JPWO2013046351A1 - 太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、以下の実施形態に限定されない。また、実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図1は、太陽電池10を受光面側から見た平面図である。図2は、図1のA‐A断面図であって、フィンガー部31の長手方向に沿って太陽電池10を厚み方向に切断した断面を示す。図3は、図1のB‐B断面図であって、フィンガー部31に直交する方向に沿って太陽電池10を厚み方向に切断した断面を示す。
太陽電池50では、めっき端子部51が、第1フィンガー部52nに近接して同一直線上に設けられている。第1フィンガー部52nは、バスバー部34から受光面の端縁側に延びる複数の第1フィンガー部52のうち、列の最端の第1フィンガー部52eと、列の中央の第1フィンガー部52cとの間に配置されている。より詳しくは、第1フィンガー部52nは、第1フィンガー部52eと第1フィンガー部52cとの真ん中よりも、第1フィンガー部52e寄りに配置されている。つまり、受光面の端から1辺の長さの1/4程度の範囲内に、めっき端子部51が設けられている。なお、4つのめっき端子部51は、めっき端子部14と同様に、中心Pからの距離が略同等で、端縁部に沿っためっき端子部51同士の間隔が略同等となる位置に設けられている。太陽電池50によれば、例えば、受光面の端と、受光面の中央とに流れる電流量を略同等とすることができ、各めっき電極の厚みを均等化し易い。
太陽電池60は、第1フィンガー部52n上に、めっき端子部61が設けられた形態である。つまり、めっき端子部61は、第1フィンガー部52nの一部を構成している。このため、めっき端子部61の金属めっきにより収集されたキャリアを、第1フィンガー部52nを通して回収できる。太陽電池60は、例えば、第1フィンガー部52nに対応する第1フィンガー開口に重なって形成された端子用開口を有するマスクパターンを用いて製造できる。
太陽電池70では、2本のバスバー部34を繋ぐ複数の第2フィンガー部72のうち、その列の最端に配置された第2フィンガー部72eと同一直線上に、2つのめっき端子部71が設けられている。第2フィンガー部72eは、めっき端子部71の周囲に形成された環状の隙間である環状部74を囲んで形成されている。これにより、第2フィンガー部72eのうち、2つのめっき端子部71の間にある部分が、2本のバスバー部34から延びた部分と繋がり、各めっき端子部71の間の領域からキャリアを回収できる。この構造は、例えば、第2フィンガー部72eに対応する第2フィンガー用開口と、めっき端子部71に対応する端子用開口とが重なり、2つの開口を隔てる環状部74を有するように、コーティング層73をパターニングすることで形成できる。
太陽電池80は、太陽電池10に設けられた4つのめっき端子部14に加えて、受光面の中心Pに5つ目のめっき端子部81を設けた形態である。めっき端子部81は、第2フィンガー部82cと同一直線上に設けられている。第2フィンガー部82cは、環状部74を介してめっき端子部81の周囲を囲んで形成されている。
太陽電池90は、第1フィンガー部92eに近接して、めっき端子部91が設けられた形態であるが、めっき端子部91と第1フィンガー部92eとは同一直線上に位置していない。めっき端子部91は、第1フィンガー部92eと、その隣に配置された第1フィンガー部92nとの間に設けられている。
Claims (13)
- 光電変換部と、
前記光電変換部の主面上に設けられためっき端子部と、
前記めっき端子部を用いた電解めっきにより前記主面上に形成されためっき電極と、
を備え、
前記めっき電極は、配線材が接続される配線材接続部を含み、
前記めっき端子部は、前記主面上において、前記配線材接続部から離間した位置に設けられた太陽電池。 - 請求項1に記載の太陽電池であって、
前記めっき端子部は、第1めっき端子部と、第2めっき端子部と、を含み、
前記第1めっき端子部と前記第2めっき端子部とは、前記主面の中心からの距離が同等であり、且つ前記中心を通る同一直線上に設けられた太陽電池。 - 請求項1又は2に記載の太陽電池であって、
前記めっき端子部は、前記主面の端縁部上に4つ以上設けられ、
前記めっき端子部の各々は、前記主面の中心からの距離が同等であり、且つ前記端縁部に沿って隣に位置する前記めっき端子部同士の間隔が同等である太陽電池。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、
前記めっき電極は、複数のフィンガー部と、前記フィンガー部に交差して形成され前記配線材接続部を含むバスバー部と、を含み、
前記めっき端子部は、前記フィンガー部上に、又は前記フィンガー部に近接した位置に、設けられた太陽電池。 - 請求項4に記載の太陽電池であって、
前記めっき端子部は、複数の前記フィンガー部のうち、前記バスバー部の長手方向の端部から前記バスバー部の長さの略1/4の範囲内に接続される前記フィンガー部上に、又は当該フィンガー部に近接した位置に、設けられた太陽電池。 - 請求項4に記載の太陽電池であって、
前記めっき端子部が設けられた前記フィンガー部の幅、又は前記めっき端子部に最も近接する前記フィンガー部の幅は、他の前記フィンガー部の幅よりも太い太陽電池。 - 請求項6に記載の太陽電池であって、
前記めっき端子部の近傍に形成された前記フィンガー部の幅は、前記めっき端子部に近づくほど太くなる太陽電池。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、
前記主面上の前記めっき端子部が設けられた領域及び前記めっき電極が形成された領域を除く全域にコーティング層が形成された太陽電池。 - 請求項8に記載の太陽電池であって、
前記コーティング層は、前記主面上の前記めっき端子部の周囲に環状に形成され、
環状に形成された前記コーティング層の周囲に前記めっき電極が形成された太陽電池。 - 電解めっきにより光電変換部の主面上にめっき電極を形成する電極形成工程を備え、
前記電極形成工程では、前記主面上において、前記めっき電極の配線材接続部となる領域から離間した位置をめっき端子部として前記電解めっきを行う太陽電池の製造方法。 - 請求項10に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記電極形成工程は、
前記主面上に透明導電層を形成する工程と、
前記透明導電層上にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記電解めっきにより、前記マスクが形成された前記透明導電層上に前記めっき電極を形成する工程と、
を含み、
前記マスク形成工程では、
