JP4796947B2 - 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents

集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4796947B2
JP4796947B2 JP2006335721A JP2006335721A JP4796947B2 JP 4796947 B2 JP4796947 B2 JP 4796947B2 JP 2006335721 A JP2006335721 A JP 2006335721A JP 2006335721 A JP2006335721 A JP 2006335721A JP 4796947 B2 JP4796947 B2 JP 4796947B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
conductive material
substrate
layer
integrated thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006335721A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007165903A (ja
Inventor
ケンス リム
ソンウォン クォン
ジュンファン クァク
サンイル パク
ジファン ヤン
サンファン キム
ユジン リ
ジンクグ シン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Original Assignee
Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST filed Critical Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
Publication of JP2007165903A publication Critical patent/JP2007165903A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4796947B2 publication Critical patent/JP4796947B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

本発明は、集積型薄膜太陽電池（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ）に関し、さらに詳細には、集積型太陽電池の製造工程で発生する面積の損失を最小化し、低コストの工程で製造可能な集積型薄膜太陽電池及びその製造方法に関する。
太陽電池は、太陽光熱エネルギーを直接電気に変換させる半導体素子であって、これに用いられる材料によって、大きくシリコン系、化合物系、有機物系に分類することができる。
そして、シリコン系太陽電池は、半導体の相（ｐｈａｓｅ）に応じて、細部的に単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）シリコン太陽電池、多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）シリコン太陽電池、非晶質（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）シリコン太陽電池に分類される。
また、太陽電池は、半導体の厚さに応じてバルク（基板）型太陽電池と薄膜型太陽電池に分類されるが、薄膜型太陽電池は、半導体層の厚さが数１０μｍ〜数μｍ以下の太陽電池である。
シリコン系太陽電池における単結晶及び多結晶シリコン太陽電池はバルク型に属し、非晶質シリコン太陽電池は薄膜型に属する。
一方、化合物系太陽電池は、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＡｓ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ）とＩｎＰ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）などのバルク型、ＩＩ−ＶＩ族のＣｄＴｅ（Ｃａｄｍｉｕｍ Ｔｅｌｌｕｒｉｄｅ）、及びＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族のＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ；Ｃｏｐｐｅｒ Ｉｎｄｉｕｍ Ｄｉｓｅｌｅｎｉｄｅ）などの薄膜型に分類され、有機物系太陽電池は、大きく有機分子型と有無機複合型がある。この他に染料感応型太陽電池があり、これら全てが薄膜型に属する。
このように、様々な種類の太陽電池の中で、エネルギー変換効率が高く、かつ、製造費用の相対的に低廉なバルク型シリコン太陽電池が、主に地上電力用として幅広く活用されてきている。
しかしながら、最近では、バルク型シリコン太陽電池の需要急増に伴う原料の不足現象により、コストアップにつながっているのが現状である。そのため、大規模な地上電力用太陽電池の低コスト化及び量産化技術の開発のためには、シリコン原料を現在の数百分の１に低減可能な薄膜型太陽電池の開発が切実に求められている。
図１は、従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図であり、図２は、従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池（半導体）層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。
同図に示すように、従来の集積型薄膜太陽電池１は、ガラス基板又は透明プラスチック基板１０（以下、「透明基板」と記す）上に複数の単位セル２０が直列接続して集積化した構造からなる。
したがって、集積型薄膜太陽電池は、絶縁体である透明基板１０の上に互いに断絶（絶縁）され、帯状に形成された透明電極２２と、透明電極２２を覆って帯状に形成された単位太陽電池（半導体）層２４、太陽電池層２４を覆って帯状に形成された金属裏面電極層２６からなり、切断（絶縁）された複数の単位セル２０が互いに直列接続した構造を有する。そして、太陽電池の電気的な短絡防止及び保護を目的として、樹脂からなる裏面保護膜層３０が金属裏面電極２６を覆って形成される構成を有する。
このような構造の集積型薄膜太陽電池１を製作するためには、レーザパターニング法と、化学的気化加工（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ ｍａｃｈｉｎｉｎｇ；ＣＶＭ）と、金属針による機械的スクライビング法などが通常用いられている。
レーザパターニング法は、主にＹＡＧレーザビームを用いて、透明電極２２と、太陽電池（半導体）層２４、金属裏面電極層２６などをエッチングする技術である。詳細な使用方法は、以下の通りである。
図２に示すように、透明基板１０上に最初に形成される透明電極２２を大気状態でレーザビームを利用してエッチングした後、２回目に形成される太陽電池（半導体）層２４を大気状態でレーザビームを利用して切断（絶縁）し、最後に形成される金属裏面電極層２６を再び大気状態でレーザパターニングによりエッチングすることによって、太陽電池を直列接続させて集積型太陽電池の単位セルを形成する。
以下、このようなレーザパターニング法の問題点を指摘する。
まず、透明基板１０の上部全面に形成された透明電極２２を、図２に示すように、レーザパターニング法により切断して、一定の幅を有する帯状に切断（絶縁）させると、加工された切断幅は、通常、５０μｍ〜数１００μｍ程度になる。
ところが、透明電極２２の形成後に形成される太陽電池（半導体）層２４の形成工程がほとんど真空状態で行われることに対し、この太陽電池（半導体）層２４を切断するためのレーザパターニングは大気状態で行われる。したがって、真空中での連続的な工程を行うことができないので、製造装置の稼動効率が低下するようになる。結局、このような工程は、太陽電池のコストを上げる要因として作用する。また、太陽電池層２４のエッチングのために基板を大気中に露出するため、水分及び汚染物質の付着により、太陽電池の単位セルの特性が低下するという問題が発生する恐れがある。
その次のステップとして、通常のスパッタリング法により、金属裏面電極２６を真空中で形成し、再度大気中でレーザパターニングして、集積型太陽電池の単位セルを製作するようになるが、このような工程も、上記のような工程の連続性と汚染という問題を引き起こす恐れがある。そして、透明電極２２及び太陽電池（半導体）層２４の切断のために実施される２回のレーザパターニングと、金属裏面電極２６を切断すると同時に太陽電池を直列接続するために実施される１回のレーザパターニングの合計３回にわたって、レーザパターニングにより消失する太陽電池の単位セル２０と単位セル２０間の無効面積（切断幅）が広くなる。これにより、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。また、パターニングのためのレーザ装備が高価であり、正確な位置でパターニングするためには精密な位置制御システムが必要なため、これによって製造単価が上昇するという問題がある。
一方、化学的気化加工法は、ＳＦ６／Ｈｅなどのガスを利用して基板の上部に近接してグリッド（ｇｒｉｄ）状に配列された直径数十μｍの線電極の周辺に常圧のプラズマを局部的に発生させることによって、太陽電池（半導体）層を均一な幅を有する複数の単位セルとして一度に切断する技術である。
このような化学的気化加工法は、工程時間が短く、膜の選択性に優れており、レーザパターニング法に比べて膜の損傷（ｄａｍａｇｅ）を少なくすることができるという特徴がある。また、レーザパターニング法とは異なり、真空状態でエッチングを行うため、レーザパターニング法で問題となる大気状態における基板の露出により発生する太陽電池の性能低下を防止することができ、レーザパターニング法に比べて製造単価を低減することができるという利点がある。
しかしながら、パターニングされた透明電極に合せて正確な位置でエッチングを行わなければならないため、真空装置中で位置を正確に制御可能な精密位置制御システムが必要である。このような点は、大面積の基板を使用して太陽電池を製作する際に極めて難しい問題となる。また、エッチングできる間隔は最小２００μｍ程度であって、レーザパターニング法による絶縁間隔より広いので、太陽電池の有効面積の損失が大きくなるという問題がある。
一方、さらに他のエッチング方法として、機械的なスクライビング法がある。この方法は、複数の金属針により、必要な単位セル数に対応して一括したスクライビングが可能であり、レーザパターニング方に比べて拡張性及び高速処理への適応性が高い。また、この方法は、装置及び運転コストが上述の２つの方法に比べて最も低廉なエッチング法である。
モリブデン（Ｍｏ）に比べて相対的に柔らかなＣｄＳ／ＣＩＳ層は、スクライビング法により容易にスクライビングすることができるため、この機械的なスクライビング法はＣＩＳ太陽電池の製作に広く用いられている。
しかしながら、既存の機械的なスクライビング法も、太陽電池（半導体）層にのみ限定して用いられるので、裏面電極として用いられるモリブデン（Ｍｏ）、及び前面電極として用いられるＺｎＯをエッチングするためには、レーザパターニング装備及び正確な位置制御のための精密位置制御装置などが必要であるという問題がある。
そこで、本発明は、上述の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を減らして太陽電池の有効面積を広め、電極形成後の全ての工程が真空中で行われるようにし、簡単な工程で太陽電池の単位素子を直列接続して、集積型薄膜太陽電池を提供することにある。
本発明の他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、性能低下を防止し、製造単価を低減するための製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上述の集積型薄膜太陽電池の性能低下が無視できる程度に小さく、かつ所望の高電圧を１つの単位セルで得ることができる集積型薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。
本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、前記ステップ（ｄ）による基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と、前記第１導電性物質と隣り合う前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と、を含む。
ここで、前記第１乃至第３導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
ここで、前記ステップ（ｅ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
ここで、前記ステップ（ａ）が、前記基板上に薄膜の前記第１導電性物質を形成するステップ（ａ−１）と、前記第１導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ（ａ−２）と、前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第１導電性物質をエッチングするステップ（ａ−３）と、前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ（ａ−４）と、をさらに含む。
ここで、前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する。
ここで、前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質がメサ（ｍｅｓａ）エッチングされ、傾斜した断面を有する。
ここで、前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質が異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる。
ここで、前記ステップ（ｄ）において、前記太陽電池（半導体）層が垂直方向にエッチングされる。
ここで、前記ステップ（ｄ）において、前記太陽電池（半導体）層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる。
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、前記ステップ（ｄ）による基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と、前記第１導電性物質と隣り合う前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と、を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法により単位素子間が電気的に直列接続されている。
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｂ）と、前記ステップ（ｂ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｃ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第３導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｄ）と、前記第３導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｅ）と、前記ステップ（ｅ）による基板上に、第４導電性物質を斜めに蒸着して、前記第２導電性物質と、前記第２導電性物質と隣り合う前記第３導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｆ）と、を含む。
ここで、前記第１乃至第４導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
ここで、前記ステップ（ｆ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｂ）と、前記ステップ（ｂ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｃ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第３導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｄ）と、前記第３導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｅ）と、前記ステップ（ｅ）による基板上に、第４導電性物質を斜めに蒸着して、前記第２導電性物質と、前記第２導電性物質と隣り合う前記第３導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｆ）と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池の製造方法は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第１導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、前記ステップ（ｄ）による基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と、を含む。
ここで、前記第１乃至第３導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である。
ここで、前記基板の凹凸が、ホットエンボス（ｈｏｔ−ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）法により形成される。
ここで、前記ステップ（ｅ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる。
ここで、前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である。
また、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第１導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ａ）と、前記ステップ（ａ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、前記ステップ（ｄ）による基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と、を含む集積型薄膜太陽電池の製造方法により、単位素子間が電気的に直列接続されている。
本発明の構成によれば、既存のレーザパターニング及び化学的気化加工法に比べて、集積型薄膜太陽電池の単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるため、太陽電池の有効面積を極大化することができ、これにより、太陽電池の性能を向上させることができるという効果がある。
また、自己整列が可能であるため、正確な位置制御装置が不要になり、透明電極の加工時には印刷法を利用することにより、レーザ、精密位置制御システムなどの高価装備が不要になるので、これに伴う製造単価を低減することができる。また、透明電極形成後の全ての工程が真空中で行われるため、大気状態に露出することによる太陽電池の性能低下を防止することができるという効果がある。
以下では、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
一方、本発明での基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板の意味で用いられ、以下では、説明の便宜上、基板が導電性である場合と絶縁性である場合に分けて説明する。
したがって、本発明の請求項に記載された基板は、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性の基板の意味を含む。ここで、絶縁膜が使用されるのは、基板が導電性である場合、他の導電性物質と電気的に接続されるからである。
（１）絶縁性基板に２回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図３は、本発明に係る一実施形態における、絶縁性基板１０１に２回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板１０１上に傾斜断面を有する導電性物質１０２と、太陽電池（半導体）層１０３、第１透明導電性物質１０４、第２透明導電性物質１０５が順に積層された構造を有する。
すなわち、導電性物質１０２は、左右に隣接している導電性物質１０２間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。太陽電池（半導体）層１０３及び第１透明導電性物質１０４は、パターニングされた導電性物質１０２上に蒸着される。第２透明導電性物質１０５は第１透明導電性物質１０４上に位置し、隣接している一方の導電性物質１０２と接触し、電気的に直列接続する構造を形成する。
このとき、導電性物質１０２のパターニングされた側部は、同図に示すように、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板１０１に対して垂直な断面であってもよい。
このような本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
図４〜図１０は、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造するための工程ステップを順次に示す断面図である。
まず、図４は、本発明に係る一実施形態におけるパターニングされた導電性物質１０２が形成された絶縁性基板１０１の断面図である。
同図に示すように、本発明に係る一実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板１０１上にパターニングされた導電性物質１０２を形成する。
ここで、絶縁性基板１０１は、透明基板又は不透明基板である。導電性物質１０２は、酸化亜鉛（ＺｎＯ））、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ））のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
そして、パターニングされた導電性物質１０２は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れも場合であってもよい。
このような導電性物質１０２をパターニングする工程は、図５に示すように、絶縁性基板１０１上に薄膜の導電性物質層１０２を形成し、導電性物質層１０２上には、印刷法でフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）又はポリマー１０２ａを塗布する。ここで、該フォトレジスト又はポリマー１０２ａの粘性の度合を調節して、互いに一定距離に離間するように塗布する。塗布の後、フォトレジスト又はポリマー１０２ａをマスクとして、導電性物質１０２をエッチングし、フォトレジストタ又はポリマー１０２ａを除去する。
このとき用いられる印刷法として、印刷装置が最も簡単で、かつ、廉価の工程で簡便にパターン化されたフォトレジスト、ポリマー薄膜を塗布することが可能なスクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法、最も高精細なパターン形成が可能なグラビア印刷（ｇｒａｖｕｒｅ ｐｒｅｓｓ）法などを利用する。
そして、導電性物質１０２をエッチングする場合、異方性エッチング法、または等方性エッチング法を利用する。等方性エッチング法を利用した場合、図４に示すように、両側部が曲線で湾曲した傾斜面であり、下部へ行くほどその幅が大きくなるパターンに導電性物質１０２を形成することができる。
また、異方性エッチング法を利用した場合、図６ａ及び図６ｂに示すように、基板に対して垂直な断面、または、一定の勾配を有する傾斜した断面を有するパターンに導電性物質１０２を形成することができる。
このように、本発明に係る一実施形態における導電性物質１０２をエッチングする工程に各印刷法の原理を活用すると、高密度パターンの印刷が可能であり、薄膜の均質性が良く、比較的工程が簡単であり、かつ既存の工程で必要であったレーザパターニングのための高価な装備が不要になるから、製造単価を低減することができる。
さらに、導電性物質１０２をパターニングするための上述の方法以外に、所定のフォトレジストが光を受けると化学反応を起こして性質が変化する原理を利用したフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を活用することによって、印刷法により塗布されたポリマーの代りに、フォトレジストを形成して実現することもできる。
また、導電性物質膜製造用原料を含有したゾル−ゲル溶液をインクのように使用し、印刷法を活用することによって、上述の印刷法またはフォトリソグラフィを利用したフォトレジストやポリマーパターンを使用することなく、導電性物質膜を基板上に直接塗布することができる。このような方法は、マスク作業によるエッチング工程を行うことなく、帯状にパターン化された導電性物質を低温工程により直接形成することが可能である。
ここで、上述の第２導電性物質４０３をパターニングしてエッチングする技術は、既に本出願人が韓国特許出願第２００５−００２１７７１号「集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法及びその構造、その透明電極が形成された透明基板」で出願した内容である。なお、ここでの透明電極は、導電性物質を意味する。
次に、図７は本発明に係る一実施形態における太陽電池（半導体）層１０３が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップでパターニングされた導電性物質１０２上、基板１０１の表面形状に沿って太陽電池層１０３を形成する。
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、または乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、いずれか１つ以上を利用することができる。
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ（ａ−Ｓｉ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン多重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ ｍｕｌｔｉ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ−ｇｅｒｍａｎｉｕｍ（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム／非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｔｒｉｐｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、または非晶質シリコン／マイクロ結晶シリコン（多結晶シリコン）二重接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ／ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ（ｐｏｌｙ） ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、及びプロト結晶（ｐｒｏｔｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
図８は、本発明に係る一実施形態における第１透明導電性物質１０４が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層１０３上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着することにより、第１透明導電性物質１０４を形成する。
このとき、第１透明導電性物質１０４は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、図８に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を介して第１角度θ１分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ａにより、第１透明導電性物質１０４が太陽電池層１０３上に薄い薄膜として蒸着され、傾斜面を含む一部分１ａには、第１透明導電性物質１０４が形成されない。このような傾斜面を含む一部分１ａは、下記のステップでエッチングされる区間である。
図９ａ及び図９ｂは、本発明に係る一実施形態における第１透明導電性物質１０４をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。ここで、導電性物質１０２の断面形状に応じて、３種類の方法に区分することができる。
すなわち、図９ａ及び図９ｂに示すように、導電性物質１０２、１０２´の断面が傾斜面である場合、図７の工程により蒸着された第１透明導電性物質１０４をマスクとして、太陽電池層１０３を垂直方向にエッチングする。エッチングの際、反応性イオンエッチング法（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）などのようなドライエッチング工程を利用することが好ましい。
そして、図９ｃに示すように、導電性物質１０２´´が垂直な断面である場合には、図７の工程で蒸着された第１透明導電性物質１０４をマスクとして、太陽電池層１０３を基板に対して一定の第２角度θ２分傾斜した方向にエッチングする。
なお、説明していない符号１ｂ、１ｃは、傾斜断面又は垂直断面を有する透明電極１０２´、１０２´´上に蒸着された第１透明導電性物質１０４が形成されない区間であって、下記のステップでエッチングされる部分である。
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく太陽電池層１０３の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μｍ〜数μｍ程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができることから、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
最後に、図１０ａは、図９ａに示す工程によってエッチングされた第１透明導電性物質１０４上に第２透明導電性物質１０５を形成する工程を示す図であり、図１０ｂは、図９ｃに示す工程によってエッチングされた第１透明導電性物質１０４上に第２透明導電性物質１０５を形成する工程を示す図である。図９ｂに示す工程によってエッチングされた第１透明導電性物質１０４上に第２透明導電性物質１０５を形成する工程は、図１０ａに示す工程と同様なので、その説明を省略する。
図１０ａ及び図１０ｂに示すように、前段階のエッチング工程により、単位素子間に所定の絶縁間隔が形成された状態で、第１透明導電性物質１０４を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第２透明導電性物質１０５を形成する。
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第２透明導電性物質１０５を所定の第３角度θ３（図１０ａ）、第４角度θ４（図１０ｂ）分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｂ（図１０ａ）、２ｃ（図１０ｂ）により、第１透明導電性物質１０４上に薄い薄膜として形成され、斜めな第３角度θ３により、傾斜面の一部分１ｄ（図１０ａ）には、第２透明導電性物質１０５が形成されない。
このとき、第２透明導電性物質１０５は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の導電性物質１０２とこれと隣接した右側の単位素子の第２透明導電性物質１０５が互いに接続されると共に、左側の単位素子の太陽電池（半導体）層１０３と右側の単位素子の第２透明導電性物質１０５とが、互いに単位素子間で電気的に直列接続した状態となる。
透明導電性物質は導電性が小さいため、第２透明導電性物質１０５が蒸着された後に、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
金属は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列（ｓｅｌｆ−ａｌｉｎｇｍｅｎｔ）により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
（２）導電性基板に２回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図１１は、本発明に係る他の実施形態であって、導電性基板１０１に２回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
図１１の（ａ）において、導電性基板１０１上に絶縁膜１０１ａを形成する。図１１の（ｂ）において、絶縁膜１０１ａ上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた導電性物質１０２を形成する。
図１１の（ｃ）において、導電性物質１０２が形成された基板上に、太陽電池（半導体）層１０３を形成する。
図１１の（ｄ）において、太陽電池層１０３上に第１透明導電性物質１０４を斜めに蒸着させた後、図１１の（ｅ）において、第１透明導電性物質１０４をマスクとして、太陽電池層１０３をエッチングする。
図１１の（ｆ）において、太陽電池層１０３がエッチングされた基板上に第２透明導電性物質１０５を斜めに蒸着して、導電性物質１０２と第２透明導電性物質１０５とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１１の（ｆ）に示すように、本発明に係る他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板１０１上に絶縁膜１０１ａ、導電性物質１０２と、太陽電池（半導体）層１０３、第１透明導電性物質１０４、第２透明導電性物質１０５が順に積層された構造を有する。
すなわち、導電性物質１０２は、左右に隣接している導電性物質１０２間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成される。太陽電池（半導体）層１０３及び第１透明導電性物質１０４は、パターニングされた導電性物質１０２上に蒸着される。第２透明導電性物質１０５は、第１透明導電性物質１０４上に位置し、隣接している一方向の導電性物質１０２と接触し、単位素子間で電気的に直列接続する構造を形成する。
このとき、導電性物質１０２のパターニングされた側部は、一定の勾配を有する傾斜断面であるが、これに限定されず、湾曲する傾斜断面、又は基板１０１に対して垂直な断面であってもよい。
図１１の（ａ）に示すように、基板１０１が導電性であるため、基板１０１上に絶縁膜１０１ａを形成しなければならない。その他の太陽電池の詳細な形成関係及び形成内容は、上述の「（１）絶縁性基板に２回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
（３）絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図１２は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、絶縁性基板２０１に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
図１２の（ｂ）に示すように、絶縁性基板２０１上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第１導電性物質２０２を形成する。
図１２の（ｃ）において、第１導電性物質２０２が形成された基板上に、第２導電性物質２０３を斜めに蒸着させる。
図１２の（ｄ）において、第２導電性物質２０３が蒸着された基板上に、太陽電池（半導体）層２０４を形成する。
図１２の（ｅ）において、太陽電池層２０４上に第１透明導電性物質２０５を斜めに蒸着させた後、図１２の（ｆ）において、第１透明導電性物質２０５をマスクとして、太陽電池層２０４をエッチングする。
図１２の（ｇ）において、太陽電池層２０４がエッチングされた基板上に、第２透明導電性物質２０６を斜めに蒸着して、第２導電性物質２０３と第２透明導電性物質２０６とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１２の（ｇ）に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、絶縁性基板２０１上に第１導電性物質２０２、第２導電性物質２０３と、太陽電池（半導体）層２０４、第１透明導電性物質２０５、第２透明導電性物質２０６が順に積層された構造を有する。
すなわち、第１導電性物質２０２は、左右に隣接している第１導電性物質２０２間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第１導電性物質２０２のパターニングされた側部は、同図に示すように、基板２０１に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
第１透明導電性物質２０５上に位置した第２透明導電性物質２０６は、隣接している一方の第２導電性物質２０３と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
このような本発明の集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、以下の通りである。
図１２の（ｂ）に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、絶縁性基板２０１上にパターニングされた第１導電性物質２０２を形成する。
ここで、絶縁性基板２０１は、透明基板又は不透明基板である。
そして、パターニングされた第１導電性物質２０２は、表面凹凸のある場合と、表面凹凸のない場合の何れの場合であってもよい。
次に、図１２の（ｃ）に示すように、第２導電性物質２０３は、第１導電性物質２０２がパターニングされた基板上に第５角度θ５で斜めに蒸着する。第５角度θ５分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｄにより、第２導電性物質２０３が第１導電性物質２０２上に薄い薄膜として蒸着され、第１導電性物質２０２の一側の垂直面及び第５角度θ５による一部分１ｄには、第２導電性物質２０３が形成されない。
ここで、第１、第２導電性物質２０２、２０３は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
図１２の（ｄ）は、太陽電池層２０４が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで第２導電性物質２０３が蒸着された表面形状に沿って太陽電池層２０４を形成する。
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池、及び有無機複合型太陽電池のうち、何れか１つ以上を利用することができる。
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ（ａ−Ｓｉ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン多重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ ｍｕｌｔｉ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ−ｇｅｒｍａｎｉｕｍ（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム／非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｔｒｉｐｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、または非晶質シリコン／マイクロ結晶シリコン（多結晶シリコン）二重接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ／ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ（ｐｏｌｙ） ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、及びプロト結晶（ｐｒｏｔｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
図１２の（ｅ）は、第１透明導電性物質２０５が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層２０４上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第１透明導電性物質２０５を形成する。
このとき、第１透明導電性物質２０５は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、図１２の（ｅ）に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して第１透明導電性物質２０５を第６角度θ６分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｅにより、第１透明導電性物質２０５が太陽電池層２０４上に薄膜として形成されるが、太陽電池層２０４の一側の垂直面及び第６角度θ６による一部分１ｅには、第１透明導電性物質２０５が形成されない。このような傾斜面を含む一部分１ｅは、下記のステップでエッチングされる区間である。
図１２の（ｆ）は、第１透明導電性物質２０５をマスクとして、垂直エッチングした状態の断面図である。
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層２０４の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μｍ〜数μｍ程度に実現することがでる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
図１２の（ｇ）は、第１透明導電性物質２０５上に第２透明導電性物質２０６を形成する工程を示す図である。
図１２の（ｇ）に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第１透明導電性物質２０５を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第２透明導電性物質２０６を形成する。
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第２透明導電性物質２０６を第７角度θ７分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｆにより、第１透明導電性太陽電池層の一側の垂直面及び傾斜角による一部分１ｅを除いた部分に、第２透明導電性物質２０６が形成される。
このとき、第２透明導電性物質２０６は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第２透明導電性物質２０６と、これと隣接した右側の単位素子の第２導電性物質２０３とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
透明導電性物質は導電性が小さいため、第２透明導電性物質２０６が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。なお、透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
金属は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又はアルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列（ｓｅｌｆ−ａｌｉｎｇｍｅｎｔ）により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池を製造することが可能になる。
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「（１）絶縁性基板に２回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
（４）導電性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図１３は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、導電性基板２０１に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
図１３の（ａ）において、導電性基板２０１上に絶縁膜２０１ａを形成する。
図１３の（ｂ）において、絶縁膜２０１ａ上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた第１導電性物質２０２を形成する。
図１３の（ｃ）において、第１導電性物質２０２が形成された基板上に、第２導電性物質２０３を斜めに蒸着させる。
図１３の（ｄ）において、第２導電性物質２０３が蒸着された基板上に、太陽電池（半導体）層２０４を形成する。
図１３の（ｅ）において、太陽電池層２０４上に第１透明導電性物質２０５を斜めに蒸着させた後、図１３の（ｆ）において、第１透明導電性物質２０５をマスクとして、太陽電池層２０４をエッチングする。
図１３の（ｇ）において、太陽電池層２０４がエッチングされた基板上に、第２透明導電性物質２０６を斜めに蒸着して、第２導電性物質２０３と第２透明導電性物質２０６とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１３の（ｇ）に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池は、導電性基板２０１上に絶縁膜２０１ａ、第１導電性物質２０２、第２導電性物質２０３と、太陽電池（半導体）層２０４、第１透明導電性物質２０５、第２透明導電性物質２０６が順に積層された構造を有する。
すなわち、第１導電性物質２０２は、左右に隣接している第１導電性物質２０２間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。第１導電性物質２０２のパターニングされた側部は、図示のように、基板２０１に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
第２透明導電性物質２０６は第１透明導電性物質２０５上に位置し、隣接している一方の第２導電性物質２０３と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
図１３の（ａ）では、基板２０１が導電性であるため、基板２０１上に絶縁膜２０１ａを形成しなければならず、その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「（３）絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
（５）パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図１４は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板３０１に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
図１４の（ｂ）では、凹凸が形成された絶縁性基板３０１上に、導電性物質３０２を斜めに蒸着させる。
図１４の（ｃ）では、導電性物質３０２が蒸着される基板上に、太陽電池（半導体）層３０３を形成する。
図１４の（ｄ）では、太陽電池層３０３上に第１透明導電性物質３０４を斜めに蒸着させた後、図１４の（ｅ）では、第１透明導電性物質３０４をマスクとして、太陽電池層３０３をエッチングする。
図１４の（ｆ）では、太陽電池層３０３がエッチングされた基板上に、第２透明導電性物質３０５を斜めに蒸着して、導電性物質３０２と第２透明導電性物質３０５とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１４の（ｆ）に示すように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板３０１上に、導電性物質３０２、太陽電池（半導体）層３０３、第１透明導電性物質３０４、第２透明導電性物質３０５が順に積層された構造を有する。
図示されるように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
第２透明導電性物質３０５は、第１透明導電性物質３０４上に位置し、隣接している一方の導電性物質３０２と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
このような本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する工程ステップを順に説明すると、次の通りである。
図１４の（ｂ）に示すように、本発明のさらに他の実施形態における集積型薄膜太陽電池を製造する方法は、最初のステップとして、凹凸の形成された絶縁性基板３０１上に、導電性物質３０２を第５角度θ５で斜めに蒸着する。第５角度θ５分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｄにより、導電性物質３０２が絶縁性基板３０１上に薄膜として形成されるが、凹凸の形成された基板３０１の一側の垂直面及び第５角度θ５による一部分１ｄには、導電性物質３０２が形成されない。
ここで、導電性物質３０２は、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム錫のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質、又は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
図１４の（ｃ）は、太陽電池層３０３が形成された状態の断面図を示すものである。前ステップで導電性物質３０２が蒸着された表面形状に沿って、太陽電池層３０３を形成する。
ここで、太陽電池は、シリコン系太陽電池、化合物系太陽電池、有機物系太陽電池、乾式染料感応型太陽電池のうち、何れか１つ以上を利用することができる。
このうち、シリコン系太陽電池は、非晶質シリコン単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ（ａ−Ｓｉ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン多重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ，ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：Ｈ ｍｕｌｔｉ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコンゲルマニウム単一接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ−ｇｅｒｍａｎｉｕｍ（ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ） ｓｉｎｇｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム二重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、非晶質シリコン／非晶質シリコンゲルマニウム／非晶質シリコンゲルマニウム三重接合太陽電池（ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ／ａ−ＳｉＧｅ：Ｈ ｔｒｉｐｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、または非晶質シリコン／マイクロ結晶シリコン（多結晶シリコン）二重接合太陽電池（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ／ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ（ｐｏｌｙ） ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｏｕｂｌｅ ｊｕｎｃｔｉｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）、及びプロト結晶（ｐｒｏｔｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）シリコン太陽電池のうち、いずれかを利用することを特徴とする。
図１４の（ｄ）は、第１透明導電性物質３０４が形成された状態の断面図である。前ステップで形成された太陽電池層３０３上に電子ビーム又は熱蒸着などの蒸着法を利用して斜めに蒸着させることによって、第１透明導電性物質３０４を形成する。
このとき、第１透明導電性物質３０４は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、図１４の（ｄ）に示すように、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第１透明導電性物質３０４を第６角度θ６分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｅにより、第１透明導電性物質３０４が太陽電池層３０３上に薄膜として形成されるが、太陽電池層３０３の一側の垂直面及び角度第６角度θ６による一部分１ｅには、第１透明導電性物質３０４が形成されない。このような傾斜面を含む一部分１ｅは、下記のステップでエッチングされる区間である。
図１４の（ｅ）は、第１透明導電性物質３０４をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図である。
上述の方法によると、特殊なマスクを使用することなく、太陽電池層３０３の微細エッチングが可能であるため、単位素子間の絶縁間隔を数十μｍ〜数μｍ程度に実現することができる。これにより、既存のプラズマを利用した化学的気化加工法とレーザビームを利用したレーザパターニングに比べて、単位素子間の絶縁間隔を数十倍〜数百倍以上減らすことができるので、太陽電池の有効面積を極大化することができる。
図１４の（ｆ）は、第１透明導電性物質３０４上に第２透明導電性物質３０５を形成する工程を示す図である。
図１４の（ｆ）に示すように、前段階のエッチング工程により単位素子間の所定絶縁間隔が形成された状態で、第１透明導電性物質３０４を蒸着する方法と同じ蒸着法を利用して、第２透明導電性物質３０５を形成する。
すなわち、電子ビーム又は熱蒸着器を使用して、第２透明導電性物質３０５を第７角度θ７分斜めに蒸着させると、蒸着の直進性２ｆにより、太陽電池層３０３の一側の垂直面及び傾斜角（第７角度θ７）による一部分１ｅを除いた部分に、第２透明導電性物質３０５が形成される。
このとき、第２透明導電性物質３０５は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の透明導電性物質である。
したがって、上述の工程によると、左側の単位素子の第２透明導電性物質３０５と、これと隣接した右側の単位素子の導電性物質３０２とが互いに接続されて、単位素子間が電気的に直列接続した状態となる。
透明導電性物質は導電性が小さいため、第２透明導電性物質３０５が蒸着された後に互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属線電極を形成することが好ましい。このように形成することによって、透明導電性物質の伝導率を高めることができる。該金属線は、透明導電性物質の低い伝導率を改善するためのものである。透明導電性物質が形成される場合、いつでも金属線をさらに形成させることができる。
金属は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の金属性物質である。
このような過程は、特別な位置制御装置なしに自己整列により行われるため、比較的簡単な工程で集積型薄膜太陽電池の製造が可能になる。
凹凸の形成された基板は、平らな基板にホットエンボス（ｈｏｔ−ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）法を使用して形成することが好ましい。
基板上に導電性物質がパターニングされる方法、その他の詳細な形成関係、及び形成内容などは、「（１）絶縁性基板に２回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
（６）パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
図１５は、本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板３０１に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。
図１５の（ａ）では、パターニングされた凹凸が表面に形成された導電性基板３０１上に、絶縁膜３０１ａを形成する。
図１５の（ｂ）では、絶縁膜３０１ａ上に導電性物質３０２を斜めに蒸着させる。
図１５の（ｃ）では、導電性物質３０２が蒸着される基板上に、太陽電池（半導体）層３０３を形成する。
図１５の（ｄ）では、太陽電池層３０３上に第１透明導電性物質３０４を斜めに蒸着させた後、図１５の（ｅ）では、第１透明導電性物質３０４をマスクとして、太陽電池層３０３をエッチングする。
図１５の（ｆ）では、太陽電池層３０３がエッチングされた基板上に、第２透明導電性物質３０５を斜めに蒸着して、導電性物質３０２と第２透明導電性物質３０５とを接続させて、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１５の（ｆ）に示すように、本発明に係るさらに他の実施形態において、集積型薄膜太陽電池は、パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板３０１上に、導電性物質３０２、太陽電池（半導体）層３０３、第１透明導電性物質３０４、第２透明導電性物質３０５が順に積層された構造を有する。
図示されているように、パターニングされた凹凸が表面に形成された基板において、凹凸の側部は直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲となすな傾斜断面であってもよい。
第２透明導電性物質３０５は、第１透明導電性物質３０４上に位置し、隣接している一方の導電性物質３０２と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
図１５の（ａ）に示すように、導電性基板３０１に絶縁膜３０１ａを形成することを除くと、その詳細な形成関係及び形成内容などは、「（５）パターニングされた凹凸が形成された絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
（７）透明基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
本発明に係るさらに他の実施形態であって、透明基板を使用する際の３回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図１２に示す図面にて説明する。
図１２の（ｂ）において、透明基板２０１上に互いに所定間隔に離間して絶縁されるようにパターニングされた透明電極２０２を形成する。
図１２の（ｃ）において、透明電極２０２が形成された基板上に、透明導電性物質２０３を斜めに蒸着させる。
図１２の（ｄ）において、透明導電性物質２０３が蒸着される基板上に、太陽電池（半導体）層２０４を形成する。
図１２の（ｅ）において、太陽電池層２０４上に金属を斜めに蒸着して、１次金属裏面電極２０５を形成させた後、図１２の（ｆ）において、１次金属裏面電極２０５をマスクとして、太陽電池層２０４をエッチングする。
図１２の（ｇ）において、太陽電池層２０４がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質２０３と接続されるように２次金属裏面電極２０６を形成して、太陽電池セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１２の（ｇ）に示す形態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、透明基板２０１上に、透明電極２０２、透明導電性物質２０３と、太陽電池（半導体）層２０４、１次金属裏面電極２０５、２次金属裏面電極２０６が順に積層された構造を有する。
すなわち、透明電極２０２は、左右に隣接している透明電極２０２間が絶縁されるようにパターニングされて、絶縁間隔が形成されている。透明電極２０２のパターニングされた側部は、図示のように、基板２０１に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
２次金属裏面電極２０６は、１次金属裏面電極２０５上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質２０３と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
その他の詳細な形成関係、形成内容などは、「（３）絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
但し、「（３）絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」の形成工程が示された図１２の第１導電性物質、第２導電性物質、第１透明導電性物質、第２透明導電性物質は、「（７）透明基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明電極、透明導電性物質、１次金属裏面電極、２次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の物質からなる。
１次金属裏面電極及び２次金属裏面電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の物質からなる。
（８）パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池
本発明に係るさらに他の実施形態であって、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板を使用する際の、３回の傾斜蒸着に基づく集積型薄膜太陽電池構造の形成関係は、図１４にて説明する。
図１４の（ｂ）において、パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板３０１上に、透明導電性物質３０２を斜めに蒸着させる。
図１４の（ｃ）において、透明導電性物質３０２が蒸着された基板上に、太陽電池（半導体）層３０３を形成する。
図１４（ｄ）において、太陽電池層３０３上に金属を斜めに蒸着して、１次金属裏面電極３０４を形成させた後、図１４（ｅ）において、１次金属裏面電極３０４をマスクとして、太陽電池層３０３をエッチングする。
図１４（ｆ）において、太陽電池層３０３がエッチングされた基板上に金属を斜めに蒸着して、透明導電性物質３０２と接続されるように２次金属裏面電極３０５を形成して、太陽電気セルが電気的に直列接続されるようにする。
図１４の（ｆ）に示す状態のように、本発明に係る集積型薄膜太陽電池は、凹凸の形成された透明基板３０１上に、透明導電性物質３０２、太陽電池（半導体）層３０３、１次金属裏面電極３０４、２次金属裏面電極３０５が順に積層された構造を有する。
図示されているように、凹凸のある基板において、凹凸の側部は基板の水平方向に対して直角であるが、これに限定されず、一定の勾配を有する傾斜断面又は湾曲する傾斜断面であってもよい。
２次金属裏面電極３０５は、１次金属裏面電極３０４上に位置し、隣接している一方向の透明導電性物質３０２と接触し、単位素子間が電気的に直列接続する構造を形成する。
その他の詳細な形成関係及び形成内容などは、「（５）パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」で説明したものと同様なので、その説明を省略する。
但し、「（５）パターニングされた凹凸が表面に形成された絶縁性基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」において、導電性物質、第１透明導電性物質、第２透明導電性物質は、「（８）パターニングされた凹凸が表面に形成された透明基板に３回傾斜蒸着する集積型太陽電池」での透明導電性物質、１次金属裏面電極、２次金属裏面電極にそれぞれ対応する。
透明電極及び透明導電性物質は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のうち、何れか１つ以上の物質からなる。
１次金属裏面電極及び２次金属裏面電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などのように、反射率の高い金属の単一金属であるか、又は、アルミニウム（Ａｌ）／銀（Ａｇ）が混合された多重金属材料、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、又は金（Ａｕ）のうち、何れか１つ以上の物質からなる。
従来の集積型薄膜太陽電池の構造を示した図である。 従来の集積型薄膜太陽電池用透明電極、太陽電池層、金属裏面電極を加工するためのレーザパターニング工程を示す一実施形態である。 本発明に係る一実施形態であって、絶縁性基板に２回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造を示す断面図である。 本発明のパターニングされた導電性物質が形成された基板の断面図である。 図４に示す導電性物質をパターニングするための印刷法工程を順次示す図である。 本発明によってパターニングされた導電性物質の他の実施形態である。 本発明に係る太陽電池層が形成された状態の断面図である。 本発明に係る第１透明導電性物質が形成された状態の断面図である。 本発明に係る第１透明導電性物質をマスクとして垂直エッチングした状態の断面図（ａ）及び（ｂ）と傾斜エッチングした状態の断面図（ｃ）である。 本発明に係る第２透明導電性物質が形成された状態の断面図である。 本発明に係る他の実施形態（２）であって、導電性基板に２回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。 本発明に係るさらに他の実施形態（３）及び（７）であって、絶縁性基板に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。 本発明に係るさらに他の実施形態（４）であって、導電性基板に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。 本発明に係るさらに他の実施形態（５）及び（８）であって、凹凸が形成された絶縁性基板に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。 本発明に係るさらに他の実施形態（６）であって、凹凸が形成された導電性基板に３回傾斜蒸着して形成する集積型薄膜太陽電池の構造及び形成過程を示す断面図である。

Claims (19)

  1. 基板上に隣接し、互いに所定の間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、
    前記ステップ（ａ）による前記基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、
    前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、
    前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、
    前記ステップ（ｄ）による前記基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と、前記第１導電性物質と隣り合う前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と、
    を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  2. 前記第１乃至第３導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  3. 前記ステップ（ｅ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  4. 前記ステップ（ａ）が、
    前記基板上に薄膜の前記第１導電性物質を形成するステップ（ａ−１）と、
    前記第１導電性物質上に印刷法を利用して、一定距離に離間するようにフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）又はポリマー帯を塗布してパターンを形成するステップ（ａ−２）と、
    前記塗布されたフォトレジスト又はポリマーパターンをマスクとして、前記第１導電性物質をエッチングするステップ（ａ−３）と、
    前記フォトレジスト又はポリマーパターンを除去するステップ（ａ−４）と、
    をさらに含む、請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  5. 前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質が等方性エッチング法を利用してエッチングされ、湾曲するように傾斜した断面を有する、請求項４に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  6. 前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質がメサ（ｍｅｓａ）エッチングされ、傾斜した断面を有する、請求項４に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  7. 前記ステップ（ａ−３）において、前記第１導電性物質が、異方性エッチング法を利用して前記基板に対して垂直方向にエッチングされる、請求項４に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  8. 前記ステップ（ｄ）において、前記太陽電池（半導体）層が垂直方向にエッチングされる、請求項５又は６に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  9. 前記ステップ（ｄ）において、前記太陽電池（半導体）層が傾斜した方向に傾斜エッチングされる、請求項７に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  10. 前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  11. 基板上に隣接し、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた第１導電性物質を形成するステップ（ａ）と、
    前記ステップ（ａ）による基板上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｂ）と、
    前記ステップ（ｂ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｃ）と、
    前記太陽電池（半導体）層上に、第３導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｄ）と、
    前記第３導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｅ）と、
    前記ステップ（ｅ）による基板上に、第４導電性物質を斜めに蒸着して、前記第２導電性物質と、前記第２導電性物質と隣り合う前記第３導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｆ）と
    を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  12. 前記第１乃至第４導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項１１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  13. 前記ステップ（ｆ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項１１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  14. 前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項１１に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  15. 互いに所定間隔に離間する凹凸の形成された基板上に、第１導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ａ）と、
    前記ステップ（ａ）による基板上に、太陽電池（半導体）層を形成するステップ（ｂ）と、
    前記太陽電池（半導体）層上に、第２導電性物質を斜めに蒸着するステップ（ｃ）と、
    前記第２導電性物質をマスクとして、前記太陽電池（半導体）層をエッチングするステップ（ｄ）と、
    前記ステップ（ｄ）による基板上に、第３導電性物質を斜めに蒸着して、前記第１導電性物質と前記第２導電性物質とを電気的に接続させるステップ（ｅ）と
    を含む、集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  16. 前記第１乃至第３導電性物質が、透明導電性物質又は金属性物質である、請求項１５に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  17. 前記基板の凹凸が、ホットエンボス（ｈｏｔ−ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）法により形成される、請求項１５に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  18. 前記ステップ（ｅ）には、互いに所定間隔に離間するようにパターニングされた金属電極を形成するステップがさらに含まれる、請求項１５に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
  19. 前記基板が、導電性基板上に絶縁膜が形成された基板又は絶縁性基板である、請求項１５に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。

JP2006335721A 2005-12-14 2006-12-13 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4796947B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050123337A KR100656738B1 (ko) 2005-12-14 2005-12-14 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR10-2005-0123337 2005-12-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007165903A JP2007165903A (ja) 2007-06-28
JP4796947B2 true JP4796947B2 (ja) 2011-10-19

Family

ID=37733064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006335721A Expired - Fee Related JP4796947B2 (ja) 2005-12-14 2006-12-13 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8148626B2 (ja)
EP (1) EP1798778A3 (ja)
JP (1) JP4796947B2 (ja)
KR (1) KR100656738B1 (ja)
CN (1) CN1983568B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7927497B2 (en) * 2005-03-16 2011-04-19 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode
KR100656738B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
KR101000051B1 (ko) 2008-01-09 2010-12-10 엘지전자 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101476125B1 (ko) * 2008-10-02 2014-12-26 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US20100126583A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Jeongwoo Lee Thin film solar cell and method of manufacturing the same
TW201342648A (zh) * 2008-12-03 2013-10-16 Applied Materials Inc 包括間隔斜坡之光伏電池及其製造方法
US8330040B2 (en) * 2008-12-03 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Photovoltaic cells including spaced ramps and methods of manufacture
US8541680B2 (en) * 2008-12-03 2013-09-24 Applied Materials, Inc. Photovoltaic cells including peaks and methods of manufacture
KR101573675B1 (ko) * 2008-12-19 2015-12-03 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조 방법
KR20100090046A (ko) * 2009-02-05 2010-08-13 엘지디스플레이 주식회사 박막 태양전지 및 그 제조방법
JP5591834B2 (ja) * 2009-03-04 2014-09-17 ナム、ドンシク タッチパネルセンサー
KR101028971B1 (ko) * 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
US20120073644A1 (en) * 2009-06-12 2012-03-29 Seung-Yeop Myong Photovoltaic Device
US20120067416A1 (en) * 2009-06-12 2012-03-22 Seung-Yeop Myong Photovoltaic Device
US20120037225A1 (en) * 2009-06-16 2012-02-16 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
KR101112487B1 (ko) * 2009-08-06 2012-03-09 한국과학기술원 광기전력 장치 및 그 제조 방법
KR101210168B1 (ko) * 2010-03-24 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US8828780B2 (en) * 2010-04-05 2014-09-09 Mitsubishi Electric Corporation Substrate for photoelectric conversion device and method of manufacturing the substrate, thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing the thin-film photoelectric conversion device, and solar cell module
KR101060239B1 (ko) * 2010-08-26 2011-08-29 한국과학기술원 집적형 박막 광기전력 소자 및 그의 제조 방법
CN105609587B (zh) * 2010-09-03 2017-12-22 泰特拉桑有限公司 光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀
KR101283163B1 (ko) * 2011-01-24 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR101189432B1 (ko) * 2011-01-25 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US9070810B2 (en) * 2011-02-04 2015-06-30 Azur Space Solar Power Gmbh Multiple solar cell and method for manufacturing the same
DE102011000521A1 (de) * 2011-02-04 2012-08-23 Azur Space Solar Power Gmbh Mehrfachsolarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
KR20130014968A (ko) * 2011-08-01 2013-02-12 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013183065A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機薄膜太陽電池
AT512677B1 (de) * 2012-03-30 2013-12-15 Oesterreichisches Forschungs Und Pruefzentrum Arsenal Ges M B H Herstellungsverfahren strukturierter Dünnschicht Photovoltaik
KR101349411B1 (ko) * 2012-04-02 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101301003B1 (ko) * 2012-04-30 2013-08-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 태양전지 제조방법 및 이를 이용하는 박막 태양전지
KR101382880B1 (ko) * 2012-07-31 2014-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
WO2014188092A1 (fr) 2013-05-23 2014-11-27 Sunpartner Technologies Mono cellule photovoltaïque semi-transparente en couches minces
KR102042026B1 (ko) 2013-06-20 2019-11-27 엘지이노텍 주식회사 태양전지
CN103700670B (zh) * 2013-12-20 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20150078549A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지의 제조 장치
US20150372173A1 (en) * 2014-06-24 2015-12-24 University Of Florida Research Foundation, Inc. Graded transparent conducting oxide (g-tco) for thin film solar cells
US9673341B2 (en) 2015-05-08 2017-06-06 Tetrasun, Inc. Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture
AT518892B1 (de) * 2017-02-07 2018-02-15 Joanneum Res Forschungsgmbh Verfahren zur Herstellung eines Photovoltaikbauteils und Photovoltaikbaustein
CN111244211A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 中国科学院大连化学物理研究所 一种飞艇光伏材料器件一体化结构及制备方法
CN110277473B (zh) * 2019-05-31 2024-03-26 信利半导体有限公司 一种薄膜光伏电池的制造方法及薄膜光伏电池
US20210375556A1 (en) * 2019-12-12 2021-12-02 EneCoat Technologies Co., Ltd. Element manufacturing method

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
US4200472A (en) * 1978-06-05 1980-04-29 The Regents Of The University Of California Solar power system and high efficiency photovoltaic cells used therein
US4292092A (en) * 1980-06-02 1981-09-29 Rca Corporation Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery
US4514582A (en) 1982-09-17 1985-04-30 Exxon Research And Engineering Co. Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate
US4501636A (en) * 1983-12-28 1985-02-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Apparatus for etching vertical junction solar cell wafers
JPS60182757A (ja) 1984-02-29 1985-09-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積型太陽電池
JPS6135573A (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光起電力素子の製造法
JPS6254971A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
JPS62142368A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
DE3604917A1 (de) 1986-02-17 1987-08-27 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren zur herstellung eines integrierten verbandes in reihe geschalteter duennschicht-solarzellen
JPS6342180A (ja) 1986-08-08 1988-02-23 Toa Nenryo Kogyo Kk 集積型光起電力装置の製造方法
US4740431A (en) 1986-12-22 1988-04-26 Spice Corporation Integrated solar cell and battery
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2755281B2 (ja) 1992-12-28 1998-05-20 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
JPH07202229A (ja) 1994-07-07 1995-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 選択的被膜形成方法
JPH08274360A (ja) 1995-03-30 1996-10-18 Japan Energy Corp 光電変換半導体装置の製造方法
KR0175359B1 (ko) * 1995-12-15 1999-02-01 양승택 초전도체-절연체-초전도체 조셉슨 터널 접합구조의 제조방법
JPH09260695A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Canon Inc 光起電力素子アレーの製造方法
JP3436858B2 (ja) 1997-02-27 2003-08-18 シャープ株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
EP1005095B1 (en) * 1997-03-21 2003-02-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing a photovoltaic element
JPH1126793A (ja) 1997-06-30 1999-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜太陽電池セルパターンの形成法
DE19741832A1 (de) * 1997-09-23 1999-03-25 Inst Solarenergieforschung Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
JPH1197723A (ja) 1997-09-25 1999-04-09 Citizen Watch Co Ltd 太陽電池および太陽電池の製造方法
JPH11112010A (ja) * 1997-10-08 1999-04-23 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
JPH11312860A (ja) 1998-04-27 1999-11-09 Jsr Corp 電極の製造方法および転写フィルム
DE19819200B4 (de) 1998-04-29 2006-01-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit Kontaktstrukturen und Verfahren zur Herstellung der Kontaktstrukturen
JP3940546B2 (ja) 1999-06-07 2007-07-04 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成材料
DE10017610C2 (de) 2000-03-30 2002-10-31 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon
KR20020005152A (ko) 2000-07-08 2002-01-17 구본준, 론 위라하디락사 투명도전막 패터닝 방법
DE10103114A1 (de) * 2001-01-24 2002-10-31 Univ Stuttgart Herstellen elektrischer Verbindungen in Substratöffnungen von Schaltungseinheiten mittels gerichteter Abscheidung leitfähiger Schichten
KR20030085523A (ko) 2001-03-19 2003-11-05 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 태양전지 및 그 제조방법
DE10142481A1 (de) 2001-08-31 2003-03-27 Rudolf Hezel Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen
EP1357602A1 (de) * 2002-03-19 2003-10-29 Scheuten Glasgroep Selbstjustierende Serienverschaltung von Dünnschichten und Verfahren zur Herstellung
US6660930B1 (en) * 2002-06-12 2003-12-09 Rwe Schott Solar, Inc. Solar cell modules with improved backskin
US20040118444A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 General Electric Company Large-area photovoltaic devices and methods of making same
US20060112987A1 (en) 2003-01-10 2006-06-01 Toshinobu Nakata Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method
JP2005101384A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2005197537A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積型薄膜太陽電池およびその製造方法
US7927497B2 (en) * 2005-03-16 2011-04-19 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode
KR100756286B1 (ko) * 2005-03-16 2007-09-06 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR100656738B1 (ko) 2005-12-14 2006-12-14 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR100725110B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-04 한국과학기술원 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법.
US20100185574A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Sondre Skatter Network mechanisms for a risk based interoperability standard for security systems
KR101028971B1 (ko) * 2009-05-26 2011-04-19 한국과학기술원 집적형 박막 태양전지 및 그의 제조 방법
KR101112487B1 (ko) * 2009-08-06 2012-03-09 한국과학기술원 광기전력 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8148626B2 (en) 2012-04-03
US20100012173A1 (en) 2010-01-21
US8168882B2 (en) 2012-05-01
US20070131271A1 (en) 2007-06-14
EP1798778A2 (en) 2007-06-20
CN1983568B (zh) 2011-11-23
JP2007165903A (ja) 2007-06-28
US20100018574A1 (en) 2010-01-28
EP1798778A3 (en) 2012-05-16
CN1983568A (zh) 2007-06-20
KR100656738B1 (ko) 2006-12-14
US8153885B2 (en) 2012-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4796947B2 (ja) 集積型薄膜太陽電池及びその製造方法
JP4592676B2 (ja) 透過型集積型薄膜太陽電池の製造方法及び透過型集積型薄膜太陽電池の単位セルを電気的に直列接続する方法
KR100756286B1 (ko) 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
JP4981020B2 (ja) 集積型薄膜太陽電池、その製造方法と集積型薄膜太陽電池用透明電極の加工方法、その構造及びその透明電極が形成された透明基板
US5131954A (en) Monolithic solar cell array and method for its manufacturing
US7718347B2 (en) Method for making an improved thin film solar cell interconnect using etch and deposition process
JP6086905B2 (ja) 太陽電池およびその製作方法
CN100570903C (zh) 集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板
US20100300525A1 (en) Integrated thin-film solar cell and manufacturing method thereof
JP2011040746A (ja) 光起電力装置及びその製造方法
US20100252109A1 (en) Thin film type solar cell and method for manufacturing the same
US20120186638A1 (en) Photoelectric conversion element and solar cell
US20120174973A1 (en) Solar Cell Apparatus and Method For Manufacturing the Same
US20130037099A1 (en) Device for generating solar power and method for manufacturing same
CN112054070A (zh) 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
JPH0851229A (ja) 集積型太陽電池およびその製造方法
KR101000383B1 (ko) 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
KR20110035733A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
JP4127994B2 (ja) 光起電力装置の製造方法
KR101415322B1 (ko) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101000380B1 (ko) 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법
US20110088779A1 (en) Method for manufacturing thin-film solar cell and thin-film solar cell
JP3655027B2 (ja) 集積型薄膜光電変換装置
JP2001068709A (ja) 薄膜太陽電池
JP4220014B2 (ja) 薄膜太陽電池の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091214

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091217

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100115

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100120

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100215

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100810

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101108

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110712

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110801

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees