JPS6165483A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS6165483A JPS6165483A JP59187388A JP18738884A JPS6165483A JP S6165483 A JPS6165483 A JP S6165483A JP 59187388 A JP59187388 A JP 59187388A JP 18738884 A JP18738884 A JP 18738884A JP S6165483 A JPS6165483 A JP S6165483A
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、基板上に両面のｔ８ｉ層と共に光電変換のた
めのアモルファスシリコン（以下ａ −３ｉと記す）層
が積層されてなる太陽電池に関する。
めのアモルファスシリコン（以下ａ −３ｉと記す）層
が積層されてなる太陽電池に関する。
基板自体を一方のｔｉとしない太陽電池としては第３図
ｔａｇ、 （ｂｌ、 ｔｃ＋に示す構造のものが知られ
ている。（ａ）はガラス基板１の上に透明導電膜からな
る電極層２を設け、その上に、例えばｐｉｎ接合を有す
るａ−５ｉ層３が形成され、さらに金属電極層４が被着
されていて、ガラス基板ｌを通して入射する光によって
作動する。しかしａ−５ｉ層３の成長の際、基板１を２
５０″Ｃ程度に加熱するため、ガラス基板から不純物に
よりａ−５１層３が汚染され、所期の特性が出ないこと
がある。山）は基板の基材として金属板５を用いたもの
で、その表面に有機絶縁材料からなる絶縁Ｍ６を塗布し
、その上に金属電極４ ＋ ａ −Ｓｉ層３．透明電
Ｆ！ｉ２または格子状金属電極層が積層されている。こ
の太陽電池スが出て膜質が害されやすい、（Ｃ）は可撓
性基板７を用いたもので、その上に金属電極４．ａ −
３ｉ層３、ｉ！Ｉｔ明電極Ｎ２が積層されている。この
場合も基板７からの不純物によりａ−３ｉ層３が汚染さ
れるばかりでなく、基板が加熱により変形し易いという
問題もある。
ｔａｇ、 （ｂｌ、 ｔｃ＋に示す構造のものが知られ
ている。（ａ）はガラス基板１の上に透明導電膜からな
る電極層２を設け、その上に、例えばｐｉｎ接合を有す
るａ−５ｉ層３が形成され、さらに金属電極層４が被着
されていて、ガラス基板ｌを通して入射する光によって
作動する。しかしａ−５ｉ層３の成長の際、基板１を２
５０″Ｃ程度に加熱するため、ガラス基板から不純物に
よりａ−５１層３が汚染され、所期の特性が出ないこと
がある。山）は基板の基材として金属板５を用いたもの
で、その表面に有機絶縁材料からなる絶縁Ｍ６を塗布し
、その上に金属電極４ ＋ ａ −Ｓｉ層３．透明電
Ｆ！ｉ２または格子状金属電極層が積層されている。こ
の太陽電池スが出て膜質が害されやすい、（Ｃ）は可撓
性基板７を用いたもので、その上に金属電極４．ａ −
３ｉ層３、ｉ！Ｉｔ明電極Ｎ２が積層されている。この
場合も基板７からの不純物によりａ−３ｉ層３が汚染さ
れるばかりでなく、基板が加熱により変形し易いという
問題もある。
本発明は、上述の欠点を除去してａ −５１層形成時に
汚染等の影響を与えることなく、かつ基板を薄くした場
合にも加熱時の強度が維持される絶縁１＆板を存する太
ｌｌ！電池を提供することを目的とする。
汚染等の影響を与えることなく、かつ基板を薄くした場
合にも加熱時の強度が維持される絶縁１＆板を存する太
ｌｌ！電池を提供することを目的とする。
本発明による太陽電池は両面に電極層を備えた先覚変換
ａ−５ｉ層が一面にａ−Ｓｔ層を被着した金属板の上に
積層されることによって上記の目的を達成する。
ａ−５ｉ層が一面にａ−Ｓｔ層を被着した金属板の上に
積層されることによって上記の目的を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、金属板５の上にａ−
５層層８を介して金属ｔｉ層４が設けられ、その上は第
３図（′ｂ）と同様である。ａ−５層層８はモノシラン
の分解によって生ずる１層であることが存効である。基
板５の上に高純度のａ−３ｉｌＷ８が存在することによ
り、光電変換ａ−Ｓｔ層３が基板５による汚染等の影響
を受けることが少なくなる。 また金属基板５として、例えば０．１５〜０．２ｍｍの
厚さのステンレスｍｌ板を用いることにより、可撓性で
しかも加熱時の形状変化のない基板を得ることができる
。 第２図は本発明の別の実施例として直列構造の太Ｖ４電
池を示し、二つの光電変換ａ−５ｉ層３はａ−Ｓ４層８
により絶縁され、別個の太陽電池素子を形成する。一方
の透明電ｐｉ２を延長させて他方の金属電極４と接触さ
せることにより、画素子は直列接続される。このように
して多くの太陽電池素子を直列接続することができる。
５層層８を介して金属ｔｉ層４が設けられ、その上は第
３図（′ｂ）と同様である。ａ−５層層８はモノシラン
の分解によって生ずる１層であることが存効である。基
板５の上に高純度のａ−３ｉｌＷ８が存在することによ
り、光電変換ａ−Ｓｔ層３が基板５による汚染等の影響
を受けることが少なくなる。 また金属基板５として、例えば０．１５〜０．２ｍｍの
厚さのステンレスｍｌ板を用いることにより、可撓性で
しかも加熱時の形状変化のない基板を得ることができる
。 第２図は本発明の別の実施例として直列構造の太Ｖ４電
池を示し、二つの光電変換ａ−５ｉ層３はａ−Ｓ４層８
により絶縁され、別個の太陽電池素子を形成する。一方
の透明電ｐｉ２を延長させて他方の金属電極４と接触さ
せることにより、画素子は直列接続される。このように
して多くの太陽電池素子を直列接続することができる。
本発明は、金属板にａ −５層層を被着したものを基板
として太陽電池を構成したもので、ａ −Ｓｉ層により
その上に形成される光電変換ａ−Ｓ１層への基板の影響
が阻止される。またこのａ−ｓｉ層を絶縁膜として利用
することもできるので複数の太陽電池素子を直列接続す
る場合の絶縁基板とすることもできる。さらに薄い金属
基板を用いることにより可撓性太陽電池とすることもで
きるので得られる効果は極めて大きい。
として太陽電池を構成したもので、ａ −Ｓｉ層により
その上に形成される光電変換ａ−Ｓ１層への基板の影響
が阻止される。またこのａ−ｓｉ層を絶縁膜として利用
することもできるので複数の太陽電池素子を直列接続す
る場合の絶縁基板とすることもできる。さらに薄い金属
基板を用いることにより可撓性太陽電池とすることもで
きるので得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は別の実施
例の断面図、第３図は従来の太陽電池の三つの構造を示
す断面図である。 ２：ｉ３明電極層、３：充電変換ａ−５ｉ層、４・金属
電極層、５：金属基板、８： ａ −５層層。 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 第３図
例の断面図、第３図は従来の太陽電池の三つの構造を示
す断面図である。 ２：ｉ３明電極層、３：充電変換ａ−５ｉ層、４・金属
電極層、５：金属基板、８： ａ −５層層。 第１図 （ａ） （ｂ） （ｃ） 第３図
Claims (1)
- １）基板上に両面に電極層を備えた光電変換のためのア
モルファスシリコン層を有するものにおいて、基板が一
面にアモルファスシリコン層を被着した金属板であるこ
とを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187388A JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187388A JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165483A true JPS6165483A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16205142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187388A Pending JPS6165483A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165483A (ja) |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59187388A patent/JPS6165483A/ja active Pending
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