JPH07142753A - ヘテロ接合を有する光起電力装置 - Google Patents
ヘテロ接合を有する光起電力装置Info
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- JPH07142753A JPH07142753A JP5290191A JP29019193A JPH07142753A JP H07142753 A JPH07142753 A JP H07142753A JP 5290191 A JP5290191 A JP 5290191A JP 29019193 A JP29019193 A JP 29019193A JP H07142753 A JPH07142753 A JP H07142753A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ｎ型単結晶シリコン１４上にｉ型非晶質シリ
コン１６およびｐ型非晶質シリコン１８をそれぞれ積層
形成する。ｐ型非晶質シリコン１８上に集電極すなわち
フィンガ２０と反射防止層２２とを形成する。フィンガ
２０の間隔Ｄを、ｎ型単結晶シリコン１４における少数
キャリアの拡散長より小さくする。ｎ型単結晶シリコン
１４の下面に裏面電極１２を形成する。 【効果】 ｐ型非晶質シリコンは、集電極の直下では電
気的な接合部として作用するので、等価的に接合面積を
小さくでき、損失を小さくするとともに、集電極のない
部分ではｎ型単結晶シリコンの表面の再結合を低下させ
る。したがって、効率の高い光起電力装置が得られる。
コン１６およびｐ型非晶質シリコン１８をそれぞれ積層
形成する。ｐ型非晶質シリコン１８上に集電極すなわち
フィンガ２０と反射防止層２２とを形成する。フィンガ
２０の間隔Ｄを、ｎ型単結晶シリコン１４における少数
キャリアの拡散長より小さくする。ｎ型単結晶シリコン
１４の下面に裏面電極１２を形成する。 【効果】 ｐ型非晶質シリコンは、集電極の直下では電
気的な接合部として作用するので、等価的に接合面積を
小さくでき、損失を小さくするとともに、集電極のない
部分ではｎ型単結晶シリコンの表面の再結合を低下させ
る。したがって、効率の高い光起電力装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光起電力装置に関し、
特にたとえば互いに逆の導電型の関係を有する結晶シリ
コン（単結晶または多結晶）と非晶質シリコンとで形成
されたヘテロ接合を用い、かつ光入射側となる非晶質シ
リコン上に集電極を形成した光起電力装置に関する。
特にたとえば互いに逆の導電型の関係を有する結晶シリ
コン（単結晶または多結晶）と非晶質シリコンとで形成
されたヘテロ接合を用い、かつ光入射側となる非晶質シ
リコン上に集電極を形成した光起電力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のヘテロ接合を有する光起電力装
置の一例が、たとえば、特開平４−１３０６７１号（Ｈ
０１Ｌ ３１／０４）や特開平４−１９９７５０号（Ｈ
０１Ｌ３１／０４）に開示されている。図４にはヘテロ
接合を有する従来の光起電力装置が示されていて、この
光起電力装置１は、ｎ型単結晶シリコン２とｐ型非晶質
シリコン３とで形成されるヘテロ接合を含み、さらに光
入射側となるｐ型非晶質シリコン３上の全面に形成され
た透明電極４を含む。この透明電極４はたとえばＩＴＯ
からなり、電流収集と反射防止とを兼ねている。なお、
５は集電極であり、６は裏面電極である。
置の一例が、たとえば、特開平４−１３０６７１号（Ｈ
０１Ｌ ３１／０４）や特開平４−１９９７５０号（Ｈ
０１Ｌ３１／０４）に開示されている。図４にはヘテロ
接合を有する従来の光起電力装置が示されていて、この
光起電力装置１は、ｎ型単結晶シリコン２とｐ型非晶質
シリコン３とで形成されるヘテロ接合を含み、さらに光
入射側となるｐ型非晶質シリコン３上の全面に形成され
た透明電極４を含む。この透明電極４はたとえばＩＴＯ
からなり、電流収集と反射防止とを兼ねている。なお、
５は集電極であり、６は裏面電極である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の光起
電力装置１においては、透明電極として用いられるＩＴ
Ｏの屈折率が小さく、十分な反射防止効果が得られず、
したがって効率の向上に限界があった。そこで、透明電
極として、最適の屈折率を有し、一般的に反射防止膜と
して利用されるＴｉＯ2 を用いることが考えられるが、
ＴｉＯ2 は抵抗率が大きく、ヘテロ接合を有する光起電
力装置に用いることはできなかった。
電力装置１においては、透明電極として用いられるＩＴ
Ｏの屈折率が小さく、十分な反射防止効果が得られず、
したがって効率の向上に限界があった。そこで、透明電
極として、最適の屈折率を有し、一般的に反射防止膜と
して利用されるＴｉＯ2 を用いることが考えられるが、
ＴｉＯ2 は抵抗率が大きく、ヘテロ接合を有する光起電
力装置に用いることはできなかった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、さ
らに効率のよい、ヘテロ接合を有する光起電力装置を提
供することである。
らに効率のよい、ヘテロ接合を有する光起電力装置を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、互いに逆の
導電型を有する結晶シリコンと非晶質シリコンとで形成
されたヘテロ接合を用い、光入射側となる非晶質シリコ
ン上に集電極を形成した光起電力装置において、集電極
をくし状集電極として形成し、集電極のフィンガの間隔
を少なくとも結晶シリコンにおける少数キャリアの拡散
長より小さくしたことを特徴とする、光起電力装置であ
る。
導電型を有する結晶シリコンと非晶質シリコンとで形成
されたヘテロ接合を用い、光入射側となる非晶質シリコ
ン上に集電極を形成した光起電力装置において、集電極
をくし状集電極として形成し、集電極のフィンガの間隔
を少なくとも結晶シリコンにおける少数キャリアの拡散
長より小さくしたことを特徴とする、光起電力装置であ
る。
【０００６】
【作用】たとえばバスバーとそれから延びるフィンガと
を有するくし状集電極を非晶質シリコン上に配置し、集
電極のフィンガの間隔を狭める。集電極の間隔を結晶シ
リコンにおける少数キャリアの拡散長より小さくするこ
とで、透明電極を用いることなく、電流の収集を可能と
する。すなわち、非晶質シリコンの抵抗率は高いため、
非晶質シリコンを介して流れる電流は非常に小さい。し
たがって、非晶質シリコンは、集電極の直下では実質的
にダイオードとなる電気的な接合部として作用し、集電
極のない部分では結晶シリコンの表面再結合を低下させ
るパシベーション層として作用する。したがって、光起
電力装置のダイオード電流を小さくでき、しかも、結晶
シリコンの表面の再結合を低下させる。
を有するくし状集電極を非晶質シリコン上に配置し、集
電極のフィンガの間隔を狭める。集電極の間隔を結晶シ
リコンにおける少数キャリアの拡散長より小さくするこ
とで、透明電極を用いることなく、電流の収集を可能と
する。すなわち、非晶質シリコンの抵抗率は高いため、
非晶質シリコンを介して流れる電流は非常に小さい。し
たがって、非晶質シリコンは、集電極の直下では実質的
にダイオードとなる電気的な接合部として作用し、集電
極のない部分では結晶シリコンの表面再結合を低下させ
るパシベーション層として作用する。したがって、光起
電力装置のダイオード電流を小さくでき、しかも、結晶
シリコンの表面の再結合を低下させる。
【０００７】
【発明の効果】この発明によれば、集電極の間隔を工夫
するだけで、さらに効率のよい、ヘテロ接合を有する光
起電力装置を得ることができる。また、集電極に反射防
止機能をもたせなくてもよいので、必要に応じて形成さ
れる反射防止層として最適な反射防止層を選択でき、効
率を一層向上できる。
するだけで、さらに効率のよい、ヘテロ接合を有する光
起電力装置を得ることができる。また、集電極に反射防
止機能をもたせなくてもよいので、必要に応じて形成さ
れる反射防止層として最適な反射防止層を選択でき、効
率を一層向上できる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１を参照して、この実施例の光起電力装置
１０はＨＩＴ(Heterojunction with Intrinsic Thin-la
yer)構造に構成され、裏面電極１２を含む。裏面電極１
２はたとえばアルミニウムによってたとえば２μｍ厚に
形成される。裏面電極１２上にはｎ型単結晶シリコン１
４が配置される。ｎ型単結晶シリコン１４の抵抗率は１
Ωcmであり、その厚みは３００μｍである。また、ｎ型
単結晶シリコン１４の少数キャリアの拡散長は略３００
μｍである。
１０はＨＩＴ(Heterojunction with Intrinsic Thin-la
yer)構造に構成され、裏面電極１２を含む。裏面電極１
２はたとえばアルミニウムによってたとえば２μｍ厚に
形成される。裏面電極１２上にはｎ型単結晶シリコン１
４が配置される。ｎ型単結晶シリコン１４の抵抗率は１
Ωcmであり、その厚みは３００μｍである。また、ｎ型
単結晶シリコン１４の少数キャリアの拡散長は略３００
μｍである。
【００１０】ｎ型単結晶シリコン１４上にはｉ型非晶質
シリコン１６が形成される。ｉ型非晶質シリコン１６の
厚みは、たとえば５０〜３００Åであり、ｉ型非晶質シ
リコン１６をｎ型単結晶シリコン１４上に形成すること
によって、ｎ型単結晶シリコン１４表面の再結合が低減
される。ｉ型非晶質シリコン１６上にはｐ型非晶質シリ
コン１８が形成される。ｐ型非晶質シリコン１８は５０
〜２００Åに形成される。
シリコン１６が形成される。ｉ型非晶質シリコン１６の
厚みは、たとえば５０〜３００Åであり、ｉ型非晶質シ
リコン１６をｎ型単結晶シリコン１４上に形成すること
によって、ｎ型単結晶シリコン１４表面の再結合が低減
される。ｉ型非晶質シリコン１６上にはｐ型非晶質シリ
コン１８が形成される。ｐ型非晶質シリコン１８は５０
〜２００Åに形成される。
【００１１】ｐ型非晶質シリコン１８上には集電極１９
が形成される。この集電極１９は、具体的には、たとえ
ば図２に示すくし状電極として構成される。すなわち、
集電極１９は、バスバー１９ａとそれから延びる多数の
フィンガ２０とを含み、全体として集電極１９はＴｉ／
Ａｇの多層構造とされ、フィンガ２０はたとえば５μｍ
幅×５μｍ厚の微細電極として形成される。またフィン
ガ２０の間隔Ｄは、ｎ型単結晶シリコン１４における少
数キャリアの拡散長（略３００μｍ）より小さく設定さ
れ、たとえば５０μｍとされる。
が形成される。この集電極１９は、具体的には、たとえ
ば図２に示すくし状電極として構成される。すなわち、
集電極１９は、バスバー１９ａとそれから延びる多数の
フィンガ２０とを含み、全体として集電極１９はＴｉ／
Ａｇの多層構造とされ、フィンガ２０はたとえば５μｍ
幅×５μｍ厚の微細電極として形成される。またフィン
ガ２０の間隔Ｄは、ｎ型単結晶シリコン１４における少
数キャリアの拡散長（略３００μｍ）より小さく設定さ
れ、たとえば５０μｍとされる。
【００１２】そして、ｐ型非晶質シリコン１８上には反
射防止層２２が形成される。反射防止層２２は、ＭｇＦ
2 ／ＴｉＯ2 の多層構造に形成され、ｐ型非晶質シリコ
ン１８上に集電極１９の形成部分を除いて形成される。
このような光起電力装置１０は以下のようにして製造さ
れる。まず、図３（Ａ）において、ｎ型単結晶シリコン
１４が洗浄された後、その上にｉ型非晶質シリコン１６
およびｐ型非晶質シリコン１８が、それぞれたとえばプ
ラズマＣＶＤ法によって形成される。ｐ型非晶質シリコ
ン１８は、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）：ＳｉＨ4 （シラ
ン）：Ｈ2 ＝０．１：５：１００の原料ガスを、０．２
Torr，３０mW／cm2 の条件で与えることによって形成さ
れる。ｐ型非晶質シリコン１８の形成条件が、基板温度
１２０℃程度，Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝１〜２％のときに
良好な変換効率特性を示した。また、ｉ型非晶質シリコ
ン１６は、Ｂ2 Ｈ6 やＰＨ3 （ホスフィン）などのドー
パントを含まずかつたとえばＳｉＨ4 を含む原料ガスを
与えることによって形成される。
射防止層２２が形成される。反射防止層２２は、ＭｇＦ
2 ／ＴｉＯ2 の多層構造に形成され、ｐ型非晶質シリコ
ン１８上に集電極１９の形成部分を除いて形成される。
このような光起電力装置１０は以下のようにして製造さ
れる。まず、図３（Ａ）において、ｎ型単結晶シリコン
１４が洗浄された後、その上にｉ型非晶質シリコン１６
およびｐ型非晶質シリコン１８が、それぞれたとえばプ
ラズマＣＶＤ法によって形成される。ｐ型非晶質シリコ
ン１８は、Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）：ＳｉＨ4 （シラ
ン）：Ｈ2 ＝０．１：５：１００の原料ガスを、０．２
Torr，３０mW／cm2 の条件で与えることによって形成さ
れる。ｐ型非晶質シリコン１８の形成条件が、基板温度
１２０℃程度，Ｂ2 Ｈ6 ／ＳｉＨ4 ＝１〜２％のときに
良好な変換効率特性を示した。また、ｉ型非晶質シリコ
ン１６は、Ｂ2 Ｈ6 やＰＨ3 （ホスフィン）などのドー
パントを含まずかつたとえばＳｉＨ4 を含む原料ガスを
与えることによって形成される。
【００１３】次いで、図３（Ｂ）に示すように、非晶質
シリコン１８上に、レジスト２４を形成することによ
り、集電極１９すなわちフィンガ２０用のパターン２
０′が形成される。レジスト２４は、紫外線感光型やス
クリーン印刷によるパターン塗布型の方法などを用いて
形成される。そして、図３（Ｃ）に示すように、集電極
１９すなわちフィンガ２０が形成された後、レジスト２
４が剥離される。レジスト２４の剥離は、たとえば蒸着
を用いたリフトオフによって行われる。
シリコン１８上に、レジスト２４を形成することによ
り、集電極１９すなわちフィンガ２０用のパターン２
０′が形成される。レジスト２４は、紫外線感光型やス
クリーン印刷によるパターン塗布型の方法などを用いて
形成される。そして、図３（Ｃ）に示すように、集電極
１９すなわちフィンガ２０が形成された後、レジスト２
４が剥離される。レジスト２４の剥離は、たとえば蒸着
を用いたリフトオフによって行われる。
【００１４】そして、図３（Ｄ）に示すように、ｐ型非
晶質シリコン１８上に、集電極１９すなわちフィンガ２
０が形成されている部分を除いて、絶縁性の反射防止層
２２が形成される。反射防止層２２は、たとえばスパッ
タリング，ＣＶＤまたは蒸着などによって形成される。
反射防止層２２にＭｇＦ2 ／ＴｉＯ2 の多層コートを用
いる場合には、ＭｇＦ2 がたとえば蒸着によって形成さ
れ、ＴｉＯ2 がたとえばスパッタリングによってその上
に形成される。
晶質シリコン１８上に、集電極１９すなわちフィンガ２
０が形成されている部分を除いて、絶縁性の反射防止層
２２が形成される。反射防止層２２は、たとえばスパッ
タリング，ＣＶＤまたは蒸着などによって形成される。
反射防止層２２にＭｇＦ2 ／ＴｉＯ2 の多層コートを用
いる場合には、ＭｇＦ2 がたとえば蒸着によって形成さ
れ、ＴｉＯ2 がたとえばスパッタリングによってその上
に形成される。
【００１５】そして、図３（Ｅ）に示すように、ｎ型単
結晶シリコン１４の下面全面に、たとえば蒸着によって
裏面電極１２が形成される。このようにして得られたこ
の実施例の光起電力装置１０は、反射防止層２２から入
射される光エネルギを電気エネルギに変換する光起電力
装置である。この実施例の光起電力装置１０において
は、集電極１９のフィンガ２０の間隔Ｄをｎ型単結晶シ
リコン１４における少数キャリアの拡散長より小さくす
ることで、透明全面電極を用いることなく電流の収集を
可能とする。すなわち、ｐ型非晶質シリコン１８の抵抗
率は高く、図３（Ｅ）の矢印ａに示すように、ｐ型非晶
質シリコン１８を介して流れる電流は非常に小さい。し
たがって、ｐ型非晶質シリコン１８は、集電極１９すな
わちフィンガ２０の直下では実質的にダイオードとなる
電気的な接合部として作用する。したがって、接合面積
は集電極の底面積と同一となり、ダイオード電流が小さ
く、開放電圧Ｖｏｃが大きくなる。また、ｐ型非晶質シ
リコン１８は、集電極１９のフィンガ２０のない部分す
なわち光入射部分では、ｎ型単結晶シリコン１４の表面
再結合を低下させるパシベーション層として作用する。
結晶シリコン１４の下面全面に、たとえば蒸着によって
裏面電極１２が形成される。このようにして得られたこ
の実施例の光起電力装置１０は、反射防止層２２から入
射される光エネルギを電気エネルギに変換する光起電力
装置である。この実施例の光起電力装置１０において
は、集電極１９のフィンガ２０の間隔Ｄをｎ型単結晶シ
リコン１４における少数キャリアの拡散長より小さくす
ることで、透明全面電極を用いることなく電流の収集を
可能とする。すなわち、ｐ型非晶質シリコン１８の抵抗
率は高く、図３（Ｅ）の矢印ａに示すように、ｐ型非晶
質シリコン１８を介して流れる電流は非常に小さい。し
たがって、ｐ型非晶質シリコン１８は、集電極１９すな
わちフィンガ２０の直下では実質的にダイオードとなる
電気的な接合部として作用する。したがって、接合面積
は集電極の底面積と同一となり、ダイオード電流が小さ
く、開放電圧Ｖｏｃが大きくなる。また、ｐ型非晶質シ
リコン１８は、集電極１９のフィンガ２０のない部分す
なわち光入射部分では、ｎ型単結晶シリコン１４の表面
再結合を低下させるパシベーション層として作用する。
【００１６】この実施例では、集電極１９とは別に反射
防止層２２を形成できるので、反射防止層２２の形成の
自由度が大きくなる。したがって、実施例で用いたＴｉ
Ｏ2のように光を反射するために最適な反射防止層２２
を選択でき、効率を一層向上できる。ただし、反射防止
層２２は、集電極１９上にも形成されてもよい。このよ
うにして、上述の実施例の光起電力装置１０では、従来
のヘテロ接合の光起電力装置と比較して、開放電圧が２
０ｍＶ大きくなり、短絡電流が１mA／cm 2 大きくなり、
全体として変換効率が６％向上した。
防止層２２を形成できるので、反射防止層２２の形成の
自由度が大きくなる。したがって、実施例で用いたＴｉ
Ｏ2のように光を反射するために最適な反射防止層２２
を選択でき、効率を一層向上できる。ただし、反射防止
層２２は、集電極１９上にも形成されてもよい。このよ
うにして、上述の実施例の光起電力装置１０では、従来
のヘテロ接合の光起電力装置と比較して、開放電圧が２
０ｍＶ大きくなり、短絡電流が１mA／cm 2 大きくなり、
全体として変換効率が６％向上した。
【００１７】なお、上述の実施例では、ｎ型単結晶シリ
コン１４，ｉ型非晶質シリコン１６およびｐ型非晶質シ
リコン１８を含むＨＩＴ構造が用いられたが、ｉ型非晶
質シリコン１６はなくてもよい。また、集電極１９の形
成法としては、リフトオフ法以外に電解めっき法があ
る。また、レジスト２４を形成する前に、電極を全面に
蒸着しておき、その後レジストを形成してパターン形成
後、エッチングして集電極１９を形成する方法もある。
コン１４，ｉ型非晶質シリコン１６およびｐ型非晶質シ
リコン１８を含むＨＩＴ構造が用いられたが、ｉ型非晶
質シリコン１６はなくてもよい。また、集電極１９の形
成法としては、リフトオフ法以外に電解めっき法があ
る。また、レジスト２４を形成する前に、電極を全面に
蒸着しておき、その後レジストを形成してパターン形成
後、エッチングして集電極１９を形成する方法もある。
【００１８】さらに、反射防止層２２としては、ＴｉＯ
2 ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳまたはＢｉ2 Ｏ3 などの
屈折率２〜３のものと、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＬｉＦ，
ＮａＦまたはＳｉＯ2 などの屈折率≦１．５のものとの
組み合わせも用いることができる。また、裏面電極１２
としてはアルミニウムをｎ型単結晶シリコン１４の下面
全面にたとえばＡｌを２μｍ厚で蒸着したが、裏面電極
１２での反射率を向上させるため、ＩＴＯ，ＺｎＯまた
はＳｉＯ2 などの膜と反射率の高いＡｇまたはＡｕなど
の膜とをｎ型単結晶シリコン１４の下面全面または一部
分に積層させて裏面電極１２としてもよい。
2 ，ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＣｄＳまたはＢｉ2 Ｏ3 などの
屈折率２〜３のものと、ＭｇＦ2 ，ＣａＦ2 ，ＬｉＦ，
ＮａＦまたはＳｉＯ2 などの屈折率≦１．５のものとの
組み合わせも用いることができる。また、裏面電極１２
としてはアルミニウムをｎ型単結晶シリコン１４の下面
全面にたとえばＡｌを２μｍ厚で蒸着したが、裏面電極
１２での反射率を向上させるため、ＩＴＯ，ＺｎＯまた
はＳｉＯ2 などの膜と反射率の高いＡｇまたはＡｕなど
の膜とをｎ型単結晶シリコン１４の下面全面または一部
分に積層させて裏面電極１２としてもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１実施例の集電極の一例を示す図解図であ
る。
る。
【図３】図１実施例の製造工程を示す図解図である。
【図４】従来技術を示す断面図である。
１０ …光起電力装置 １２ …裏面電極 １４ …ｎ型単結晶シリコン １６ …ｉ型非晶質シリコン １８ …ｐ型非晶質シリコン １９ …集電極 ２０ …フィンガ ２２ …反射防止膜
Claims (2)
- 【請求項１】互いに逆の導電型を有する結晶シリコンと
非晶質シリコンとで形成されたヘテロ接合を用い、光入
射側となる前記非晶質シリコン上に集電極を形成した光
起電力装置において、 前記集電極をくし状集電極として形成し、集電極のフィ
ンガの間隔を少なくとも前記結晶シリコンにおける少数
キャリアの拡散長より小さくしたことを特徴とする、光
起電力装置。 - 【請求項２】少なくとも前記集電極の前記フィンガ間の
前記非晶質シリコン上に形成された光の反射を防止する
ための反射防止層を備える、請求項１記載の光起電力装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019193A JP3244369B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | ヘテロ接合を有する光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019193A JP3244369B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | ヘテロ接合を有する光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142753A true JPH07142753A (ja) | 1995-06-02 |
| JP3244369B2 JP3244369B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=17752933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29019193A Expired - Fee Related JP3244369B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | ヘテロ接合を有する光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244369B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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