JPS6135573A - 光起電力素子の製造法 - Google Patents
光起電力素子の製造法Info
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- JPS6135573A JPS6135573A JP59157836A JP15783684A JPS6135573A JP S6135573 A JPS6135573 A JP S6135573A JP 59157836 A JP59157836 A JP 59157836A JP 15783684 A JP15783684 A JP 15783684A JP S6135573 A JPS6135573 A JP S6135573A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光起電力素子の製造法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来の薄膜光起電力素子においては、同一基板上に設け
た素子の分離、及び分離した素子相互の結線には、ガラ
ス基板上に蒸着された透明電極をフォトリソグラフィー
を用いてパターニングしていた。パターニングされた透
明電極上に、メタルマスクを用いて、アモルファスシリ
コン（以下、ａ−３ｉという）等の薄膜半導体を選択的
に形成し、そののち、金属電極を同じくメタルマスクを
用いて、選択的に形成すると同時に、直列結線を完了す
°る方式であった。
た素子の分離、及び分離した素子相互の結線には、ガラ
ス基板上に蒸着された透明電極をフォトリソグラフィー
を用いてパターニングしていた。パターニングされた透
明電極上に、メタルマスクを用いて、アモルファスシリ
コン（以下、ａ−３ｉという）等の薄膜半導体を選択的
に形成し、そののち、金属電極を同じくメタルマスクを
用いて、選択的に形成すると同時に、直列結線を完了す
°る方式であった。
この方法では、直列結線は容易であるが、反面、メタル
マスクの位置合せが難しく、パターンが微細になると、
メタルマスクが熱等によってそシやひずみが生じ、パタ
ーンボケ等を生じる０また、品種を代える毎に、メタル
マスクをとりかえなければならないという煩雑さがあっ
た。
マスクの位置合せが難しく、パターンが微細になると、
メタルマスクが熱等によってそシやひずみが生じ、パタ
ーンボケ等を生じる０また、品種を代える毎に、メタル
マスクをとりかえなければならないという煩雑さがあっ
た。
発明の目的
本発明は、このような従来の問題点を取除き、安価でか
つ簡便な、薄膜光起電力素子の製造法を提供することに
ある。
つ簡便な、薄膜光起電力素子の製造法を提供することに
ある。
発明の構成
本発明では板ガラス上Ｋ、ダイシンク装置によって、所
望状態に形成しようとする各素子の直列結線予定部に、
溝を形成する。その一方法は、ダイヤモンド等の刃のつ
いた円形の回転砥石（以下ブレードと呼ぶ）を回転させ
てガラス面に当てかいその部分を削って行なう。溝深さ
は、１００μｍ〜１８とする。また溝幅は０．１〜０．
５ ｍｍとする。
望状態に形成しようとする各素子の直列結線予定部に、
溝を形成する。その一方法は、ダイヤモンド等の刃のつ
いた円形の回転砥石（以下ブレードと呼ぶ）を回転させ
てガラス面に当てかいその部分を削って行なう。溝深さ
は、１００μｍ〜１８とする。また溝幅は０．１〜０．
５ ｍｍとする。
次に溝を形成した基板を洗浄した後、その上方に配した
蒸着源よシ透明導電膜を斜め蒸着法を用いて形成する。
蒸着源よシ透明導電膜を斜め蒸着法を用いて形成する。
斜め蒸着法は、蒸着源に対して、蒸着する基板を斜めに
配置して蒸着する方法である。
配置して蒸着する方法である。
真空蒸着法においては、蒸着源から発される蒸着物質は
直進する性質をもつことから、蒸着する基板を斜めに配
置しておくと、この基板の溝の蒸着源に近い方の側面は
、蒸着源からは影となって、蒸着物は付着しない。蒸着
物は、一般に言われる所のＩ Ｔ Ｏ、Ｓ ｎ ０２等
の透明電極用材料である。
直進する性質をもつことから、蒸着する基板を斜めに配
置しておくと、この基板の溝の蒸着源に近い方の側面は
、蒸着源からは影となって、蒸着物は付着しない。蒸着
物は、一般に言われる所のＩ Ｔ Ｏ、Ｓ ｎ ０２等
の透明電極用材料である。
この斜め蒸着法によって、透明電極は、各セルごとに溝
の部分で分離される。次に、この基板をプラズマＣＶＤ
等の方法で、ａ−Ｓｔ膜を一般に知られているところの
ｐ −ｉ −ｎ構造に形成する。プラズマＣＶＤ装置で
のａ−３ｔの形成には、一般に数Ｔｏｒｒの低圧で行な
われるため、ステップカバレージが良く、溝の側面等に
も均一にａ−３ｉが堆積される。
の部分で分離される。次に、この基板をプラズマＣＶＤ
等の方法で、ａ−Ｓｔ膜を一般に知られているところの
ｐ −ｉ −ｎ構造に形成する。プラズマＣＶＤ装置で
のａ−３ｔの形成には、一般に数Ｔｏｒｒの低圧で行な
われるため、ステップカバレージが良く、溝の側面等に
も均一にａ−３ｉが堆積される。
次に、前回と同様なダイシング法を用いて、溝中のａ−
３ｉ膜と、透明導電膜の一部をガラス基板と同時に削り
取シ、前工程で・ａ−３ｉ膜でおおわれた透明導電膜を
露出させる。次に、金属電極を先の透明導電膜を形成し
た方法と同様に斜め蒸着法によって、前回とは逆方向か
ら蒸着して金属電極を形成すると、溝側面が前回と同様
マスクとなって、金属電極も各セル間で分離して形成さ
れる。
３ｉ膜と、透明導電膜の一部をガラス基板と同時に削り
取シ、前工程で・ａ−３ｉ膜でおおわれた透明導電膜を
露出させる。次に、金属電極を先の透明導電膜を形成し
た方法と同様に斜め蒸着法によって、前回とは逆方向か
ら蒸着して金属電極を形成すると、溝側面が前回と同様
マスクとなって、金属電極も各セル間で分離して形成さ
れる。
先の工程で露出していた透明電極は、この段階で隣接素
子の金属電極と接続され、直列結線がされる０ 直列結線される以外の側面においては、金属電極、ａ−
５ｉ層、及び透明導電膜を含んだ状態でこれらをガラス
面と同時にｖ型のブレードを用いて削−り取る。これに
よって、隣接素子と分離する。
子の金属電極と接続され、直列結線がされる０ 直列結線される以外の側面においては、金属電極、ａ−
５ｉ層、及び透明導電膜を含んだ状態でこれらをガラス
面と同時にｖ型のブレードを用いて削−り取る。これに
よって、隣接素子と分離する。
ａ−３ｔは非晶質なためこの切削によって、素子のダメ
ージはその部分にのみ限定され、素子の大幅な性能劣化
は生じない。
ージはその部分にのみ限定され、素子の大幅な性能劣化
は生じない。
実施例の説明
以下本発明の一例を図面に従って説明する。
第１図はガラス基板１の断面図を示し、第２図はこのガ
ラス基板１をブレード２によシ切削して複数条の溝３を
形成する。
ラス基板１をブレード２によシ切削して複数条の溝３を
形成する。
第３図は溝３を形成した基板１を、真空蒸着によって透
明４電膜４を形成する。蒸着源、例えばＥＢ銃の方向６
に対して基板１は斜めに対向させ、透明導電膜４を形成
する。この際、蒸着源方向に近い溝３の側壁５には、側
壁５−自身が蒸着の際のマスクと作用し、透明導電膜４
は付着しない。
明４電膜４を形成する。蒸着源、例えばＥＢ銃の方向６
に対して基板１は斜めに対向させ、透明導電膜４を形成
する。この際、蒸着源方向に近い溝３の側壁５には、側
壁５−自身が蒸着の際のマスクと作用し、透明導電膜４
は付着しない。
ここにおいて、各素子間の透明導電膜４は、結線方向に
おいて溝３で分離される。
おいて溝３で分離される。
ついで第４図に示すように基板１の上に、ａ−３ｔ膜７
をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する○プラズマＣＶＤ
法は数Ｔｏｒｒのイ氏・圧で行なう為、ステップカバレ
ージが良く、基板全体をａ−３ｉ膜７でおおうｏ出熱、
溝３の側面５も均一におおわれる。
をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する○プラズマＣＶＤ
法は数Ｔｏｒｒのイ氏・圧で行なう為、ステップカバレ
ージが良く、基板全体をａ−３ｉ膜７でおおうｏ出熱、
溝３の側面５も均一におおわれる。
第５図は透明導電膜４を露出させる為、溝３中において
、ブレード８を用いてａ−Ｓｉ膜７及び透明導電膜４を
、ガラス基板１と共に切削し、中溝９を形成するもので
ある。この際ブレード８は、溝３の側面を傷つけてはな
らないので、ブレード８の形状はＶ型が望ましい。
、ブレード８を用いてａ−Ｓｉ膜７及び透明導電膜４を
、ガラス基板１と共に切削し、中溝９を形成するもので
ある。この際ブレード８は、溝３の側面を傷つけてはな
らないので、ブレード８の形状はＶ型が望ましい。
第６図は第３図と同様に、金属電極１０を構成する為、
基板倹蒸着源の方向１１に対して、斜めに配向し蒸着す
る工程である。１おここでの斜め方向は第３図とは逆の
方向である。この際、溝３の側面１３には、第３図の時
と同様、金属電極１゜は付着しない。先に述べた第５図
の工程で透明導電膜４は切削により露出していることか
ら、中溝°９の斜面１２において、金属電極１０と隣接
の透明導電膜４とは結線され、直列結線が形成さ九る。
基板倹蒸着源の方向１１に対して、斜めに配向し蒸着す
る工程である。１おここでの斜め方向は第３図とは逆の
方向である。この際、溝３の側面１３には、第３図の時
と同様、金属電極１゜は付着しない。先に述べた第５図
の工程で透明導電膜４は切削により露出していることか
ら、中溝°９の斜面１２において、金属電極１０と隣接
の透明導電膜４とは結線され、直列結線が形成さ九る。
第７図は直列結線される以外の部分の素子を示す断面図
である。
である。
前述した工程によって、ガラス基板１−の上に、透明導
電膜４、ａ−３ｔ膜７、金属、電極１０．が順に層状に
形成されている。
電膜４、ａ−３ｔ膜７、金属、電極１０．が順に層状に
形成されている。
第８図において、各隣接素子を分離する為に、ブレード
１４を用いて、ガラス基板１ごと各層を切削する。これ
によって、各素子１５は分離面１６で独立する事になる
。
１４を用いて、ガラス基板１ごと各層を切削する。これ
によって、各素子１５は分離面１６で独立する事になる
。
第９図はガラス基板に素子を形成後、各素子１７を斜め
上から見たものであり、図中１８は、第１図から第６図
までの断面方向、１９は第７図、第８図の断面方向であ
る。
上から見たものであり、図中１８は、第１図から第６図
までの断面方向、１９は第７図、第８図の断面方向であ
る。
発明の効果
このように、メタルマスクを用いることなしに、ダイシ
ング法によって、直列結線及び素子相互の分離ができる
。これにより、任意の電圧を持つ薄膜起電力素子が、切
削溝の条数を変えることＫよシ容易に形成できる。
ング法によって、直列結線及び素子相互の分離ができる
。これにより、任意の電圧を持つ薄膜起電力素子が、切
削溝の条数を変えることＫよシ容易に形成できる。
第１図はガラス基板断面図、第２図はガラス基板にダイ
シングにより溝を形成す”る、断面図、第３図は透明導
電膜を蒸着する際の断面図、第４図はａ−３ｉ層堆積時
の断面図、第５図は中溝切削時の断面図、第６図は金属
電極を蒸着する際の断面図、第７図は側部からみた素子
の断面図、第８図は側部の素子分離を示す断面図、第９
図は基板の全体図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ブレード、
３・・・・・・溝、４・・・・・・透明導電膜、６・・
・・・・溝側面、６・・・・・・蒸着源方向、７・・・
・・・ａ−８ｉ層、８・・・・・・中溝切削用ブレード
、９・・・・・・中溝、１０・・・・・・金属電極、１
１・・・・・・蒸着源方向、１２・・・・・・直列結線
コネクト面、１３・・・・・・溝側面、１４・・・・・
・側面切削用プーレー、ト、１６・・・・・・各素子、
１６・・・・・・各素子分離面、１７・・・・・・各素
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 １１か１名列
１ 図 第２図 第４図 第７図 第 ９ 図
シングにより溝を形成す”る、断面図、第３図は透明導
電膜を蒸着する際の断面図、第４図はａ−３ｉ層堆積時
の断面図、第５図は中溝切削時の断面図、第６図は金属
電極を蒸着する際の断面図、第７図は側部からみた素子
の断面図、第８図は側部の素子分離を示す断面図、第９
図は基板の全体図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ブレード、
３・・・・・・溝、４・・・・・・透明導電膜、６・・
・・・・溝側面、６・・・・・・蒸着源方向、７・・・
・・・ａ−８ｉ層、８・・・・・・中溝切削用ブレード
、９・・・・・・中溝、１０・・・・・・金属電極、１
１・・・・・・蒸着源方向、１２・・・・・・直列結線
コネクト面、１３・・・・・・溝側面、１４・・・・・
・側面切削用プーレー、ト、１６・・・・・・各素子、
１６・・・・・・各素子分離面、１７・・・・・・各素
子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 １１か１名列
１ 図 第２図 第４図 第７図 第 ９ 図
Claims (1)
- ダイシング法によって、透明基板上に複数条の溝を形成
する工程と、前記基板の斜め上方の蒸着源から蒸着物質
を透明基板に向けて発し、上記溝によって、透明蒸着膜
を複数個の領域に分離形成した後この透明蒸着膜上にア
モルファスシリコン層を堆積させる工程と、次にダイシ
ング法によってアモルファスシリコン層と透明蒸着膜と
を基板とともにその一部を削り取る工程と、先の透明蒸
着膜形成時とは反対の斜め上方の蒸着源から金属電極を
蒸着し、上記溝によって金属電極を上記複数個の領域に
形成して発電領域とするとともに上記複数個の発電領域
を電気的に直列結線する工程と、ダイシング法により先
の複数条の溝とは直角方向に複数条の溝を形成し、複数
個の発電領域を分離する光起電力素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59157836A JPS6135573A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59157836A JPS6135573A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6135573A true JPS6135573A (ja) | 1986-02-20 |
Family
ID=15658396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59157836A Pending JPS6135573A (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 光起電力素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6135573A (ja) |
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-
1984
- 1984-07-27 JP JP59157836A patent/JPS6135573A/ja active Pending
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