
ゲート（４６）の開閉を経て移設された。

即ち第１図における反応系　において、半導体の反応性
気体として超高純度モノシランまたはジシランを（水ま
たは酸化珪素、酸化物気体の濃度は０．１ＰＰＭ以下８
２Ｂ）より、また、１０”ｃｓ＋−Ｅ１以下のホウ素を
添加するため、水素、シラン等によって０．５〜３０Ｐ
ＰＩｌｌに希釈し九ＢよＩＩ、を（２７）より、またキ
ャリアガスを必要に応じて（２６）より供給した。

反応性気体は基板（１）の被形成面にそって上方より下
方に流れ、ＴＰ　（８８）に至る。系　において出口側
よりみた縦断面図を第３図に示す。

第２図を概説する。

第２図は第１図の反応系　の縦断面図を示したものであ
る。

図面において、ランプヒータ（１３人＜１３’）は棒状
のハロゲンランプを用いた０反応空間はヒータにより１
００〜４００℃例えば２５０℃とした。

基板（１）が基板ホルダ（２）に保持され、外枠冶具（
３Ｂ）＃（３８’）で閉じ込め空間（８）を構成してい
る。

５０００人の厚さに５１Ｈ＋６０ｃｃ／分、被膜形成速
度２．５人／秒、基板（２０ｃｍｘ６０ｃｍを２０枚、
延べ面積２４０００　ｍ）で圧力０．１　ｔｏｒｒとし
たｅ　ｓｉ、ｎ、を用いた場合、被膜形成速度２８人／
秒を有していた。

かくして第１の反応室にてプラズマ気相法によりＰ型半
導体層を形成した上にＰＣＶＤ法により夏型半導体層を
形成させてＰＩ接合を構成させた。

また系　にて約７０００人の厚さに形成させた後、基板
は前記した操作に従って、隣のパンツ１室（１０２）に
移され、さらにその隣の反応室に移設して同様のＰＣＶ
Ｄ工程によりＮ型半導体層を形成させた。このＮ型半導
体層は、ＰＣＶＤ法によりフォスヒンをＰＲ，／５ｉ４
−１．０％としたシランとキャリアガスの水素をＳｉ〜
／ＨＬ−２０％として供給して、系りと同様にして約２
００人の厚さにＮ型の微結晶性または繊維構造を有す−
る多結晶の半導体層を形成させて、さらにその上面に、
炭化珪素をＤＮＳ　／（Ｓｉ％＋ＤＮＳ）−０，１とし
てＳｉｘＣ１−ｘ　（０＜　ｘ　＜　１　）で示される
Ｎ型半導体層を１０〜２００人の厚さ例えば５０人の厚
さに積層して形成させたものである。

その他反応装置については系Ｉと同様である。

７、ヵ、６エＰｉ！ｃ７）１＆、　ＭＡ　２　、）’Ｐ
ｉｊ／Ｍ’Ｍ、ｋ　０　ｆｌｅｐｔ□　：・合を構成し
て出された基板上に１００〜１５００人の厚　、：さの
ＩＴＯをさらにその上に反射性または昇華性金　：１属
電極例えばアルミ＝−−ム電極を真空蒸着法に　′：１
、：： より約１μの厚さに作り、ガラス基板上に（ＩＴＯ＋　
：：１！ Ｓｎへ）表面電極−（ＰＩＮ半導体）−（裏面電極）′
１を構成させた。：１ その光電変換装置としての特雪生番よ７〜９％平均　・
、・１８％、ｌＯｃｍＸｌｏｃｍ（Ｄ、＆ｉ’／Ｖｌ　
（１００ｄ／ｃｊ）＜７）　ｊ：：１ 条件下にて真性効率特性として有し、集積化して　１２
、イア’！Ｊ　７　Ｖ’！ＩＫＬｚｋ４゜Ｃａｌ　Ｘ　
６０ｃｍ。Ｗ５’：）−ａ＆Ｋ　１１おい一’ｌ、５．
５□□工、５よヵ３７□、１：イ＋、）＆！ｉヮ、１つ
、）、イ１．１よ。、８５〜０．９Ｖ　ｔｌ（０，８７
±０．０２Ｖ　）であったが、短絡電流は１８±２ｓｇ
Ａ／−と大きく、またＦＦも０．６０−０．７０と大き
く、かつそのばらつきもパネル内、バッチ内で小さく、
工業的に本発明方法はきわめて有効であることが・判明
した。

第３図は本発明および従来方法により作られたＰＩＮ型
充電変換装置における半導体内の酸素および炭素や不純
物の濃度分布を示す。

図面畔アルミニニーム裏面電極（９４）、　Ｎ型半導体
（９３）、　Ｉ型半導体（９２）、　Ｐ型半導体（９１
）、基板上の酸（５スズ透１光性導電１１１ｉ　（９０
）をそれぞれ示す。

従来不法の排気、系を回転ポンプまたはメカニカルブー
スターポンプのみによる排気方法においては、連眸排気
方式のＴＰを用いないため、炭素は曲線（９５）、酸素
は曲線（９６）に示される高い濃度の不純物ｉ含有して
いた。

、・１ 特に竺素は、５×ｌθ″〜２　Ｘ　１０２０ｃｍ−３を
１型半導体＜９’ｑ＞において有していた０図面は５Ｘ
１０■ｃｍ−：Ｉの一素を含んだ場合である。加えて油
回転ポンプからの油成分の逆流により炭素が５ｘｌＱ２
０〜４　Ｘ　ＩＱ２０ｃｍ＋−３を有していた。図面は
Ｉ　Ｘ１０２０ｃ＋ｗ−３を有する場合である。

他方、本発明に示すごとき排気系においては炭素濃度は
１×１０円〜５　Ｘ　１０１８ｃｍ−３を有し、一般に
はＩ　Ｘ　１０１８ｃｍ＋−”以下しか含まれない。加
えて＃＆素も５　Ｘ　１０”　ｃｍ−”以下好ましくは
Ｉ　Ｘ　１０”　ｃｔａ−３以下であり、図面２では２
　Ｘ　１０”　ｃｍ−３の場合を示す。

第３図において、裏面電極（９４）のアルミニュームに
は３〜６　Ｘ　１０２０ｃ１３の酸素を有している。

このため、この酸素が５ＩＮＳ　（二次イオン分析法）
（カメカ社３Ｆ型を使用）の測定において、バンクグラ
ウンドの酸素となり、Ｎ型半導体（９３）中の酸素は１
０１８〜１０２０Ｃ＃ｌ−”とな、てしまったものと考
えられる。

さらにＰ型半導体中の酸素、０ＭＳ中に含まれる水の成
分があるため不純物があり、この出発材料をシランを精
製して０．ＩＰＰＭ以下の酸素または酸化物とすること
によりさらに酸素濃度を下げることの可能性が推定でき
る。

形成させる半導体の種類に関しては、Ｓｉのみならず他
は　族のＧｅ、５ｉｘＣ１，Ｘ　（０＜　ｘ　＜　ｌ入
５ｉｘＧｅ　１−ｘ（０＜ｘ＜１）、５ｉｘＳｎ　ｌ−
Ｘ　（０＜ｘ＜１＞単層または多層であっても、またこ
れら以外にＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ＋ＢＰ、　ＣｄＳ等
の化合物半導体等の非酸素化物であってもよいことはい
うまでもない。

本発明は３つの反応容器を用いてマルチチャンバ方式で
のＰＣＶＤ法を示した。しかしこれを１つの反応容器と
し、そこでＰＣＶＤ法により窒化珪素をシラン（ＳｉＩ
■、またはＳｉ函）とアンモニア（ＮＨ，）とのＰＣＶ
Ｄ反応により形成させることは有効である。

本発明で形成された非単結晶半導体被膜は、絶縁ゲイト
型電界効果半導体装置におけるＮ（ソース）■　（チャ
ネル形成領域）Ｎ（ドレイン）接合またはＰＩＦ接合に
対しても有効である。さらに、１”ＩＮダイオードであ
ってエネルギバンド中がＷ−Ｎ　−Ｗ　（ＷＩＤＥ−Ｎ
ＡＬＬＯＷ−ＷＩＤＥ）または５ｉｘＣ１−ｙ　５ｉ−
３ｉｘＣ１慎（Ｑ＜ｘ＜１）構造のＰＩＮ接合型の可視
光レーザ、発光素子または光電変換装置を作ってもよい
、特に先入射光側のエネルギバンド中を大きくしたヘテ
ロ接合構造を有するいわゆるＷ（ＰまたはＮ型）−−Ｎ
（Ｉ型ＸＷＩＤＥ　ＴＯＮＡＬＬＯ葬）と各反応室にて
導電型のみではなく生成物を異ならせてそれぞれに独立
して作製して積層させることが可能になり、工業的にき
わめて重要なものであると信する。

本発明において、分離部は単にゲイト弁のみではなく、
２つのゲート弁と１つのバッファ室とを系２として設け
てＰ型半導体の不純物の■型半導体層中への混入をさら
に防ぎ、特性を向上せしめることは有効であった。

この本発明のプラズマＣＶＤ装置を他の構造やシングル
チャンバまたはマルチチャンバ方式に応用できることは
いうまでもない。

また本発明の実施例は第１図に示すマルチチャンバ方式
であり、そのすべての反応容器にてＩ’ＣＶＤ法を供給
した。しかし必要に応し、この一部門たは全部ををプラ
ズマを用いない光ＣＶＤ法、ＬＴ□ＣｖＤ法（ＨＯＭＯ
ＣＶＤ法ともいう）、減圧ＣＶＤ法を採用して複合被膜
を形成してもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明を実施するためのプラズマ−気
相反応用被膜製造装置の概略を示す。 第３図は本発明および従来方法によって作られた半導体
装置中の不純物の分布を示す。 特許出願人 ３Ｐ１亨 不５■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ！、減圧下にて気相反応を行う反応装置において反応性
   気体を供給する手段と、熱エネルギ、光エネルギ、電気
   エネルギまたはこれらを併用したエネルギが供給された
   前記反応性気体を被形成面に作製する反応容器手段と、
   該反応容器内の不要反応性気体、不要反応生成物を排気
   する手段、および真空または減圧にする手段を圧力調整
   バルブを経１．タ〒ポ分子ボイプを経てロータリーポン
   プ１．メカニカルブ、−スターポンプ等により排気する
   ことを特徴□とする気相反応被膜作製装置、・ ２、減圧下にて気相反応を行う反応装置において、反応
   性気体を供給する手段と、熱エネルギ、光エネルギ、電
   気エネルギまたはこれらを併用したエネルギが供給され
   た前記反応性気体を被形成面に作製する反応容器手段と
   、該反応容器手段膜要反応性気体、不要反応生成物を排
   気する手段、および真空または減圧にする手段を圧力調
   整バルブを経、ターボ分子ポンプを経てロータリーポン
   プ、メカニカルブースターポンプ等により排気する手段
   を有する気相反応装置を用いた反応容器内÷の反応によ
   る被膜形成条件下において、前記反応容器内を０．０５
   〜１０ｔｏｒｒの範囲を保持し、圧力調整バルブ下にお
   いては１０’　ｔｏｒｒ以下の圧力を、保持して被膜形
   成を行うことを特徴とする気１　相　応被膜作製方法。