JPS6191971A - 太陽電池装置の製造方法 - Google Patents
太陽電池装置の製造方法Info
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- JPS6191971A JPS6191971A JP59213736A JP21373684A JPS6191971A JP S6191971 A JPS6191971 A JP S6191971A JP 59213736 A JP59213736 A JP 59213736A JP 21373684 A JP21373684 A JP 21373684A JP S6191971 A JPS6191971 A JP S6191971A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、透明絶縁基板上に形成される光起電力部に非
品質薄膜半導体を用いた太陽電池の単位セルを直列接続
して成る太陽電池装置に関する。
品質薄膜半導体を用いた太陽電池の単位セルを直列接続
して成る太陽電池装置に関する。
シランガスのグロー放電分解により形成されるアモルフ
ァスシリコン（以下ａ−３ｉと記す）は、気相成長であ
るため原理的に大面積化が容易であり大出力素子として
開発がｊＪｌ待されている０発電した電力を効率よく取
り出すためには、大間電池を、例えば第２回に示すよう
な形状とし単位セルが直列接続されている構造とするこ
とが望ましい。 この構造は、ガラス基板等の透明絶１１基板ｌの上に３
明電極２１，２２，２３．２４，２５．、、、を短冊状
に形成する。この３明電極２１〜２５は、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物） 、 ＳｎＯ，（酸化錫）またはＩ
Ｔ Ｏ／ Ｓｎｕｇ複合膜を電子ビーム蒸着、スパッタ
リング、熱ＣＶＤ等によりガラス基板１の全面に付着し
たのち、。 光蝕刻法を用いて短冊すに形成されるもので、この方法
は当業者には周知の方法である。同様の方法でａ−Ｓ１
ｍ３１，３２，３３，３４．、、、、、＊ＦｉｉＬｆｆ
ｉ４１．４２゜４３．４４．、、、、を形成する。この
とき退明電Ｆ！Ａｌ１５と金属電極層が電気的に接続す
るように、それぞれ金５電！５４１を透明Ｔ４極２２と
、４２を２３と、４３を２４と、４４を２５と接触させ
る。 ａ−５ｉｌｌ＄３１〜３５は、透明型ＰｌＬ側
から積層される、例えば１００人の厚さのｐＩＷ、０．
５μ纏の厚さのノンドープ（ｉ）Ｍ’ｆ、５００ 人の
厚さのｎ屑からなる。 しかしこのように直列接続型太Ｉ！ｉ電池を構成する場
合、次の問題点がある。 （１）バッチ式１程であるので自動化が困難である。 （２）マスクを用いるので大面積化するにつれてコスト
が著しく高くなる。 （３）マスク合わせを３回行う必要があるので、位置合
わせの余裕をとる関係から光発電に対する無効面積部分
が大きくなる。 （４１金ｒ％電極のバターニングをりん酸、硝酸等の酸
を用いたエツチングにより行う隙に住する発注機の水素
によって透明ｔｉが還元され、Ｓｉ性を失うので、透明
電極を厚く形成しなければならない。
ァスシリコン（以下ａ−３ｉと記す）は、気相成長であ
るため原理的に大面積化が容易であり大出力素子として
開発がｊＪｌ待されている０発電した電力を効率よく取
り出すためには、大間電池を、例えば第２回に示すよう
な形状とし単位セルが直列接続されている構造とするこ
とが望ましい。 この構造は、ガラス基板等の透明絶１１基板ｌの上に３
明電極２１，２２，２３．２４，２５．、、、を短冊状
に形成する。この３明電極２１〜２５は、ＩＴＯ（イン
ジウム錫酸化物） 、 ＳｎＯ，（酸化錫）またはＩ
Ｔ Ｏ／ Ｓｎｕｇ複合膜を電子ビーム蒸着、スパッタ
リング、熱ＣＶＤ等によりガラス基板１の全面に付着し
たのち、。 光蝕刻法を用いて短冊すに形成されるもので、この方法
は当業者には周知の方法である。同様の方法でａ−Ｓ１
ｍ３１，３２，３３，３４．、、、、、＊ＦｉｉＬｆｆ
ｉ４１．４２゜４３．４４．、、、、を形成する。この
とき退明電Ｆ！Ａｌ１５と金属電極層が電気的に接続す
るように、それぞれ金５電！５４１を透明Ｔ４極２２と
、４２を２３と、４３を２４と、４４を２５と接触させ
る。 ａ−５ｉｌｌ＄３１〜３５は、透明型ＰｌＬ側
から積層される、例えば１００人の厚さのｐＩＷ、０．
５μ纏の厚さのノンドープ（ｉ）Ｍ’ｆ、５００ 人の
厚さのｎ屑からなる。 しかしこのように直列接続型太Ｉ！ｉ電池を構成する場
合、次の問題点がある。 （１）バッチ式１程であるので自動化が困難である。 （２）マスクを用いるので大面積化するにつれてコスト
が著しく高くなる。 （３）マスク合わせを３回行う必要があるので、位置合
わせの余裕をとる関係から光発電に対する無効面積部分
が大きくなる。 （４１金ｒ％電極のバターニングをりん酸、硝酸等の酸
を用いたエツチングにより行う隙に住する発注機の水素
によって透明ｔｉが還元され、Ｓｉ性を失うので、透明
電極を厚く形成しなければならない。
【発明の目的］
本発明は、上記の問題点を解決して自動化に通したドラ
イな加工方法を用い、しかも少ない加工回数で経済的に
なる直列接続型の太陽電池装置の製造方法を堤供するこ
とを目的と（ろ。 【発明の要点］ 本発明によれば、這明絶ｉ％へ板上にそれぞれ分離した
領域からなる透明電極層、非晶質半導体層、金属１を１
屑が順に積層され、上下に重なる各屑碩域からなる単位
太陽電池セルが直列接続される太陽電池装置の製造方法
において、分離した領域からなる透明電極層の上に非晶
π半導体層および金ｒｓ電極層を一面に被着し、透明型
へ層の分な部と異なる位置の上にレーザ光を照射して金
属電極層および非晶質半導体層を分期し、ついで透明電
極層の分離部と金Ｅ％電極肩および非晶π半導体Ｗの分
離部との間の区域に上方からレーザ光を照射して非晶質
半導体層を層厚さ全体にわたって結晶化することによっ
て上記の目的を達成する。半導体層の結晶化部分はその
上面にＴｌ魁する一つの単位太陽電池セルに属する金属
電極とその下面に接触する隣接単位太ｌｌｉ電池セルに
屈する透明電極との間の接続に役立ち、これにより各単
位太陽電池セルが直列接続される。 【発明の実施例】 第１図１ａｌ〜ｔｅｌは本発明の一実施例の工程を順に
示し、！ＩＳ２図と共通部分には同゛−の符号が付され
ている。第１図（ａ目よ透明ｔ５パターンを示したもの
で、透明型Ｆ５屑は第１図の場合と同様ガラス基板１の
上に電子ビーム、熱ＣＶＤ方法で１０００λ〜３０００
人の厚さに一面に形成したのち、その面に約５０μ■゛
に絞ったＹＡＧレーザビームを当てて走査することによ
り透明ｔ５２１，２２，２３．２４．．、、、をパター
ニングする。このときのレーザの出力パワーとしては、
２×１０１？Ｗ／−が適当であった０次に透明電極側か
ら順に、厚さ約１００人の２層、厚さ約０．５μｍの１
石、厚さ５００人のｎＮからなる暑−５ｔ屑３を一面に
形成する。２層はＢｔｕ、をＳｉＲ＊に対して１％混入
した反応ガスを用いてグロー放電することにより形成さ
れる。１層はＳｉＬの分解により、ｎＪｉ５は５ＮＩａ
と１％のＰＨ１の混合ガスの分解により形成される。さ
らにその上に一面に金属電極Ｎ４を電子ビーム襲着法な
どで形成する。この金属電極ＩＷ４には、土として＾Ｉ
が用いられるが、他にＴｌ、Ｃｒ、Ｔａ、ＡＨ，Ｃｕ、
Ｎｌが単独又は重ねて用し１られる。この状態が第１図
−）である、つづいて約５０μ−に絞ったレーザ光を照
射して、第１図ｔｅｌに示すような一−Ｓ１パターン３
１，３２，３３．３４．、、、、、金属電極パターン４
１，４２，４３．４４．、、、、を同時に形成する。こ
のときの照射レーザパワーは５〜ｌ０ＸＩＯ’ Ｗ／ｃ
＋Ｊが適当で、除去される分月帯５の幅は約４０μｍで
あ、た、この場合、分離帯５は透明型５２１．２２．．
。 ６０間の分離帯６とはずらして設けられている。このあ
と、透明電極の分離Ｗ６の上側とａ−Ｓｉｊｌ域および
金属を極の分ｇ！帯５との間に挟まれた部分にレーザ光
を照射する。このレーザ光パワーはｚＸＩＯ″Ｗ／−以
下、望ましくは０．１〜ｔｘｔｏ’ｗ／−で、このレー
ザ光照射によって照射領域７１゜７２．７３，７４．、
、、、において金属Ｔ１へ４１．４２．、、、、が一部
溶融し、またその熱によってａ −Ｓ１府３１．３２．
、。 ９．の多結晶化が起こる。この結果、例えば透明型４５
ｉ２１． ａ−Ｓｉ層３１．金属ＴＺ Ｎ ４１から
なる単位太陽電池セルと透明型へ２２．ａ−５１層３２
．企匡電６４２からなるφ位太陽電池セルとは〜レーザ
光照射部分７】の（Ｆｆ、抵抗多時品Ｓｉ層によって直
列接続される。 他のセル間も同様に接続される。 １０ｃ＋＋角のガラス基板の上にこのようにしてｌ！遺
された１ｏｌｌＩ列の単位セルからなる火陥電池により
、Ｖｏｃ＝８．８ Ｖ、 Ｉ ｓｃ−１３０ｍＡ、
Ｆ Ｆ −０，６、出力−６９０＋＋Ｗの特性を得た
。またレーザ光照射によりパターニングを行うことによ
って、透明電極の間隙を約゛５０μ■、金に′Ａ電極の
間「を約４０μ電、金属電極とα明電極の重なり部分を
約２００μｍにすることができたので、無効面積部分が
単位セル当たり０．５ｍ−以下となり、全面積の９０％
程度を有効発電面積とすることができた。 さらに、この太ｌｌｉ電池をグロー放電炉に入れ、Ｃ）
ｌ、を用いて土柱ないし数土柱エツチングすることによ
り、フィルファクタＦＦが０．６７まで改善され、それ
に伴い出力が約１０％向上した。このことはパターニン
グのためのレーザ光照射時に付随して低抵抗化される縁
部８１，８２．８３，８４．、、、、 （第１図１ｅｔ
参照）がエツチングによって除去され、リーク電流が減
少し、接合特性が向上した結果によるものであると考え
られる。 パターニングの客のレーザ光パワーを３〜４×１０’Ｗ
／−程度に下げた場合、ａ−３ｉ石３の下部が除去され
ないが、金属電極側のドーピング層が除去されていれば
、太陽電池特性上は問題のないことが確かめられた。
イな加工方法を用い、しかも少ない加工回数で経済的に
なる直列接続型の太陽電池装置の製造方法を堤供するこ
とを目的と（ろ。 【発明の要点］ 本発明によれば、這明絶ｉ％へ板上にそれぞれ分離した
領域からなる透明電極層、非晶質半導体層、金属１を１
屑が順に積層され、上下に重なる各屑碩域からなる単位
太陽電池セルが直列接続される太陽電池装置の製造方法
において、分離した領域からなる透明電極層の上に非晶
π半導体層および金ｒｓ電極層を一面に被着し、透明型
へ層の分な部と異なる位置の上にレーザ光を照射して金
属電極層および非晶質半導体層を分期し、ついで透明電
極層の分離部と金Ｅ％電極肩および非晶π半導体Ｗの分
離部との間の区域に上方からレーザ光を照射して非晶質
半導体層を層厚さ全体にわたって結晶化することによっ
て上記の目的を達成する。半導体層の結晶化部分はその
上面にＴｌ魁する一つの単位太陽電池セルに属する金属
電極とその下面に接触する隣接単位太ｌｌｉ電池セルに
屈する透明電極との間の接続に役立ち、これにより各単
位太陽電池セルが直列接続される。 【発明の実施例】 第１図１ａｌ〜ｔｅｌは本発明の一実施例の工程を順に
示し、！ＩＳ２図と共通部分には同゛−の符号が付され
ている。第１図（ａ目よ透明ｔ５パターンを示したもの
で、透明型Ｆ５屑は第１図の場合と同様ガラス基板１の
上に電子ビーム、熱ＣＶＤ方法で１０００λ〜３０００
人の厚さに一面に形成したのち、その面に約５０μ■゛
に絞ったＹＡＧレーザビームを当てて走査することによ
り透明ｔ５２１，２２，２３．２４．．、、、をパター
ニングする。このときのレーザの出力パワーとしては、
２×１０１？Ｗ／−が適当であった０次に透明電極側か
ら順に、厚さ約１００人の２層、厚さ約０．５μｍの１
石、厚さ５００人のｎＮからなる暑−５ｔ屑３を一面に
形成する。２層はＢｔｕ、をＳｉＲ＊に対して１％混入
した反応ガスを用いてグロー放電することにより形成さ
れる。１層はＳｉＬの分解により、ｎＪｉ５は５ＮＩａ
と１％のＰＨ１の混合ガスの分解により形成される。さ
らにその上に一面に金属電極Ｎ４を電子ビーム襲着法な
どで形成する。この金属電極ＩＷ４には、土として＾Ｉ
が用いられるが、他にＴｌ、Ｃｒ、Ｔａ、ＡＨ，Ｃｕ、
Ｎｌが単独又は重ねて用し１られる。この状態が第１図
−）である、つづいて約５０μ−に絞ったレーザ光を照
射して、第１図ｔｅｌに示すような一−Ｓ１パターン３
１，３２，３３．３４．、、、、、金属電極パターン４
１，４２，４３．４４．、、、、を同時に形成する。こ
のときの照射レーザパワーは５〜ｌ０ＸＩＯ’ Ｗ／ｃ
＋Ｊが適当で、除去される分月帯５の幅は約４０μｍで
あ、た、この場合、分離帯５は透明型５２１．２２．．
。 ６０間の分離帯６とはずらして設けられている。このあ
と、透明電極の分離Ｗ６の上側とａ−Ｓｉｊｌ域および
金属を極の分ｇ！帯５との間に挟まれた部分にレーザ光
を照射する。このレーザ光パワーはｚＸＩＯ″Ｗ／−以
下、望ましくは０．１〜ｔｘｔｏ’ｗ／−で、このレー
ザ光照射によって照射領域７１゜７２．７３，７４．、
、、、において金属Ｔ１へ４１．４２．、、、、が一部
溶融し、またその熱によってａ −Ｓ１府３１．３２．
、。 ９．の多結晶化が起こる。この結果、例えば透明型４５
ｉ２１． ａ−Ｓｉ層３１．金属ＴＺ Ｎ ４１から
なる単位太陽電池セルと透明型へ２２．ａ−５１層３２
．企匡電６４２からなるφ位太陽電池セルとは〜レーザ
光照射部分７】の（Ｆｆ、抵抗多時品Ｓｉ層によって直
列接続される。 他のセル間も同様に接続される。 １０ｃ＋＋角のガラス基板の上にこのようにしてｌ！遺
された１ｏｌｌＩ列の単位セルからなる火陥電池により
、Ｖｏｃ＝８．８ Ｖ、 Ｉ ｓｃ−１３０ｍＡ、
Ｆ Ｆ −０，６、出力−６９０＋＋Ｗの特性を得た
。またレーザ光照射によりパターニングを行うことによ
って、透明電極の間隙を約゛５０μ■、金に′Ａ電極の
間「を約４０μ電、金属電極とα明電極の重なり部分を
約２００μｍにすることができたので、無効面積部分が
単位セル当たり０．５ｍ−以下となり、全面積の９０％
程度を有効発電面積とすることができた。 さらに、この太ｌｌｉ電池をグロー放電炉に入れ、Ｃ）
ｌ、を用いて土柱ないし数土柱エツチングすることによ
り、フィルファクタＦＦが０．６７まで改善され、それ
に伴い出力が約１０％向上した。このことはパターニン
グのためのレーザ光照射時に付随して低抵抗化される縁
部８１，８２．８３，８４．、、、、 （第１図１ｅｔ
参照）がエツチングによって除去され、リーク電流が減
少し、接合特性が向上した結果によるものであると考え
られる。 パターニングの客のレーザ光パワーを３〜４×１０’Ｗ
／−程度に下げた場合、ａ−３ｉ石３の下部が除去され
ないが、金属電極側のドーピング層が除去されていれば
、太陽電池特性上は問題のないことが確かめられた。
本発明は、直列接読型太陽電池装置の透明電極上の非晶
質半導体層および金属電極層のパターニングを共通に、
かつ透明電極パターンとずらせてレーザ加工により行い
、ずらされて重なった透明電極と金属電極の間の非晶ｒ
半導体層を結晶化して低抵抗化することにより隣接単位
太陽電池セル間の接続を行うものである。退引電極層の
パターニングもレーザ加工を用いればパターニングはす
べてドライプロセスになって自動化が可能てあり、マス
クを用いる必要がなく、非晶質半導体の結晶化も同じレ
ーザ装置により実施でき、また非晶質半導体層と金属電
極層のパターニングを一括し−行うためパターニング工
程数が１回城少し、バターニング条件の選択の回数も減
少するのでコスト低減が可能になる。さらに位置合わせ
が２回で済むため、各層間にｄ７ｐな位置合わせのため
の余裕が少なくなり、レーザ加工の精度と相まってでき
上がった太陽電池装置の有効発電面積を向上させること
ができる。
質半導体層および金属電極層のパターニングを共通に、
かつ透明電極パターンとずらせてレーザ加工により行い
、ずらされて重なった透明電極と金属電極の間の非晶ｒ
半導体層を結晶化して低抵抗化することにより隣接単位
太陽電池セル間の接続を行うものである。退引電極層の
パターニングもレーザ加工を用いればパターニングはす
べてドライプロセスになって自動化が可能てあり、マス
クを用いる必要がなく、非晶質半導体の結晶化も同じレ
ーザ装置により実施でき、また非晶質半導体層と金属電
極層のパターニングを一括し−行うためパターニング工
程数が１回城少し、バターニング条件の選択の回数も減
少するのでコスト低減が可能になる。さらに位置合わせ
が２回で済むため、各層間にｄ７ｐな位置合わせのため
の余裕が少なくなり、レーザ加工の精度と相まってでき
上がった太陽電池装置の有効発電面積を向上させること
ができる。
ｖ１図は本発明の一実施例の製造工程を順次示す一部断
面図、？、 ２図は従来例の一部断面図である。 にカ゛ラス基晃反、 ２１．２２．２２．２４． ：透
明電極、３ ： ａ −５ｔ１、 ３１．３２．３
３，３４ ； ａ −５ＩＪＮ １１１域、４：金
属電極層、４１，４２，４３．４４ ：金属電極、５：
金属電極、ａ−５ｉＷＡ分邸帯、６：透明電極分離帯、
７１．７２，７３，７４ ：レーザ光照１１部分。 第１図
面図、？、 ２図は従来例の一部断面図である。 にカ゛ラス基晃反、 ２１．２２．２２．２４． ：透
明電極、３ ： ａ −５ｔ１、 ３１．３２．３
３，３４ ； ａ −５ＩＪＮ １１１域、４：金
属電極層、４１，４２，４３．４４ ：金属電極、５：
金属電極、ａ−５ｉＷＡ分邸帯、６：透明電極分離帯、
７１．７２，７３，７４ ：レーザ光照１１部分。 第１図
Claims (1)
- １）透明絶縁基板上にそれぞれ分離した領域からなる透
明電極層、非晶質半導体層、金属電極層が順に積層され
、上下に重なる各層領域からなる単位太陽電池セルが直
列接続される太陽電池装置の製造方法において、分離し
た領域からなる透明電極層の上に非晶質半導体層および
金属電極層を一面に被着し、透明電極層の分離部と異な
る位置の上にレーザ光を照射して金属電極層および非晶
質半導体層を分離し、ついで透明電極層の分離部と金属
電極層および非晶質半導体層の分離部との間の区域に上
方からレーザ光を照射して非晶質半導体層を層厚さ全体
にわたって結晶化することを特徴とする太陽電池装置の
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213736A JPS6191971A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 太陽電池装置の製造方法 |
| US06/780,093 US4954181A (en) | 1984-10-05 | 1985-09-25 | Solar cell module and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213736A JPS6191971A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 太陽電池装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191971A true JPS6191971A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16644153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213736A Pending JPS6191971A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-12 | 太陽電池装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191971A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454769A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Fuji Electric Res | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| JPS6486567A (en) * | 1987-06-18 | 1989-03-31 | Fuji Electric Co Ltd | Manufacture of amorphous silicon solar cell |
| US6184058B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin film solar battery and method for fabricating the same |
| JP2001274446A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
| JPS58196060A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Sharp Corp | 薄膜半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213736A patent/JPS6191971A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57176778A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-30 | Rca Corp | Solar battery array |
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| US6184058B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated thin film solar battery and method for fabricating the same |
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