JPS58155771A - 薄膜太陽電池用基板 - Google Patents
薄膜太陽電池用基板Info
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- JPS58155771A JPS58155771A JP57038463A JP3846382A JPS58155771A JP S58155771 A JPS58155771 A JP S58155771A JP 57038463 A JP57038463 A JP 57038463A JP 3846382 A JP3846382 A JP 3846382A JP S58155771 A JPS58155771 A JP S58155771A
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- JP
- Japan
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜太陽電池用の導電性基板に関するものであ
り、種々の電力容量の太陽電池を簡易に製造可能とする
薄膜太陽電池用基板〆提供するものである。
り、種々の電力容量の太陽電池を簡易に製造可能とする
薄膜太陽電池用基板〆提供するものである。
従来、単一基板上に光電変換薄膜を堆積してなる薄膜太
陽電池は非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉ と略記する）よ
りなる太陽電池に代表されるように基板上で直列接続さ
れている。第１図ａ、ｂは従来から提案されている直列
接続方式の太陽電池を示すものであり、１は絶縁基板、
２は受光側電極、３はａ−８ｔ薄膜、４は裏面側電極で
ある。第１図ａの場合は基板上に、予め直列接続が可能
なように特殊なパターニングをし、そのパターニングに
よって完成された素子の大きさが限定されている。
陽電池は非晶質ケイ素（以下ａ−８ｉ と略記する）よ
りなる太陽電池に代表されるように基板上で直列接続さ
れている。第１図ａ、ｂは従来から提案されている直列
接続方式の太陽電池を示すものであり、１は絶縁基板、
２は受光側電極、３はａ−８ｔ薄膜、４は裏面側電極で
ある。第１図ａの場合は基板上に、予め直列接続が可能
なように特殊なパターニングをし、そのパターニングに
よって完成された素子の大きさが限定されている。
第１図すの場合も基板には予め島状の導電膜が存在し、
第１図ａと同様、パターニングによって完成された素子
の大きさが限定される。他方半導体集積回路の進歩によ
り消費電力が減少し続けているが、その進歩に応じるた
めには、従来例第１図ａと同様すも、その都度新しいマ
スクを作成しなければならないという大きな欠点があっ
た。
第１図ａと同様、パターニングによって完成された素子
の大きさが限定される。他方半導体集積回路の進歩によ
り消費電力が減少し続けているが、その進歩に応じるた
めには、従来例第１図ａと同様すも、その都度新しいマ
スクを作成しなければならないという大きな欠点があっ
た。
本発明は上記従来技術に鑑み、従来例第１図ａ。
ｂと同様に光導電薄膜を同一基板上に複数個直列接続す
ることが可能であり、かつ種々の電力用の太陽電池をマ
スクを一々変更することなく、製造できる太陽電池用基
板を提供するものである。
ることが可能であり、かつ種々の電力用の太陽電池をマ
スクを一々変更することなく、製造できる太陽電池用基
板を提供するものである。
以下、本発明の詳細について実施例とともに説明する。
第２図ａ ” ｃは本発明の一実施例に係る°薄膜太陽
電池用基板を用いて太陽電池を製造する手順を説明した
図である。ガラス基板１１にほぼ全面に透明電極１２を
蒸着し、帯状に透明電極１２をエツチングして一定間隔
だけ離間して並設する（第２図ａ）。なお、透明電極１
２が並設されるよう帯状に絶縁化しても良い。まだ帯状
に透明電極材料を蒸着してもよいし、印刷してもよい。
電池用基板を用いて太陽電池を製造する手順を説明した
図である。ガラス基板１１にほぼ全面に透明電極１２を
蒸着し、帯状に透明電極１２をエツチングして一定間隔
だけ離間して並設する（第２図ａ）。なお、透明電極１
２が並設されるよう帯状に絶縁化しても良い。まだ帯状
に透明電極材料を蒸着してもよいし、印刷してもよい。
次に、本発明になる上記基板を用い、ａ−８ｉ薄膜１３
を、たとえばｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積させる（第２
図ｂ）。なお、図を簡単にするために図ではｐ、ｉ、ｎ
の区別をしてい々い。次に第２図Ｃに示したように、透
明電極１２′と接し、かつ隣接するａ−８ｉ薄膜に接す
るように電極層１４を形成する。この電極層１４は素子
間の直列接続と同時に隣の素子の裏面電極ともなってい
る。両端の素子に外部端子１５，１ｅを取り付けてぼ夕
１Ｆ接続素子とする。これによって直列接続された薄膜
太陽電池が形成される。
を、たとえばｐ型、ｉ型、ｎ型の順に堆積させる（第２
図ｂ）。なお、図を簡単にするために図ではｐ、ｉ、ｎ
の区別をしてい々い。次に第２図Ｃに示したように、透
明電極１２′と接し、かつ隣接するａ−８ｉ薄膜に接す
るように電極層１４を形成する。この電極層１４は素子
間の直列接続と同時に隣の素子の裏面電極ともなってい
る。両端の素子に外部端子１５，１ｅを取り付けてぼ夕
１Ｆ接続素子とする。これによって直列接続された薄膜
太陽電池が形成される。
この薄膜太陽電池の特性を使用光源の下で測定、し−電
源として実装する装置の消費電力とみあった幅に薄膜太
陽電池を切断する。第２図Ｃで言えば左右方向に切断す
る。切断後、切り口が短絡しやすいので、電極１４の蒸
着時に切断線にあわせて金属等の線を用いてマスキング
し、電極１４を分離しても良いし、切り口を適当な保護
材でおおっても良い。従来例である第１図すの基板構造
の場合、本発明に示すように絶縁基板の一端がら他端捷
で導電膜は存在せず、しかも本発明のように素子を切断
するだけで消費電力に対応させるという思想はない・。
源として実装する装置の消費電力とみあった幅に薄膜太
陽電池を切断する。第２図Ｃで言えば左右方向に切断す
る。切断後、切り口が短絡しやすいので、電極１４の蒸
着時に切断線にあわせて金属等の線を用いてマスキング
し、電極１４を分離しても良いし、切り口を適当な保護
材でおおっても良い。従来例である第１図すの基板構造
の場合、本発明に示すように絶縁基板の一端がら他端捷
で導電膜は存在せず、しかも本発明のように素子を切断
するだけで消費電力に対応させるという思想はない・。
さらに第１図すの場合、長さ方向において基板端部と素
子の間に余白部分を設けているので基板の利用効率が著
しく低下する。
子の間に余白部分を設けているので基板の利用効率が著
しく低下する。
なお本実施例では、ガラス基板上に透明導電膜を蒸着し
、ａ−８ｉ薄膜を堆積させた後、裏面電極を蒸着する素
子について示しているが、絶縁基板−Ｆに帯状に導電膜
が存在すれば良いことは明らかである。捷たａ−８ｉ薄
膜に限ることなく、他の光起電力層であってもよい。さ
らに上記実施例では電極材料を特定しなかったが５ｎ０
２．ＩＴＯ２Ｔｉ ＋Ｎｉ 。
、ａ−８ｉ薄膜を堆積させた後、裏面電極を蒸着する素
子について示しているが、絶縁基板−Ｆに帯状に導電膜
が存在すれば良いことは明らかである。捷たａ−８ｉ薄
膜に限ることなく、他の光起電力層であってもよい。さ
らに上記実施例では電極材料を特定しなかったが５ｎ０
２．ＩＴＯ２Ｔｉ ＋Ｎｉ 。
Ｃｒ、ＮｊＣｒ、ＳＵＳ、Ｗ等の材料で、その上に光起
電力層を形成したときに著しく反応しない性質のもので
あればよい。適当でない材料としてはＳｎ。
電力層を形成したときに著しく反応しない性質のもので
あればよい。適当でない材料としてはＳｎ。
Ａｊ！、Ｉｎ、Ｐｔ＋ＰｄやＡｕがあげら′れる。
以上のように、本発明による基板を用いた薄膜太陽電池
は従来から行なわれている”個々の独立しだ導電膜上に
形成された単一太陽電池を直列接続した特性とほぼ同じ
であり、かつ、基板の余分な面積を大幅に減少させるこ
とができるため、基板の利用効率は大幅に改善される。
は従来から行なわれている”個々の独立しだ導電膜上に
形成された単一太陽電池を直列接続した特性とほぼ同じ
であり、かつ、基板の余分な面積を大幅に減少させるこ
とができるため、基板の利用効率は大幅に改善される。
さらに種々の消費電力に対応した太陽電池をマスクの変
更なしに簡単に製造できる。また、薄膜堆積装置による
基板の大きさの制限と、基板自体の製造装置による基板
の大きさの制限が相乗されて、大きな意味での基板の利
用効率が制限を受けることが考えられるが、本発明によ
る基板のパターンは、上記２つの制限を受は難い。
更なしに簡単に製造できる。また、薄膜堆積装置による
基板の大きさの制限と、基板自体の製造装置による基板
の大きさの制限が相乗されて、大きな意味での基板の利
用効率が制限を受けることが考えられるが、本発明によ
る基板のパターンは、上記２つの制限を受は難い。
第１図ａ、ｂはそれぞれ従来の一実施例の薄膜太陽電池
用基板を用いた薄膜太陽電池の一部切欠斜視図、第２図
ａ、ｂ、ｃは本発明の一実施例の基板を用いた薄膜太陽
電池の製造工程を説明するだめの斜視図である。 １．１１・・・Φ・ｅガラス基板、３，１３・・・・拳
・ａ−８ｉ薄膜、２ 、’１２ 、１２’・・・・拳・
透明電極、４，１４・・・・・・裏面電極、１５，１６
・・・・・・外部端子。 Ｉｓ１図 （ゝｉ ）
用基板を用いた薄膜太陽電池の一部切欠斜視図、第２図
ａ、ｂ、ｃは本発明の一実施例の基板を用いた薄膜太陽
電池の製造工程を説明するだめの斜視図である。 １．１１・・・Φ・ｅガラス基板、３，１３・・・・拳
・ａ−８ｉ薄膜、２ 、’１２ 、１２’・・・・拳・
透明電極、４，１４・・・・・・裏面電極、１５，１６
・・・・・・外部端子。 Ｉｓ１図 （ゝｉ ）
Claims (1)
- その一端から他端に連続した複数本の帯状の導電層を形
成した薄膜太陽電池用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038463A JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57038463A JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155771A true JPS58155771A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12525944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57038463A Pending JPS58155771A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 薄膜太陽電池用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155771A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57038463A patent/JPS58155771A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107276A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
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