JPS6273765A - 光電変換素子アレイ - Google Patents
光電変換素子アレイInfo
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- JPS6273765A JPS6273765A JP60215324A JP21532485A JPS6273765A JP S6273765 A JPS6273765 A JP S6273765A JP 60215324 A JP60215324 A JP 60215324A JP 21532485 A JP21532485 A JP 21532485A JP S6273765 A JPS6273765 A JP S6273765A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野
本発明は光電変換素子アレイに関し、特にファクシミリ
，光学的文字読取装置，・イメ・−ジスキャナなどの読
取部として用いられる光電変換素子アレイに関する，。
，光学的文字読取装置，・イメ・−ジスキャナなどの読
取部として用いられる光電変換素子アレイに関する，。
従来のアモルファス半導体を用いた光電変換素子アレイ
は、絶縁基板上に個別電極，光導電膜。
は、絶縁基板上に個別電極，光導電膜。
透明電極を順に積層した構造を有していた。
前述した従来構造の光電変換素子アレイは光信号が素子
側から入射するため、バッシベーシ、ンの方法や装置に
組込む時の構造などに制約を受ける。そこで、光信号を
絶縁透明基板側から入射できる素子構造の光電変換素子
アレイが良し）。その几めには、絶縁透明基板上に透明
電極。光導電膜。
側から入射するため、バッシベーシ、ンの方法や装置に
組込む時の構造などに制約を受ける。そこで、光信号を
絶縁透明基板側から入射できる素子構造の光電変換素子
アレイが良し）。その几めには、絶縁透明基板上に透明
電極。光導電膜。
個別電極を順に積層１−た素子構造でなければならなｔ
ｉｑ，［、かし、透明電極とし２て一般的な酸化インジ
ウム・スズ（以下ＩＴＯと記す）の上からアモ刃・ファ
スシリ、コン（以下ａ−Ｓｉと記す）などの光導電膜全
形Ｄしする場合、酸（Ｅ インジウムが還元されてＩｎ
がａ−８１中に拡散してしま（電光電変換素子と１−で
の％性が得られないとし）う問題がある。
ｉｑ，［、かし、透明電極とし２て一般的な酸化インジ
ウム・スズ（以下ＩＴＯと記す）の上からアモ刃・ファ
スシリ、コン（以下ａ−Ｓｉと記す）などの光導電膜全
形Ｄしする場合、酸（Ｅ インジウムが還元されてＩｎ
がａ−８１中に拡散してしま（電光電変換素子と１−で
の％性が得られないとし）う問題がある。
その解決策とし２てＩＴＯとａ−Ｓｉ の界面に硼素
をドーピングした低抵抗ａ−８ｉ（Ｊｌ下Ｐ型ａ−Ｓｉ
と記す）層金積層することによりＩｎの拡散による素子
特性への影響全防止するという方法があるが、この構造
だとＰ型ａ−８ｉとガラスとの密着性が悪いため光導電
膜が剥れるという問題や、Ｐ型ａ −８ｉは波長５ＱＱ
ｎｍ以下の波長域で分光感度の低下が起るという欠点が
あった。
をドーピングした低抵抗ａ−８ｉ（Ｊｌ下Ｐ型ａ−Ｓｉ
と記す）層金積層することによりＩｎの拡散による素子
特性への影響全防止するという方法があるが、この構造
だとＰ型ａ−８ｉとガラスとの密着性が悪いため光導電
膜が剥れるという問題や、Ｐ型ａ −８ｉは波長５ＱＱ
ｎｍ以下の波長域で分光感度の低下が起るという欠点が
あった。
本発明の目的は、光電膜とガラス基板との密着性を上げ
、かつ６００ｎｍ以下の波長域での分光感度を良くシ念
光電変換素子アレイ全提供することにある。
、かつ６００ｎｍ以下の波長域での分光感度を良くシ念
光電変換素子アレイ全提供することにある。
本発明の光電変換素子アレイは、絶縁透明基板上に透明
電極、アモルファス半導体光導電膜２側別電極を順に積
層して形成した光電変換素子アレイにお込て、前記アモ
ルファス半導体光導電膜と前記透明電極との間に硼素を
ドーピングしたアモルファス炭化ケイ素層全役けた構成
になっている。
電極、アモルファス半導体光導電膜２側別電極を順に積
層して形成した光電変換素子アレイにお込て、前記アモ
ルファス半導体光導電膜と前記透明電極との間に硼素を
ドーピングしたアモルファス炭化ケイ素層全役けた構成
になっている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
まず、ガラス基板１上にＩＴＯ層２をスパッタ法により
６００〜８００人の厚さに形成する１、さらにこの上に
シラン（Ｓ、１Ｈ４）とメタン（ＣＩ−ｉ４） ″ｊ
ｅ適当な混合比になるよう調製し、ジボラン（ＢｚＨ６
）ｆ：１０００〜２０００ｐｐｒｎ 混合したガス６成
膜装置の反応室内に導入しグロー放電分解法によりＰ型
ａ−８ｉＣ層３ を５００〜１００ＯＡの厚さに形成す
る。
６００〜８００人の厚さに形成する１、さらにこの上に
シラン（Ｓ、１Ｈ４）とメタン（ＣＩ−ｉ４） ″ｊ
ｅ適当な混合比になるよう調製し、ジボラン（ＢｚＨ６
）ｆ：１０００〜２０００ｐｐｒｎ 混合したガス６成
膜装置の反応室内に導入しグロー放電分解法によりＰ型
ａ−８ｉＣ層３ を５００〜１００ＯＡの厚さに形成す
る。
この際、放電初期にＩＴＯ層２の還元を防ぐためプラズ
マ中のＨ２に極力少なくする必要がある。続けてシラン
ガスのみ全反応室内に導入してａ−８ｉ層４全１〜２μ
ｍの厚さに形成する。この上にＣｒあるいはＡρｔスパ
ッタあるいけ蒸着によシ形成しフォトリソグラフィ工程
を行い個別′１「極５全パターニングする。この後、ａ
−８ｉ層に残った金属シリサイド金エツチング除去して
光電変換素子アレイを完成させる。
マ中のＨ２に極力少なくする必要がある。続けてシラン
ガスのみ全反応室内に導入してａ−８ｉ層４全１〜２μ
ｍの厚さに形成する。この上にＣｒあるいはＡρｔスパ
ッタあるいけ蒸着によシ形成しフォトリソグラフィ工程
を行い個別′１「極５全パターニングする。この後、ａ
−８ｉ層に残った金属シリサイド金エツチング除去して
光電変換素子アレイを完成させる。
以上説明したように、本発明は、アモルファス半導体光
導電膜と透明電極との間にＰ型ａ−８ｉＣ層を形成した
のでインジウムの光導電膜中への拡散による素子特性の
悪化金防ぐことができる。また、Ｐ型ａ−８ｉＣはガラ
スとの密着性がよりためアモルファス半導体光導電膜が
剥れることはない。
導電膜と透明電極との間にＰ型ａ−８ｉＣ層を形成した
のでインジウムの光導電膜中への拡散による素子特性の
悪化金防ぐことができる。また、Ｐ型ａ−８ｉＣはガラ
スとの密着性がよりためアモルファス半導体光導電膜が
剥れることはない。
さらに、ａ−８ｉＣはａ−８ｉよりもバンドギャップが
大きいため、Ｐ型ａ−８ｉｉ用いた時のような６００ｎ
ｍ以下の波長域での分光感度の低下をなくすることがで
きるなどの効果がある。
大きいため、Ｐ型ａ−８ｉｉ用いた時のような６００ｎ
ｍ以下の波長域での分光感度の低下をなくすることがで
きるなどの効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断１面図である。
１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＩＴＯ層、
３・・・・・・Ｐ型ａ−８ｉＣ層、４・−・・・・Ｐ型
ａ−８ｉ層、５・・・・・・個別電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅１ 剥
３・・・・・・Ｐ型ａ−８ｉＣ層、４・−・・・・Ｐ型
ａ−８ｉ層、５・・・・・・個別電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅１ 剥
Claims (1)
- 絶縁透明基板上に透明電極、アモルファス半導体光導電
膜、個別電極を順に積層して形成した光電変換素子アレ
イにおいて、前記アモルファス半導体光導電膜と前記透
明電極との間に硼素をドーピングしたアモルファス炭化
ケイ素層を設けたことを特徴とする光電変換素子アレイ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215324A JPS6273765A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光電変換素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215324A JPS6273765A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光電変換素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273765A true JPS6273765A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16670415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215324A Pending JPS6273765A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光電変換素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273765A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
| EP0631329A1 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Process for producing amorphous silicon solar cell |
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60215324A patent/JPS6273765A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278873A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Toshiba Corp | 密着センサの製造方法 |
| EP0631329A1 (en) * | 1993-06-25 | 1994-12-28 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Process for producing amorphous silicon solar cell |
| JP2011228733A (ja) * | 2011-06-29 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
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