JPS60157270A - 薄膜受光素子 - Google Patents
薄膜受光素子Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、アモルファス太陽電池等に使用される多層
構造を有する薄膜受光素子に関するものである。
構造を有する薄膜受光素子に関するものである。
一般に、アモルファスＳｉ太陽電池では太陽光スペクト
ルの特・定の波長領域の光しか利用できないため、この
欠点を補い高効率化を図る目的で、各々バンドギャップ
の異なる層を積層した多層構造素子が開発されている。
ルの特・定の波長領域の光しか利用できないため、この
欠点を補い高効率化を図る目的で、各々バンドギャップ
の異なる層を積層した多層構造素子が開発されている。
この多層構造素子は、光の入射側から順にバンドギャッ
プの広い材料で構成した薄膜受光層（以下、素子と記す
）を債屓したものであり、これにより、第１図に示すよ
うに太陽光スペクトルＳのより広い波長領域を利用する
ことができる。第１図中、Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ第２図
で示した３層構造素子における各素子のスペクトル感度
を示す。第２図は多層構造素子の一例を示したもので、
図において、１，２．３はそれぞれｐｉｎ素子であり、
その各バンドギャップＥｇ１．Ｅｇ２．Ｅｇ３の大小関
係は、Ｅｇｌ＞Ｅｇ２＞Ｅｇ３となっている。４は金属
電極、５は上部電極としての透明導電膜、６は下部電極
としてのステンレス基板である。
プの広い材料で構成した薄膜受光層（以下、素子と記す
）を債屓したものであり、これにより、第１図に示すよ
うに太陽光スペクトルＳのより広い波長領域を利用する
ことができる。第１図中、Ａ、Ｂ、Ｃはそれぞれ第２図
で示した３層構造素子における各素子のスペクトル感度
を示す。第２図は多層構造素子の一例を示したもので、
図において、１，２．３はそれぞれｐｉｎ素子であり、
その各バンドギャップＥｇ１．Ｅｇ２．Ｅｇ３の大小関
係は、Ｅｇｌ＞Ｅｇ２＞Ｅｇ３となっている。４は金属
電極、５は上部電極としての透明導電膜、６は下部電極
としてのステンレス基板である。
ごのようなアモルファス太陽電池においては通常、アモ
ルファスＳｉをベースとして、高バンドギ中ノブ材料と
してａ−３ｉ：Ｎ：Ｈ，ａ−３３：Ｃ等が、また低バン
ドギャップ材料としてａ −３ｊＧｅ：Ｈ，ａ−３ｉＳ
ｎ：Ｈ等が用いられている。そして各々の層で発生する
光電流は、入射光スペクトルＮｏ（λ）・（１−Ｒ）と
その素子の収集効率η（λ）の積の積分値、ｑＪＮｏ
（λ）・（１−Ｒ） ・η （λ）ｄλで与えられる。
ルファスＳｉをベースとして、高バンドギ中ノブ材料と
してａ−３ｉ：Ｎ：Ｈ，ａ−３３：Ｃ等が、また低バン
ドギャップ材料としてａ −３ｊＧｅ：Ｈ，ａ−３ｉＳ
ｎ：Ｈ等が用いられている。そして各々の層で発生する
光電流は、入射光スペクトルＮｏ（λ）・（１−Ｒ）と
その素子の収集効率η（λ）の積の積分値、ｑＪＮｏ
（λ）・（１−Ｒ） ・η （λ）ｄλで与えられる。
第３図にステンレス基板６上に作成されたアモルファス
太陽電池の平面図の一例を示す。通常、ステンレス基板
６上の全面に、若しくは基板６の周囲を残してアモルフ
ァス層１０が成膜され、さらにその上にアモルファス層
１０の周囲を残してインジウムスズ酸化物（１”ＦＯ）
等の透明導電膜（以下、Ｉ Ｔ Ｏと記す）５が形成さ
れ、最上部に金属の小電極４が形成されている。
太陽電池の平面図の一例を示す。通常、ステンレス基板
６上の全面に、若しくは基板６の周囲を残してアモルフ
ァス層１０が成膜され、さらにその上にアモルファス層
１０の周囲を残してインジウムスズ酸化物（１”ＦＯ）
等の透明導電膜（以下、Ｉ Ｔ Ｏと記す）５が形成さ
れ、最上部に金属の小電極４が形成されている。
また、第４図にアモルファスＳｉとアモルファス５ｉＧ
ｅとで構成した２層構造素子の断面図を示している。図
において、第２図、第３図と同一符号は同一のものを示
し、第１層素子１は０層（ｎ”ａ−Ｓｉ）Ｉａ、＋７−
（ｉ ａ−３ｔ）ｌｂ。
ｅとで構成した２層構造素子の断面図を示している。図
において、第２図、第３図と同一符号は同一のものを示
し、第１層素子１は０層（ｎ”ａ−Ｓｉ）Ｉａ、＋７−
（ｉ ａ−３ｔ）ｌｂ。
及びｐ層（ｐ” ａ−３３） Ｉ ｃからなり、第２層
素子２は、０層（ｎ＋ａ−３ｉ） ２ａ、ｉｌＷ （ｉ
ａ−３ｉＧｅ）２ｂ、及びｐ層（ｐ＋ａ−３ｉ）２ｃか
らなっている。また図中破線で示す矢印は光電流の流れ
を示している。゛そしてこの例においては、ＩｒＯ２の
面積はアモルファス層１０の面積より幾分小さくなって
いる。これは上部電極であるＩｒＯ２と下部電極である
ステンレス基板６とが電気的に短絡するのを防ぐためで
あるが、アモルファス［１０は高抵抗膜であるため、ビ
「０５で覆われζいない各層の周縁部分で発生した光電
流は収集されず、従って図に示すようにアモルファス層
のＩｒＯ２で覆われた部分のみが光電流発生における有
効面積となる。
素子２は、０層（ｎ＋ａ−３ｉ） ２ａ、ｉｌＷ （ｉ
ａ−３ｉＧｅ）２ｂ、及びｐ層（ｐ＋ａ−３ｉ）２ｃか
らなっている。また図中破線で示す矢印は光電流の流れ
を示している。゛そしてこの例においては、ＩｒＯ２の
面積はアモルファス層１０の面積より幾分小さくなって
いる。これは上部電極であるＩｒＯ２と下部電極である
ステンレス基板６とが電気的に短絡するのを防ぐためで
あるが、アモルファス［１０は高抵抗膜であるため、ビ
「０５で覆われζいない各層の周縁部分で発生した光電
流は収集されず、従って図に示すようにアモルファス層
のＩｒＯ２で覆われた部分のみが光電流発生における有
効面積となる。
第５図に第４図で示した２Ｎ構造素子の各素子の電流分
配図を示す。図中、曲線りを積分して得られる面積は、
第１層素子、即ちアモルファスＳｉ素子の層で発生する
光電流値を表し、曲線Ｅの部分の面積は、アモルファス
Ｓｔ層を透過した光によっζ、第２Ｎ素子、即ちアモル
ファス５ｉＧｅ素子の層で発生ずる光電流値を表わして
いる。
配図を示す。図中、曲線りを積分して得られる面積は、
第１層素子、即ちアモルファスＳｉ素子の層で発生する
光電流値を表し、曲線Ｅの部分の面積は、アモルファス
Ｓｔ層を透過した光によっζ、第２Ｎ素子、即ちアモル
ファス５ｉＧｅ素子の層で発生ずる光電流値を表わして
いる。
曲線りとＥのスペクトルの分離の程度は両者の材料のバ
ンドギャップの違いに依存し、またそれぞれの層で発生
ずる光電流は各層の厚みにも依存するが、この第５図に
示したスペクトルは厚み４０００人程度Ｏ７モルファス
Ｓｉ素子と４０００人程度Ｏ７モルファス５ｉＧｅ素子
（光学ギヤツブ約１．５ｅＶ）とを積層した場合の代表
例である。
ンドギャップの違いに依存し、またそれぞれの層で発生
ずる光電流は各層の厚みにも依存するが、この第５図に
示したスペクトルは厚み４０００人程度Ｏ７モルファス
Ｓｉ素子と４０００人程度Ｏ７モルファス５ｉＧｅ素子
（光学ギヤツブ約１．５ｅＶ）とを積層した場合の代表
例である。
ごのような多層構造素子においては、各層で発生ずる光
電流値のうち最小のもので全体の出力電流が制限される
ため、出力電流を有効に取り出すには各素子層での発生
電流値をそろえることが必要である。しかし現状では、
アモルファスＳｔ層で十分光電流を発生すべくその厚み
を４０００Å以上とすると、アモルファスＳｔ層を透過
した光によって次の層で発生する光電流は第３図の曲線
Ｅで示すように小さくなってしまう。これはアモルファ
スＳｌ素子とアモルファス３ｉＱｅ素子のスペクトル感
度特性の分離の程度が十分ではない、即ちアモルファス
５ｉＧｅ素子の長波長感度が不十分なためである。
電流値のうち最小のもので全体の出力電流が制限される
ため、出力電流を有効に取り出すには各素子層での発生
電流値をそろえることが必要である。しかし現状では、
アモルファスＳｔ層で十分光電流を発生すべくその厚み
を４０００Å以上とすると、アモルファスＳｔ層を透過
した光によって次の層で発生する光電流は第３図の曲線
Ｅで示すように小さくなってしまう。これはアモルファ
スＳｌ素子とアモルファス３ｉＱｅ素子のスペクトル感
度特性の分離の程度が十分ではない、即ちアモルファス
５ｉＧｅ素子の長波長感度が不十分なためである。
ここで、出力電流を有効に取り出すには、図中の感度曲
線ＥをＥ゛ とじて大きな電流値でバランスさせれば良
い訳であり、そこで現在、十分な長波長感度を有する前
述したような低バンドギャップ材料の開発が試みられて
いる。しかるに、例えばアモルファス５ｉＧｅにおいて
長波長感度を上げるべく膜中のＧｅ濃度を増してゆくと
、膜質が低下し太陽電池への応用が難しくなる。従って
実際には第１Ｎ目のアモルファスＳｔ層の厚みを薄くし
、そこを透過する光の量を増やすことによって第１Ｎと
第２Ｎで発生する光電流をそろえる方法が採られている
。つまり曲線りの部分の面積を少し犠牲にして小さくし
、曲線Ｅの部分の面積とバランスさせているわけである
。
線ＥをＥ゛ とじて大きな電流値でバランスさせれば良
い訳であり、そこで現在、十分な長波長感度を有する前
述したような低バンドギャップ材料の開発が試みられて
いる。しかるに、例えばアモルファス５ｉＧｅにおいて
長波長感度を上げるべく膜中のＧｅ濃度を増してゆくと
、膜質が低下し太陽電池への応用が難しくなる。従って
実際には第１Ｎ目のアモルファスＳｔ層の厚みを薄くし
、そこを透過する光の量を増やすことによって第１Ｎと
第２Ｎで発生する光電流をそろえる方法が採られている
。つまり曲線りの部分の面積を少し犠牲にして小さくし
、曲線Ｅの部分の面積とバランスさせているわけである
。
一方、第６図に示すように３層襦造によりスペクトルを
Ｆ、’Ｇ、Ｈと３分割し、１層分の光電流を小さくする
方法も採られている。このような構造においては、一般
的に第１層目の材料としてアモルファスＳｉ （ａ−３
ｔ ：Ｈ） 、ａ−３ｉ ：Ｎ：Ｈが、第２層目の材料
としてａ−３ｔ：Ｈ，Ｇｅをわずかに含むａ−３ｉＧｅ
：Ｈ等が、又第３層目の材料としてａ−３ｉＧｅ ：Ｈ
，ａ−３ｉＳｎ：Ｈ等が用いられている。この場合にも
第１層素子、第２層素子で発生する光電流を十分に得よ
うとした場合には、第３層素子で発生する光電流（Ｈで
囲まれた部分の′面積）が他に比で小さ９なり、全体の
出力電流を制限してしまうということがしばしば生ずる
。
Ｆ、’Ｇ、Ｈと３分割し、１層分の光電流を小さくする
方法も採られている。このような構造においては、一般
的に第１層目の材料としてアモルファスＳｉ （ａ−３
ｔ ：Ｈ） 、ａ−３ｉ ：Ｎ：Ｈが、第２層目の材料
としてａ−３ｔ：Ｈ，Ｇｅをわずかに含むａ−３ｉＧｅ
：Ｈ等が、又第３層目の材料としてａ−３ｉＧｅ ：Ｈ
，ａ−３ｉＳｎ：Ｈ等が用いられている。この場合にも
第１層素子、第２層素子で発生する光電流を十分に得よ
うとした場合には、第３層素子で発生する光電流（Ｈで
囲まれた部分の′面積）が他に比で小さ９なり、全体の
出力電流を制限してしまうということがしばしば生ずる
。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、多層構造
を有する薄膜受光素子において、所定の隣接する素子の
眉間に透光性導電膜を形成し、該透光性導電膜により、
発生した光電流を収集するようにすることにより、上記
導電膜以降の層の素子の、光電流発生に寄与する実効的
な有効面積を増加することができ、高い効率で光電流を
発生することのできる薄膜受光素子を提供することを目
的としている。
を有する薄膜受光素子において、所定の隣接する素子の
眉間に透光性導電膜を形成し、該透光性導電膜により、
発生した光電流を収集するようにすることにより、上記
導電膜以降の層の素子の、光電流発生に寄与する実効的
な有効面積を増加することができ、高い効率で光電流を
発生することのできる薄膜受光素子を提供することを目
的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第７図は本発明を２層構造を有する薄膜受光素子に適用
した場合の一実施例を示すもので、第４図に示す従来の
ものと異なる点は、第１層素子の１層１ｃと第２層素子
の０層２ａの界面に透明電極７（透光性導電膜）が挿入
されていることである。
した場合の一実施例を示すもので、第４図に示す従来の
ものと異なる点は、第１層素子の１層１ｃと第２層素子
の０層２ａの界面に透明電極７（透光性導電膜）が挿入
されていることである。
挿入する透明電極としてはＩＴ○又は２０〜３０人の厚
みの金属（Ｔｉなど）が適当である。
みの金属（Ｔｉなど）が適当である。
このような本実施例の構造により、第２層素子２で発生
した光電流は表面のＩｒＯ２で覆われていない部分から
も収集され、第２層素子２の光電流発生に寄与する有効
面積が増加したことになり、第５図で示した感度曲線Ｅ
を大きくすることができる。
した光電流は表面のＩｒＯ２で覆われていない部分から
も収集され、第２層素子２の光電流発生に寄与する有効
面積が増加したことになり、第５図で示した感度曲線Ｅ
を大きくすることができる。
第８図は、本発明をＮ層構造素子に適用したものであり
、第ｎ層素子と第（ｎ＋１）要素子との界面に導電膜７
を挿入している。この構造では（ｎ＋１）番目以後の層
の素子の有効面積が増加されたことになる。
、第ｎ層素子と第（ｎ＋１）要素子との界面に導電膜７
を挿入している。この構造では（ｎ＋１）番目以後の層
の素子の有効面積が増加されたことになる。
このような再実施例の構造を用いれば、多層構造太陽電
池において高効率化を図る時、特にノくンドギャソブ材
料の長波長領域の感度が不十分である場合にその有効性
を発揮する。
池において高効率化を図る時、特にノくンドギャソブ材
料の長波長領域の感度が不十分である場合にその有効性
を発揮する。
また第９図は、本発明を３層構造素子に適用したもので
あり、この実施例においては、第１層素子１と第２層素
子２との界面、及び第２層素子２と第３層素子３との界
面に、それぞれ面積の異なる透光性導電膜７１．７２を
形成したものである。
あり、この実施例においては、第１層素子１と第２層素
子２との界面、及び第２層素子２と第３層素子３との界
面に、それぞれ面積の異なる透光性導電膜７１．７２を
形成したものである。
このように、各層間の界面に挿入する導電膜７１゜７２
の面積を変えることによって、第１層素子１から第３層
素子３での光電流発生に対する実効的な有効面積を自由
に選ぶことができる。
の面積を変えることによって、第１層素子１から第３層
素子３での光電流発生に対する実効的な有効面積を自由
に選ぶことができる。
さらに第１０図は、本発明による構造をガラス基板素子
に適用した場合の構造例を示したもので、図中１１，１
２（４よそれぞれｐｉｎ素子、１３はＩＴＯ１１４はガ
ラス基板、１５は金属電極、１７はｐｉｎ素子１１．１
２間に挿入された導電膜である。
に適用した場合の構造例を示したもので、図中１１，１
２（４よそれぞれｐｉｎ素子、１３はＩＴＯ１１４はガ
ラス基板、１５は金属電極、１７はｐｉｎ素子１１．１
２間に挿入された導電膜である。
このような実施例によれば、従来、素子の有効面積は図
中工の部分であったものが、導電膜１７を挿入すること
により、素子１１に対する有効面積はＪとなり、素子１
２に対する有効面積はＫとなり、それぞれの素子の有効
面積は増加することとなる。
中工の部分であったものが、導電膜１７を挿入すること
により、素子１１に対する有効面積はＪとなり、素子１
２に対する有効面積はＫとなり、それぞれの素子の有効
面積は増加することとなる。
なお、本発明の構造の適用は上記実施例に限るものでは
なく、各種カラ−センサ等の多層構造を有するすべての
薄膜受光素子において特定の層の光電流を増加させたい
時に適用が可能である。
なく、各種カラ−センサ等の多層構造を有するすべての
薄膜受光素子において特定の層の光電流を増加させたい
時に適用が可能である。
以上のように、本発明にかかる多層構造の薄膜受光素子
によれば、所定の隣接する素子の層間に透光性導電膜を
形成し、これにより該導電膜ツ隆の層の素子で発生した
光電流を収集するようにしたので、高い効率で光電流を
発生ずることができる効果がある。
によれば、所定の隣接する素子の層間に透光性導電膜を
形成し、これにより該導電膜ツ隆の層の素子で発生した
光電流を収集するようにしたので、高い効率で光電流を
発生ずることができる効果がある。
第１図は太陽光スペクトルと３層構造太陽電池における
スペクトルの分配を示す図、第２図は３層構造太陽電池
の構成図、第３図は一般的なステンレス基板アモルファ
ス太陽電池の平面図、第４図は従来の２層構造太陽電池
の断面構成図、第５図はその電流分配図、第６図は従来
装置における３Ｎ構造の場合の電流分配図、第７図は本
発明を適用した２層構造太陽電池の一実施例を示す断面
構成図、第８図は本発明を適用したＮ層構造太陽電池の
一実施例を示す断面構成図、第９図は本発明を適用した
３層構造太陽電池の一実施例を示す断面構成図、第１０
図は本発明を適用したガラス基板太陽電池の一実施例を
示す断面構成図である。 １．２．３−７ｐ ｉｎ＠子（薄膜受光１ｉｆｔ’）
、５ ・−・ＩＴＯ（上部電極）、６・・・ステンレス
基板（下部電極）、７．１７，７１．７２・・・透光性
導電膜。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − 第１図 うンシのシカシ長（ツーｘｍ） − 第２図 ＠３図 第４図 第５図 第６図 光ｆ）液長（１ｍ）− 第９図 第１０図 手続補正書（自発） 昭和５９年８月 ８日 特願昭５９−１２８９７号 ２、発明の名称 薄膜受光素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 住 所 大阪市淀用区宮原４丁目１番４５号新大阪八千
代ビル 氏名（８１８１）弁理士早瀬憲− ５、？ｉｉ正の対象 明ｍ書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁第１９〜第２０行の１高いリフ率で
光電流を発生ずることのできる」を「高い光電流値を有
し、高効率の」に訂正する。 以 上
スペクトルの分配を示す図、第２図は３層構造太陽電池
の構成図、第３図は一般的なステンレス基板アモルファ
ス太陽電池の平面図、第４図は従来の２層構造太陽電池
の断面構成図、第５図はその電流分配図、第６図は従来
装置における３Ｎ構造の場合の電流分配図、第７図は本
発明を適用した２層構造太陽電池の一実施例を示す断面
構成図、第８図は本発明を適用したＮ層構造太陽電池の
一実施例を示す断面構成図、第９図は本発明を適用した
３層構造太陽電池の一実施例を示す断面構成図、第１０
図は本発明を適用したガラス基板太陽電池の一実施例を
示す断面構成図である。 １．２．３−７ｐ ｉｎ＠子（薄膜受光１ｉｆｔ’）
、５ ・−・ＩＴＯ（上部電極）、６・・・ステンレス
基板（下部電極）、７．１７，７１．７２・・・透光性
導電膜。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 早 瀬 憲 − 第１図 うンシのシカシ長（ツーｘｍ） − 第２図 ＠３図 第４図 第５図 第６図 光ｆ）液長（１ｍ）− 第９図 第１０図 手続補正書（自発） 昭和５９年８月 ８日 特願昭５９−１２８９７号 ２、発明の名称 薄膜受光素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名 称
（６０１）三菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 住 所 大阪市淀用区宮原４丁目１番４５号新大阪八千
代ビル 氏名（８１８１）弁理士早瀬憲− ５、？ｉｉ正の対象 明ｍ書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第７頁第１９〜第２０行の１高いリフ率で
光電流を発生ずることのできる」を「高い光電流値を有
し、高効率の」に訂正する。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１対向する上、下電極間に複数の薄膜受光層を有す
る薄膜受光素子において、ある薄膜受光層とこれに隣接
する薄膜受光層との間に上記両電極が重なる領域を含み
かつそれより大きい領域を有する透光性導電膜が形成さ
れていることを特徴とする薄膜受光素子。 （２）上記透光性導電膜は、インジウムスズ酸化物であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜受
光素子。 （３）上記透光性導電膜は、２０〜３０人の厚みの金属
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012897A JPS60157270A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 薄膜受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59012897A JPS60157270A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 薄膜受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60157270A true JPS60157270A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11818174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59012897A Pending JPS60157270A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 薄膜受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60157270A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377166A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS63128771A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 屋外設置用太陽電池 |
| JPS63157484A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS63157482A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP59012897A patent/JPS60157270A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6377166A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS63128771A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 屋外設置用太陽電池 |
| JPS63157484A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS63157482A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
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