JPH02260465A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH02260465A JPH02260465A JP1080329A JP8032989A JPH02260465A JP H02260465 A JPH02260465 A JP H02260465A JP 1080329 A JP1080329 A JP 1080329A JP 8032989 A JP8032989 A JP 8032989A JP H02260465 A JPH02260465 A JP H02260465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous silicon
- solar cell
- type amorphous
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽光や室内光を照射することで電力を発生
する太陽電池に関するものである。
する太陽電池に関するものである。
従来の技術
従来、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、イン
ジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上に
アモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後N型アモルファスシリコン壜こ対してオーミ
ック接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
ジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上に
アモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後N型アモルファスシリコン壜こ対してオーミ
ック接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
このようなアモルファスシリコン太陽電池は、光吸収係
数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその光
吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照射
した際の、電気エネルギーへの変換効率は10%を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその光
吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照射
した際の、電気エネルギーへの変換効率は10%を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
発明が解決しようとする課題
上述のように、PIN型アモルファスシリコン太陽電池
は、蛍光灯や太陽光に対しては非常に高い変換効率を有
するが、解放状態のまま強い光を連続的に照射すると、
次第に出力特性が劣化するという問題や、高温保存によ
り出力性能が劣化するという問題を有していた。
は、蛍光灯や太陽光に対しては非常に高い変換効率を有
するが、解放状態のまま強い光を連続的に照射すると、
次第に出力特性が劣化するという問題や、高温保存によ
り出力性能が劣化するという問題を有していた。
課題を解決するための手段
以上のような問題に鑑み、本発明の太陽電池の構造は、
P−I接合型アモルファスシリコンの1面を特定の厚さ
だけ酸化し、これに金属を接合することにより、光照射
に伴う性能劣化や高温保存による性能劣化をより少なく
するものである。
P−I接合型アモルファスシリコンの1面を特定の厚さ
だけ酸化し、これに金属を接合することにより、光照射
に伴う性能劣化や高温保存による性能劣化をより少なく
するものである。
作 用
高温雰囲気中における太陽電池の性能劣化の原因として
、シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン
中に熱拡散する所謂マイグレーシーンが考えられる。こ
のような高温雰囲気でのマイグレーシロンを防ぐ手段の
ひとつとしてとして、シリコンと金属との接合面の中間
層に、たとえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設
け、これにより金属の熱拡散をブロックする方法がある
。
、シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン
中に熱拡散する所謂マイグレーシーンが考えられる。こ
のような高温雰囲気でのマイグレーシロンを防ぐ手段の
ひとつとしてとして、シリコンと金属との接合面の中間
層に、たとえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設
け、これにより金属の熱拡散をブロックする方法がある
。
ただしこれらの物質は多くの場合、電気的に絶縁物質で
あるため、その膜厚は、電子が1子力学的なトンネル効
果で通り抜けられるだけのものでなければならない。
あるため、その膜厚は、電子が1子力学的なトンネル効
果で通り抜けられるだけのものでなければならない。
これらのことをもとにして、本発明の太陽電池は、P−
I接合型アモルファスシリコンの1面を酸化しこれに金
属を接合する構成とした。このような構造にすると、ア
モルファスシリコンと金属とは直接接触することはなく
、マイグレーシロンによる、性能劣化を防ぐことが出来
る。
I接合型アモルファスシリコンの1面を酸化しこれに金
属を接合する構成とした。このような構造にすると、ア
モルファスシリコンと金属とは直接接触することはなく
、マイグレーシロンによる、性能劣化を防ぐことが出来
る。
また、予め集電電極を構成する金属材料にある程度の量
の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上述のマイ
グレーシロン反応を引き起こすのに必要なエネルギーが
金属単体のものよりも大きくなるため、太陽電池の熱的
安定性が向上する。
の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上述のマイ
グレーシロン反応を引き起こすのに必要なエネルギーが
金属単体のものよりも大きくなるため、太陽電池の熱的
安定性が向上する。
なお、太陽電池を電気的に解放状態のまま強い光を照射
すると、次第に出力が低下する現象(ステブラ−、ロン
スキ−効果、太陽電池ハンドブック、電気学会発行、昭
和60年)の原因は未だ究明されていないが、結果的に
本発明の構造を存する太陽電池は、従来のPIN型アモ
ルファスシリコン太陽電池に較べて、劣化の度合が大き
く低下した。
すると、次第に出力が低下する現象(ステブラ−、ロン
スキ−効果、太陽電池ハンドブック、電気学会発行、昭
和60年)の原因は未だ究明されていないが、結果的に
本発明の構造を存する太陽電池は、従来のPIN型アモ
ルファスシリコン太陽電池に較べて、劣化の度合が大き
く低下した。
以下、実施例で具体的に説明する。
実施例
(実施例1)
本実施例における太陽電池の断面図を第1図(a)に示
す。大きさ15X20mrlh 厚さ1mmのガラス
基体1の上に酸化インジウムと酸化スズの化合物よりな
るITOを大きさ10 X 10 m rrh膜厚0.
07μm蒸着しITO透明電極2とした。
す。大きさ15X20mrlh 厚さ1mmのガラス
基体1の上に酸化インジウムと酸化スズの化合物よりな
るITOを大きさ10 X 10 m rrh膜厚0.
07μm蒸着しITO透明電極2とした。
つぎにこの透明電極2の上にCVD法により、アモルフ
ァスシリコン層を前記透明電極2を覆うように大きさl
lX11mm厚さ0.04μm形成した後、不純物とし
てホウ素をドープしP型半導体特性を与えてP型アモル
ファスシリコン層3を形成した。さらに連続して上記C
VD法により■型アモルファスシリコン層4を0. 4
μm形成する。この後、空気中で1kWの赤外線ランプ
を用いI型アモルファスシリコン層4をi時間s酸化す
ることにより、酸化珪素層5を形成した。ひきつづきこ
の酸化珪素層5に真空加熱蒸着法により3X10−5t
orrの圧力下、20A/秒の蒸着速度で、負極用集電
電極としての金属アルミニウム層eを0. 2μm形成
した。最後にエポキシ樹脂で全体を封止する封止層7を
形成し、本実施例の太陽電池Aとした。同図において、
8は負極用リード端子であり透明電極2の作成時に同時
に作成した。
ァスシリコン層を前記透明電極2を覆うように大きさl
lX11mm厚さ0.04μm形成した後、不純物とし
てホウ素をドープしP型半導体特性を与えてP型アモル
ファスシリコン層3を形成した。さらに連続して上記C
VD法により■型アモルファスシリコン層4を0. 4
μm形成する。この後、空気中で1kWの赤外線ランプ
を用いI型アモルファスシリコン層4をi時間s酸化す
ることにより、酸化珪素層5を形成した。ひきつづきこ
の酸化珪素層5に真空加熱蒸着法により3X10−5t
orrの圧力下、20A/秒の蒸着速度で、負極用集電
電極としての金属アルミニウム層eを0. 2μm形成
した。最後にエポキシ樹脂で全体を封止する封止層7を
形成し、本実施例の太陽電池Aとした。同図において、
8は負極用リード端子であり透明電極2の作成時に同時
に作成した。
なお、上記アルミニウム層6を形成した直後、2次イオ
ン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化
珪素層5の膜厚を測定した結果、約50 であり、また
金属アルミニウム層θ内に均一に約10原子%の割合で
酸素が含まれていることが分かり、この酸素は当然アル
ミニウムと結合して酸化物を構成しているものと考えら
れる。
ン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化
珪素層5の膜厚を測定した結果、約50 であり、また
金属アルミニウム層θ内に均一に約10原子%の割合で
酸素が含まれていることが分かり、この酸素は当然アル
ミニウムと結合して酸化物を構成しているものと考えら
れる。
これに対して第1図(b)に示した比較例の太陽電池B
を作成した。大きさ15 X 20 m ffh 厚
さ1mmのガラス基体9の上に前記ITOを0゜07μ
mの膜厚に蒸着しITO透明電極10とした。次にこの
透明電極10の上にアモルファスシリコン層11をCV
D法により厚さ0.04μm形成した後、不純物として
ホウ素をドープしP型半導体特性を与えてP型アモルフ
rスシリコン層11を形成した。さらに連続して上記C
VD法によりI型アモルファスシリコンJI12を0.
4μm形成した後、不純物として燐を0.04μmの深
さまでドープしN型半導体特性を与え、N型アモルファ
ス7937層13とした。次に、このN型アモルファス
2977層13上に電子ビーム蒸着法によりlX1O−
7to r r、20OA/秒の蒸着速度で負極用集電
電極としての金属アルミニウム層14を0.2μm形成
した。最後にエポキシ樹脂で全体を封止する封止層15
を形成した。
を作成した。大きさ15 X 20 m ffh 厚
さ1mmのガラス基体9の上に前記ITOを0゜07μ
mの膜厚に蒸着しITO透明電極10とした。次にこの
透明電極10の上にアモルファスシリコン層11をCV
D法により厚さ0.04μm形成した後、不純物として
ホウ素をドープしP型半導体特性を与えてP型アモルフ
rスシリコン層11を形成した。さらに連続して上記C
VD法によりI型アモルファスシリコンJI12を0.
4μm形成した後、不純物として燐を0.04μmの深
さまでドープしN型半導体特性を与え、N型アモルファ
ス7937層13とした。次に、このN型アモルファス
2977層13上に電子ビーム蒸着法によりlX1O−
7to r r、20OA/秒の蒸着速度で負極用集電
電極としての金属アルミニウム層14を0.2μm形成
した。最後にエポキシ樹脂で全体を封止する封止層15
を形成した。
なお同図において、16は負極用リード端子であり透明
電極10の作成時に同時に作成した。
電極10の作成時に同時に作成した。
このようにして作成した太陽電池A、 Hに対して出
力特性の高温保存による劣化の様子を調べた。
力特性の高温保存による劣化の様子を調べた。
その結果を第2図、第3図、第4図に示した。出力特性
は白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧(第2図
)、短絡電流(第3図)、フィルファクター(第4図)
の値をそれぞれ縦軸とし、保存時間を横軸として示した
。保存は、100“C及び150℃の温度で暗所で行な
った。その結果比較例の太陽電油Bは高温保存時間と共
に大きく出力特性が劣化するのに対して、本実施例の太
陽電池Aは、殆どその影響をうけないことが分かった。
は白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧(第2図
)、短絡電流(第3図)、フィルファクター(第4図)
の値をそれぞれ縦軸とし、保存時間を横軸として示した
。保存は、100“C及び150℃の温度で暗所で行な
った。その結果比較例の太陽電油Bは高温保存時間と共
に大きく出力特性が劣化するのに対して、本実施例の太
陽電池Aは、殆どその影響をうけないことが分かった。
また、強い光の連続照射による、太陽電池A1Bの出力
低下の度合を評価し、その結果を第5図、第6図、第7
図に示した。出力特性は白色蛍光灯2000ルクス照射
時の開放電圧(第5図)、短絡電流(第6図)、フィル
ファクター(第7図)の値をそれぞれ縦軸とし、太陽電
池A1 Bに対する光の照射時間を横軸として示した。
低下の度合を評価し、その結果を第5図、第6図、第7
図に示した。出力特性は白色蛍光灯2000ルクス照射
時の開放電圧(第5図)、短絡電流(第6図)、フィル
ファクター(第7図)の値をそれぞれ縦軸とし、太陽電
池A1 Bに対する光の照射時間を横軸として示した。
光照射は、40℃で5ooooルクスの蛍光灯を用いた
。その結果、比較例の太陽電池Bは光照射時間と共に出
力特性が劣化するのに対して、本実施例の太陽電池Aは
、殆どその影響をうけないことが分かった。
。その結果、比較例の太陽電池Bは光照射時間と共に出
力特性が劣化するのに対して、本実施例の太陽電池Aは
、殆どその影響をうけないことが分かった。
また、本実施例の太陽電池Aは、請求項1記載の発明に
対応するものであるが、各層の作成の順序を逆にした構
造すなわち、請求項2記載の発明の構成としても、同様
の効果を有することはいうまでもない。
対応するものであるが、各層の作成の順序を逆にした構
造すなわち、請求項2記載の発明の構成としても、同様
の効果を有することはいうまでもない。
実施例2
実施例1において、■型アモルファスシリコン層4(第
1図(a)参照)の熱酸化時間を変えることにより、酸
化珪素層5膜の膜厚が異なった3種類の太陽電池C,D
、 Eを作成し、その出力特性を測定した。これらの
太陽電池C−Eの前記膜厚はそれぞれ約30,100.
