CN102024871A - 光电装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供光电装置的制造方法，包括以下步骤：准备形成有沟槽的基板；在沟槽之间区域形成第一电极层和辅助电极层，其中，辅助电极层与第一电极层的部分区域相接触并位于第一电极层的上或下部，且其电阻小于第一电极层电阻；在第一电极层或辅助电极层上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层上以形成第二电极层；对形成于沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使第一电极层或辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层上以形成导电层，以使第一电极层或辅助电极层与第二电极层在沟槽内部相电连接，其中，第一电极层或辅助电极层形成于所述区域中通过光产生电的一个区域，而第二电极层形成于通过光产生电的另一个区域。

Description

光电装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光电装置及其制造方法。
背景技术
通常，光电装置是指利用半导体性质将太阳光转换成电能的元件，实质上其由单元电池构成。各个电源电池以串联连接的方式相电连接而被模块化，因此可以向外部提供较高的电压。
该光电装置根据其所使用的材料大致分为硅系光电装置、化合物系光电装和有机物系光电装置。其中，硅系光电装置根据半导体相(phase)分为单晶(single crystalline)硅、多晶(polycrystalline)硅和非晶(amorphous)硅。
另外，光电装置根据半导体的厚度分为块(基板)型光电装置和薄膜型光电装置，薄膜型光电装置是半导体层厚度为数十μm～数μm以下的光电装置。在硅系光电装置中单晶硅和多晶硅光电装置属于块型光电装置而非晶硅光电装置属于薄膜型光电装置。
另一方面，化合物系光电装置被分为III-V族的GaAs(Gallium Arsenide)和InP(Indium Phosphide)等的块型光电装置和II-VI族的CdTe(Cadmium Telluride)和I-III-VI族的CulnSe2(CIS，Copper Indium Diselenide)等的薄膜型光电装置，有机物系光电装置大致分为有机分子型和有机无机复合型。除此之外具有染料敏化型光电装置，这些均属于薄膜型光电装置。
这样的光电装置需要减少无效区域且增加有效区域来提高光电转换率。而且，需要提供光电装置所需大小的电压。
发明内容
本发明的光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：准备形成有沟槽的基板；在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层或辅助电极层，其中，所述辅助电极层的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触，并位于所述第一电极层的上部或下部；在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层和所述辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
本发明的另一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成具有规定厚度和宽度的第一电极层；将电阻小于所述第一电极层的辅助电极层形成在所述第一电极层的上部或下部，以使与所述第一电极层接触；在所述第一电极层或所述辅助电极层的区域、在相邻的所述第一电极层之间的区域上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对所述光电转换层进行蚀刻，以使位于相邻的所述第二电极层之间的所述辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使形成于所述相邻第一电极层的一个区域上的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域上的所述第二电极层相电连接。
本发明的光电装置，其特征在于，该光电装置包括：
基板，形成有沟槽；第一电极层形成于所述沟槽之间的区域；辅助电极层，形成于所述沟槽之间的区域上且电阻小于所述第一电极层的电阻，其位于所述第一电极层的上部或下部以使所述辅助电极层与所述第一电极层的部分区域接触；光电转换层，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导电层，其使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
本发明的另一种光电装置，其特征在于，该光电装置包括：基板；
第一电极层，位于所述基板上且具有规定的厚度和宽度；辅助电极层，其电阻小于所述第一电极层的电阻，且位于所述第一电极层的上部或下部以使其与所述第一电极层接触；光电转换层，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上，且位于所述相邻的第一电极层之间的区域；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导电层，其使形成于所述相邻第一电极层中的一个区域的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域的所述第二电极层相电连接。
附图说明
图1a至图1n表示根据本发明第一实施例的光电装置的制造方法；
图2a至图2n表示根据本发明第二实施例的光电装置的制造方法；
图3a至图3j表示根据本发明第三实施例的光电装置的制造方法；
图4a至图4j表示根据本发明第四实施例的光电装置的制造方法；
图5a至图5k表示根据本发明第五实施例的光电装置的制造方法；
图6a至图6k表示根据本发明第六实施例的光电装置的制造方法；
图7a至图7k表示根据本发明第七实施例的光电装置的制造方法；
图8a至图8k表示根据本发明第八实施例的光电装置的制造方法。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
[第一实施例]
图1a至图1n表示根据本发明第一实施例的光电装置的制造方法。
如图1所示，准备形成有沟槽101、102、103、104的基板100。
基板100作为光一次性入射到的部分，可以使用光透射率优异的透明绝缘性材质。例如，基板100可以为如钠钙玻璃或钢化玻璃等的玻璃基板、塑料基板或纳米复合体(nano composit)基板中的一种。纳米复合体是纳米粒子以分散相的方式分散在分散介质中的系。分散介质可以为有机溶剂、塑料、金属或陶瓷，纳米粒子可以为塑料、金属或陶瓷。分散介质为有机溶剂时，通过热处理可以使有机溶剂消失只留下纳米粒子。
沟槽101、102、103、104在熔融玻璃基板或塑料基板或纳米复合体基板等的状态下，于被熔融的基板变硬之前通过压印(embossing)法可以形成为条纹状(stripe)。而且沟槽101、102、103、104无需经过上述基板的熔融过程，也可以通过热压印(hot-embossing)法来形成。
另外，基板100也可以包括玻璃和被覆于玻璃上的塑料。或者，基板100也可以包括玻璃和形成于玻璃上的纳米复合体材质的薄膜。此时，使用热压印法可以在塑料或纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽。而且，在玻璃上被覆塑料或纳米复合体材质的薄膜的过程中，通过压印法可以在塑料或纳米复合体材质的薄膜上形成有沟槽。此时，塑料或纳米复合体材质可以包括热固性或UV固化性材质。
在被覆于玻璃上的、塑料或纳米复合体材质的薄膜上形成有沟槽时，与直接在玻璃上形成沟槽的情况相比，能够容易地形成沟槽。
另外，沟槽101、102、103、104不仅通过压印或热压印法来形成，也可以通过湿式蚀刻、干式时刻、磨削或切削等机械加工来形成，也可以通过激光划线等光学加工来形成。
上述的基板材质和沟槽形成方法均可适用于后述的实施例。
如图1a所示，将第一导电性物质以θ1的角度倾斜沉积在基板100上(OD1)以形成第一电极层110。由此根据沉积的平直性，第一导电性物质被沉积在基板100的各沟槽101、102、103、104的部分底面和一个侧面上、在各沟槽之间的基板100区域上而形成第一导电层110。即，根据形成于基板100上的沟槽101、102、103、104的截面形状与倾斜沉积角度θ1之间的相互关系，在沟槽101、102、103、104的部分区域上不沉积第一导电性物质。
为了进行上述的倾斜沉积，利用电子束、热蒸镀、溅射或喷射等具有平直性的沉积法，但并不限定于此。上述的第一导电性物质的沉积方法也适用于后述的实施例中。第一导电性物质是穿过基板100的光入射进来的部分，因此该第一导电性物质必须可以透光。为此，第一导电性物质可以由透明导电性物质来构成，其可以为氧化锌(Zinc Oxide，ZnO)、氧化锡(Tin Oxide，SnO)或氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)中的至少一种。第一导电性物质的材质也可以适用于后述的实施例中。
在这样的基板100上，于相邻的沟槽之间形成有第一电极层110和辅助电极层120，其中，辅助电极层120的电阻小于第一电极层110的电阻且与上述第一电极层的部分区域接触。此时，在本发明的第一实施例中辅助电极层120形成在第一电极层110上，在第二实施例中辅助电极层120形成在第一电极层110的下部。
如图1b所示，在第一电极层110的部分区域上形成有电阻小于第一电极层110的辅助电极层120。第一电极层110虽然可以透光，但相对来说其电阻可能较大。因此，单元电池(UC)区的宽度越大，第一电极层110的宽度也越大，进而第一电极层110的电阻也越大。如此地，如果第一电极层110的电阻增加，则光电装置的光电转换率会下降。单元电池(UC)区是通过光而产生电流的区域。
由于光电装置的基板100的面积是固定的，因此相对于基板100的整个面积来说，应减少不产生电流的无效区域比例而增加产生电流的有效区域比例以提高光电装置的效率。为了增加相对于基板100的整个面积的有效区域比例应增加单元电池(UC)区的宽度。
当形成电阻小于第一电极层110的辅助电极层120时，能够弥补因第一电极层110的电阻而产生光电装置效率下降的损失。而且，单元电池(UC)区的宽度以不发生效率下降的方式增加，因此通过有效区域的增加能够提高光电装置的效率。
如此地，不管有效区域增加与否都可以保证光电装置的效率，因此易于改变形成于基板100上的单元电池(UC)区的个数。
即，当仅形成有第一电极层110时，由于第一电极层110的电阻增加，因此对单元电池(UC)区的宽度增加有限制。因此形成在基板100上的单元电池(UC)区的个数必须为特定值以上。例如，基板100的宽度为80cm，考虑到第一电极层110的电阻将单元电池(UC)区的最大宽度设为8mm时，在基板上最低可以形成100个单元电池(UC)区。100个单元电池(UC)区以串联连接的方式相电连接，在一个单元电池(UC)区内产生0.9V的电压时，形成在80cm基板100上的光电装置无法提供小于90V的电压。即，仅形成有第一电极层110时，光电装置的电压供给能力不够灵活。
另一方面，如本发明的第一实施例，辅助电极层120按照与第一电极层110相接触的方式形成时，无论单元电池(UC)区的宽度多少，光电装置的效率都会得到保证，因此能够容易地改变形成在基板100上的单元电池(UC)区的个数。即，辅助电极层120能够使光电装置的电压供给能力变得灵活。
该辅助电极层120所起的这种功能不仅适用于第一实施例，也适用于后述的其它实施例。
在本发明的第一实施例中，辅助电极层120可以包括铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钨(W)、镍(Ni)或铬(Cr)中的至少一种。另外，辅助电极层120可以通过利用金属掩模(metal mask)的沉积法、喷墨法(inkjet)、喷雾(jet spray)、丝网印刷(screen printing)、纳米压印(nano imprint)或冲压(stamping)中的任一种方法来形成。
关于上述辅助电极层120的材质和形成方法，其不仅适用于第一实施例，也适用于后述的其它实施例。
另一方面，辅助电极层120可以具有起到减少第一电极层110电阻的作用、且减少通过辅助电极层120而产生的阴影效应(shadow effect)以使其容易进行光透射的形状。例如，辅助电极层120可以为图1b所示的叉(fork)状或图1c所示的梯状，但并不限定于此。例如，辅助电极层120的形状可以为网状(mesh)或条纹状。
如图1d所示，在沟槽101～104的内部、第一电极层110和辅助电极层120上形成有光电转换层130。
光电转换层130由光电物质构成。光电转换层130可以由太阳光入射时产生电流的物质来形成。例如，光电转换层130可以由硅系、化合物系、有机物系和干式染料敏化系的光电物质中的一种物质来形成。其中，硅系太阳能电池可以使用单结非晶硅太阳能电池(amorphous silicon(a-Si:H)single junction solar cell)、多结非晶硅太阳能电池(a-Si:H/a-Si:H，a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H multi-junctionsolar cell)、非晶硅锗单结太阳能电池(amorphous silicon-germanium(a-SiGe:H)single junction solar cell)、非晶硅/非晶硅锗双结太阳能电池(a-Si:H/a-SiGe:Hdouble junction solar cell)、非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结太阳能电池(a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H triple junction solar cell)和非晶硅/微晶硅(多晶硅)双结太阳能电池(amorphous silicon/microcrystalline(poly crystalline)silicon double junction solar cell)中的一种。
另一方面，当太阳能电池为多结电池时，可以在构成多结电池的电池之间形成中间层135以提高薄膜太阳能电池的效率。此时，中间层135可以由绝缘性物质或导电性物质来构成，且可以使用透明的物质。例如，中间层135可以包括氮化硅、硅氧化物、碳化硅或金属氧化物中的至少一种。而且，中间层135可以包括金属氧化物系的氧化锌(Zinc Oxide，ZnO)、氧化锡(Tin Oxide，SnO)或氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)中的至少一种。
这样的光电转换层130也可以适用于后述的实施例。
如图1e所示，将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层130上(OD2)以形成第二电极层140。如果第二导电性物质以θ2的角度倾斜沉积，则根据沉积的平直性，第二导电性物质沉积在光电转换层130上。由于第二导电性物质以θ2的角度倾斜沉积，因此形成于沟槽101～104上的光电转换层130的部分区域上不沉积第二导电性物质。第二导电性物质的沉积利用电子束、热蒸镀、溅射或喷射等沉积方法来进行，但并不限定于此。第二导电性物质的沉积方法也可以适用于后述的实施例。根据上述方法，通过第二导电性物质形成自对准(self-alignment)的第二电极层140。
第二导电性物质可以包括透明导电性物质、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钨(W)、镍(Ni)或铬(Cr)中的至少一种。此时，透明导电性物质可以包括ZnO、SnO2或ITO。这种第二导电性物质的成分不仅适用于第一实施例，也适用于后述的实施例。
此时，第一导电性物质从一侧开始以θ1的角度进行倾斜沉积，而第二导电性物质从上述一侧的相对而置的侧面开始以θ2的角度进行倾斜沉积。通过这种过程设置出光电转换层130的蚀刻区域。
如图1f所示，对光电转换层130进行蚀刻以使沟槽101～104内部的辅助电极层120暴露。此时，将第二电极层140作为掩模来使用，光电转换层实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的光电转换层130的一部分。
作为蚀刻方法优选使用反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching，RIE)等干式蚀刻工序，但并不限定于此。如此地，通过自对准的第二电极层140，无需掩模就可以进行光电转换层130的微蚀刻。
这种蚀刻方法不仅适用于第一实施例，也可以适用于后述的实施例。
如图1g所示，沟槽101、103被绝缘物质150填埋。绝缘物质150可以包括金属氧化物、硅氧化物、瓷漆或它们的混合物，沟槽101、103可通过印刷法、喷墨法、喷雾法、丝网印刷、纳米压印或冲压法而被填埋。关于利用绝缘物质150来填埋沟槽101、103的理由，会在下面进行详细说明。
如图1h所示，第三导电性物质以θ3的角度倾斜沉积(OD3)，由此导电层160形成在第二电极层140上。如此地，在没有被绝缘物质所填埋的沟槽102、104的内部，通过第三导电层物质的倾斜沉积而形成的导电层160与通过蚀刻而暴露的辅助电极层120相连接，且在绝缘物质150上也形成有导电层160。由此，在沟槽101、102、103、104之间的区域中，在沟槽内部，导电层160对形成于通过光而产生电的一个单元电池(UC)区的辅助电极层120与形成于通过光而产生电的另一个单元电池(UC)区的第二电极层140进行电连接。由此，相邻的各个单元电池(UC)通过导电层160以串联连接的方式相电连接。
相邻的单元电池(UC)在沟槽内以串联连接的方式相电连接，因此相邻的单元电池(UC)之间的距离可显示为数十μm～数μm左右。即，减少无效区域。
这与以往的、利用等离子体的化学气相处理方法和利用激光束的激光刻槽方式相比，能够减少数十～数百倍的无效区域，因此能够使光电装置的有效区域极大化。
此时，被绝缘物质150所填埋的沟槽101、103和没有被绝缘物质150填埋的102、104之间的距离越短，没有产生电流的无效区域就越小。
第三导电性物质可以通过与第二导电性物质的沉积方法相同的沉积方法来进行沉积。第三导电性物质可以包括透明导电性物质、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钨(W)、镍(Ni)或铬(Cr)中的至少一种。此时，透明导电性物质可以包括ZnO、SnO2或ITO。
第三导电性物质的沉积方法和材质也可以适用于后述的实施例。
通过绝缘物质150来填埋沟槽101、103时，可以防止中间层135和第二电极层140之间发生短路(short)。另外，与图1h不同，如果沟槽101、103没有被绝缘物质150填埋，则形成在沟槽101、103内的第一电极层110和第二电极层140通过导电层160以串联连接的方式相电连接。此时，区域R2也与区域R1相同地起到太阳能电池的功能，区域R2的太阳能电池和区域R1的太阳能电池以串联连接的方式相电连接。
此时，区域R2小于区域R1，因此产生自区域R2的太阳能电池的电流小于产生自区域R1的太阳能电池的电流。对于产生自以串联连接的方式相电连接的区域R1和区域R2的太阳能电池的电流，其由产生自区域R2的太阳能电池的电流来决定。因此，区域R2的太阳能电池会降低整个太阳能电池的效率。然而，如本发明的第一实施例，沟槽101、103被绝缘物质150填埋时，区域R2起不到太阳能电池的作用，因此不会降低整个太阳能电池的效率。
如图1i所示，在集成化的光电装置中，由位于基板100的特定区域的相邻接的沟槽来形成母线区。相当于母线区的相邻沟槽105、106之间的间隔可能小于非母线区的相当于有效区域的相邻沟槽之间的间隔。即，由于母线区不产生电流，因此母线区的沟槽之间的间隔有可能小于产生电流的、太阳能电池区域的沟槽之间的间隔。
在本发明的第一实施例中，基板100最外围的沟槽106与其相邻的沟槽105之间的区域可以为母线区，母线区可以为3mm～5mm。在该母线区的沟槽105、106上进行上述如图1a～图1f的工序。母线区的宽度可以随着单元电池面积而发生变化。
此时，如图1所示，采用导电膏170来填埋多个沟槽105、106时，在导电膏170上粘结有如导电带等的母线(未图示)，因此形成自光电转换层130的电流通过母线而流向外部。
该母线将产生自集成化的薄膜太阳能电池的电流有效供给到外部。另外，根据不同的沟槽数量母线区有可能发生变化，因此能够对应多样的母线宽度且能够增加母线与导电膏的粘结力。
导电膏可包括铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锌(Zn)、钨(W)、镍(Ni)或铬(Cr)中的至少一种。作为通过这种导电膏来填埋沟槽105、106的方法，使用印刷法、喷墨法、喷雾、丝网印刷、纳米压印或冲压等方法。
上述方法不需要进行通过掩膜作业来完成的蚀刻工序，可能通过低温工序直接形成图案化的母线区。另外，工序比较简单且无需高价设备，因此能够节省制造成本。根据本实施例形成母线区时，不需要进行另外的、用于形成母线的激光刻槽工序，因此能够快速简便地形成母线区。
另外，采用代替导电膏的超声波粘结等方法，可以将母线(未图示)直接形成在母线区
该母线区的特征可以适用于之后要说明的实施例。
另一方面，形成第二电极层140后，在蚀刻光电转换层130之前形成短路防止层180以防止电极层110、120、140之间发生短路。
即，如图1e和图1f所示，通过将自对准的第二电极层140作为掩模进行蚀刻后，有可能在第二电极层140的末端与第一电极层110之间、第二电极层140的末端与辅助电极层120之间发生短路。
为了防止发生这样的短路现象，如图1i所示，从图1e的第二导电性物质被沉积的、基板100的一侧相对而置的侧面开始，短路防止层以θ4的角度被倾斜沉积在光电转换层130和第二电极层140上。短路防止层180覆盖第二电极层140的末端以防止第二电极层140的末端和第二电极层110之间、第二电极层140和辅助电极层120之间发生短路。该短路防止层180的功能均适用于后述的实施例。
然后，如图1k所示，通过自对准的第二电极层140和短路防止层180，对光电转换层130进行蚀刻以使辅助电极层120暴露。
此时的蚀刻区域小于图1f中的蚀刻区域，而且短路防止层180覆盖了第二电极层140的末端，由此能够防止第二电极层140的末端与第一电极层110之间、第二电极层140的末端与辅助电极层120之间发生短路。短路防止层180可由与第二电极层140相同的物质构成。
然后，如图11所示通过绝缘物质150来填埋沟槽，如图1m所示形成有导电层160，如图1n所示设定母线区，通过导电膏170来填埋母线区的沟槽。
如上所述，无需进行另设的掩模工序，就可以形成第一电极层110、光电转换层130、第二电极层140、光电转换层的蚀刻、短路防止层180和导电层160。由此光电装置的生产工序变得简化且能够缩短生产时间。
[第二实施例]
图2a～图2n表示根据本发明第二实施例的光电装置的制造方法。
如图2a～图2c所示，与第一实施例不同，第二实施例中辅助电极层120可以比第一电极层110先形成在基板100上。由于第一电极层110位于辅助电极层120上，因此对光电转换层130进行蚀刻时，第一电极层110被暴露。由此导电层160与位于辅助电极层120上的第一电极层110相连接。
对于图2d中光电转换层130的形成、图2e中第二电极层140的形成、图2f和图2k中光电转换层130的蚀刻、图2g和图21中采用绝缘物质150进行填埋、图2h和图2m中导电层160的形成、图2i和图2n中母线区的形成、图2j中短路防止层180的形成，已在上述实施例1中进行了说明，因此省略该部分的详细说明。
这样的辅助电极层120比第一电极层110先形成在基板100上，因此对光电转换层130进行蚀刻时，位于沟槽101、102、103、104内部的第一电极层110被暴露。由此导电层160和第一电极层110在沟槽101、102、103、104内部相连接。
即，导电层160在沟槽101、102、103、104内部对形成于通过光而产生电的一个单元电池(UC)区的第一电极层110和形成于通过光而产生电的另一个单元电池(UC)区的第二电极层140进行电连接。
在此，辅助电极层120和导电层160可以直接接触以减少接触时的电阻。为此，在图2c中，以小于θ1的角度倾斜沉积第一导电性物质以形成第一电极层，由此能够使沟槽内部的辅助电极末端暴露。
上述特征均适用于本发明的第四、第六和第八实施例。虽然未在附图中所示，但形成图2c的梯状辅助电极层120之后，第一电极层110没有形成在辅助电极层120上且梯状辅助电极层120和基板100没有重叠，因此第一电极层110有可能形成在被暴露的单元电池(UC)区的基板100上。即，有可能在梯形内部形成第一电极层110。通过形成这样的第一电极层110，辅助电极层120的侧面和第一电极层110的侧面相接触而电连接。
这样的特征也均适用于本发明的第四、第六和第八实施例。
[第三实施例]
图3a～图3j表示根据本发明第三实施例的光电装置的制造方法。
如图3a所示，准备在沟槽301、303、305和位于相邻沟槽301和303、303和305之间形成有槽302和304的基板300。槽302和304成为太阳光被透射的区域。另一方面，沟槽301、303、305和槽302和304可以通过上述第一实施例中沟槽的形成方法来形成。在附图中，槽302、304虽然没有贯通基板300，但槽302、304可以贯通基板300。由此，光通过槽302、304能够更顺利地进行透射。
在本发明的第三实施例中可以使用预先形成有沟槽301、303、305和槽302、304的基板300，且可以包括在基板300上形成沟槽301、303、305和槽302、304的步骤。而且，沟槽301、303、305和槽302、304的形成可以同时进行。
