JPH0272564U - - Google Patents
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- JPH0272564U JPH0272564U JP15267988U JP15267988U JPH0272564U JP H0272564 U JPH0272564 U JP H0272564U JP 15267988 U JP15267988 U JP 15267988U JP 15267988 U JP15267988 U JP 15267988U JP H0272564 U JPH0272564 U JP H0272564U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- amorphous silicon
- metal oxide
- film solar
- oxide film
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
第１図は本考案に係る薄膜太陽電池の第１実施
例の説明用断面図、第２図は第１実施例の実験結
果を示すグラフ、第３図は比較例の実験結果を示
すグラフ、第４図は本考案の第２実施例の説明用
断面図、第５図は第２実施例の実験結果を示すグ
ラフ、第６図は比較例の実験結果を示すグラフで
ある。 １：透光性基板、２：下部電極、３：アモルフ
アスシリコン系半導体層、４：金属酸化膜、５：
上部電極、６：基板、７：絶縁膜、８：下部電極
、９：アモルフアスシリコン半導体層、１０：金
属酸化膜、１１：上部電極。
例の説明用断面図、第２図は第１実施例の実験結
果を示すグラフ、第３図は比較例の実験結果を示
すグラフ、第４図は本考案の第２実施例の説明用
断面図、第５図は第２実施例の実験結果を示すグ
ラフ、第６図は比較例の実験結果を示すグラフで
ある。 １：透光性基板、２：下部電極、３：アモルフ
アスシリコン系半導体層、４：金属酸化膜、５：
上部電極、６：基板、７：絶縁膜、８：下部電極
、９：アモルフアスシリコン半導体層、１０：金
属酸化膜、１１：上部電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板上に下部電極、ＰＩＮ接合を含むアモ
ルフアスシリコン系半導体層及び上部電極を積層
してなる太陽電池において、上部電極またはその
一部が、酸素雰囲気下で反応性蒸着せしめた金属
酸化膜でなることを特徴とする薄膜太陽電池。 (2) 金属酸化膜が、ＭＯｘ（Ｍは金属元素、０
＜ｘ＜金属の原子価×０．５）である実用新案登
録請求の範囲第１項記載の薄膜太陽電池。 (3) 金属酸化膜を構成する金属元素としてスズ
を利用してなる実用新案登録請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の薄膜太陽電池。 (4) アモルフアスシリコン系半導体層のＰ層、
Ｎ層の少なくとも一方が水素化アモルフアスシリ
コンカーバイドである実用新案登録請求の範囲第
１項または第２項または第３項記載の薄膜太陽電
池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15267988U JPH0272564U (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15267988U JPH0272564U (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272564U true JPH0272564U (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=31427825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15267988U Pending JPH0272564U (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0272564U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288369A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842280A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
| JPS59119875A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Hoya Corp | 太陽電池 |
| JPS59198774A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP15267988U patent/JPH0272564U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842280A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
| JPS59119875A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Hoya Corp | 太陽電池 |
| JPS59198774A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-10 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02288369A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池 |
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