前記透明導電層上のフィンガー部を形成する領域を露出させるフィンガー用開口と、前記透明導電層上のバスバー部を形成する領域を露出させるバスバー用開口とを有し、且つ前記フィンガー用開口と重なって形成される前記端子用開口、又は前記フィンガー用開口に近接して形成される前記端子用開口を有するようにパターニングした前記マスクを形成する太陽電池の製造方法。 - 請求項11に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記マスク形成工程では、前記端子用開口と重なる前記フィンガー用開口の幅、又は前記端子用開口に最も近接する前記フィンガー用開口の幅が、他の前記フィンガー用開口の幅よりも太くなるようにパターニングした前記マスクを形成する太陽電池の製造方法。 - 請求項11に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記マスク形成工程では、前記端子用開口の近傍に位置する前記フィンガー用開口の幅が、前記端子用開口に近づくほど太くなるようにパターニングした前記マスクを形成する太陽電池の製造方法。
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US9842956B2 (en) | 2015-12-21 | 2017-12-12 | Tesla, Inc. | System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures |
US10115838B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-10-30 | Tesla, Inc. | Photovoltaic structures with interlocking busbars |
KR101894582B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-10-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
US10672919B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-06-02 | Tesla, Inc. | Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
JP2019179838A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニック株式会社 | 太陽電池セル、及び、太陽電池セルの製造方法 |
DE102019122125A1 (de) * | 2019-08-16 | 2021-02-18 | Hanwha Q Cells Gmbh | Wafer-Solarzelle |
US12107180B2 (en) * | 2020-03-30 | 2024-10-01 | Kaneka Corporation | Cell assembly, method for producing cell assembly, solar cell, and method for producing solar cell |
CN115148835B (zh) * | 2021-03-31 | 2023-10-27 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池前驱体、制备方法、太阳能电池及光伏组件 |
WO2024036557A1 (zh) * | 2022-08-18 | 2024-02-22 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142753A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | ヘテロ接合を有する光起電力装置 |
JPH1112789A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 独立導体回路へのメッキ法 |
JP2003268594A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4586988A (en) * | 1983-08-19 | 1986-05-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of forming an electrically conductive member |
CA2162941A1 (en) | 1995-03-07 | 1996-09-08 | Thomas Hussey | Method and apparatus to contact plating bar without exposing contact copper or rework of the contact pad plating |
JP3661836B2 (ja) * | 1999-04-05 | 2005-06-22 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
KR100366349B1 (ko) | 2001-01-03 | 2002-12-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
US8574950B2 (en) | 2009-10-30 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrically contactable grids manufacture |
-
2011
- 2011-09-28 DE DE112011105671.0T patent/DE112011105671B4/de active Active
- 2011-09-28 WO PCT/JP2011/072159 patent/WO2013046351A1/ja active Application Filing
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-
2014
- 2014-03-11 US US14/204,379 patent/US20140190563A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142753A (ja) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | ヘテロ接合を有する光起電力装置 |
JPH1112789A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 独立導体回路へのメッキ法 |
JP2003268594A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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