JPS63127582A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS63127582A JPS63127582A JP61273446A JP27344686A JPS63127582A JP S63127582 A JPS63127582 A JP S63127582A JP 61273446 A JP61273446 A JP 61273446A JP 27344686 A JP27344686 A JP 27344686A JP S63127582 A JPS63127582 A JP S63127582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- element region
- substrate
- regions
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、１枚の透明絶縁基板上に透明電極膜。
アモルファスシリコン（以下ａ−５１と記す）ｌ！！お
よび金属電極膜の積層よりなる円形、六角形などの非方
形の光起電力素子領域を複数個形成したのち、各素子領
域を分離するａ −５１太陽電池の製造方法に関する。
よび金属電極膜の積層よりなる円形、六角形などの非方
形の光起電力素子領域を複数個形成したのち、各素子領
域を分離するａ −５１太陽電池の製造方法に関する。
時計用などのａ−５ｉ太陽電池として、例えば円形の形
状が要求される場合、第２図に示すようにガラス基板１
の上に円形の透明電極膜、ａ−Ｓｌ膜および金属電極膜
を積層してなる光起電力素子領域２を複数個配列したの
ち、各素子領域２を切り出す方法をとっている。
状が要求される場合、第２図に示すようにガラス基板１
の上に円形の透明電極膜、ａ−Ｓｌ膜および金属電極膜
を積層してなる光起電力素子領域２を複数個配列したの
ち、各素子領域２を切り出す方法をとっている。
上記の従来の方法においては、基板１の光起電力素子領
域２とそれ以外の領域３とは厚さが異なるため、例えば
厚さ０．７ｆｉ以下の薄いガラス基板１を用いたときは
、余白６１１ Ｍ！ ３の強度が弱く、製造工程中の取
扱いによって割れやすいという問題がある。
域２とそれ以外の領域３とは厚さが異なるため、例えば
厚さ０．７ｆｉ以下の薄いガラス基板１を用いたときは
、余白６１１ Ｍ！ ３の強度が弱く、製造工程中の取
扱いによって割れやすいという問題がある。
本発明の目的は、上述の問題点を解決して１枚の基板を
用いて複数の非方形のａ −３！太陽電池を製造する際
の工程中の基板の割れを防止することのできる製造方法
を提供することにある。
用いて複数の非方形のａ −３！太陽電池を製造する際
の工程中の基板の割れを防止することのできる製造方法
を提供することにある。
上記゛の問題点を解決するために、本発明の方法は、透
明絶縁基板上に透明電極膜、ａ−３ｌ膜および金属電極
膜を積層する際、光起電力素子領域とそれ以外の非素子
領域とに同時に各層を積層するものとする。
明絶縁基板上に透明電極膜、ａ−３ｌ膜および金属電極
膜を積層する際、光起電力素子領域とそれ以外の非素子
領域とに同時に各層を積層するものとする。
光起電力素子領域以外の領域にも各層を積層することに
より、基板上のほぼ全面が同じ厚さを有し、強度が高め
られる。
より、基板上のほぼ全面が同じ厚さを有し、強度が高め
られる。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この実施例では、厚さ
０．４ｆｉの薄いガラス基Ｆｉ１の上に全面にＩＴＯな
どの透明導電膜を形成したのち、例えばフォトエツチン
グにより約２０簡の直径の円形光起電力素子領域２とそ
れ以外の非素子領域４の間の間隙部分５のみを除去する
０次いで同様な方法で素子領域２と非素子領域４を残し
てａ −３ＩＩＩＩ、 Ａ７などからなる金属電極膜を
積層する。素子領域２と非素子領域４の間に絶縁間隙５
があるため、各素子領域の電気的特性を独立して測定す
ることができる。さらに強度を増加するためには、例え
ばエポキシ樹脂膜をスクリーン印刷法などにより素子領
域２．非素子領域４の上に塗布して保護膜とすることが
有効である。このあと間隙部分５の基板を除去して各光
起電力素子領域２を分離させ、時計用などの太陽電池と
する。ガラス基板の除去は、機械加工によって可能であ
るが、素子領域２および非素子領域の金属電極膜あるい
は保護膜をマスクとしてのエツチングによることもでき
る。
には同一の符号が付されている。この実施例では、厚さ
０．４ｆｉの薄いガラス基Ｆｉ１の上に全面にＩＴＯな
どの透明導電膜を形成したのち、例えばフォトエツチン
グにより約２０簡の直径の円形光起電力素子領域２とそ
れ以外の非素子領域４の間の間隙部分５のみを除去する
０次いで同様な方法で素子領域２と非素子領域４を残し
てａ −３ＩＩＩＩ、 Ａ７などからなる金属電極膜を
積層する。素子領域２と非素子領域４の間に絶縁間隙５
があるため、各素子領域の電気的特性を独立して測定す
ることができる。さらに強度を増加するためには、例え
ばエポキシ樹脂膜をスクリーン印刷法などにより素子領
域２．非素子領域４の上に塗布して保護膜とすることが
有効である。このあと間隙部分５の基板を除去して各光
起電力素子領域２を分離させ、時計用などの太陽電池と
する。ガラス基板の除去は、機械加工によって可能であ
るが、素子領域２および非素子領域の金属電極膜あるい
は保護膜をマスクとしてのエツチングによることもでき
る。
本発明によれば、１枚の基板上に複数の非方形の光起電
力素子領域を形成する際に非素子領域にも同様な積層膜
を形成することにより、基板の強度を全面に増大させ、
薄いガラス基板を用いた場合の割れが減少して歩留りが
向上する。さらに非素子領域と素子領域の間にせまい間
隙を設けることにより、非素子領域も素子領域と共にエ
ツチングによる各素子分離の際のマスクとして利用する
ことができ、円形、六角形に限らず種々の方形以外の特
殊形状のａ −３ｉ太陽電池の製造に極めて有効に適用
できる。
力素子領域を形成する際に非素子領域にも同様な積層膜
を形成することにより、基板の強度を全面に増大させ、
薄いガラス基板を用いた場合の割れが減少して歩留りが
向上する。さらに非素子領域と素子領域の間にせまい間
隙を設けることにより、非素子領域も素子領域と共にエ
ツチングによる各素子分離の際のマスクとして利用する
ことができ、円形、六角形に限らず種々の方形以外の特
殊形状のａ −３ｉ太陽電池の製造に極めて有効に適用
できる。
第１ｒｇＪは本発明の一実施例を示す平面図、第２図は
従来の製造方法における平面図である。 １ニガラス基板、２：光起電力素子領域、４：非素子領
域。 第２図
従来の製造方法における平面図である。 １ニガラス基板、２：光起電力素子領域、４：非素子領
域。 第２図
Claims (1)
- １）１枚の透明絶縁基板上に透明電極膜、アモルファス
シリコン膜および金属電極膜の積層よりなる非方形の光
起電力素子領域を複数個形成したのち、各素子領域を分
離する太陽電池の製造方法において、透明絶縁基板上に
透明電極膜、アモルファスシリコン膜および金属電極膜
を積層する際に光起電力素子領域とそれ以外の非素子領
域とに同時に各層を積層することを特徴とするアモルフ
ァスシリコン太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273446A JPS63127582A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273446A JPS63127582A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127582A true JPS63127582A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17528021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61273446A Pending JPS63127582A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63127582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498114A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-30 | Toshiba Corp | 変位測定装置 |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273446A patent/JPS63127582A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498114A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-30 | Toshiba Corp | 変位測定装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4518815A (en) | Photoelectric conversion device | |
| US4623751A (en) | Photovoltaic device and its manufacturing method | |
| JPH10233517A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPS6020586A (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| JPS63127582A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPH0456351U (ja) | ||
| JPS61280660A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5678155A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPS6227755B2 (ja) | ||
| JPS62205668A (ja) | 集積型太陽電池の製造方法 | |
| JPS6441278A (en) | Manufacture of thin film photovoltaic element | |
| JPS55120180A (en) | Fabricating method of photovoltaic device | |
| JP2664377B2 (ja) | 受光装置の製造方法 | |
| JPH01134976A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS6191971A (ja) | 太陽電池装置の製造方法 | |
| JPS61229370A (ja) | 光センサ素子の製造方法 | |
| JPS644662B2 (ja) | ||
| JPH03250771A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6141156B2 (ja) | ||
| JPS6286874A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS58207680A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPS62147784A (ja) | 非晶質太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS63170975A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JPS6265480A (ja) | 薄膜太陽電池装置 | |
| JPS6165483A (ja) | 太陽電池 |