150 である。
1図(a)参照)の熱酸化時間を変えることにより、酸
化珪素層5膜の膜厚が異なった3種類の太陽電池C,D
、 Eを作成し、その出力特性を測定した。これらの
太陽電池C−Eの前記膜厚はそれぞれ約30,100.
150 である。
なお、膜厚以外の構成は実施例1の太陽電池Aと全く同
一とし、また、膜厚測定は実施例1と同様に2次イオン
質量分析装置により行なった。
一とし、また、膜厚測定は実施例1と同様に2次イオン
質量分析装置により行なった。
これらの出力特性を実施例1と同一の150℃の高温保
存評価を行い、その結果を第8図、第9図、第10図に
示した。この結果から酸化珪素層の膜厚が大きいほど、
高温熱劣化の程度はノ」八さくなるが、あまり大きいと
初期出力が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった
。
存評価を行い、その結果を第8図、第9図、第10図に
示した。この結果から酸化珪素層の膜厚が大きいほど、
高温熱劣化の程度はノ」八さくなるが、あまり大きいと
初期出力が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった
。
実施例3
実施例1の太陽電池Aでは、負極用集電電極6(第1図
(a)参照)としてアルミニウムを用いたが、これ以外
に様々な金属を用いて5種類の太陽電池F1G、 H
ll、 Jを作成した。これらの太陽電池F−Jに用
いた負極用集電体の材質、及びI型アモルファスシリコ
ン層と負極用金属集電体層との間の酸化珪素層の膜厚を
次表に示した。
(a)参照)としてアルミニウムを用いたが、これ以外
に様々な金属を用いて5種類の太陽電池F1G、 H
ll、 Jを作成した。これらの太陽電池F−Jに用
いた負極用集電体の材質、及びI型アモルファスシリコ
ン層と負極用金属集電体層との間の酸化珪素層の膜厚を
次表に示した。
なお、各太陽電池F−Jにより、酸化珪素層の膜厚を変
えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、出力特性
を最適にする膜厚を選択したことによる。
えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、出力特性
を最適にする膜厚を選択したことによる。
表
このようにして作成した太陽電池F−Jに対して実施例
1とまったく同一の高強度光照射による出力特性の劣化
試験を行なった。その結果を第11図、第12図、第1
3図に示した。出力特性は実施例1と全(同じ条件であ
り、白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧(第1
1図)、短絡電流(第12図)、フィルファクター(第
13図)の値をそれぞれ縦軸とし、光照射時間を横軸と
して示した。高強度光照射に用いた光源は80000ル
クスの蛍光灯である。その結果、本実施例で示した太陽
電池F−Jも実施例1と同様に、耐高強度光照射性能が
従来の太陽電池に較べて向上したことが分かった。
1とまったく同一の高強度光照射による出力特性の劣化
試験を行なった。その結果を第11図、第12図、第1
3図に示した。出力特性は実施例1と全(同じ条件であ
り、白色蛍光灯2000ルクス照射時の開放電圧(第1
1図)、短絡電流(第12図)、フィルファクター(第
13図)の値をそれぞれ縦軸とし、光照射時間を横軸と
して示した。高強度光照射に用いた光源は80000ル
クスの蛍光灯である。その結果、本実施例で示した太陽
電池F−Jも実施例1と同様に、耐高強度光照射性能が
従来の太陽電池に較べて向上したことが分かった。
発明の効果
本発明に従えば耐高強度光照射性能及び耐高温保存性能
に優れた太陽電池を得ることが出来る。
に優れた太陽電池を得ることが出来る。
第1図(a)は本発明の実施例1における太陽電池Aの
構成を示す断面図、第1図(b)はその比較例における
太陽?!!池Bの構成を示す断面図、第2図〜第4図は
同実施例および比較例の太陽電池A、 Bの高温保存
による出力特性の劣化を示し、第2図は開放電圧の特性
図、第3図は短絡電流の特性図、第4図はフィルファク
ターの特性図、第5図〜第7図は同実施例および比較例
の太陽電池A、 Bの高強度光照射による出力特性の
劣化を示し、第5図は開放電圧の特性図、第6図は短絡
電流の特性図、第7図はフィルファクターの特性図、第
8図〜第10図は本発明の実施例2における太陽電池C
,DlEの高温保存による出力特性の劣化を示し、第8
図は開放電圧の特性図、第9図は短絡電流の特性図、第
10図はフィルファクターの特性図、第11図〜第13
図は本発明の実施例3における太陽電油F、 G、
H,L Jの高強度光照射による出力特性の劣化を
示し、第11図は開放電圧の特性図、第12図は短絡電
流の特性図、第13図はフィルファクターの特性図であ
る。 1、、、ガラス基板、2.、、ITO透明電極、3.。 、P型アモルファスシリコン゛層、4.、、I型アモル
ファスシリ) ン層、5 、 、 Ji! 化珪素層、
6.、、アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 檗野重孝 はが1名il1図 ((L) 7村止1 \ 6アルミ=つL電昏 Cb) 14アル之ニウム′11& 嬉 図 蘂 図 too。 保存FIF!閉(時閉) 保′f9時間(鱒聞) 第 図 第 図 too 。 憚豫I?lF闇(時間) 保存N閏(時間) 嬉 図 第 図 OO too。 1’il存FItJ闇(鍔間) 塀存鍔Flf’l(時開) 第 図 第9図 ω0 θ00 fg4存時開時間間) 保停呵間(時閉) 嬉10図 5111図 too。 憚in FJI(81M) 保存時間(nFl) 筑12図 l113図 too。 保存時間(SW) 憚W晴間(wj藺)
構成を示す断面図、第1図(b)はその比較例における
太陽?!!池Bの構成を示す断面図、第2図〜第4図は
同実施例および比較例の太陽電池A、 Bの高温保存
による出力特性の劣化を示し、第2図は開放電圧の特性
図、第3図は短絡電流の特性図、第4図はフィルファク
ターの特性図、第5図〜第7図は同実施例および比較例
の太陽電池A、 Bの高強度光照射による出力特性の
劣化を示し、第5図は開放電圧の特性図、第6図は短絡
電流の特性図、第7図はフィルファクターの特性図、第
8図〜第10図は本発明の実施例2における太陽電池C
,DlEの高温保存による出力特性の劣化を示し、第8
図は開放電圧の特性図、第9図は短絡電流の特性図、第
10図はフィルファクターの特性図、第11図〜第13
図は本発明の実施例3における太陽電油F、 G、
H,L Jの高強度光照射による出力特性の劣化を
示し、第11図は開放電圧の特性図、第12図は短絡電
流の特性図、第13図はフィルファクターの特性図であ
る。 1、、、ガラス基板、2.、、ITO透明電極、3.。 、P型アモルファスシリコン゛層、4.、、I型アモル
ファスシリ) ン層、5 、 、 Ji! 化珪素層、
6.、、アルミニウム電極。 代理人の氏名 弁理士 檗野重孝 はが1名il1図 ((L) 7村止1 \ 6アルミ=つL電昏 Cb) 14アル之ニウム′11& 嬉 図 蘂 図 too。 保存FIF!閉(時閉) 保′f9時間(鱒聞) 第 図 第 図 too 。 憚豫I?lF闇(時間) 保存N閏(時間) 嬉 図 第 図 OO too。 1’il存FItJ闇(鍔間) 塀存鍔Flf’l(時開) 第 図 第9図 ω0 θ00 fg4存時開時間間) 保停呵間(時閉) 嬉10図 5111図 too。 憚in FJI(81M) 保存時間(nFl) 筑12図 l113図 too。 保存時間(SW) 憚W晴間(wj藺)
Claims (5)
- (1)透明基体、透明電極、P型アモルファスシリコン
、I型アモルファスシリコン、酸化珪素及び集電電極を
順次積層してなり、光を照射することにより、上記透明
電極と上記集電電極との間に電圧を発生するように構成
したことを特徴とする太陽電池。 - (2)支持基体、集電電極、酸化珪素、I型アモルファ
スシリコン透明電極、P型アモルファスシリコン、透明
電極を順次積層してなり、光を照射することにより、上
記透明電極と上記集電電極との間に電圧を発生するよう
に構成したことを特徴とする太陽電池。 - (3)酸化珪素の膜厚は、10以上、100以下である
ことを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池。 - (4)集電電極を構成する材質は、Cs、K、Na、L
i、Ba、Mg、Cd、Ta、Al、Mo、Zn、Co
、Fe、Cu、Ag、W、Cr、Au、Niより選ばれ
る単一またはこれらの合金よりなることを特徴とする請
求項1または2記載の太陽電池。 - (5)集電電極を構成する材料は、酸素を全体の1原子
%以上含有することを特徴とする請求項1または2記載
の太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080329A JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1080329A JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02260465A true JPH02260465A (ja) | 1990-10-23 |
JP2718161B2 JP2718161B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=13715216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1080329A Expired - Fee Related JP2718161B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2718161B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5615085A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | Solar battery |
JPS5955080A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JPS6043819A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応方法 |
JPS6247170A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ハイマン オプトエレクトロニクス ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080329A patent/JP2718161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5615085A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | Solar battery |
JPS5955080A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-29 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JPS6043819A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 気相反応方法 |
JPS6247170A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ハイマン オプトエレクトロニクス ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2718161B2 (ja) | 1998-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4217148A (en) | Compensated amorphous silicon solar cell | |
AU662360B2 (en) | Photovoltaic device | |
US4536607A (en) | Photovoltaic tandem cell | |
US4773942A (en) | Flexible photovoltaic device | |
US4239553A (en) | Thin film photovoltaic cells having increased durability and operating life and method for making same | |
US20110259395A1 (en) | Single Junction CIGS/CIS Solar Module | |
JP2006013028A (ja) | 化合物太陽電池及びその製造方法 | |
US8987587B2 (en) | Metal barrier-doped metal contact layer | |
US7943415B1 (en) | Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices | |
US20090090618A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
JPS59972A (ja) | 絶縁層を組み込む補償アモルフアス太陽電池 | |
AU2011201779A1 (en) | Cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods for their manufacture | |
AU2012203178A1 (en) | Multi-layer n-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making | |
US20100307561A1 (en) | Doped metal contact | |
EP2383792A2 (en) | Cadmium Sulfide Layers for Use in Cadmium Telluride Based Thin Film Photovoltaic Devices and Methods of their Manufacture | |
JP3468328B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
US20120000768A1 (en) | Methods for sputtering a resistive transparent buffer thin film for use in cadmium telluride based photovoltaic devices | |
JP2005310821A (ja) | 光電変換素子 | |
US20120024692A1 (en) | Mixed sputtering targets and their use in cadmium sulfide layers of cadmium telluride vased thin film photovoltaic devices | |
JPH07283430A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
AU2012203024A1 (en) | Multi-layer N-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making | |
JPH02260465A (ja) | 太陽電池 | |
JPS58215083A (ja) | ヘテロ接合光電素子及びヘテロ接合光電装置 | |
JP2723608B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP2757896B2 (ja) | 光起電力装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |