JPH11354818A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH11354818A JPH11354818A JP10157584A JP15758498A JPH11354818A JP H11354818 A JPH11354818 A JP H11354818A JP 10157584 A JP10157584 A JP 10157584A JP 15758498 A JP15758498 A JP 15758498A JP H11354818 A JPH11354818 A JP H11354818A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 132
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VIMLGDUSDWYQMM-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);propan-2-yloxymethanedithioate Chemical compound [Cd+2].CC(C)OC([S-])=S.CC(C)OC([S-])=S VIMLGDUSDWYQMM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セル間の分離抵抗が大きく、高効率のＣｄＳ
／ＣｄＴｅ太陽電池を生産性良く製造する方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造工程に
おいて、透光性絶縁基板上に、透明導電膜および硫化カ
ドミウム膜を順次形成し、次いで前記硫化カドミウム膜
上に所定のパターンのレーザビームを照射して、前記硫
化カドミウム膜および透明導電膜の所定の部分を同時に
除去することにより、前記透明導電膜および硫化カドミ
ウム膜を同時に同じパターンで各セル単位に分割する工
程を有する。
／ＣｄＴｅ太陽電池を生産性良く製造する方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造工程に
おいて、透光性絶縁基板上に、透明導電膜および硫化カ
ドミウム膜を順次形成し、次いで前記硫化カドミウム膜
上に所定のパターンのレーザビームを照射して、前記硫
化カドミウム膜および透明導電膜の所定の部分を同時に
除去することにより、前記透明導電膜および硫化カドミ
ウム膜を同時に同じパターンで各セル単位に分割する工
程を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、II−VI族化合物半
導体太陽電池、特にＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方
法に関するものである。
導体太陽電池、特にＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池のモジュールは、ガラス基板な
どの透光性絶縁基板上に複数のセルを形成し、これらの
セルを電気的に接続して構成される。この太陽電池モジ
ュールの作製段階では、初めに、前記基板上に透明導電
膜を形成し、これを所定のパターンに分割して各セル単
位の透明電極を形成する。次いで、この上に半導体薄膜
を形成し複数のセルを形成するのが一般的な方法であ
る。その一例として、レーザビームを用いて透明導電膜
を部分的に除去して各セル単位の透明電極に分割し、そ
の上に半導体膜を形成した後、前記透明導電膜が除去さ
れた部分に隣接する透明電極上の半導体薄膜の一部を所
定のパターンで除去して前記半導体膜を分割することに
より、複数の単セルを構成する方法が提案されている
（特公平４−７２３９２号公報）。
どの透光性絶縁基板上に複数のセルを形成し、これらの
セルを電気的に接続して構成される。この太陽電池モジ
ュールの作製段階では、初めに、前記基板上に透明導電
膜を形成し、これを所定のパターンに分割して各セル単
位の透明電極を形成する。次いで、この上に半導体薄膜
を形成し複数のセルを形成するのが一般的な方法であ
る。その一例として、レーザビームを用いて透明導電膜
を部分的に除去して各セル単位の透明電極に分割し、そ
の上に半導体膜を形成した後、前記透明導電膜が除去さ
れた部分に隣接する透明電極上の半導体薄膜の一部を所
定のパターンで除去して前記半導体膜を分割することに
より、複数の単セルを構成する方法が提案されている
（特公平４−７２３９２号公報）。
【０００３】上記透明導電膜としては、通常、酸化イン
ジウム（以下、Ｉｎ2Ｏ3という）の膜あるいは導電性を
付与するためにフッ素をドープした二酸化錫（以下、Ｓ
ｎＯ2という）の膜が用いられている。これらの透明導
電膜上に半導体膜を形成した場合、インジウムやフッ素
が前記半導体膜中に取り込まれる。この現象による太陽
電池特性に対する影響は場合によって異なる。例えば、
非晶質シリコン太陽電池においては、透明電極上に接す
る側にｐ型非晶質シリコン膜を配置するのが通例である
が、このｐ型膜中にインジウムあるいはフッ素が取り込
まれても膜質に変化を与えることが少なく、殆ど問題視
されなかった。しかしながら、前記のように分割された
透明電極上に硫化カドミウム膜（以下、ＣｄＳ膜とい
う）とテルル化カドミウム膜（以下、ＣｄＴｅ膜）を配
置して構成する太陽電池の場合、ＣｄＳ膜を積層した際
に、ＣｄＳ膜中に透明電極中のインジウムあるいはフッ
素がドナーとして拡散し、ＣｄＳ膜のドナー濃度が高濃
度になり低抵抗化する。このため、透明導電膜を透明電
極として分割した段階での各透明電極間の分離抵抗が十
分に大きくても、ＣｄＳ膜を形成した後は、分離部分に
位置するＣｄＳ膜が低抵抗化していることから、透明電
極間の分離抵抗が極端に小さくなる。このことによっ
て、モジュールを構成した場合にセル間のリーク電流が
増大するので、直列接続型の太陽電池を高効率化する上
での重大な問題点とされてきた。
ジウム（以下、Ｉｎ2Ｏ3という）の膜あるいは導電性を
付与するためにフッ素をドープした二酸化錫（以下、Ｓ
ｎＯ2という）の膜が用いられている。これらの透明導
電膜上に半導体膜を形成した場合、インジウムやフッ素
が前記半導体膜中に取り込まれる。この現象による太陽
電池特性に対する影響は場合によって異なる。例えば、
非晶質シリコン太陽電池においては、透明電極上に接す
る側にｐ型非晶質シリコン膜を配置するのが通例である
が、このｐ型膜中にインジウムあるいはフッ素が取り込
まれても膜質に変化を与えることが少なく、殆ど問題視
されなかった。しかしながら、前記のように分割された
透明電極上に硫化カドミウム膜（以下、ＣｄＳ膜とい
う）とテルル化カドミウム膜（以下、ＣｄＴｅ膜）を配
置して構成する太陽電池の場合、ＣｄＳ膜を積層した際
に、ＣｄＳ膜中に透明電極中のインジウムあるいはフッ
素がドナーとして拡散し、ＣｄＳ膜のドナー濃度が高濃
度になり低抵抗化する。このため、透明導電膜を透明電
極として分割した段階での各透明電極間の分離抵抗が十
分に大きくても、ＣｄＳ膜を形成した後は、分離部分に
位置するＣｄＳ膜が低抵抗化していることから、透明電
極間の分離抵抗が極端に小さくなる。このことによっ
て、モジュールを構成した場合にセル間のリーク電流が
増大するので、直列接続型の太陽電池を高効率化する上
での重大な問題点とされてきた。
【０００４】また、透明導電膜を分割して透明電極を形
成する場合に、ＳｎＯ2あるいはＩｎ2Ｏ3は、レーザビ
ームによる吸収熱によって気化した後に凝集しやすく、
粉末状になって基板上に降り積もり、固着する。これ
は、その上にＣｄＳ膜を形成した場合にピンホールが発
生する原因となるために、ＣｄＳ膜を製膜する前に、純
水等による洗浄を行う必要があった。そのため、透明導
電膜を製膜する前に精密洗浄を行ったにもかかわらず、
同じような洗浄作業を再度行う必要があり、製造工程の
簡略化の妨げとなり、低コスト化の大きな障害となって
いた。
成する場合に、ＳｎＯ2あるいはＩｎ2Ｏ3は、レーザビ
ームによる吸収熱によって気化した後に凝集しやすく、
粉末状になって基板上に降り積もり、固着する。これ
は、その上にＣｄＳ膜を形成した場合にピンホールが発
生する原因となるために、ＣｄＳ膜を製膜する前に、純
水等による洗浄を行う必要があった。そのため、透明導
電膜を製膜する前に精密洗浄を行ったにもかかわらず、
同じような洗浄作業を再度行う必要があり、製造工程の
簡略化の妨げとなり、低コスト化の大きな障害となって
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の従来
技術の問題点を解決し、高効率、低コストのＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池を製造する方法を提供することを目的と
する。
技術の問題点を解決し、高効率、低コストのＣｄＳ／Ｃ
ｄＴｅ太陽電池を製造する方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による太陽電池の
製造方法は、透光性絶縁基板上に、透明導電膜およびＣ
ｄＳ膜を順次形成する工程、続いて前記ＣｄＳ膜上に所
定のパターンのレーザビームを照射して、前記レーザビ
ームが照射された部分のＣｄＳ膜、およびその部分の下
地の透明導電膜を同時に除去することにより、前記透明
導電膜およびＣｄＳ膜を単セル単位に分割する工程を有
するものである。本発明の方法により、簡略化された製
造工程で、セル間の分離抵抗が十分に大きく確保された
複数の単セルを前記透光性基板上に形成することが可能
となり、これらのセルを直列に接続することにより、セ
ル間のリーク電流が少ない高効率の低コスト太陽電池が
構成できる。
製造方法は、透光性絶縁基板上に、透明導電膜およびＣ
ｄＳ膜を順次形成する工程、続いて前記ＣｄＳ膜上に所
定のパターンのレーザビームを照射して、前記レーザビ
ームが照射された部分のＣｄＳ膜、およびその部分の下
地の透明導電膜を同時に除去することにより、前記透明
導電膜およびＣｄＳ膜を単セル単位に分割する工程を有
するものである。本発明の方法により、簡略化された製
造工程で、セル間の分離抵抗が十分に大きく確保された
複数の単セルを前記透光性基板上に形成することが可能
となり、これらのセルを直列に接続することにより、セ
ル間のリーク電流が少ない高効率の低コスト太陽電池が
構成できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、ＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽
電池の製造工程において、透光性絶縁基板上に透明導電
膜を製膜した後に、引き続いてＣｄＳ膜を製膜し、その
後所定のパターンでレーザビームを照射して、照射され
たレーザビームの吸収熱によって、照射された部分のＣ
ｄＳ膜および下地の透明導電膜を蒸発させて除去するこ
とを特徴とするものである。これによって、各セルのＣ
ｄＳ膜と透明電極が同じ形状で積層されたパターンで、
ＣｄＳ膜と透明導電膜を同時に単セル単位に分割するこ
とができる。本発明は、従来の技術と比較して以下のよ
うな優れた作用効果を有する。第一に本発明では、透光
性絶縁基板上に製膜された透明導電膜とＣｄＳ膜を同時
に同じ形状でスクライブするので、透明導電膜が除去さ
れた部分の透光性基板上に、フッ素やインジウムが高濃
度に拡散して低抵抗化したＣｄＳが存在することはな
い。このようにして、透明導電膜とＣｄＳ膜を各セル単
位に分割することにより、前記単セル相互間を確実に電
気的に絶縁された状態にすることができる。この上に、
ＣｄＴｅ膜を所定のパターンで形成することにより、セ
ル相互間の分離抵抗が大きいセル群を構成できる。
電池の製造工程において、透光性絶縁基板上に透明導電
膜を製膜した後に、引き続いてＣｄＳ膜を製膜し、その
後所定のパターンでレーザビームを照射して、照射され
たレーザビームの吸収熱によって、照射された部分のＣ
ｄＳ膜および下地の透明導電膜を蒸発させて除去するこ
とを特徴とするものである。これによって、各セルのＣ
ｄＳ膜と透明電極が同じ形状で積層されたパターンで、
ＣｄＳ膜と透明導電膜を同時に単セル単位に分割するこ
とができる。本発明は、従来の技術と比較して以下のよ
うな優れた作用効果を有する。第一に本発明では、透光
性絶縁基板上に製膜された透明導電膜とＣｄＳ膜を同時
に同じ形状でスクライブするので、透明導電膜が除去さ
れた部分の透光性基板上に、フッ素やインジウムが高濃
度に拡散して低抵抗化したＣｄＳが存在することはな
い。このようにして、透明導電膜とＣｄＳ膜を各セル単
位に分割することにより、前記単セル相互間を確実に電
気的に絶縁された状態にすることができる。この上に、
ＣｄＴｅ膜を所定のパターンで形成することにより、セ
ル相互間の分離抵抗が大きいセル群を構成できる。
【０００８】一方、前記のＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電池の
従来技術の場合には、透明導電膜をレーザビームにより
所定のパターンに分割した後、ＣｄＳ膜を形成し、その
上に、ＣｄＴｅ膜を所定のパターンで形成してセル群を
形成する。この場合には、ＣｄＳ膜が元来固有抵抗が大
きいので、ＣｄＳ膜をセル単位に分割せずにセル間の絶
縁を確保できるという考え方で電池が構成されている。
しかし、現実には、ＣｄＳ膜は、上記の理由で低抵抗化
することが避けられないので、透明導電膜を分割する際
に除去された部分に低抵抗化したＣｄＳが存在するため
に、セル相互間の分離抵抗が低下する問題があった。ま
た、この問題を回避するために、透明導電膜を分割した
後に製膜したＣｄＳ膜を、透明導電膜と全く同じパター
ンで分割しようとしても、このＣｄＳ膜を精度良く分割
することは事実上不可能であり、上記の問題は解決でき
なかった。以上のように、本発明によれば、透光性基板
上に形成したセル間の分離抵抗を高めることができ、こ
れらのセル群を直列接続することにより、セル間のリー
ク電流が低減された高効率の直列接続型太陽電池モジュ
ールを提供することができる。
従来技術の場合には、透明導電膜をレーザビームにより
所定のパターンに分割した後、ＣｄＳ膜を形成し、その
上に、ＣｄＴｅ膜を所定のパターンで形成してセル群を
形成する。この場合には、ＣｄＳ膜が元来固有抵抗が大
きいので、ＣｄＳ膜をセル単位に分割せずにセル間の絶
縁を確保できるという考え方で電池が構成されている。
しかし、現実には、ＣｄＳ膜は、上記の理由で低抵抗化
することが避けられないので、透明導電膜を分割する際
に除去された部分に低抵抗化したＣｄＳが存在するため
に、セル相互間の分離抵抗が低下する問題があった。ま
た、この問題を回避するために、透明導電膜を分割した
後に製膜したＣｄＳ膜を、透明導電膜と全く同じパター
ンで分割しようとしても、このＣｄＳ膜を精度良く分割
することは事実上不可能であり、上記の問題は解決でき
なかった。以上のように、本発明によれば、透光性基板
上に形成したセル間の分離抵抗を高めることができ、こ
れらのセル群を直列接続することにより、セル間のリー
ク電流が低減された高効率の直列接続型太陽電池モジュ
ールを提供することができる。
【０００９】第二には、透明導電膜とＣｄＳ膜を同時に
レーザビームによってスクライブすることにより、Ｃｄ
Ｓ膜上に殆どスクライブクズが堆積せず、僅かに堆積し
ても固着することがない。その理由は定かではないが、
レーザビームの照射により蒸発したＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3
とＣｄＳとが気相中で相互作用するためと考えられる。
そのため、透明導電性膜のみをレーザビームによりスク
ライブする従来技術の場合と異なり、純水等による洗浄
でスクライブクズを除去するなどの格別の除去操作を必
要としない。このため、工程が簡略化され、低コストの
太陽電池の製造が可能となる。
レーザビームによってスクライブすることにより、Ｃｄ
Ｓ膜上に殆どスクライブクズが堆積せず、僅かに堆積し
ても固着することがない。その理由は定かではないが、
レーザビームの照射により蒸発したＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3
とＣｄＳとが気相中で相互作用するためと考えられる。
そのため、透明導電性膜のみをレーザビームによりスク
ライブする従来技術の場合と異なり、純水等による洗浄
でスクライブクズを除去するなどの格別の除去操作を必
要としない。このため、工程が簡略化され、低コストの
太陽電池の製造が可能となる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明を具体的な実施例を挙げてよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００１１】《実施例１》図１（ａ）に示した３５ｃｍ
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に、
塩化錫水溶液にフッ酸を添加した溶液をスプレー法で吹
き付けた後、５５０℃で約２０分間加熱し、厚さ約６０
０ｎｍのＳｎＯ2膜１１を形成し、薄膜形成用基板１と
した。次に、硫黄結合を有する有機金属化合物であるイ
ソプロピルキサントゲン酸カドミウムを１−メチル−２
−ピロリドンに溶解させた溶液を調製し、これを前記薄
膜形成用基板１上のＳｎＯ2膜１１上に塗布し、これを
１１０℃で乾燥して溶媒を揮発させた。その後、大気中
にて４５０℃で３分間加熱して、前記有機金属化合物を
熱分解させることにより、厚さ７０ｎｍのＣｄＳ膜２を
製膜した。次に、Ｑスイッチ付きのＹＡＧレ−ザを用い
て、波長１．０６μｍ、周波数２ｋＨｚ、出力２Ｗ、焦
点距離２５ｍｍ、走査速度１００ｍｍ／秒の条件で、Ｃ
ｄＳ膜２とＳｎＯ2膜１１が４２セル分に分割されるパ
タ−ンのレーザービームを照射し、照射された部分のＣ
ｄＳ膜２とＳｎＯ2膜１１を蒸発させて除去し、両者の
膜２、１１のスクライブを同時に行った。これにより、
図１（ｂ）に示すように、ＣｄＳ薄膜２とＳｎＯ2膜１
１を同じパターンでセル単位に分割した。
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に、
塩化錫水溶液にフッ酸を添加した溶液をスプレー法で吹
き付けた後、５５０℃で約２０分間加熱し、厚さ約６０
０ｎｍのＳｎＯ2膜１１を形成し、薄膜形成用基板１と
した。次に、硫黄結合を有する有機金属化合物であるイ
ソプロピルキサントゲン酸カドミウムを１−メチル−２
−ピロリドンに溶解させた溶液を調製し、これを前記薄
膜形成用基板１上のＳｎＯ2膜１１上に塗布し、これを
１１０℃で乾燥して溶媒を揮発させた。その後、大気中
にて４５０℃で３分間加熱して、前記有機金属化合物を
熱分解させることにより、厚さ７０ｎｍのＣｄＳ膜２を
製膜した。次に、Ｑスイッチ付きのＹＡＧレ−ザを用い
て、波長１．０６μｍ、周波数２ｋＨｚ、出力２Ｗ、焦
点距離２５ｍｍ、走査速度１００ｍｍ／秒の条件で、Ｃ
ｄＳ膜２とＳｎＯ2膜１１が４２セル分に分割されるパ
タ−ンのレーザービームを照射し、照射された部分のＣ
ｄＳ膜２とＳｎＯ2膜１１を蒸発させて除去し、両者の
膜２、１１のスクライブを同時に行った。これにより、
図１（ｂ）に示すように、ＣｄＳ薄膜２とＳｎＯ2膜１
１を同じパターンでセル単位に分割した。
【００１２】次いで、近接昇華法により、図１（ｃ）に
示すように膜厚約６μｍのＣｄＴｅ膜３を製膜した。製
膜は、純度５ＮのＣｄＴｅ粉末を３５ｃｍ角のソース用
ガラス基板（コ−ニング＃１７３７）の上に敷き詰めて
粒子層を形成し、その粒子層の表面と薄膜形成用基板１
のＣｄＳ薄膜２面側とをスペーサーを挟み対向させて配
置して、アルゴン雰囲気中で行った。製膜条件は薄膜形
成用基板１の温度を６００℃、ソ−ス用ガラス基板の温
度を６３０℃、薄膜形成用基板１とソ−ス用基板の間隔
を２ｍｍ、製膜時間を２分間とした。製膜後、塩化カド
ミウムのメタノ−ル飽和溶液中に浸潰し、乾燥させた
後、大気中で４００℃の熱処理を２０分間行った。その
後、純水中で超音波洗浄を行った後、乾燥させた。次
に、マレイン酸系樹脂を有機溶媒に溶解させ、これにタ
ルクとシリカを主成分とするフィラーを分散させたレジ
スト用ペーストを、スクリーン印刷法により、ＣｄＴｅ
膜３上に所定のパターンで塗布した。これを１００℃で
１０分間熱処理して、図１（ｄ）に示すようにレジスト
膜３０を形成した。
示すように膜厚約６μｍのＣｄＴｅ膜３を製膜した。製
膜は、純度５ＮのＣｄＴｅ粉末を３５ｃｍ角のソース用
ガラス基板（コ−ニング＃１７３７）の上に敷き詰めて
粒子層を形成し、その粒子層の表面と薄膜形成用基板１
のＣｄＳ薄膜２面側とをスペーサーを挟み対向させて配
置して、アルゴン雰囲気中で行った。製膜条件は薄膜形
成用基板１の温度を６００℃、ソ−ス用ガラス基板の温
度を６３０℃、薄膜形成用基板１とソ−ス用基板の間隔
を２ｍｍ、製膜時間を２分間とした。製膜後、塩化カド
ミウムのメタノ−ル飽和溶液中に浸潰し、乾燥させた
後、大気中で４００℃の熱処理を２０分間行った。その
後、純水中で超音波洗浄を行った後、乾燥させた。次
に、マレイン酸系樹脂を有機溶媒に溶解させ、これにタ
ルクとシリカを主成分とするフィラーを分散させたレジ
スト用ペーストを、スクリーン印刷法により、ＣｄＴｅ
膜３上に所定のパターンで塗布した。これを１００℃で
１０分間熱処理して、図１（ｄ）に示すようにレジスト
膜３０を形成した。
【００１３】次に、濃硝酸溶液中に２分間浸漬して、レ
ジスト膜３０が形成されていない部分のＣｄＴｅ膜３
を、図１（ｅ）に示すように、エッチングにより除去し
た。その後、純水中で１０分間洗浄し、水酸化カリウム
の１モル溶液中に５分間浸漬して、前記レジスト膜３０
を除去し、純水中で１０分間洗浄した後、乾燥させた。
こうして図１（ｆ）に示すように、各セル毎に分割され
たＣｄＴｅ膜を形成した。次に、銅を微量添加したカ−
ボンペーストをスクリ−ン印刷法により、ＣｄＴｅ膜３
上に塗布した後、乾燥させ、３９０℃で３０分加熱し
て、カーボン膜４を形成すると同時に銅をＣｄＴｅ膜３
中に拡散させた。さらに、カーボン膜４から隣接するセ
ルのＣｄＳ膜２にかけて銀・インジウムを含むペースト
をスクリ−ン印刷法で塗布し、乾燥して銀・インジウム
膜５を形成して各セルを電気的に接続すると共に、両端
のセルにモジュールの正・負極端子となる銀・インジウ
ム膜５を同様に形成して、図１（ｇ）に示す構造の４２
セル直列の太陽電池モジュールを作製した。
ジスト膜３０が形成されていない部分のＣｄＴｅ膜３
を、図１（ｅ）に示すように、エッチングにより除去し
た。その後、純水中で１０分間洗浄し、水酸化カリウム
の１モル溶液中に５分間浸漬して、前記レジスト膜３０
を除去し、純水中で１０分間洗浄した後、乾燥させた。
こうして図１（ｆ）に示すように、各セル毎に分割され
たＣｄＴｅ膜を形成した。次に、銅を微量添加したカ−
ボンペーストをスクリ−ン印刷法により、ＣｄＴｅ膜３
上に塗布した後、乾燥させ、３９０℃で３０分加熱し
て、カーボン膜４を形成すると同時に銅をＣｄＴｅ膜３
中に拡散させた。さらに、カーボン膜４から隣接するセ
ルのＣｄＳ膜２にかけて銀・インジウムを含むペースト
をスクリ−ン印刷法で塗布し、乾燥して銀・インジウム
膜５を形成して各セルを電気的に接続すると共に、両端
のセルにモジュールの正・負極端子となる銀・インジウ
ム膜５を同様に形成して、図１（ｇ）に示す構造の４２
セル直列の太陽電池モジュールを作製した。
【００１４】《比較例１》図１（ａ）に示した３５ｃｍ
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に厚
さ約６００ｎｍのＳｎＯ2膜１１を実施例１と同様の方
法で形成した後、これを実施例１の場合と同条件でレ−
ザ−スクライブを行って、４２セル分に分割された透明
電極を形成した。次いで、実施例１と同様にして、厚さ
７０ｎｍのＣｄＳ薄膜２を製膜した。その後、このＣｄ
Ｓ膜２を分割することなく、ＣｄＴｅ膜３を形成した以
外は、ＣｄＴｅ膜３製膜後の工程を実施例１と同様にし
て、図２に示す構造の４２セル直列接続の太陽電池を作
製した。
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に厚
さ約６００ｎｍのＳｎＯ2膜１１を実施例１と同様の方
法で形成した後、これを実施例１の場合と同条件でレ−
ザ−スクライブを行って、４２セル分に分割された透明
電極を形成した。次いで、実施例１と同様にして、厚さ
７０ｎｍのＣｄＳ薄膜２を製膜した。その後、このＣｄ
Ｓ膜２を分割することなく、ＣｄＴｅ膜３を形成した以
外は、ＣｄＴｅ膜３製膜後の工程を実施例１と同様にし
て、図２に示す構造の４２セル直列接続の太陽電池を作
製した。
【００１５】《比較例２》図１（ａ）に示した３５ｃｍ
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に厚
さ約６００ｎｍのＳｎＯ2膜１１を実施例１と同様の方
法で形成した後、これを実施例１の場合と同条件でレ−
ザ−スクライブを行って、４２セル分に分割された透明
電極を形成した。次いで、実施例１と同様にして、厚さ
７０ｎｍのＣｄＳ薄膜２を製膜した。次いで、純水の流
水中でナイロン製のブラシで洗浄した後、乾燥させた。
その後、このＣｄＳ膜２を分割することなく、ＣｄＴｅ
膜３を形成した以外は、ＣｄＴｅ膜３製膜後の工程を実
施例１と同様にして、図２に示す構造の４２セル直列接
続の太陽電池を作製した。
角のガラス基板１０（コ−ニング＃１７３７）の上に厚
さ約６００ｎｍのＳｎＯ2膜１１を実施例１と同様の方
法で形成した後、これを実施例１の場合と同条件でレ−
ザ−スクライブを行って、４２セル分に分割された透明
電極を形成した。次いで、実施例１と同様にして、厚さ
７０ｎｍのＣｄＳ薄膜２を製膜した。次いで、純水の流
水中でナイロン製のブラシで洗浄した後、乾燥させた。
その後、このＣｄＳ膜２を分割することなく、ＣｄＴｅ
膜３を形成した以外は、ＣｄＴｅ膜３製膜後の工程を実
施例１と同様にして、図２に示す構造の４２セル直列接
続の太陽電池を作製した。
【００１６】次いで、本発明の効果を確認するために、
実施例１および比較例１、２で作製した太陽電池につい
て、ＡＭ；１．５，１００ｍＷ／ｃｍ2の条件下で短絡
電流密度、開放電圧、および出力特性の良否の判断基準
となるフィルファクタを測定した。さらに、隣接するセ
ルの＋側と−側の電極間抵抗（セル間抵抗）を測定し
て、スクライブ部の分離抵抗を評価した。それらの結果
を比較して表１に示す。
実施例１および比較例１、２で作製した太陽電池につい
て、ＡＭ；１．５，１００ｍＷ／ｃｍ2の条件下で短絡
電流密度、開放電圧、および出力特性の良否の判断基準
となるフィルファクタを測定した。さらに、隣接するセ
ルの＋側と−側の電極間抵抗（セル間抵抗）を測定し
て、スクライブ部の分離抵抗を評価した。それらの結果
を比較して表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１から分かるように、まず、本発明によ
る実施例１によって高性能の太陽電池が作製できること
は、各特性を比較例１及び比較例２と比較すれば明らか
である。比較例１においては、前記のセル間のリークと
スクライブクズに起因したＣｄＳ膜のピンホールとによ
り性能が大きく低下し、比較例２では、セル間のリーク
によって性能が低下したものと考えられる。一方、実施
例１では、これらに起因する性能劣化が抑止されたた
め、各特性とも良好な値を示したものと考えられる。こ
れらのことから、本発明が高効率の太陽電池を提供する
手段として極めて効果的であることが立証された。
る実施例１によって高性能の太陽電池が作製できること
は、各特性を比較例１及び比較例２と比較すれば明らか
である。比較例１においては、前記のセル間のリークと
スクライブクズに起因したＣｄＳ膜のピンホールとによ
り性能が大きく低下し、比較例２では、セル間のリーク
によって性能が低下したものと考えられる。一方、実施
例１では、これらに起因する性能劣化が抑止されたた
め、各特性とも良好な値を示したものと考えられる。こ
れらのことから、本発明が高効率の太陽電池を提供する
手段として極めて効果的であることが立証された。
【００１９】なお、以上の実施例では、有機金属からＣ
ｄＳ膜を形成したが、液相製膜法、近接昇華法、蒸着
法、スパッタリング法などの他の手法で製膜した場合に
も、本発明を適用して同様の効果が得られることを確認
した。
ｄＳ膜を形成したが、液相製膜法、近接昇華法、蒸着
法、スパッタリング法などの他の手法で製膜した場合に
も、本発明を適用して同様の効果が得られることを確認
した。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、透明導電
膜上にＣｄＳ膜を製膜した後に、レーザビームにより双
方の膜を同時にスクライブすることによって、セル間の
リークとＣｄＳ膜のピンホールが少ない高性能の太陽電
池を、生産性良く製造することができる。
膜上にＣｄＳ膜を製膜した後に、レーザビームにより双
方の膜を同時にスクライブすることによって、セル間の
リークとＣｄＳ膜のピンホールが少ない高性能の太陽電
池を、生産性良く製造することができる。
【図１】本発明の実施例における太陽電池の製造工程を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図２】比較例の太陽電池の模式断面図である。
１ 薄膜形成用基板 ２ 硫化カドミウム膜 ３ テルル化カドミウム膜 ４ カ−ボン膜 ５ 銀・インジウム膜 １０ ガラス基板 １１ 二酸化錫膜 ３０ レジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性絶縁基板上に、透明導電膜および
硫化カドミウム膜を順次形成する工程、および前記硫化
カドミウム膜上に所定のパターンのレーザビームを照射
して、前記レーザービームが照射された部分の硫化カド
ミウム膜およびその部分の下地の透明導電膜を同時に除
去することにより、前記透明導電膜および硫化カドミウ
ム膜を各セル単位に分割する工程を有することを特徴と
する太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157584A JPH11354818A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 太陽電池の製造方法 |
| EP99109370A EP0962990A3 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-01 | Method of fabricating a solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157584A JPH11354818A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354818A true JPH11354818A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15652904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10157584A Pending JPH11354818A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0962990A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11354818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022517551A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-03-09 | 無錫極電光能科技有限公司 | ペロブスカイトソーラーモジュール及びその作製方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007034644A1 (de) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Laserstrukturierung von Solarzellen |
| CN102263155B (zh) * | 2010-05-25 | 2013-05-08 | 亚洲太阳科技有限公司 | 薄膜太阳能电池芯片工艺方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2676755B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1997-11-17 | 神鋼電機株式会社 | 電子ビーム発生装置 |
| DE4132882C2 (de) * | 1991-10-03 | 1996-05-09 | Antec Angewandte Neue Technolo | Verfahren zur Herstellung von pn CdTe/CdS-Dünnschichtsolarzellen |
| US5714391A (en) * | 1995-05-17 | 1998-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP10157584A patent/JPH11354818A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-01 EP EP99109370A patent/EP0962990A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022517551A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-03-09 | 無錫極電光能科技有限公司 | ペロブスカイトソーラーモジュール及びその作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0962990A3 (en) | 2000-05-10 |
| EP0962990A2 (en) | 1999-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040610 |