JPH02288369A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH02288369A JPH02288369A JP1109438A JP10943889A JPH02288369A JP H02288369 A JPH02288369 A JP H02288369A JP 1109438 A JP1109438 A JP 1109438A JP 10943889 A JP10943889 A JP 10943889A JP H02288369 A JPH02288369 A JP H02288369A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽光や室内光を照射することで電力を発生
する太陽電池に関するものである。
する太陽電池に関するものである。
従来の技術
従来、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、イン
ジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上に
アモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後N型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
ジウム−スズの酸化物などを主体とする透明電極の上に
アモルファスシリコン層をプラズマCVD法等を用いて
形成した後、これに不純物をドープしPIN型構造を与
え、その後N型アモルファスシリコンに対してオーミッ
ク接触を保つアルミニウムなどの金属を付けていた。
このようなアモルファスシリコン太陽電池は、光吸収係
数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその光
吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照射
した際の、電気エネルギーへの変換効率は10%を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
数が太陽光のスペクトル分布と良く一致し、またその光
吸収係数は非常に大きいものであるため、太陽光を照射
した際の、電気エネルギーへの変換効率は10%を越え
るほど高く、また室内の蛍光灯の光に対しても、有効な
電力源となっていた。
発明が解決しようとする課題
上述のように、PIN型アモルファスシリコンにアルミ
ニウムなどの金属を接合した太陽電池は、蛍光灯や太陽
光に対しては高い変換効率を有するが、電気的に解放状
態のまま強い光を連続的に照射すると、次第に出力特性
が劣化するという光劣化の課題や、高温保存により出力
性能が劣化するという高温保存劣化課題を有していた。
ニウムなどの金属を接合した太陽電池は、蛍光灯や太陽
光に対しては高い変換効率を有するが、電気的に解放状
態のまま強い光を連続的に照射すると、次第に出力特性
が劣化するという光劣化の課題や、高温保存により出力
性能が劣化するという高温保存劣化課題を有していた。
課題を解決するための手段
以上のような課題に鑑み、本発明の太陽電池は、P−1
−Ntl型アモルファスシリコンのNiを特定の厚さだ
け酸化し、これに金属を接合させる構造や、また、アモ
ルファスシリコンに接合する集電電極を構成する金属材
料に有る程度の奇だけ酸素を含有させた構造にすること
により、光照射に伴う性能劣化や高温保存による性能劣
化をより少なくするものである。
−Ntl型アモルファスシリコンのNiを特定の厚さだ
け酸化し、これに金属を接合させる構造や、また、アモ
ルファスシリコンに接合する集電電極を構成する金属材
料に有る程度の奇だけ酸素を含有させた構造にすること
により、光照射に伴う性能劣化や高温保存による性能劣
化をより少なくするものである。
作 用
高温雰囲気中における素子の性能劣化の原因として、シ
リコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン中に
熱拡散する所謂マイグレーシロンが考えられる。このよ
うな高温雰囲気でのマイグレーシロンを防ぐ手段のひと
つとして、シリコンと金属との接合面の中間層に、たと
えば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設け、これに
より金属の熱拡散を阻止する方法がある。ただしこれら
の物質は多くの場合、電気的に絶縁物質であるため、そ
の膜厚は、電子が量子力学的なトンネル効果で通り抜け
られるだけのものでなければならなこれらのことをもと
にして、本発明の太陽電池は、P−1−N接合型アモル
ファスシリコンのN面を酸化しこれに金属を接合する構
成とした。°このような構造にすると、アモルファスシ
リコンと金属とは直接接触することはなく、マイグレー
シロンによる、性能劣化を防ぐことができる。
リコンと金属との接合面に於て金属原子がシリコン中に
熱拡散する所謂マイグレーシロンが考えられる。このよ
うな高温雰囲気でのマイグレーシロンを防ぐ手段のひと
つとして、シリコンと金属との接合面の中間層に、たと
えば酸化珪素などの化学的に不活性な層を設け、これに
より金属の熱拡散を阻止する方法がある。ただしこれら
の物質は多くの場合、電気的に絶縁物質であるため、そ
の膜厚は、電子が量子力学的なトンネル効果で通り抜け
られるだけのものでなければならなこれらのことをもと
にして、本発明の太陽電池は、P−1−N接合型アモル
ファスシリコンのN面を酸化しこれに金属を接合する構
成とした。°このような構造にすると、アモルファスシ
リコンと金属とは直接接触することはなく、マイグレー
シロンによる、性能劣化を防ぐことができる。
また、純粋なN型シリコンに対して良好なオーミック接
触を保つことができる金属は実際上アルミニウムなどご
く一部のものに限られていたが、湿度の高い雰囲気下で
は、水分の侵入によりアルミニウムの劣化が発生し、素
子に損傷を与えるため、これを防ぐためアルミニウム層
の外側にチタンを被覆し、直接水分がアルミニウムに接
触するのを防止する方法が取られていた。
触を保つことができる金属は実際上アルミニウムなどご
く一部のものに限られていたが、湿度の高い雰囲気下で
は、水分の侵入によりアルミニウムの劣化が発生し、素
子に損傷を与えるため、これを防ぐためアルミニウム層
の外側にチタンを被覆し、直接水分がアルミニウムに接
触するのを防止する方法が取られていた。
これに対して、本発明者の測定の結果、N型シリコン面
を一部熱酸化し、これに電極を接合すると、アルミニウ
ムのみならず多くの金属や合金、あるいはそれらの酸素
や窒素を含有するものまでが、良好な特性を素子に与え
るものであることが判明した。つまり、これらの材料の
なかで、耐水安定性に優れたものを選択することにより
、上述の課題を解決することができた。更に、予め集電
電極を構成する金属材料に有る程度の量の酸素を含ませ
酸化物を構成させてお(と、上述のマイグレーシロン反
応を引き起こすのに必要なエネルギーが、金属単体のも
のよりも大きくなるため、素子の熱的安定性が向上する
。
を一部熱酸化し、これに電極を接合すると、アルミニウ
ムのみならず多くの金属や合金、あるいはそれらの酸素
や窒素を含有するものまでが、良好な特性を素子に与え
るものであることが判明した。つまり、これらの材料の
なかで、耐水安定性に優れたものを選択することにより
、上述の課題を解決することができた。更に、予め集電
電極を構成する金属材料に有る程度の量の酸素を含ませ
酸化物を構成させてお(と、上述のマイグレーシロン反
応を引き起こすのに必要なエネルギーが、金属単体のも
のよりも大きくなるため、素子の熱的安定性が向上する
。
一方、素子を電気的に解放状態のまま強い光を照射する
と、次第に出力が低下する現象の原因は今だ究明されて
いないが、強い光を照射し出力特性の劣化したものでも
、150℃程度の温度で1時間程加熱すると再び特性は
、もとに戻ることも報告されている(ステブラ−、ロン
スキ−効果。
と、次第に出力が低下する現象の原因は今だ究明されて
いないが、強い光を照射し出力特性の劣化したものでも
、150℃程度の温度で1時間程加熱すると再び特性は
、もとに戻ることも報告されている(ステブラ−、ロン
スキ−効果。
太陽電池ハンドブック、電気学会発行、昭和60年)。
しかしながら従来の素子では、この150℃の温度に対
して、上述のように熱劣化を引き起こすため実際上、−
度光劣化を起こしたものを再び使用することはできなか
った。
して、上述のように熱劣化を引き起こすため実際上、−
度光劣化を起こしたものを再び使用することはできなか
った。
これに対して、本発明の太陽電池は、この程度の温度で
の熱劣化は極めて小さいものであるため、光劣化した素
子も上記温度で加熱することにより、繰り返して使用す
ることができる。
の熱劣化は極めて小さいものであるため、光劣化した素
子も上記温度で加熱することにより、繰り返して使用す
ることができる。
また、結果的に本発明の構造を有する太陽電池ハ、従来
のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、光
劣化の度合が大きく低下した。この原因は、強い光を照
射すると素子自身の温度が上昇し、このため光劣化の度
合が、小さくなったものと考えられる。
のPIN型アモルファスシリコン太陽電池に較べて、光
劣化の度合が大きく低下した。この原因は、強い光を照
射すると素子自身の温度が上昇し、このため光劣化の度
合が、小さくなったものと考えられる。
以下、実施例で具体的に説明する。
実施例
(実施例1)
本実施例の素子の断面図を第1図に示す。大きさ50X
20mm% 厚さ1.1mmのガラス基体1の上に酸化
インジウムと酸化スズの化合物よりなるITOを大きさ
40x 12 m ml 膜厚0.25 μm蒸着し透
明電極2とした。次にこの透明電極2の上にCVD法に
より、アモルファスシリコン層3を大きさ41X11m
m厚さ0.04 It m形成した後、不純物としてホ
ウ素をドープしP型半導体特性を与えた。さらに連続し
て上記CVD法によりI型アモルファスシリコン層4を
0.4μm形成した後、不純物として燐を0.04μm
の深さまでドープしN型半導体特性を与え、N型アモル
ファス2977層5とした。この後、空気中で1kWの
赤外線ランプを用いN型アモルファスシリコンを1時間
熱酸化することにより、酸化珪素層6を形成した。ひき
続きこの酸化珪素層8に真空加熱蒸着法により3X10
−5torrの圧力下、207秒の蒸着速度でアルミニ
ウム電極7を40X15mmの大きさで膜厚0.2μm
形成した。最後にエポキシ樹脂の封止層8で全体を封止
し、本実施例の素子とした。
20mm% 厚さ1.1mmのガラス基体1の上に酸化
インジウムと酸化スズの化合物よりなるITOを大きさ
40x 12 m ml 膜厚0.25 μm蒸着し透
明電極2とした。次にこの透明電極2の上にCVD法に
より、アモルファスシリコン層3を大きさ41X11m
m厚さ0.04 It m形成した後、不純物としてホ
ウ素をドープしP型半導体特性を与えた。さらに連続し
て上記CVD法によりI型アモルファスシリコン層4を
0.4μm形成した後、不純物として燐を0.04μm
の深さまでドープしN型半導体特性を与え、N型アモル
ファス2977層5とした。この後、空気中で1kWの
赤外線ランプを用いN型アモルファスシリコンを1時間
熱酸化することにより、酸化珪素層6を形成した。ひき
続きこの酸化珪素層8に真空加熱蒸着法により3X10
−5torrの圧力下、207秒の蒸着速度でアルミニ
ウム電極7を40X15mmの大きさで膜厚0.2μm
形成した。最後にエポキシ樹脂の封止層8で全体を封止
し、本実施例の素子とした。
なお、本素子の発電部分の面積は第1図に示したように
40X10mmの大きさであり、また9は負極用リード
端子であり透明電極2の作成時に同時に作成した。さら
に、上記アルミニウム電極7を形成した直後、2次イオ
ン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化
珪素層6の膜厚を測定した結果、約50 であり、また
アルミニウム電極7内に均一に約20原子%の割合で酸
素が含まれていることを確認した。このように構成した
ものを電池Aと称す。
40X10mmの大きさであり、また9は負極用リード
端子であり透明電極2の作成時に同時に作成した。さら
に、上記アルミニウム電極7を形成した直後、2次イオ
ン質量分析装置を用いて、熱酸化により形成された酸化
珪素層6の膜厚を測定した結果、約50 であり、また
アルミニウム電極7内に均一に約20原子%の割合で酸
素が含まれていることを確認した。このように構成した
ものを電池Aと称す。
これに対して、P−I−N型アモルファスシリコンに直
接、酸素を殆ど含有しないアルミニウムを接合させるこ
とにより作成したものを比較例の電池Bとする。なお、
上述の酸素を殆ど含有しないアルミニウム電極の作成は
、前記実施例の電池Aの作成で用いたものと同一の真空
蒸着装置を用い、圧力5X10−8torrまで真空に
した後、99.999%のアルゴンガスにより1気圧ま
でリークし、その後再び5X10−8torrまで真空
度を高め、アルミニウムの蒸着を行なった。なお、この
ときの蒸着速度は、前記同様207秒である。また、こ
れ以外の作成方法、及び、素子の形状は前記電池Aと全
く同一とした。
接、酸素を殆ど含有しないアルミニウムを接合させるこ
とにより作成したものを比較例の電池Bとする。なお、
上述の酸素を殆ど含有しないアルミニウム電極の作成は
、前記実施例の電池Aの作成で用いたものと同一の真空
蒸着装置を用い、圧力5X10−8torrまで真空に
した後、99.999%のアルゴンガスにより1気圧ま
でリークし、その後再び5X10−8torrまで真空
度を高め、アルミニウムの蒸着を行なった。なお、この
ときの蒸着速度は、前記同様207秒である。また、こ
れ以外の作成方法、及び、素子の形状は前記電池Aと全
く同一とした。
このようにして作成した電池A及び電池Bに対して出力
特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果を
第2図、第3図、第4図に示した。
特性の高温保存による劣化の様子を調べた。その結果を
第2図、第3図、第4図に示した。
出力特性は、AMl、100mW/cm”照射時の解放
電圧、短絡電流、変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、保
存時間を横軸として示した。保存は120℃及び150
℃の温度で暗所で行なった。
電圧、短絡電流、変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、保
存時間を横軸として示した。保存は120℃及び150
℃の温度で暗所で行なった。
その結果、比較例の電池Bは高温保存時間と共に大きく
出力特性が劣化するのに対して、本実施例の電油Aは、
殆どその影響を受けないことが分かった。
出力特性が劣化するのに対して、本実施例の電油Aは、
殆どその影響を受けないことが分かった。
また、AMLI OOmW/cm”の連続照射による電
池A1 Bの出力低下の度合を評価し、その結果を第5
図、第6図、第7図に示した。出力特性はAM1+ 1
00 mW/ c m’照射時の解放電圧、短絡電流、
変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、電池A% Bに対す
る光の照射時間を横軸として示した。
池A1 Bの出力低下の度合を評価し、その結果を第5
図、第6図、第7図に示した。出力特性はAM1+ 1
00 mW/ c m’照射時の解放電圧、短絡電流、
変換効率の値をそれぞれ縦軸とし、電池A% Bに対す
る光の照射時間を横軸として示した。
その結果、比較例の電池Bは光照射時間と共に出力特性
が大きく劣化するのに対して、本実施例の電油Aは、そ
の影響が小さいことが分かった。
が大きく劣化するのに対して、本実施例の電油Aは、そ
の影響が小さいことが分かった。
(実施例2)
実施例1の電池へに対して、N型シリコンの熱酸化の温
度及び時間を変えることにより、酸化膜の膜厚が異なっ
た3種類の電池を作成し、その出力特性を測定した。こ
れらの電池をC1Dl Eとし、その酸化膜の膜厚はそ
れぞれ約20.100.150 である。なお、酸化膜
の膜厚以外は実施例1の電池Aと全く同一とし、また、
酸化膜の膜厚は実施例1と同様に2次イオン質量分析装
置により測定した。
度及び時間を変えることにより、酸化膜の膜厚が異なっ
た3種類の電池を作成し、その出力特性を測定した。こ
れらの電池をC1Dl Eとし、その酸化膜の膜厚はそ
れぞれ約20.100.150 である。なお、酸化膜
の膜厚以外は実施例1の電池Aと全く同一とし、また、
酸化膜の膜厚は実施例1と同様に2次イオン質量分析装
置により測定した。
これらの電池C−Dに対して実施例1と同一の150°
Cの高温保存評価を行い、AMI、100mW/cm2
の照射光に対する力特性を第8図、第9図、第10図に
示した。
Cの高温保存評価を行い、AMI、100mW/cm2
の照射光に対する力特性を第8図、第9図、第10図に
示した。
この結果から酸化膜の膜厚が大きいほど、高温熱劣化の
程度は小さくなるが、あまり大きいと電池の初期出力が
小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
程度は小さくなるが、あまり大きいと電池の初期出力が
小さくなり、最適膜厚のあることが分かった。
(実施例3)
実施例1の電池Aに対して、N型シリコンの熱酸化を行
なわず、直接これに対して、酸素を含有したアルミニウ
ムを接合した電池を作成し、その出力特性を測定した。
なわず、直接これに対して、酸素を含有したアルミニウ
ムを接合した電池を作成し、その出力特性を測定した。
これらの素子をFlGlHとし、その酸素含有量をそれ
ぞれ約5.30150原子%とした。なお、上記電池F
1G、 Hの作成に於て、酸化膜を作成せずまた酸素
含有量を異なるものとした以外は実施例1の電池Aと全
く同一構成とした。また、上記アルミニウム電極中にお
ける酸素濃度の制御は、真空蒸着時における雰囲気ガス
中の酸素圧力を制御することにより行なった。また酸素
含有量の測定は実施例1と同様に2次イオン質量分析装
置により行なった。
ぞれ約5.30150原子%とした。なお、上記電池F
1G、 Hの作成に於て、酸化膜を作成せずまた酸素
含有量を異なるものとした以外は実施例1の電池Aと全
く同一構成とした。また、上記アルミニウム電極中にお
ける酸素濃度の制御は、真空蒸着時における雰囲気ガス
中の酸素圧力を制御することにより行なった。また酸素
含有量の測定は実施例1と同様に2次イオン質量分析装
置により行なった。
これらの電池F−Hに対して実施例1と同一の150℃
の高温保存評価を行い、AMI、100mW/cm2の
照射光に対する力持性を第11図、第12図、第13図
に示した。
の高温保存評価を行い、AMI、100mW/cm2の
照射光に対する力持性を第11図、第12図、第13図
に示した。
この結果からアルミニウム電極中に含まれる酸素が大き
いほど、高温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大き
いと、電池の初期出力が小さくなり、最適酸素濃度のあ
ることが分かった。
いほど、高温熱劣化の程度は小さくなるが、あまり大き
いと、電池の初期出力が小さくなり、最適酸素濃度のあ
ることが分かった。
(実施例4)
実施例1の素子では、負極用集電電極としてアルミニウ
ムを用いたが、これ以外に様々な金属や合金を用いて電
池を作成した。これらの電池を1からMとし、これに用
いた負極用集電体の材質および金属中に含まれる酸素量
、また酸化膜の膜厚を法衣に示した。
ムを用いたが、これ以外に様々な金属や合金を用いて電
池を作成した。これらの電池を1からMとし、これに用
いた負極用集電体の材質および金属中に含まれる酸素量
、また酸化膜の膜厚を法衣に示した。
表に於て、電極材料名はJIS記号を用い、また全て、
電子ビーム蒸着法により作成した。なお、各電池により
、シリコン層と負極用金属集電体層との間の酸化膜の膜
厚を変えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、出
力特性を最適にする膜厚を選択したことによる。
電子ビーム蒸着法により作成した。なお、各電池により
、シリコン層と負極用金属集電体層との間の酸化膜の膜
厚を変えた理由は、各負極用集電体の材質に対して、出
力特性を最適にする膜厚を選択したことによる。
表
このようにして作成した電池I−Mに対して実施例1と
まったく同一の150℃高温保存試験と、AMl、10
0mW/cm2の照射光に対する特性評価とを行なった
。その結果を第14図、第15図、第16図に示した。
まったく同一の150℃高温保存試験と、AMl、10
0mW/cm2の照射光に対する特性評価とを行なった
。その結果を第14図、第15図、第16図に示した。
その結果、本実施例で示した電池I−Mも実施例1と同
様に、耐高温保存性能が従来の電池に較べて向上したこ
とが分かった。
様に、耐高温保存性能が従来の電池に較べて向上したこ
とが分かった。
発明の効果
本発明に従えば耐高強度光照射性能及び耐高温保存性能
に優れた太陽電池を得ることができる。
に優れた太陽電池を得ることができる。
第1図は本発明の実施例1における電池Aの断面図、第
2図、第3図、第4図、第5図、第6図及び第7図はそ
の特性図、第8図、第9図及び第10図は本発明の実施
例2における電池C,D。 Eの特性図、第11図、第12図及び第13図は本発明
の実施例3における電池F、 G、 Hの特性図、
第14図、第15図及び第16図は本発明の実施例4に
おける電池L J、 K、 L、 Mの特性図
である。 111.ガラス基体、2.、、lTO透明電極、3.、
、P型アモルファスシリコン、4.、、I型アモルファ
スシリコン、5.、、N型アモルファスシリコン、6゜
0.酸化珪素層、7.、、アルミニウム電極、8.、、
封止層、 9.、、リード電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名図 19存FR間C時間〕 m存鍔闇(帽1 1′4存鍔藺(畔M) 萬 ■ 藁 図 保存鍔間(時間〕 ず!1118!1円1’1ltF!1.ン葛 図 第 図 譚浮SV闇(目間) 保存吋層11痔11I11) 第 図 第 図 f♀仔91FIl(時間) 保存阿NIJ(鍔間) 嬉 10図 In2図 1♀存鍔l′wl(s間つ 憚存鱒聞(II藺) 第13図 第15図 19戸時1’15(鍔間〕 1@yWPlj (鱒FJJ 第14図 第16図 1■m藺(綺間) イ茅存鱒闇(時間)
2図、第3図、第4図、第5図、第6図及び第7図はそ
の特性図、第8図、第9図及び第10図は本発明の実施
例2における電池C,D。 Eの特性図、第11図、第12図及び第13図は本発明
の実施例3における電池F、 G、 Hの特性図、
第14図、第15図及び第16図は本発明の実施例4に
おける電池L J、 K、 L、 Mの特性図
である。 111.ガラス基体、2.、、lTO透明電極、3.、
、P型アモルファスシリコン、4.、、I型アモルファ
スシリコン、5.、、N型アモルファスシリコン、6゜
0.酸化珪素層、7.、、アルミニウム電極、8.、、
封止層、 9.、、リード電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名図 19存FR間C時間〕 m存鍔闇(帽1 1′4存鍔藺(畔M) 萬 ■ 藁 図 保存鍔間(時間〕 ず!1118!1円1’1ltF!1.ン葛 図 第 図 譚浮SV闇(目間) 保存吋層11痔11I11) 第 図 第 図 f♀仔91FIl(時間) 保存阿NIJ(鍔間) 嬉 10図 In2図 1♀存鍔l′wl(s間つ 憚存鱒聞(II藺) 第13図 第15図 19戸時1’15(鍔間〕 1@yWPlj (鱒FJJ 第14図 第16図 1■m藺(綺間) イ茅存鱒闇(時間)
Claims (6)
- (1)透明基体、透明電極、P型アモルファスシリコン
、I型アモルファスシリコン、N型アモルファスシリコ
ン、及び1原子%以上の酸素を含有しかつ電気抵抗率が
0.1mΩcm以下である金属酸素複合材料よりなる集
電電極を順次積層してなることを特徴とする太陽電池。 - (2)透明基体、透明電極、P型アモルファスシリコン
、I型アモルファスシリコン、N型アモルファスシリコ
ン、酸化珪素及び金属よりなる集電電極を順次積層して
なることを特徴とする太陽電池。 - (3)透明基体、透明電極、P型アモルファスシリコン
、I型アモルファスシリコン、N型アモルファスシリコ
ン、酸化珪素、及び酸素を含有する金属よりなる集電電
極を順次積層してなることを特徴とする太陽電池。 - (4)集電電極を構成する材料として、単一金属または
合金、あるいは酸素、窒素、珪素のうち少なくとも1種
類のものを含有する単一金属または合金よりなることを
特徴とする請求項2または3記載の太陽電池。 - (5)酸化珪素の膜厚は、10以上、100以下である
ことを特徴とする請求項2または3記載の太陽電池。 - (6)集電電極を構成する材料として、酸素を構成材料
全体の0.1原子%以上50原子%以下含有することを
特徴とする請求項2または3記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1109438A JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1109438A JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288369A true JPH02288369A (ja) | 1990-11-28 |
JP2723608B2 JP2723608B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=14510246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1109438A Expired - Fee Related JP2723608B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2723608B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5425187A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-24 | Rca Corp | Photoelectric semiconductor |
JPS5670674A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-12 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric converter |
JPS58111379A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
JPS6247170A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ハイマン オプトエレクトロニクス ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 |
JPS62109341A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0272564U (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1109438A patent/JP2723608B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5425187A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-24 | Rca Corp | Photoelectric semiconductor |
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JPS58111379A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
JPS6247170A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | ハイマン オプトエレクトロニクス ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 高逆方向抵抗形ダイオ−ド装置 |
JPS62109341A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0272564U (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2723608B2 (ja) | 1998-03-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |