JPS60182757A - 集積型太陽電池 - Google Patents
集積型太陽電池Info
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- JPS60182757A JPS60182757A JP59039078A JP3907884A JPS60182757A JP S60182757 A JPS60182757 A JP S60182757A JP 59039078 A JP59039078 A JP 59039078A JP 3907884 A JP3907884 A JP 3907884A JP S60182757 A JPS60182757 A JP S60182757A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は切断してえられた集積型太陽電池に関する。
［従来技術］
従来から、高山ノノの太陽電池をうるため、集積型太陽
電池が製造され、使用されてきている。
電池が製造され、使用されてきている。
このような集積型太陽電池は、通常、１枚の透明基板状
にパターン化した、１つ１つ独立した透明電極を形成し
、それらの上に半導体素子および裏面電極を形成したの
ち、それぞれの太陽電池素子を接続し、集積化して製造
されている。
にパターン化した、１つ１つ独立した透明電極を形成し
、それらの上に半導体素子および裏面電極を形成したの
ち、それぞれの太陽電池素子を接続し、集積化して製造
されている。
このようにして製造された集積型太陽電池は、各太陽電
池素子を独立に形成する必要があるため、透明基板面積
に占める太陽電池素子の合計面積が約６０％にしかなら
ず、単位面積当りの電池出力にもおのずから限界が生ず
る。それゆえ、この方法により製造される集積型太陽電
池の出力を大きくするためには、太陽電池素子の面積を
ふやす必要があり、必然的に集積型太陽，電池の表面積
が大きくなるため、用途が限定されたり、コストが高く
なるという問題が生じてくる。
池素子を独立に形成する必要があるため、透明基板面積
に占める太陽電池素子の合計面積が約６０％にしかなら
ず、単位面積当りの電池出力にもおのずから限界が生ず
る。それゆえ、この方法により製造される集積型太陽電
池の出力を大きくするためには、太陽電池素子の面積を
ふやす必要があり、必然的に集積型太陽，電池の表面積
が大きくなるため、用途が限定されたり、コストが高く
なるという問題が生じてくる。
また要求出力に応じて別々のパターンをつくる必要があ
るため、製造が煩雑になっている。
るため、製造が煩雑になっている。
［発明の目的コ
本発明者らは上記のごとき実情に鑑み、太陽電池の透明
基板面積に占める太陽電池素子の合計面積の比率をあげ
、単位面積当りの電池出力をあげ、かつ要求出力に応じ
て任意に同じパターンから太陽電池をつくることを目的
として鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成した。
基板面積に占める太陽電池素子の合計面積の比率をあげ
、単位面積当りの電池出力をあげ、かつ要求出力に応じ
て任意に同じパターンから太陽電池をつくることを目的
として鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成した。
［発明の構成コ
すなわち本発明は、透明基板上に設けられた複数本の並
行帯状の透明電極、透明電極の一方の長辺をおおわず、
他方の長辺をこえて透明基板上または隣接する透明電極
上まで設けられている複数本の並行帯状の半導体層、該
半導体層の一方の長辺（おおわれなかった透明電極の長
辺側の辺）をおおわず、該半導体層の他方の長辺をこえ
て隣接する透明電極上または隣接する半導体層上まで設
けられている複数本の並行帯状の裏面電極からなる太陽
電池であって、おおわれている透明電極の長辺と該透明
電極上に半導体層を介して設けられている裏面電極の相
対する長辺との間隔（ａ）、おおわれている透明電極の
長辺と隣接する透明電極の他方の長辺との間隔（ｂ）、
おおわれている半導体層の長辺と隣接する半導体層の他
方の長辺との間隔（Ｃ）およびおおわれている側の裏面
電極の長辺と隣接する裏面電極の他方の長辺との間隔（
ｄ）との間にａ≧１０ｂ 、 ａ≧１０ｃ 、 ａ≧１
０６なる関係がある太陽電池を、透明電極の帯状方向に
間隔（Ｂ）をもって切断してえられた太陽電池の巾（Ａ
）と間隔（Ｂ）との間にＡ≦Ａ≦１００Ｂなる関係を有
することを特徴とする切断してえられた集積型太陽電池
に関する。
行帯状の透明電極、透明電極の一方の長辺をおおわず、
他方の長辺をこえて透明基板上または隣接する透明電極
上まで設けられている複数本の並行帯状の半導体層、該
半導体層の一方の長辺（おおわれなかった透明電極の長
辺側の辺）をおおわず、該半導体層の他方の長辺をこえ
て隣接する透明電極上または隣接する半導体層上まで設
けられている複数本の並行帯状の裏面電極からなる太陽
電池であって、おおわれている透明電極の長辺と該透明
電極上に半導体層を介して設けられている裏面電極の相
対する長辺との間隔（ａ）、おおわれている透明電極の
長辺と隣接する透明電極の他方の長辺との間隔（ｂ）、
おおわれている半導体層の長辺と隣接する半導体層の他
方の長辺との間隔（Ｃ）およびおおわれている側の裏面
電極の長辺と隣接する裏面電極の他方の長辺との間隔（
ｄ）との間にａ≧１０ｂ 、 ａ≧１０ｃ 、 ａ≧１
０６なる関係がある太陽電池を、透明電極の帯状方向に
間隔（Ｂ）をもって切断してえられた太陽電池の巾（Ａ
）と間隔（Ｂ）との間にＡ≦Ａ≦１００Ｂなる関係を有
することを特徴とする切断してえられた集積型太陽電池
に関する。
［発明の実施態様］
本発明に用いる透明基板としては、たとえばガラス、セ
ラミックスまたはエポキシ系樹脂やフッ素系樹脂などの
ような有機高分子材料などから製造された厚さ０、１〜
５０ｍｍｓ巾１００〜１０００Ｍ程度の透明基板があげ
られるが、これらに限定されるものではなく、一般に太
陽電池用基板として用いられる透明基板であれば用いう
る。
ラミックスまたはエポキシ系樹脂やフッ素系樹脂などの
ような有機高分子材料などから製造された厚さ０、１〜
５０ｍｍｓ巾１００〜１０００Ｍ程度の透明基板があげ
られるが、これらに限定されるものではなく、一般に太
陽電池用基板として用いられる透明基板であれば用いう
る。
本発明に用いる透明電極としては、たとえばＩＴＯ 、
Ｉｎ２ ０３ 、Ｓｎ０２ 、ＩＴＯ ／ ＳｎＱ２、
ＣｄｘＳｎＯｙ（式中、Ｘは０．５〜２、ｙは２〜４で
ある）、■ｒｍＯｎ（式中、ｍは０．１〜０，９９、ｎ
＝１−ｍである）などから形成された厚さ２００八〜１
虜程度の透明電極があげられるが、これに限定されるも
のではなく、一般に太陽電池用透明電極として用いられ
るものであれば用いうる。
Ｉｎ２ ０３ 、Ｓｎ０２ 、ＩＴＯ ／ ＳｎＱ２、
ＣｄｘＳｎＯｙ（式中、Ｘは０．５〜２、ｙは２〜４で
ある）、■ｒｍＯｎ（式中、ｍは０．１〜０，９９、ｎ
＝１−ｍである）などから形成された厚さ２００八〜１
虜程度の透明電極があげられるが、これに限定されるも
のではなく、一般に太陽電池用透明電極として用いられ
るものであれば用いうる。
本発明に用いる半導体層としては、たとえばｐｉｎ型、
ｐｎ型、ヘテロ型、ホモ型、ショットキーバリアー型、
これらを多層型あるいはスタックド型などの、たとえば
アモルファスタイプあるいは微結晶タイプのような厚さ
０．３〜２ａｍ程度の半導体層があげられるが、これら
に限定されるものではなく、通常太陽電池に使用される
半導体層であれば使用しうる。
ｐｎ型、ヘテロ型、ホモ型、ショットキーバリアー型、
これらを多層型あるいはスタックド型などの、たとえば
アモルファスタイプあるいは微結晶タイプのような厚さ
０．３〜２ａｍ程度の半導体層があげられるが、これら
に限定されるものではなく、通常太陽電池に使用される
半導体層であれば使用しうる。
本発明に用いる裏面電極としては、たとえばｓｕｓ 、
鉄、Ａ＃、ＮＬ、偽しんちゅう、ｚｎ１〜などから形成
された厚さ３００人〜２ρ程度の電極があげられるが、
これらに限定されるものではなく、通常太陽電池に使用
される裏面電極であれば使用しつる。
鉄、Ａ＃、ＮＬ、偽しんちゅう、ｚｎ１〜などから形成
された厚さ３００人〜２ρ程度の電極があげられるが、
これらに限定されるものではなく、通常太陽電池に使用
される裏面電極であれば使用しつる。
本発明においては、たとえば第１図、第３図または第４
図に示すように、透明基板（１）上に透明電極（２）が
、巾約２〜５０ｓ＋＋程度、長さ約１００〜１１０００
ＩＩ１程度に２〜２０本程度、該電極同土間に隙間（ｂ
）を有するようにパターン化して並行帯状に設けられて
いてもよく、またこれらの繰返しを同一基板上に複数組
配置してもよく、透明基板（１）上全面に透明電極を形
成したのち、湿式エツチングまたはドライエツチングに
より、並行帯状にパターン化してもよく、ＣＯ２レーザ
ー光やＹＡＧレーザー光をあててスクライブしてパター
ン化してもよい。
図に示すように、透明基板（１）上に透明電極（２）が
、巾約２〜５０ｓ＋＋程度、長さ約１００〜１１０００
ＩＩ１程度に２〜２０本程度、該電極同土間に隙間（ｂ
）を有するようにパターン化して並行帯状に設けられて
いてもよく、またこれらの繰返しを同一基板上に複数組
配置してもよく、透明基板（１）上全面に透明電極を形
成したのち、湿式エツチングまたはドライエツチングに
より、並行帯状にパターン化してもよく、ＣＯ２レーザ
ー光やＹＡＧレーザー光をあててスクライブしてパター
ン化してもよい。
このようにしてえられた透明電極上に半導体層（３）を
、第１図または第３図に示すように、該透明電極の長辺
の一方をおおわず、他方をおおうようにパターン化して
形成してもよく、該透明電極がパターン化して形成され
た透明基板上全面に半導体層を設けたのち、透明電極の
ばあいと同様にしてパターン化してもよい。パターン化
された半導体層同土間には隙間（Ｃ）が設けられている
。レーザーでパターン化するばあい、半導体層としてＳ
Ｌを含む非晶質または微結晶質半導体を用いると、透明
電極にダメージを与えずパターン化できるので望ましい
。
、第１図または第３図に示すように、該透明電極の長辺
の一方をおおわず、他方をおおうようにパターン化して
形成してもよく、該透明電極がパターン化して形成され
た透明基板上全面に半導体層を設けたのち、透明電極の
ばあいと同様にしてパターン化してもよい。パターン化
された半導体層同土間には隙間（Ｃ）が設けられている
。レーザーでパターン化するばあい、半導体層としてＳ
Ｌを含む非晶質または微結晶質半導体を用いると、透明
電極にダメージを与えずパターン化できるので望ましい
。
パターン化した透明電極（′２Ｊおよびパターン化した
半導体層（３）を有する透明基板（１）上には、半導体
層のばあいと同様にして、第１図または第３図に示すよ
うに、半導体層（３）の一方の長辺（おおわれなかった
透明電極の長辺側の辺）をおおわず、該半導′体層（３
）の他方の長辺をおおうように裏面電極をパターン化し
て形成してもよく、パターン化した透明電極（２）およ
び半導体層（３）を有する透明基板上全面に裏面電極を
設け、該裏面電極を、透明電極あるいは半導体層をパタ
ーン化したばあいと同様にしてパターン化してもよい。
半導体層（３）を有する透明基板（１）上には、半導体
層のばあいと同様にして、第１図または第３図に示すよ
うに、半導体層（３）の一方の長辺（おおわれなかった
透明電極の長辺側の辺）をおおわず、該半導′体層（３
）の他方の長辺をおおうように裏面電極をパターン化し
て形成してもよく、パターン化した透明電極（２）およ
び半導体層（３）を有する透明基板上全面に裏面電極を
設け、該裏面電極を、透明電極あるいは半導体層をパタ
ーン化したばあいと同様にしてパターン化してもよい。
パターン化した裏面電極（４）同土間には隙間（ｄ）が
存在するが、形成された裏面電極（４）は、隣接する透
明電極（２）と接触することが必要である。このばあい
には太陽電池をあらためて接続する必要がなくなる。
存在するが、形成された裏面電極（４）は、隣接する透
明電極（２）と接触することが必要である。このばあい
には太陽電池をあらためて接続する必要がなくなる。
基板上全面に透明電極、半導体層または裏面電極を形成
してからレーザー光のビームをあて、スクライブし、パ
ターン化するとき、たとえばレーザー光としてＹＡＧレ
ーザーを用いるときには、ＷＡＧレーザーのパワーを、
透明電極をパターン化するとき、半導体層をパターン化
するとき、裏面電極をパターン化するときの順におとす
ことにより、各層を選択的にスクライブすることができ
る。また第４図に示すように、裏面電極（４）をパター
ン化する際に、半導体層（３）も同じ巾で除去してもよ
い。こうするとリーク量が減少し、とくに低照度で使用
される用途には好ましい。
してからレーザー光のビームをあて、スクライブし、パ
ターン化するとき、たとえばレーザー光としてＹＡＧレ
ーザーを用いるときには、ＷＡＧレーザーのパワーを、
透明電極をパターン化するとき、半導体層をパターン化
するとき、裏面電極をパターン化するときの順におとす
ことにより、各層を選択的にスクライブすることができ
る。また第４図に示すように、裏面電極（４）をパター
ン化する際に、半導体層（３）も同じ巾で除去してもよ
い。こうするとリーク量が減少し、とくに低照度で使用
される用途には好ましい。
前記のようにして製造された、第１図、第３図または第
４図に示すような断面構造を有する太陽電池（５）を、
第２図に示すように、長さ方向に間隔（Ｂ）をもって切
断することにより、本発明の集積型太陽電池かえられる
。
４図に示すような断面構造を有する太陽電池（５）を、
第２図に示すように、長さ方向に間隔（Ｂ）をもって切
断することにより、本発明の集積型太陽電池かえられる
。
太陽電池（５）を切断する方法としては、たとえばダイ
ヤモンドカッター、シャーリング、ＣＯ２レーザーのよ
うな方法を採用しうるが、これらの方法に限定されるも
のではない。
ヤモンドカッター、シャーリング、ＣＯ２レーザーのよ
うな方法を採用しうるが、これらの方法に限定されるも
のではない。
本発明の集積型太陽電池において、第１図または第３図
に示す透明電極（２）の−辺および裏面電極（４）の他
方の側の辺の間隔（ａ）と前記間隔（ｂ） 、（ｃ）
、（ｄ）との間には、ａ≧１０ｂ 、 ａ≧１０ｃ 、
ａ≧１０ｄなる関係が存在する。なおり１ｃ、ｄは１
ρより大であることが好ましり、１０ρ以上であること
がさらに好ましい。本発明においては間隔（ａ） 、（
ｂ） 、 （ｃ） 、（ｄ）簡にａ≧１０ｂ 、 ａ≧
１０ｃ Ｓａ≧１０ｄなる関係が存在するため、実質的
に活性部面積が大きく取れるので、従来に比して大きな
出力がえられる。さらに、前記間隔（ａ） 、（ｂ）
、（ｃ） 、（ｄ）の間に、ａ≦１００ｂ、 ａ≦１０
０ｃ、 ａ≦１００ｄなる関係があるときには、接続部
の直列抵抗がほとんど無視でき、曲線因子（ＦＦ）を低
下させることなく面積動帯を向上させることができると
いう効果かえられる。ａ ＞ １００ｂ、 ａ ＞ １
００ｃ、 ａ ＞ １００ｄになると直列抵抗が無視で
きなくなり好ましくない。
に示す透明電極（２）の−辺および裏面電極（４）の他
方の側の辺の間隔（ａ）と前記間隔（ｂ） 、（ｃ）
、（ｄ）との間には、ａ≧１０ｂ 、 ａ≧１０ｃ 、
ａ≧１０ｄなる関係が存在する。なおり１ｃ、ｄは１
ρより大であることが好ましり、１０ρ以上であること
がさらに好ましい。本発明においては間隔（ａ） 、（
ｂ） 、 （ｃ） 、（ｄ）簡にａ≧１０ｂ 、 ａ≧
１０ｃ Ｓａ≧１０ｄなる関係が存在するため、実質的
に活性部面積が大きく取れるので、従来に比して大きな
出力がえられる。さらに、前記間隔（ａ） 、（ｂ）
、（ｃ） 、（ｄ）の間に、ａ≦１００ｂ、 ａ≦１０
０ｃ、 ａ≦１００ｄなる関係があるときには、接続部
の直列抵抗がほとんど無視でき、曲線因子（ＦＦ）を低
下させることなく面積動帯を向上させることができると
いう効果かえられる。ａ ＞ １００ｂ、 ａ ＞ １
００ｃ、 ａ ＞ １００ｄになると直列抵抗が無視で
きなくなり好ましくない。
本発明の集積型太陽電池において、ｒｌ］（Ａ）ど長さ
くＢ）との関係はＢ≦Ａ≦１００８であることが必要で
ある。ΔおよびＢの関係がＡ＜８のばあいには、接続部
のリーク電流が増すので、とくに電卓などの低照度で発
電させ、利用するばあいには好ましくない。またＡ＞１
００８のばあいには、透明電極による直列抵抗が無視で
きなくなり、性能が低下する。
くＢ）との関係はＢ≦Ａ≦１００８であることが必要で
ある。ΔおよびＢの関係がＡ＜８のばあいには、接続部
のリーク電流が増すので、とくに電卓などの低照度で発
電させ、利用するばあいには好ましくない。またＡ＞１
００８のばあいには、透明電極による直列抵抗が無視で
きなくなり、性能が低下する。
前記間隔（ａ） 、（ｂ） 、（ｃ） 、（ｄ） 、（
Ａ）、（Ｂ）の間に、３Ｂ ＜Ａ ＜５０Ｂ 、 ａ＞
２０ｂ 、 ａ＞２０ｃ 、 ａ ＞ ２０６なる関係
があるばあいには、最もバランスのとれた構成になるの
で、発電効率、面積有効率ですぐれた性能かえられる。
Ａ）、（Ｂ）の間に、３Ｂ ＜Ａ ＜５０Ｂ 、 ａ＞
２０ｂ 、 ａ＞２０ｃ 、 ａ ＞ ２０６なる関係
があるばあいには、最もバランスのとれた構成になるの
で、発電効率、面積有効率ですぐれた性能かえられる。
第３図に示すように、パターン化された半導体層（３）
が隣接するパターン化された透明電極（２）の上にまで
形成されていてもよく、またパターン化された裏面電極
（４）が隣接するパターン化された半導体層（３）の上
にまで形成されていてもよい。このようなばあい、半導
体層（３）と隣接する透明電極（２）との重なり（ｅ）
および裏面電極（４）と隣接する半導体層（３）との重
なり＜ｒ＞は、いずれもす、ｃ。
が隣接するパターン化された透明電極（２）の上にまで
形成されていてもよく、またパターン化された裏面電極
（４）が隣接するパターン化された半導体層（３）の上
にまで形成されていてもよい。このようなばあい、半導
体層（３）と隣接する透明電極（２）との重なり（ｅ）
および裏面電極（４）と隣接する半導体層（３）との重
なり＜ｒ＞は、いずれもす、ｃ。
ｄの約１０倍以内にすることが、逆方向の電流を小さく
でき、また耐電圧が低下しないなどの点から望ましい。
でき、また耐電圧が低下しないなどの点から望ましい。
一方、半導体層（３）は、第１図または第３図に示すよ
うに、隣接する透明電極（ａと接していたり、重なりあ
っていたりすることは必ずしも必要ではないが、裏面電
極（４）が隣接する透明電極と接して直列接続すること
は必要である。
うに、隣接する透明電極（ａと接していたり、重なりあ
っていたりすることは必ずしも必要ではないが、裏面電
極（４）が隣接する透明電極と接して直列接続すること
は必要である。
なお前記寸法Ａ、Ｂ、ａ１ｂ、ｃ、、ｄＴｈ、上述の関
係を満足するものであればとくに限定されるものではな
いが、通常、Ａ＝０．５〜２０ｆｆ、Ｂ＝ ０．１〜２
０ｃｍ、 ａ＝ ２〜５０ｍｍ、 ｂ＝ ０．０１〜５
ＩｎＩｎ、好ましくは０．０２〜０．５ｍｍ、 ｄ
＝ ０．０１〜５ ｍｍ 、ｓ好ましくは０，０１〜０
．５ｆｆｍが実用的である。
係を満足するものであればとくに限定されるものではな
いが、通常、Ａ＝０．５〜２０ｆｆ、Ｂ＝ ０．１〜２
０ｃｍ、 ａ＝ ２〜５０ｍｍ、 ｂ＝ ０．０１〜５
ＩｎＩｎ、好ましくは０．０２〜０．５ｍｍ、 ｄ
＝ ０．０１〜５ ｍｍ 、ｓ好ましくは０，０１〜０
．５ｆｆｍが実用的である。
つぎに本発明の集積型太陽電池を実施例にもとづき説明
する。
する。
実施例１
１３０Ｍ格のＩＴＯ（１０００人〉／ガラスにＡ ＝
３１．、ａ＝７ｍ、ｂ＝ ０．１ｍｍになるようにＡの
ユニットを４つ並列に配列したパターンに、ＹＡＧレー
ザーを用いてのＩＴＯを除去した（ＣＩ４時ＧＷ、Ｑ＝
１３にＨ７１１２，５Ｍ／ ５ｅｃ）。ついで第１図に
両面のＩＴＯ部分をマスクして平行平板型ＯＤ装置（１
３，５６ＨｉｌＺ、基板温度２００℃）を用いてｐ型の
ａ−３ｉＣ：Ｈ１３０人、真性のａ−３ｉ：８ ６００
０人、ｐ型のμＣ−３ｉ：Ｈ３００人を堆積した。つい
でＣ部分が０．１扁になるように、ＹＡＧレーザーを用
いて半導体層（３１だけを除去した。そののちＮを約１
０００人真空熱着し、ざらにｄ＝０．１順になるように
ＮをＹＡＧレーザーで除去し、Ｎ面にエポキシ樹脂をコ
ートしたのち、Ｂ＝１２ｍになるように切断して太陽電
池をえた。
３１．、ａ＝７ｍ、ｂ＝ ０．１ｍｍになるようにＡの
ユニットを４つ並列に配列したパターンに、ＹＡＧレー
ザーを用いてのＩＴＯを除去した（ＣＩ４時ＧＷ、Ｑ＝
１３にＨ７１１２，５Ｍ／ ５ｅｃ）。ついで第１図に
両面のＩＴＯ部分をマスクして平行平板型ＯＤ装置（１
３，５６ＨｉｌＺ、基板温度２００℃）を用いてｐ型の
ａ−３ｉＣ：Ｈ１３０人、真性のａ−３ｉ：８ ６００
０人、ｐ型のμＣ−３ｉ：Ｈ３００人を堆積した。つい
でＣ部分が０．１扁になるように、ＹＡＧレーザーを用
いて半導体層（３１だけを除去した。そののちＮを約１
０００人真空熱着し、ざらにｄ＝０．１順になるように
ＮをＹＡＧレーザーで除去し、Ｎ面にエポキシ樹脂をコ
ートしたのち、Ｂ＝１２ｍになるように切断して太陽電
池をえた。
えられた太陽電池を用いて蛍光燈１５０ルクスでＶ−１
特性を測定したところ、ｌ５ｃ＝１４μＡ、Ｖｏｃ＝
２．３Ｖ、１．５Ｖ テ＋７）ＩＯＩ）〜１２．５μＡ
テｆｖツだ。
特性を測定したところ、ｌ５ｃ＝１４μＡ、Ｖｏｃ＝
２．３Ｖ、１．５Ｖ テ＋７）ＩＯＩ）〜１２．５μＡ
テｆｖツだ。
Ｂ＝２４ｍｍに切断してもｌ５ｃ＝２８μＡ 、 Ｉｏ
ｐ＝２５μ＾、かえられ、Ｂの長さで出力を任意に調整
できることがわかった。
ｐ＝２５μ＾、かえられ、Ｂの長さで出力を任意に調整
できることがわかった。
［発明の効果］
たとえば第１図または第３図に示すような断面形状を有
する長い集積型太陽電池を製造し、切断して集積型太陽
電池を製造すると、透明基板面積に占める太陽電池素子
の合計面積の比率を約７０〜９０％まで高めることがで
き、したがって単位面積当りの出力を高めることができ
る。
する長い集積型太陽電池を製造し、切断して集積型太陽
電池を製造すると、透明基板面積に占める太陽電池素子
の合計面積の比率を約７０〜９０％まで高めることがで
き、したがって単位面積当りの出力を高めることができ
る。
また切断する間隔を変化させることにより、出力の変更
を容易に行ないうる。
を容易に行ないうる。
第１図は集積型太陽電池の一実ＩＭ態様の断面を示す説
明図、第２図は本発明の集積型太陽電池を製造するのに
用いられる集積型太陽電池の一実施態様を示す説明図、
第３図おＪ：び第４図はそれぞれ本発明の集積型太陽電
池の異なった実施態様の断面を示す説明図である。 （図面の符号） （１）：透明基板 （２）：透明電極 （３）二半導体層 （４）：裏面電極 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 第１図 「 ″：Ａ′２同
明図、第２図は本発明の集積型太陽電池を製造するのに
用いられる集積型太陽電池の一実施態様を示す説明図、
第３図おＪ：び第４図はそれぞれ本発明の集積型太陽電
池の異なった実施態様の断面を示す説明図である。 （図面の符号） （１）：透明基板 （２）：透明電極 （３）二半導体層 （４）：裏面電極 特許出願人 鐘淵化学工業株式会社 第１図 「 ″：Ａ′２同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に設けられた複数本の並行帯状の透明電
極、該透明電極の一方の長辺をおおわず、他方の長辺を
こえて透明基板上または隣接する透明電極上まで設けら
れている複数本の並行帯状の半導体層、該半導体層の一
方の長辺（Ｊ３おわれなかった透明電極の長辺側の辺）
をおおわず、該半導体層の他方の長辺をこえて隣接する
透明電極上または隣接する半導体層上まで設けられてい
る複数本の並行帯状の裏面電極からなる太陽電池であっ
て、おおわれている透明電極の長辺と該透明電極上に半
導体層を介して設けられている裏面電極の相対する長辺
との間隔（ａ）、おおわれている透明電極の長辺と隣接
する透明電極の他方の長辺との間隔（ｂ）、おおわれて
いる半導体層の長辺と隣接する半導体層の他方の長辺と
の間隔（Ｃ）およびおおわれている側の裏面電極の長辺
と隣接する裏面電極の他方の長辺とのｆＪ（（１）との
間にａ≧１０ｂ 、、ａ≧１０ｃ 。 ａ≧１０ｄなる関係がある太陽電池を、透明電極の帯状
方向に間隔（Ｂ）をもって切断してえられた太陽電池の
巾（Ａ）と間隔（８）との間にＢ≦Ａ≦１００Ｂなる関
係を有することを特徴とする切断してえられた集積型太
陽電池。 ２ 前記間隔（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）の間にａ
≦１００ｂ、 ａ≦１００ｃ、 ａ≦１００ｄなる関係
がある特許請求の範囲第１項記載の集積型太陽電池。 ３ 前記中（Ａ）、間隔（Ｂ） 、（ａ） 、（ｂ）
、（ｃ）、（ｄ）の間に、３Ｂ＜Ａ＜ ５０８ Ｓａ
＞２０ｂ 。 ａ ＞２０ｃ 、 ａ ＞２０ｄなる関係がある特許請
求の範囲第１項記載の集積型太陽電池。 ４ 前記透明電極の厚さが２００人〜１ρ、半導体層の
厚さが０．３〜２ｕｍ、裏面電極の厚さが３００人〜２
ρである特許請求の範囲第１項記載の集積型太陽電池。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039078A JPS60182757A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 集積型太陽電池 |
| US06/703,975 US4631351A (en) | 1984-02-29 | 1985-02-21 | Integrated solar cell |
| KR1019850001227A KR900003841B1 (ko) | 1984-02-29 | 1985-02-27 | 절단구조의 집적형 태양 전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039078A JPS60182757A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 集積型太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182757A true JPS60182757A (ja) | 1985-09-18 |
Family
ID=12543065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039078A Pending JPS60182757A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 集積型太陽電池 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4631351A (ja) |
| JP (1) | JPS60182757A (ja) |
| KR (1) | KR900003841B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4745078A (en) * | 1986-01-30 | 1988-05-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for integrated series connection of thin film solar cells |
| CA2024662A1 (en) * | 1989-09-08 | 1991-03-09 | Robert Oswald | Monolithic series and parallel connected photovoltaic module |
| AUPR174800A0 (en) * | 2000-11-29 | 2000-12-21 | Australian National University, The | Semiconductor processing |
| JP4368151B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-11-18 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| DE102004050269A1 (de) * | 2004-10-14 | 2006-04-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle |
| US7927497B2 (en) * | 2005-03-16 | 2011-04-19 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Integrated thin-film solar cells and method of manufacturing thereof and processing method of transparent electrode for integrated thin-film solar cells and structure thereof, and transparent substrate having processed transparent electrode |
| KR100656738B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2006-12-14 | 한국과학기술원 | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR100725110B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2007-06-04 | 한국과학기술원 | 투과형 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법. |
| JP4411338B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
| CA2731288A1 (en) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Solibro Research Ab | Selective removal and contacting of thin film solar cells |
| JP6846018B2 (ja) * | 2019-01-24 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材の製造方法 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5753986A (ja) * | 1980-07-25 | 1982-03-31 | Eastman Kodak Co | |
| JPS57173982A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Solar battery module |
| JPS58155771A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池用基板 |
| JPS5935489A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59039078A patent/JPS60182757A/ja active Pending
-
1985
- 1985-02-21 US US06/703,975 patent/US4631351A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-02-27 KR KR1019850001227A patent/KR900003841B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01171282A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900003841B1 (ko) | 1990-06-02 |
| KR850006658A (ko) | 1985-10-14 |
| US4631351A (en) | 1986-12-23 |
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