此时，不管是槽302、304的长度对宽度的比例，还是槽302、304的深度对直径的比例，其值均可能大于沟槽301、303、305的深度对宽度的比例。例如，如图3a所示，可以按照槽302、304的宽度小于沟槽301、303、305的宽度，槽302、304的深度与沟槽301、303、305的深度相同的方式形成。另外，虽然未图示，但可以按照槽302、304的深度大于沟槽301、303、305的深度，槽302、304的宽度与沟槽301、303、305的宽度相同的方式形成。这样形成的理由是，通过以后的倾斜沉积第一、第二和第三导电性物质的工序，使第一、第二和第三导电性物质不沉积在槽302、304底面的缘故。由此，不需要在槽302、304底面进行用来去除第一、第二和第三导电性物质的蚀刻工序。因此，在以后的工序中，只要对形成在槽302、304底面的光电转换层进行蚀刻工序，光通过槽302、304底面就可以透射进来。
另一方面，如图3a所示，从基板300的一侧开始，将第一导电性物质倾斜沉积在基板300上(OD1)以形成第一电极层310。如果第一导电性物质以θ1的角度被倾斜沉积，则根据沉积的平直性，第一导电性物质被沉积在基板300上。通过这样的倾斜沉积，在沟槽301、303、305的一部分和槽302、304的底面上不沉积第一导电性物质。
各个槽302、304可以具有圆形或多角形或椭圆形的形状。
如图3b所示，在第一电极层310的部分区域上形成有电阻小于第一电极层310的辅助电极层320。对于辅助电极层320的功能和效果，已在上述实施例1中进行了说明，因此省略其详细说明。槽302a、302b、302c可以位于相邻沟槽301和303之间、303和305之间，为了不妨碍透过槽302、304的光透射，辅助电极层320形成于槽302a、302b之间。
另一方面，辅助电极层320可以具有起到减少第一电极层310电阻的作用、且减少通过辅助电极层320而产生的阴影效应(shadow effect)以使其容易进行光透射的形状。例如，辅助电极层320可以为图3b中的叉(fork)状或图3c中的梯状，但并不限定于此。
如上所述，辅助电极层320形成于302a、302b之间，因此以图3b的A-A为基准时的截面与以B-B为基准时的截面不同。由此，如图3d所示，在以A-A为基准时的截面中，于沟槽301、303、305的内部、第一电极层310和辅助电极层320上形成有光电转换层330。另外，在以B-B为基准时的截面中，于沟槽301、303、305和槽302、304的内部、第一电极层310和辅助电极层320上形成有光电转换层330。
如图3e所示，从与上述一侧面相对而置的侧面开始，将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层330上(OD2)以形成第二电极层340。如果第二导电性物质以θ2的角度被倾斜沉积(OD2)，则根据沉积的平直性，第二导电性物质被沉积在光电转换层330上。通过形成于基板300上的沟槽301、303、305和角度θ2，形成于沟槽301、303、305和槽302、304的光电转换层330的部分区域上，不沉积第二导电性物质。
如图3f所示，对形成于沟槽301、303、305的光电转换层330进行蚀刻，以使沟槽301、303、305内的辅助电极层320暴露，且对形成于槽302、304的光电转换层330进行蚀刻，以使光通过槽302、304来进行透射。
为了对光电转换层330进行蚀刻，自对准的第二电极层340作为掩模来使用，因此光电转换层330实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的、位于沟槽301、303、305和槽302、304底面上的光电转换层330的一部分。由于这种自对准的第二电极层340作为掩模来使用，因此无需另外的掩模。
对形成在沟槽301、303、305和槽302、304的光电转换层的蚀刻，实质上可以同时进行蚀刻，也可以单独进行蚀刻。通过这种对光电转换层的蚀刻，槽302、304的底面被暴露，由此光通过槽的底面来进行透射。
如图3g所示，第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层340上(OD3)以形成导电层350，以使形成在一个单元电池(UC)区的辅助电极层320和形成在与上述单元电池(UC)区相邻的另一个单元电池(UC)区上的第二电极层340相电连接。因此，沟槽内部的辅助电极层320与导电层350相连接。
对于第三导电性物质的沉积方法，可以采用与沉积第二导电性物质相同的方法来进行沉积。即，如果第三导电性物质以θ3的角度被倾斜沉积(OD3)，则根据沉积的平直性，第三导电性物质被沉积在通过蚀刻而暴露的沟槽301、303、305的辅助电极层320上以形成导电层350。此时，在槽302、304的底面上不沉积第三导电性物质。
由此，形成于一个单元电池(UC)区的辅助电极层320和形成于相邻单元电池(UC)区的第二电极层340上的导电层350在沟槽301、303、305处相连接，由此各个单元电池(UC)能够以串联连接的方式相电连接。
如图3h所示，在集成化的光电装置中，由位于基板300特定区域的相邻的沟槽来形成母线区。对于母线区和导电膏的说明，已在上述第一实施例中进行了说明，因此省略该部分的详细说明。
另一方面，如图3i所示，形成第二电极层340后，可以在蚀刻光电转换层330之前形成短路防止层370以防止电极层310、320、340之间发生短路。
即，如图3e和图3f所示，如果将自对准的第二电极层340作为掩模来使用并进行蚀刻，则有可能在第二电极层340的末端与第一电极层310之间、第二电极层340的末端与辅助电极层320之间发生短路。
为了防止发生这样的短路现象，如图3i所示，从释放出第二导电性物质的一侧相对而置的侧面开始，短路防止物质以θ4的角度被倾斜沉积在光电转换层330和第二电极层340上。
然后，如图3j所示，通过自对准的第二电极层340和短路防止层370，对光电转换层330进行蚀刻，由此使辅助电极层320暴露。此时的蚀刻区域小于图3f中的蚀刻区域，而且短路防止层370覆盖了第二电极层340的末端，由此能够防止第二电极层340的末端与第一电极层310之间、第二电极层340的末端与辅助电极层320之间发生短路。短路防止层370可由与第二电极层340相同的物质构成。
光电转换层330被蚀刻后，导电层350形成在第二电极层340上，以使导电层350与沟槽301、303、305的辅助电极层320接触。由此各个单元电池以串联连接的方式相电连接。
[第四实施例]
图4a至图4j表示根据本发明第四实施例的光电装置的制造方法。
如图4a至图4c所示，与第三实施例不同，在第四实施例中辅助电极层320可以比第一电极层310先形成在基板300上。由于第一电极层310位于辅助电极层320上，因此对光电转换层330进行蚀刻时，第一电极层310被暴露。由此，导电层350与位于辅助电极层320上的第一电极层310相连接。
关于图4d中的光电转换层330、图4e中的第二电极层340、图4f和图4j中的光电转换层330的蚀刻、图4g中导电层350的形成、图4h中母线区的形成、图4i和图4j中短路防止层370的形成，已在第三实施例中进行了说明，因此省略该部分的详细说明。
由于该辅助电极层320比第一电极层310先形成在基板300上，因此对光电转换层330进行蚀刻时，在沟槽301、303、305的内部第一电极层310被暴露。由此，在沟槽301、303、305的内部，导电层350和第一电极层310相连接。
在第三实施例和第四实施例的步骤中，无需位置控制装置就可以通过自对准来完成，因此通过比较简单的工序就可以制造出集成光电装置。根据第三实施例和第四实施例，可制造出透光型(see through)集成光电装置。在第三实施例和第四实施例中，作为基板300使用透明塑料或透明纳米复合体物质时，能够制造出附着在位宅或汽车玻璃上的柔软的集成光电装置。
在第三实施例和第四实施例中，形成或不形成用来透光的槽302均可。
[第五实施例]
图5a至图5k表示根据本发明第五实施例的光电装置的制造方法。
如图5a所示，准备沟槽501、502按照间隔有一定距离且朝一个方向倾斜∠α度的方式而形成的基板500。
此时，根据第五实施例的沟槽501、502按照沟槽501、502的侧面相对于基板500的水平方向朝一个方向倾斜∠α度的方式形成。由此，虽然在第一～第四实施例中为了形成第一电极层而进行倾斜沉积工序，但在第五实施例中无需进行倾斜沉积工序，而是通过电子束、热蒸镀、溅射法或喷射等方法形成第一电极层510。
如图5a所示，利用第一导电性物质在基板500的各个沟槽501、502的部分底面和一个侧面上形成第一电极层510。如上所述，无需进行倾斜沉积工序，第一导电性物质通过电子束、热蒸镀、溅射法或喷射等多种沉积法能够被沉积在基板500上。
第一导电性物质按照垂直于基板500的方向被沉积在基板500上时，由于沟槽501、502朝一个方向倾斜，因此在沟槽501、502的部分区域不沉积第一导电性物质。
如图5b所示，在第一电极层510的部分区域上形成有电阻小于第一电极层510的辅助电极层520。辅助电极层520可以具有多种形状，以使其起到减少第一电极层110电阻的作用，且减少通过辅助电极层520而产生的阴影效应而容易进行光的透射。例如，如图5b、图5c所示，辅助电极层520可以为的叉(fork)状或梯状。虽然未在附图中所示，但辅助电极层520可以具有网状或条纹状。
如图5d所示，在沟槽501、502内部、第一电极层510和辅助电极层520上形成有光电转换层530。光电转换层530可由光电物质构成，也可由太阳光入射时产生电流的物质形成。
如图5e所示，将第二导电性物质倾斜沉积(OD1)在光电转换层530上以形成第二电极层540。当第二导电性物质以θ1的角度被倾斜沉积时，根据沉积的平直性，第二导电性物质被沉积在光电转换层530上。此时，由于第二导电性物质以θ1的角度被倾斜沉积，因此形成在沟槽501、502的光电转换层530的部分区域上不沉积第二导电性物质。根据上述方法，通过第二导电性物质来形成自对准的第二电极层540。
如图5f所示，对形成于沟槽501、502的光电转换层530进行蚀刻，以使沟槽501、502内的辅助电极层520暴露。在以前的工序中，将自对准的第二电极层540作为掩模来使用，使得光电转换层530实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的光电转换层530的部分区域。
如图5g所示，第三导电性物质以θ2的角度被倾斜沉积(OD2)在第二电极层540上以形成导电层550。随着该第三导电性物质的倾斜沉积，通过蚀刻而被暴露的辅助电极层520与导电层550在沟槽501、502的内部相连接。由此，各个相邻的单元电池(UC)以串联连接的方式相电连接。
此时，第三导电性物质可以利用与沉积第二导电性物质相同的沉积方法来进行沉积。如果第三导电性物质被倾斜沉积，则根据沉积的平直性，第三导电性物质被沉积在通过蚀刻而暴露的辅助电极层520上。
如图5h所示，在集成光电装置中，由位于基板500的特定区域的相邻沟槽来形成母线区。这种母线区的沟槽被导电膏560填埋。
另一方面，如图5i所示，形成第二电极层540后，在蚀刻光电转换层530之前形成短路防止层570以防止电极层(510、520、540)之间发生短路。从释放出第二导电性物质的一侧相对而置的侧面开始，短路防止物质以θ3的角度被倾斜沉积在光电转换层530和第二电极层540上。
然后，如图5j所示，通过自对准的第二电极层540和短路防止层570，对光电转换层530进行蚀刻，由此使辅助电极层520暴露。此时的被蚀刻的区域小于图5f中的蚀刻区域，而且短路防止层570覆盖了第二电极层540的末端，由此能够防止第二电极层540的末端与第一电极层510之间、第二电极层540的末端与辅助电极层520之间发生短路。短路防止层570可由与第二电极层540相同的物质构成。
如图5k所示，在集成光电装置中，由位于基板500的特定区域的相邻沟槽来形成母线区。这种母线区的构成被导电膏560填埋。
[第六实施例]
图6a至图6k表示根据本发明第六实施例的光电装置的制造方法。
如图6a～图6c所示，与第五实施例不同，第六实施例中辅助电极层520被第一电极层510先形成于基板500上。由于第一电极层510位于辅助电极层520上，因此蚀刻光电转换层530时，第一电极层510被暴露。由此，导电层550与位于辅助电极层520上的第一电极层510相连接。
关于图6d中光电转换层530的形成、图6e中第二电极层540、图6f和图6j中光电转换层530的蚀刻、图6g中导电层550的形成、图6h中母线区的形成、图6i中短路防止层570的形成和图6k中母线区的形成，已在第五实施例中进行了说明，因此省略该部分的详细说明。
由于该辅助电极层520比第一电极层510先形成在基板500上，因此蚀刻光电转换层530时，在沟槽501、502内的第一电极层310被暴露。由此，在沟槽501、502内部，导电层550和第一电极层510相连接。
在上述的第一～第六实施例中，基板上均形成有沟槽，但在后述的实施例中，涉及的是在基板上没有形成沟槽的光电装置。
此时，在基板700上形成具有规定厚度的第一电极层710和辅助电极层720，其中，辅助电极层720使从上述第一电极层之间的部分区域到所述第一电极层的其它部分区域与上述第一电极层接触。在第七实施例中辅助电极层720形成在第一电极层710上，在第八实施例中辅助电极层720形成在第一电极层710的下部。
[第七实施例]
图7a至图7k表示根据本发明第七实施例的光电装置的制造方法。
如图7a所示，在基板700上具有规定厚度和宽度的第一电极层710按照间隔有一定距离的方式形成。在上述的实施例中，沟槽与沟槽之间虽然形成单元电池区，但从第七实施例之后的实施例中，第一电极层710相当于单元电池区。对于基板700的材质，已在上述记载中进行了说明，因此省略该部分。
第一电极层710可以通过将含有用于形成第一电极层710的溶胶-凝胶(sol-gel)溶液作为油墨的印刷法(printing)来形成。因此，无需使用利用掩模的光致抗蚀剂法或塑料图案，就能够使溶胶-凝胶溶液直接涂布在基板700上，由此形成第一电极层710。此时，可以利用辊子等将溶胶-凝胶溶液直接涂布在基板700上，但并不限定于此。另一方面，通过印刷法形成的第一电极层710的电阻可能较高，因此可在大气或氮气等气体环境下进行热处理。
这样的方法可以不经过通过掩膜作业来完成的蚀刻工序就可以直接形成带状图案的第一电极层710。利用这种印刷法形成第一电极层710时，其工序比较简单，且不需要如现有工序的、用于激光刻槽的高价设备，因此能够节省制造成本。
这种第一电极层710的形成方法也可以适用于后述的实施例。
如图7b所示，从相邻的第一电极层710之间的部分区域到第一电极层710的其它部分区域上形成有辅助电极层720。此时，对于形成于第一电极层710的部分区域上的辅助电极层720，其可以具有多种形状，由此使光的透射能够顺利进行。例如，辅助电极层720可以为图7b所示的叉(fork)状或图7c所示的梯状，但并不限定于此。例如，辅助电极层720可以具有网状或条纹状。对于辅助电极层720的功能和效果，已在上述记载中进行了说明，因此省略该部分说明。
如图7d所示，在基板700、第一电极层710和辅助电极层720上形成有光电转换层730，在暴露于相邻第一电极层710之间区域的、基板700上形成有光电转换层730。对于光电转换层730的说明，已在上述记载中进行了说明，因此省略。
如图7e所示，将第二导电性物质倾斜沉积(OD1)在光电转换层730上以形成第二电极层740。如果第二导电性物质以θ1的角度被倾斜沉积(OD1)，则根据沉积的平直性，第二导电性物质被沉积在光电转换层730上。由此，形成自对准的第二电极层740。
如图7f所示，对光电转换层730进行蚀刻，以使位于相邻第二电极层740之间的辅助电极层720暴露。此时，将自对准的第二电极层740作为掩模来使用，使得光电转换层730实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的光电转换层730的一部分。
如图7g所示，第三导电性物质以θ2的角度被倾斜沉积(OD2)在第二电极层740上以形成导电层750。此时，第二导电性物质从基板700的一侧开始被倾斜沉积，而第三导电性物质从基板700的上述一侧的相反侧的其它侧开始被倾斜沉积。由此，形成于相邻的第一电极层710中的一个区域上的辅助电极层720与形成于其它第一电极层710区的第二电极层740通过导电层750相电连接，各个相邻的单元电池(UC)以串联连接的方式相电连接。
如图7h所示，母线区相当于在整个第一电极层710中相邻的第一电极层710的部分区域，导电膏760与形成在母线区的导电层750相接触。此时，母线区的第一电极层710的宽度11可能小于位于有效区域的第一电极层710的宽度12。母线区是不产生电流的无效区域，因此为了提高光电装置的效率，宽度可以小于作为有效区域的第一电极层710的宽度12。另外，在母线区，采用代替导电膏的超声波粘结等方法，可以将母线(未图示)直接形成在母线区。
另一方面，如图7i所示，形成第二电极层740后，在蚀刻光电转换层730之前形成短路防止层770以防止电极层710、720、740之间发生短路。
如图7i所示，从与一侧相对而置的侧面开始，短路防止物质以θ3的角度被倾斜沉积在光电转换层730和第二电极层740上。然后，如图7j所示，对光电转换层730进行蚀刻以去除自对准的第二电极层740和短路防止层770，使辅助电极层720暴露。
此时，被蚀刻的区域小于图7f中的蚀刻区域，而且短路防止层770覆盖了第二电极层740的末端，由此能够防止第二电极层740的末端与第一电极层710之间、第二电极层740的末端与辅助电极层720之间发生短路。短路防止层770可由与第二电极层740相同的物质构成。
然后，如图7k所示，第三导电性物质以θ2的角度被倾斜沉积(OD2)而使导电层750形成在短路防止层770上，由此导电层750与位于相邻的第一电极层710之间的辅助电极层720相连接，各个相邻的单元电池(UC)以串联连接的方式相电连接。
[第八实施例]
图8a至图8k表示根据本发明第八实施例的光电装置的制造方法。
如图8a～8c所示，与第七实施例不同，第八实施例中辅助电极层720可以比第一电极层710先形成在基板700上。第一电极层710位于辅助电极层720上且第一电极层710的侧面位于辅助电极层720上，因此蚀刻光电转换层730时，辅助电极层720被暴露。由此，导电层750与辅助电极层720相连接。
关于图8d中光电转换层730的形成、图8e中第二电极层740的形成、图8f和图8j中光电转换层730的蚀刻、图8g和图8k中导电层750的形成、图8h中母线区的形成、图8i中短路防止层770的形成，已在第七实施例中进行了说明，因此省略该部分的详细说明。

Claims (26)

1.一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：
准备形成有沟槽(101、102、103、104、301、302、303、304、501、502)的基板(100、300、500)；
在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层(110、310、510)和辅助电极层(120、320、520)，其中，所述辅助电极层(120、320、520)的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触，并位于所述第一电极层的上部或下部；
在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层(130、330、530)；
将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层(140、340、540)；
对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层或所述辅助电极层暴露；
将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层(160、350、550)，以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
2.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，对所述光电转换层进行蚀刻时，将所述第二电极层作为掩模来使用。
3.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，所述沟槽按照规定角度倾斜。
4.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，对所述光电转换层进行蚀刻之后，利用绝缘物质(150)来填埋所述沟槽中的一个沟槽。
5.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，所述沟槽中部分相邻沟槽之间的间隔小于相当于有效区域的相邻沟槽之间的间隔。
6.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，用来透射光的槽(302、304)位于所述相邻沟槽之间，所述辅助电极层位于所述槽之间。
7.如权利要求6所述的光电装置的制造方法，其特征在于，所述槽中深度相对于宽度的比例或深度相对于直径的比例大于所述沟槽中深度相对于宽度的比例。
8.如权利要求6所述的光电装置的制造方法，其特征在于，通过对形成于所述槽的所述光电转换层进行蚀刻，以使所述槽的底面暴露。
9.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，将第一导电性物质倾斜沉积在所述基板上以形成所述第一电极层。
10.如权利要求1所述的光电装置的制造方法，其特征在于，还包括将短路防止物质倾斜沉积在所述光电转换层和所述第二电极层上的步骤。
11.一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：
在基板(700)上形成具有规定厚度和宽度的第一电极层(710)；
将电阻小于所述第一电极层的辅助电极层(720)形成在所述第一电极层的上部或下部，以使与所述第一电极层接触；
在所述第一电极层或所述辅助电极层的区域、在相邻的所述第一电极层之间的区域上形成光电转换层(730)；
将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层(740)；
对所述光电转换层进行蚀刻，以使位于相邻的所述第二电极层之间的所述辅助电极层暴露；
将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层(750)，以使形成于所述相邻第一电极层的一个区域上的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域上的所述第二电极层相电连接。
12.如权利要求11所述的光电装置的制造方法，其特征在于，所述第一电极层通过使用溶胶-凝胶溶液的印刷法来形成。
13.如权利要求11所述的光电装置的制造方法，其特征在于，对所述光电转换层进行蚀刻时，将所述第二电极层作为掩模来使用。
14.如权利要求11所述的光电装置的制造方法，其特征在于，在整个所述第一电极层中，部分第一电极层的宽度小于有效区域的第一电极层的宽度。
15.如权利要求11所述的光电装置的制造方法，其特征在于，还包括将短路防止物质倾斜沉积在所述光电转换层和所述第二电极层上的步骤。
16.一种光电装置，其特征在于，该光电装置包括：
基板，形成有沟槽(101、102、103、104、301、302、303、304、501、502)；
第一电极层(110、310、510)，形成于所述沟槽之间的区域；
辅助电极层(120、320、520)，形成于所述沟槽之间的区域上且电阻小于所述第一电极层的电阻，其位于所述第一电极层的上部或下部以使所述辅助电极层与所述第一电极层的部分区域接触；
光电转换层(130、330、530)，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上；
第二电极层(140、340、540)，位于所述光电转换层上；以及
导电层(160、350、550)，其使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
17.如权利要求16所述的光电装置，其特征在于，所述沟槽按照规定角度倾斜。
18.如权利要求16所述的光电装置，其特征在于，还包括填埋所述沟槽中的一个沟槽的绝缘物质(150)。
19.如权利要求16所述的光电装置，其特征在于，所述沟槽中部分相邻沟槽之间的间隔小于相当于有效区域的相邻沟槽之间的间隔。
20.如权利要求16所述的光电装置，其特征在于，用来透射光的槽(302、304)位于所述相邻沟槽之间，所述辅助电极层位于所述槽之间。
21.如权利要求20所述的光电装置，其特征在于，所述槽中深度相对于宽度的比例或深度相对于直径的比例大于所述沟槽中深度相对于宽度的比例。
22.如权利要求20所述的光电装置，其特征在于，所述槽的底面被暴露。
23.如权利要求16所述的光电装置，其特征在于，还包括覆盖第二电极层末端的短路防止层(180、370、570)。
24.一种光电装置，其特征在于，该光电装置包括：
基板(700)；
第一电极层(710)，位于所述基板上且具有规定的厚度和宽度；
辅助电极层(720)，其电阻小于所述第一电极层的电阻，且位于所述第一电极层的上部或下部以使其与所述第一电极层接触；
光电转换层(730)，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上，且位于所述相邻的第一电极层之间的区域；
第二电极层(740)，位于所述光电转换层上；以及
导电层(750)，其使形成于所述相邻第一电极层中的一个区域的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域的所述第二电极层相电连接。
25.如权利要求24所述的光电装置，其特征在于，所述相邻第一电极层中一个第一电极层宽度小于另一个第一电极层的宽度。
26.如权利要求24所述的光电装置，其特征在于，还包括覆盖所述第二电极层末端的短路防止层(770)。
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