JP2723608B2 - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JP2723608B2 JP2723608B2 JP1109438A JP10943889A JP2723608B2 JP 2723608 B2 JP2723608 B2 JP 2723608B2 JP 1109438 A JP1109438 A JP 1109438A JP 10943889 A JP10943889 A JP 10943889A JP 2723608 B2 JP2723608 B2 JP 2723608B2
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- solar cell
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、太陽光や室内光を照射することで電力を発
生する太陽電池に関するものである。
生する太陽電池に関するものである。
従来の技術 従来、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、イ
ンジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上
にアモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後Ｎ型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
ンジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上
にアモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後Ｎ型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
このようなアモルファスシリコン太陽電池は、光吸収
係数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその
光吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照
射した際の、電気エネルギーへの変換効率は10％を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
係数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその
光吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照
射した際の、電気エネルギーへの変換効率は10％を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
発明が解決しようとする課題 上述のように、PIN型アモルファスシリコンにアルミ
ニウムなどの金属を接合した太陽電池は、蛍光灯や太陽
光に対しては高い変換効率を有するが、電気的に解放状
態のまま強い光を連続的に照射すると、次第に出力特性
が劣化するという光劣化の課題や、高温保存により出力
性能が劣化するという高温保存劣化課題を有していた。
ニウムなどの金属を接合した太陽電池は、蛍光灯や太陽
光に対しては高い変換効率を有するが、電気的に解放状
態のまま強い光を連続的に照射すると、次第に出力特性
が劣化するという光劣化の課題や、高温保存により出力
性能が劣化するという高温保存劣化課題を有していた。
課題を解決するための手段 以上のような課題に鑑み、本発明は、Ｐ−Ｉ−Ｎ接合
型アモルファスシリコン太陽電池素子、及び前記素子の
Ｎ型アモルファスシリコン層と接続された集電電極を具
備し、前記Ｎ型アモルファスシリコン層が表面から少な
くとも50Åの深さまで熱酸化して酸化物表面を形成し、
この酸化物表面に少なくとも20原子％の酸素を含有する
アルミニウムからなる集電電極を接続するものである。
型アモルファスシリコン太陽電池素子、及び前記素子の
Ｎ型アモルファスシリコン層と接続された集電電極を具
備し、前記Ｎ型アモルファスシリコン層が表面から少な
くとも50Åの深さまで熱酸化して酸化物表面を形成し、
この酸化物表面に少なくとも20原子％の酸素を含有する
アルミニウムからなる集電電極を接続するものである。
作用 高温雰囲気中における素子の性能劣化の原因として、
シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン中
に熱拡散する所謂マイグレーションが考えられる。この
ような高温雰囲気でのマイグレーションを防ぐ手段のひ
とつとして、シリコンと金属との接合面の中間層に、た
とえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設け、これ
により金属の熱拡散を阻止する方法がある。ただしこれ
らの物質は多くの場合、電気的に絶縁物質であるため、
その膜厚は、電子が量子力学的なトンネル効果で通り抜
けられるだけのものでなければならない。
シリコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン中
に熱拡散する所謂マイグレーションが考えられる。この
ような高温雰囲気でのマイグレーションを防ぐ手段のひ
とつとして、シリコンと金属との接合面の中間層に、た
とえば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設け、これ
により金属の熱拡散を阻止する方法がある。ただしこれ
らの物質は多くの場合、電気的に絶縁物質であるため、
その膜厚は、電子が量子力学的なトンネル効果で通り抜
けられるだけのものでなければならない。
これらのことをもとにして、本発明の太陽電池は、Ｐ
−Ｉ−Ｎ接合型アモルファスシリコンのＮ面を酸化しこ
れに金属を接合する構成とした。このような構造にする
と、アモルファスシリコンと金属とは直接接触すること
はなく、マイグレーションによる、性能劣化を防ぐこと
ができる。
−Ｉ−Ｎ接合型アモルファスシリコンのＮ面を酸化しこ
れに金属を接合する構成とした。このような構造にする
と、アモルファスシリコンと金属とは直接接触すること
はなく、マイグレーションによる、性能劣化を防ぐこと
ができる。
また、純粋なＮ型シリコンに対して良好なオーミック
接触を保つことができる金属は実際上アルミニウムなど
ごく一部のものに限られていたが、湿度の高い雰囲気下
では、水分の侵入によりアルミニウムの劣化が発生し、
素子に損傷を与えるため、これを防ぐためアルミニウム
層の外側にチタンを被覆し、直接水分がアルミニウムに
接触するのを防止する方法が取られていた。
接触を保つことができる金属は実際上アルミニウムなど
ごく一部のものに限られていたが、湿度の高い雰囲気下
では、水分の侵入によりアルミニウムの劣化が発生し、
素子に損傷を与えるため、これを防ぐためアルミニウム
層の外側にチタンを被覆し、直接水分がアルミニウムに
接触するのを防止する方法が取られていた。
これに対して、本発明者の測定の結果、Ｎ型シリコン
面を一部熱酸化し、これに電極を接合すると、アルミニ
ウムのみならず多くの金属や合金、あるいはそれらの酸
素や窒素を含有するものまでが、良好な特性を素子に与
えるものであることが判明した。従って、本発明は、こ
れらの材料のなかで前記のような耐水安定性に優れたも
のを選択することにより、上述の課題を解決することが
できた。更に、予め集電電極を構成する金属材料に有る
程度の量の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上
述のマイグレーション反応を引き起こすのに必要なエネ
ルギーが、金属単体のものよりも大きくなるため、素子
の熱的安定性が向上する。
面を一部熱酸化し、これに電極を接合すると、アルミニ
ウムのみならず多くの金属や合金、あるいはそれらの酸
素や窒素を含有するものまでが、良好な特性を素子に与
えるものであることが判明した。従って、本発明は、こ
れらの材料のなかで前記のような耐水安定性に優れたも
のを選択することにより、上述の課題を解決することが
できた。更に、予め集電電極を構成する金属材料に有る
程度の量の酸素を含ませ酸化物を構成させておくと、上
述のマイグレーション反応を引き起こすのに必要なエネ
ルギーが、金属単体のものよりも大きくなるため、素子
の熱的安定性が向上する。
一方、素子を電気的に解放状態のまま強い光を照射す
ると、次第に出力が低下する現象の原因は今だ究明され
ていないが、強い光を照射し出力特性の劣化したもので
も、150℃程度の温度で１時間程加熱すると再び特性
は、もとに戻ることも報告されている（ステブラー．ロ
ンスキー効果，太陽電池ハンドブック，電気学会発行，
昭和60年）。しかしながら従来の素子では、この150℃
の温度に対して、上述のように熱劣化を引き起こすため
実際上、一度光劣化を起こしたものを再び使用すること
はできなかった。
ると、次第に出力が低下する現象の原因は今だ究明され
ていないが、強い光を照射し出力特性の劣化したもので
も、150℃程度の温度で１時間程加熱すると再び特性
は、もとに戻ることも報告されている（ステブラー．ロ
ンスキー効果，太陽電池ハンドブック，電気学会発行，
昭和60年）。しかしながら従来の素子では、この150℃
の温度に対して、上述のように熱劣化を引き起こすため
実際上、一度光劣化を起こしたものを再び使用すること
はできなかった。
これに対して、本発明の太陽電池は、この程度の温度
での熱劣化は極めて小さいものであるため、光劣化した
素子も上記温度で加熱することにより、繰り返して使用
することができる。
での熱劣化は極めて小さいものであるため、光劣化した
素子も上記温度で加熱することにより、繰り返して使用
することができる。
また、結果的に本発明の構造を有する太陽電池は、従
来のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、光
劣化の度合が大きく低下した。この原因は、強い光を照
射すると素子自身の温度が上昇し、このため光劣化の度
合が、小さくなったものと考えられる。
来のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、光
劣化の度合が大きく低下した。この原因は、強い光を照
射すると素子自身の温度が上昇し、このため光劣化の度
合が、小さくなったものと考えられる。
以下、実施例で具体的に説明する。
実 施 例 （実施例１） 本実施例の素子の断面図を第１図に示す。大きさ50×
20mm、厚さ1.1mmのガラス基体１の上に酸化インジウム
と酸化スズの化合物よりなるITOを大きさ40×12mm、膜
厚0.25μｍ蒸着し透明電極２とした。次にこの透明電極
２の上にCVD法により、アモルファスシリコン層３を大
きさ41×11mm厚さ0.04μｍ形成した後、不純物としてホ
ウ素をドープしＰ型半導体特性を与えた。さらに連続し
て上記CVD法によりＩ型アモルファスシリコン層４を0.4
μｍ形成した後、不純物として燐を0.04μｍの深さまで
ドープしＮ型半導体特性を与え、Ｎ型アモルファスシリ
コン層５とした。この後、空気中で1kWの赤外線ランプ
を用いＮ型アモルファスシリコンを１時間熱酸化するこ
とにより、酸化珪素層６を形成した。ひき続きこの酸化
珪素層６に真空加熱蒸着法により３×10-5torrの圧力
下、20Å／秒の蒸着速度でアルミニウム電極７を40×15
mmの大きさで膜厚0.2μｍ形成した。最後にエポキシ樹
脂の封止層８で全体を封止し、本実施例の素子とした。
20mm、厚さ1.1mmのガラス基体１の上に酸化インジウム
と酸化スズの化合物よりなるITOを大きさ40×12mm、膜
厚0.25μｍ蒸着し透明電極２とした。次にこの透明電極
２の上にCVD法により、アモルファスシリコン層３を大
きさ41×11mm厚さ0.04μｍ形成した後、不純物としてホ
ウ素をドープしＰ型半導体特性を与えた。さらに連続し
て上記CVD法によりＩ型アモルファスシリコン層４を0.4
μｍ形成した後、不純物として燐を0.04μｍの深さまで
ドープしＮ型半導体特性を与え、Ｎ型アモルファスシリ
コン層５とした。この後、空気中で1kWの赤外線ランプ
を用いＮ型アモルファスシリコンを１時間熱酸化するこ
とにより、酸化珪素層６を形成した。ひき続きこの酸化
珪素層６に真空加熱蒸着法により３×10-5torrの圧力
下、20Å／秒の蒸着速度でアルミニウム電極７を40×15
mmの大きさで膜厚0.2μｍ形成した。最後にエポキシ樹
脂の封止層８で全体を封止し、本実施例の素子とした。
なお、本素子の発電部分の面積は第１図に示したよう
に40×10mmの大きさであり、また９は負極用リード端子
であり透明電極２の作成時に同時に作成した。さらに、
上記アルミニウム電極７を形成した直後、２次イオン質
量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化珪素
層６の膜厚を測定した結果、約50Åであり、またアルミ
ニウム電極７内に均一に約20原子％の割合で酸素が含ま
れていることを確認した。このように構成したものを電
池Ａと称す。
に40×10mmの大きさであり、また９は負極用リード端子
であり透明電極２の作成時に同時に作成した。さらに、
上記アルミニウム電極７を形成した直後、２次イオン質
量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化珪素
層６の膜厚を測定した結果、約50Åであり、またアルミ
ニウム電極７内に均一に約20原子％の割合で酸素が含ま
れていることを確認した。このように構成したものを電
池Ａと称す。
これに対して、Ｐ−Ｉ−Ｎ型アモルファスシリコンに
直接、酸素を殆ど含有しないアルミニウムを接合させる
ことにより作成したものを比較例の電池Ｂとする。な
お、上述の酸素を殆ど含有しないアルミニウム電極の作
成は、前記実施例の電池Ａの作成で用いたものと同一の
真空蒸着装置を用い、圧力５×10-8torrまで真空にした
後、99.999％のアルゴンガスにより１気圧までリーク
し、その後再び５×10-8torrまで真空度を高め、アルミ
ニウムの蒸着を行なった。なお、このときの蒸着速度
は、前記同様20Å／秒である。また、これ以外の作成方
法、及び、素子の形状は前記電池Ａと全く同一とした。
直接、酸素を殆ど含有しないアルミニウムを接合させる
ことにより作成したものを比較例の電池Ｂとする。な
お、上述の酸素を殆ど含有しないアルミニウム電極の作
成は、前記実施例の電池Ａの作成で用いたものと同一の
真空蒸着装置を用い、圧力５×10-8torrまで真空にした
後、99.999％のアルゴンガスにより１気圧までリーク
し、その後再び５×10-8torrまで真空度を高め、アルミ
ニウムの蒸着を行なった。なお、このときの蒸着速度
は、前記同様20Å／秒である。また、これ以外の作成方
法、及び、素子の形状は前記電池Ａと全く同一とした。
このようにして作成した電池Ａ及び電池Ｂに対して出
力特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果
を第２図、第３図、第４図に示した。出力特性は、AM1,
100mW/cm2照射時の解放電圧、短絡電流、変換効率の値
をそれぞれ縦軸とし、保存時間を横軸として示した。保
存は120℃及び150℃の温度で暗所で行なった。
力特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果
を第２図、第３図、第４図に示した。出力特性は、AM1,
100mW/cm2照射時の解放電圧、短絡電流、変換効率の値
をそれぞれ縦軸とし、保存時間を横軸として示した。保
存は120℃及び150℃の温度で暗所で行なった。
その結果、比較例の電池Ｂは高温保存時間と共に大き
く出力特性が劣化するのに対して、本実施例の電池Ａ
は、殆どその影響を受けないことが分かった。
く出力特性が劣化するのに対して、本実施例の電池Ａ
は、殆どその影響を受けないことが分かった。
また、AM1,100mW/cm2の連続照射による電池Ａ、Ｂの
出力低下の度合を評価し、その結果を第５図、第６図、
第７図に示した。出力特性はAM1,100mW/cm2照射時の解
放電圧、短絡電流、変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、
電池Ａ、Ｂに対する光の照射時間を横軸として示した。
出力低下の度合を評価し、その結果を第５図、第６図、
第７図に示した。出力特性はAM1,100mW/cm2照射時の解
放電圧、短絡電流、変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、
電池Ａ、Ｂに対する光の照射時間を横軸として示した。
その結果、比較例の電池Ｂは光照射時間と共に出力特
性が大きく劣化するのに対して、本実施例の電池Ａは、
その影響が小さいことが分かった。
性が大きく劣化するのに対して、本実施例の電池Ａは、
その影響が小さいことが分かった。
（実施例２） 実施例１の電池Ａに対して、Ｎ型シリコンの熱酸化の
温度及び時間を変えることにより、酸化膜の膜厚が異な
った３種類の電池を作成し、その出力特性を測定した。
これらの電池をＣ、Ｄ、Ｅとし、その酸化膜の膜厚はそ
れぞれ約20、100、150Åである。なお、酸化膜の膜厚以
外は実施例１の電池Ａと全く同一とし、また、酸化膜の
膜厚は実施例１と同様に２次イオン質量分析装置により
測定した。
温度及び時間を変えることにより、酸化膜の膜厚が異な
った３種類の電池を作成し、その出力特性を測定した。
これらの電池をＣ、Ｄ、Ｅとし、その酸化膜の膜厚はそ
れぞれ約20、100、150Åである。なお、酸化膜の膜厚以
外は実施例１の電池Ａと全く同一とし、また、酸化膜の
膜厚は実施例１と同様に２次イオン質量分析装置により
測定した。
これらの電池Ｃ〜Ｅに対して実施例１と同一の150℃
の高温保存評価を行い、AM1,100mW/cm2の照射光に対す
る力特性を第８図、第９図に示した。
の高温保存評価を行い、AM1,100mW/cm2の照射光に対す
る力特性を第８図、第９図に示した。
この結果から酸化膜の膜厚が大きいほど、高温熱劣化
の程度は小さくなるが、あまり大きいと電池の初期出力
が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
の程度は小さくなるが、あまり大きいと電池の初期出力
が小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
（実施例３） 実施例１の電池Ａに対して、Ｎ型シリコンの熱酸化を
行なわず、直接これに対して、酸素を含有したアルミニ
ウムを接合した電池を作成し、その出力特性を測定し
た。これらの素子をＦ、Ｇ、Ｈとし、その酸素含有量を
それぞれ約５、30、50原子％とした。なお、上記電池
Ｆ、Ｇ、Ｈの作成に於て、酸化膜を作成せずまた酸素含
有量を異なるものとした以外は実施例１の電池Ａと全く
同一構成とした。また、上記アルミニウム電極中におけ
る酸素濃度の制御は、真空蒸着時における雰囲気ガス中
の酸素圧力を制御することにより行なった。また酸素含
有量の測定は実施例１と同様に２次イオン質量分析装置
により行なった。
行なわず、直接これに対して、酸素を含有したアルミニ
ウムを接合した電池を作成し、その出力特性を測定し
た。これらの素子をＦ、Ｇ、Ｈとし、その酸素含有量を
それぞれ約５、30、50原子％とした。なお、上記電池
Ｆ、Ｇ、Ｈの作成に於て、酸化膜を作成せずまた酸素含
有量を異なるものとした以外は実施例１の電池Ａと全く
同一構成とした。また、上記アルミニウム電極中におけ
る酸素濃度の制御は、真空蒸着時における雰囲気ガス中
の酸素圧力を制御することにより行なった。また酸素含
有量の測定は実施例１と同様に２次イオン質量分析装置
により行なった。
これらの電池Ｆ〜Ｈに対して実施例１と同一の150℃
の高温保存評価を行い、AM1,100mW/cm2の照射光に対す
る出力特性を第11図、第12図、第13図に示した。
の高温保存評価を行い、AM1,100mW/cm2の照射光に対す
る出力特性を第11図、第12図、第13図に示した。
この結果からアルミニウム電極中に含まれる酸素が大
きいほど、高温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大
きいと、電池の初期出力が小さくなり、最適酸素濃度の
あることが分かった。
きいほど、高温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大
きいと、電池の初期出力が小さくなり、最適酸素濃度の
あることが分かった。
本実施例および実施例１から、適量の酸素を含むアル
ミニウム電極をＮ型アモルファスシリコン層の熱酸化さ
れた酸化物表面に接続しても有効であることがわかる。
ミニウム電極をＮ型アモルファスシリコン層の熱酸化さ
れた酸化物表面に接続しても有効であることがわかる。
発明の効果 本発明に従えば耐高強度光照射性能及び耐高温、高湿
保存性能に優れた太陽電池を得ることができる。
保存性能に優れた太陽電池を得ることができる。
第１図は本発明の実施例１における電池Ａの断面図、第
２図、第３図、第４図、第５図、第６図及び第７図はそ
の特性図、第８図、第９図及び第10図は本発明の実施例
２における電池Ｃ、Ｄ、Ｅの特性図、第11図、第12図及
び第13図は本発明の実施例３における電池Ｆ、Ｇ、Ｈの
特性図。 １……ガラス基体、２……ITO透明電極、３……Ｐ型ア
モルファスシリコン、４……Ｉ型アモルファスシリコ
ン、５……Ｎ型アモルファスシリコン、６……酸化珪素
層、７……アルミニウム電極、８……封止層、９……リ
ード電極。
２図、第３図、第４図、第５図、第６図及び第７図はそ
の特性図、第８図、第９図及び第10図は本発明の実施例
２における電池Ｃ、Ｄ、Ｅの特性図、第11図、第12図及
び第13図は本発明の実施例３における電池Ｆ、Ｇ、Ｈの
特性図。 １……ガラス基体、２……ITO透明電極、３……Ｐ型ア
モルファスシリコン、４……Ｉ型アモルファスシリコ
ン、５……Ｎ型アモルファスシリコン、６……酸化珪素
層、７……アルミニウム電極、８……封止層、９……リ
ード電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−84075（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−150874（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−72564（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ｐ−Ｉ−Ｎ接合型アモルファスシリコン太
陽電池素子、及び前記素子のＮ型アモルファスシリコン
層と接続された集電電極を具備し、前記Ｎ型アモルファ
スシリコン層が表面から少なくとも50Åの深さまで熱酸
化された酸化物表面を有し、前記酸化物表面に接続され
た集電電極が少なくとも20原子％の酸素を含有するアル
ミニウムからなることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109438A JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1109438A JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288369A JPH02288369A (ja) | 1990-11-28 |
| JP2723608B2 true JP2723608B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=14510246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1109438A Expired - Fee Related JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723608B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117506A (en) * | 1977-07-28 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Amorphous silicon photovoltaic device having an insulating layer |
| JPS5670674A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-12 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric converter |
| JPS58111379A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
| DE3681862D1 (de) * | 1985-08-23 | 1991-11-14 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer hochsperrenden diodenanordnung auf der basis von a-si:h fuer bildsensorzeilen. |
| JPS62109341A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0272564U (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1109438A patent/JP2723608B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02288369A (ja) | 1990-11-28 |
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