CN105144399A - 光伏元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光伏元件及其制造方法，不使用对人体有害的有机溶剂在硅基板上进行蚀刻并形成棱锥体状凹凸部，且能提高发电效率。所述光伏元件(10)具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板(11)、以及在棱锥体状凹凸部上由化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜(12)～(15)，选择蚀刻条件并用以下的公式定义，形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm。对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。

Description

光伏元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及硅系薄膜异质结太阳能电池中采用的光伏元件，特别是涉及发电效率进一步提高且能用于薄型的光伏元件及其制造方法。
背景技术
当前，作为全球变暖对策，在整个世界范围内提倡大幅削减CO2排放量，作为不产生CO2等气体的清洁能源，光伏装置(太阳电池板)正在普及。其中，具备高发电效率的异质结的光发电元件的、光伏装置受到广泛瞩目。所述光伏装置具有多个图8所示的光发电元件(光伏元件)71。光发电元件71在n型单晶硅基板(c-Si)72的一面(上表面)上，隔着本征非晶质系硅层(i层)73具备p型非晶质系硅薄膜层74，在n型单晶硅基板(c-Si)72的另一面(下表面)上，隔着本征非晶质系硅层(i层)75具备n型非晶质系硅薄膜层76，p型非晶质系硅薄膜层74的上方和n型非晶质系硅薄膜层76的下方分别具有透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide)78、79，梳状的集电极(指状电极)80、81与它们接合。
而且，为进一步提高受光效率，如图9所示，对(100)面被切片的n型单晶硅基板72进行各向异性蚀刻加工，形成有在(111)面取向的多个棱锥体状凹凸部83。特别是专利文献1中公开有通过将棱锥体状凹凸部83的谷84的部分形成圆的，可以降低覆盖n型单晶硅基板72的基于等离子CVD法的本征非晶质系硅层73的膜厚的不均匀性，从而提高光伏元件的效率(具体为FF值)。
此外，专利文献1(第9页第20～31行)也公开有在各向异性蚀刻中使用2重量％的氢氧化钠以及抑制气泡产生的异丙醇，形成深度1～10μm左右的棱锥体。可是，因为异丙醇会汽化所以需要补充，对作业环境有恶劣影响，故需要严格管理。此外，由于异丙醇价格昂贵，所以成本增加。因此，专利文献1中完全没有公开具有深度1～10μm左右的棱锥体状凸部的光伏元件的作用、性能。
在专利文献1中，使用表面活性剂(例如日本油脂株式会社制シントレッキス(注册商标))代替异丙醇，采用在1.5重量％的NaOH水溶液中添加1重量％的上述表面活性剂而得到的蚀刻液，蚀刻时间为30分钟，制造具有宽度5μm深度5μm的棱锥体状的凹凸部且光封闭效果良好的硅基板。随后，将硅基板浸渍在混合有氢氟酸和硝酸的水溶液中进行各向同性蚀刻，给凹凸部的谷底部分带来0.1μm以上的圆形，然后利用等离子CVD法使用硅烷气体(SiH4)，沉积膜厚50～200埃的本征非晶质系硅层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第98/43304号
非专利文献
非专利文献1：Propertiesofinterfacesinamorphous/crystallinesiliconheterojunctions(非晶质/结晶质硅异质结中的界面特性)，SaraOlibetetal.，Phys.StatusSolidiA，1-6(2010)
本发明人实际试验专利文献1所述的技术时发现，不仅是能提高FF值，还能提高开路电压Voc值。因此，本发明人基于上述事实，通过试验求出在不使用异丙醇等有害有机溶剂的情况下形成棱锥体状的凹凸部并以其对角线的长度作为参数时与发电效率的关系。
进而，增大棱锥体状凹凸部的形状时，需要更厚的硅基板，会出现在透明导电氧化物上形成的梳状集电极所使用的金属膏(通常为银膏)的使用量增加的问题。
需要说明的是，关于非专利文献1后述。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而完成的发明，其目的在于提供一种光伏元件及其制造方法，其在不使用对人体有害且昂贵的有机溶剂的情况下，对硅基板进行蚀刻而形成棱锥体状凹凸部并能提高发电效率。
实现所述目的的第一方式涉及的光伏元件，具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜，其中，由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，
对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。
在第一方式涉及的光伏元件中，没有实施对凹凸部的谷部积极形成R的蚀刻处理。
需要说明的是，在专利文献1所述的宽度5μm深度5μm的棱锥体状的凹凸部的情况下，这里所说的宽度推测是指边的长度，此时的对角线的平均长度约为7μm。
第二方式涉及的光伏元件，是在第一方式涉及的光伏元件中，所述基于化学气相沉积法的至少与所述硅基板直接接合的非晶质系硅薄膜的层叠，是在所述硅基板的温度超过180℃且为220℃以下的状态下进行的。
第三方式涉及的光伏元件，是在第一方式、第二方式涉及的光伏元件中，所述硅基板的厚度处于70～120μm的范围。
第四方式涉及的光伏元件，是在第一方式～第三方式涉及的光伏元件中，表面形成有指状电极，所述指状电极的厚度处于1～5μm的范围。
第五方式涉及的光伏元件，是在第一方式～第四方式涉及的光伏元件中，所述对角线的平均长度处于2～4μm的范围。
第六方式涉及的光伏元件，是在第一方式～第五方式涉及的光伏元件中，开路电压为720mV以上。
第七方式涉及的太阳能电池模块，具备第一～第六方式涉及的光伏元件。
而且，第八方式涉及的太阳能电池系统，具备第七方式涉及的太阳能电池模块。
第九方式涉及的光伏元件的制造方法，所述光伏元件具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜；其中，所述制造方法具有蚀刻工序，其通过对蚀刻前硅基板进行不使用异丙醇而是使用碱和包含醇衍生物和表面活性剂中至少1种的添加剂与水的混合液的所述各向异性蚀刻，而得到所述硅基板；由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，
对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。
而且，第十方式涉及的光伏元件的制造方法，是在第九方式涉及的光伏元件的制造方法中，所述混合液的碱浓度例如以NaOH换算为0.2～2质量％(优选不足1质量％)，作为所述蚀刻工序，是将所述蚀刻前硅基板浸渍在所述混合液中10～20分钟，且还具有进行所述硅基板的清洗处理的清洗工序。
在这里，通过在碱性溶液(混合液)中添加表面活性剂，可以防止蚀刻时产生的硅小片或反应生成物再附着到硅基板上而使硅基板表面产生细微的粗糙。此外，通过在碱性溶液(混合液)中添加醇衍生物(由醇衍生得到的化合物，是羧酸、醛、酯等。优选使用对人体无害的物质)，可以适当抑制硅基板表面的蚀刻反应，在硅基板表面有效形成多个棱锥体状凹凸部。
优选氢氧化钠或氢氧化钾等碱性溶液的浓度为0.2～2质量％(以氢氧化钠换算计优选不足1质量％)，添加剂的浓度为0.05～0.5质量％，处理温度为75～90℃。由于蚀刻时间长时生产率会下降，因此以10～20分钟左右完成蚀刻处理的方式调整碱试剂(碱)和添加剂的浓度比即可。例如，短时间内小而密地形成棱锥体状凹凸部时，可以在减小碱试剂的浓度的同时，提高添加剂的浓度。
而且，在进行了蚀刻处理后，通常优选用纯水或相当于纯水的清洗剂进行清洗处理。需要说明的是，优选在形成凹凸部的所述蚀刻工序前进行除去损坏层的蚀刻，即进行两阶段的蚀刻处理。例如，首先将碱浓度设为5质量％以上，提高蚀刻速度来加强各向同性，除去在硅基板的切片工序中产生的基板表面的损坏层。在除去损坏层后，优选进行加强各向异性并形成凹凸部的所述蚀刻工序。
根据本发明涉及的光伏元件及其制造方法，能提供发电效率(Pmax)比以往的光伏元件更高的光伏元件，由于凹凸部的对角线的长度小于以往，所以能够缩短硅基板的制造时间，从而提高生产率。
进而，由于蚀刻量少，所以能使用更薄的硅基板，从而减少硅基板的材料。
而且，凹凸部的深度(高度)也变小，可以使光伏元件的表面形成的集电极的厚度减薄，也能减少集电极的材料(例如银)的使用量。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式涉及的光伏元件的截面图。
图2是棱锥体状凹凸部的对角线长度的说明图。
图3是对角线的平均长度为7μm的蚀刻后的硅基板的显微镜照片。
图4是对角线的平均长度为5μm的蚀刻后的硅基板的显微镜照片。
图5是对角线的平均长度为4μm的蚀刻后的硅基板的显微镜照片。
图6是对角线的平均长度为3μm的蚀刻后的硅基板的显微镜照片。
图7是对角线的平均长度为2μm的蚀刻后的硅基板的显微镜照片。
图8是以往例涉及的光伏元件的截面图。
图9是以往例涉及的光伏元件的局部放大截面图。
具体实施方式
接着，参照附图具体说明将本发明具体化的实施方式。
如图1所示，本发明的一个实施方式涉及的光伏元件10，构成非晶质系硅薄膜异质结太阳能电池，中央具有n型单晶的硅基板(c-Si，以下简称为硅基板)11，其上表面隔着本征非晶质系硅薄膜层(i层)12具备p型非晶质系硅薄膜层13，硅基板11的下表面隔着本征非晶质系硅薄膜层(i层)14具备n型非晶质系硅薄膜层15，p型非晶质系硅薄膜层13的上方和n型非晶质系硅薄膜层15的下方分别具有透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide)16、17，其表面上分别具有梳状的集电极(指状电极)18、19。
为了使基于光的漫反射的光封闭更为有效，对硅基板11的上下表面以化学方法通过各向异性蚀刻进行凹凸处理。即，通过将(100)面被切片的蚀刻前硅基板(已除去损坏层)浸渍到例如含有0.2～2质量％(更优选0.5～1.5质量％，进一步优选不足1质量％)的氢氧化钠、或同等的氢氧化钾的碱性水溶液(混合液)中，可以形成多个棱锥体状的凹凸部。因(111)面的蚀刻速度显著小于其他的结晶方位，因而产生所述凹凸部。混合液的碱浓度较高例如超过2质量％并达到5质量％左右时，会进行各向同性的蚀刻，难以形成多个棱锥体状的凹凸部。
此时，在蚀刻液(混合液)中使用异丙醇水溶液时，如上所述，由于异丙醇挥发会使作业环境恶化，所以不使用异丙醇，而是采用含有醇衍生物和表面活性剂中至少1种的添加剂。作为醇衍生物和表面活性剂的沸点，优选100℃以上。作为所述添加剂，例如可以使用市售的GPSolar公司的“ALKA-TEX”等。本实施方式中使用了GPSolar公司的“ALKA-TEX”系列中的“ALKA-TEXZERO”。即，作为蚀刻液，可以使用氢氧化钠或氢氧化钾等碱、“ALKA-TEXZERO”(含醇衍生物和表面活性剂中至少1种的添加剂的一例)和水的混合液。此外，优选将蚀刻前硅基板浸渍在混合液中10～20分钟，随后对形成了凹凸部的硅基板11进行清洗处理。
如图3～图7的顺序所示，通过控制所述蚀刻液的浓度和蚀刻时间，形成大小不同的棱锥体状凹凸部A～E。具体步骤如下所示：(1)H2O冲洗(室温)，(2)NaOH(5质量％、85℃)，(3)H2O冲洗(室温)，(4)NaOH/ALKA-TEXZERO(表1)，(5)H2O冲洗(室温)，(6)HCl/H2O2/H2O(体积比1：1：5、80℃)，(7)H2O冲洗(室温)，(8)HF/H2O(5质量％、室温)，(9)H2O冲洗(室温)。硅基板的切出厚度(蚀刻前硅基板的厚度)为180μm，蚀刻后的硅基板的成品厚度为165μm。需要说明的是，可以将蚀刻前硅基板的厚度减薄，使成品后的硅基板的厚度(平均厚度)为70～120μm。这样能提供更薄且经济性高的光伏元件。
在这里，如图2所示，将形成棱锥体状凹凸部A～E的棱锥体的对角线的平均长度L定义为(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5时，形成L为7μm(A)、5μm(B)、4μm(C)、3μm(D)、2μm(E)的棱锥体状凹凸部。在这里，(A)～(E)与图3～图7所示的硅基板对应。
需要说明的是，图3～图7是用OLYMPUS公司制激光显微镜OLS4000测定的激光显微镜像。在所述对角线的平均长度L的定义中，每次测定的激光显微镜像的视野范围为128μm×128μm。通过计数所述视野范围内的棱锥体的顶点数，计算出形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度L。实际上硅基板中央附近计数1个部位、从硅基板中央到4个角之间计数4个部位、即合计计数5个部位的激光显微镜像的棱锥体的顶点数，计算出对角线的平均长度L。
此外，蚀刻液的浓度、蚀刻时间、温度如表1所示。
表1
接着，在形成有这些棱锥体状凹凸部A～E的硅基板11的表面，利用等离子CVD法(化学气相沉积法的一例)形成非晶质系硅薄膜(即，本征非晶质系硅薄膜层(i层)12、p型非晶质系硅薄膜层13、本征非晶质硅薄膜层(i层)14、n型非晶质系硅薄膜层15)。作为等离子CVD法中的原料气体，例如形成p型非晶质系硅薄膜层13时，可以采用SiH4、H2、PH3及B2H6的混合气体。
在采用等离子CVD法的情况下，频率例如约13.56MHz或约40.68MHz，更优选约40.68MHz，反应压力为5Pa以上且不足300Pa，更优选50Pa以上且不足200Pa，RF或VHF功率例如约1mW/cm2以上且不足500mW/cm2，更优选约5mW/cm2以上且不足100mW/cm2。可以将层叠各非晶质系硅薄膜时的硅基板11的温度设为超过180℃且为220℃以下(形成温度)。通过将形成温度设定在比较高的上述温度范围，能够抑制结晶化，可以得到缺陷发生减少的非晶质系薄膜。所述形成温度的控制效果，在形成与表面具有细微凹凸的硅基板11直接接合的薄膜(本征非晶质系硅薄膜层(i层)12、非晶质硅薄膜层(i层)14)时特别显著。即，可以抑制向凹凸部的槽的部分产生局部的外延膜。
然后，在通过离子镀法在上下表面形成透明导电氧化物16、17后，利用丝网印刷法形成梳状的集电极18、19。
棱锥体状凹凸部A～E的棱锥体的对角线的平均长度L、与短路电流密度、开路电压、填充因数、转换效率的关系如表2所示。
表2
关于短路电流密度，得到对角线的平均长度为4μm的(C)和为3μm的(D)较高的结果。短路电流密度的差，起因于来自硅基板表面的反射率低。在对角线的平均长度为7μm的(A)和为5μm的(B)中，存在未形成凹凸部的(100)面残留于硅基板表面的部位(图中的实线圆框)、以及凹凸部被过蚀刻的部位(图中的虚线圆框)。这些会成为反射率增大的主因。所述凹凸部被过蚀刻的部位(图中的虚线圆框)在对角线的平均长度为2μm的(E)中也被确认到。
关于开路电压，得到对角线的平均长度为4μm的(C)和为3μm的(D)较高的结果。高开路电压起因于少数载流子寿命高。
在对角线的平均长度为7μm的(A)和为5μm的(B)中，存在未形成凹凸部的(100)面残留于硅基板表面的部位(图中的实线圆框)，可以认为其成为少数载流子寿命降低的主因。
关于填充因数的值，得到对角线的平均长度为4μm的(C)和为3μm的(D)较高的结果。填充因数高的具体原因不明，但是推测起因于硅基板表面的表面粗糙度(roughness)。在对角线的平均长度为7μm的(A)、为5μm的(B)和为2μm的(E)中，存在凹凸部被过蚀刻的部位(图中的虚线圆框)，与在这些部位上层叠的非晶质系硅薄膜之间的接合特性恶化，可以认为其成为串联电阻成分的增大因素。
综合判断以上情况可知，通过尽可能降低未形成凹凸部的(100)面残留于硅基板表面的部位和凹凸部被过蚀刻的部位，可以带来性能改善。在将形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度L定义为(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5时，对角线的平均长度L需要小于5μm，优选在2μm以上(进一步优选3μm以上)4μm以下。棱锥体状凹凸部的对角线的尺寸为5μm以上时，未形成凹凸部的部位、凹凸部被过蚀刻的部位增大，不能发挥光伏元件的最大输出。
此外，由于蚀刻时间越短、生产率越高，所以优选蚀刻时间短但是绵密形成凹凸部的对角线的平均长度L在2μm以上且不足5μm的范围。如果对角线的平均长度L小于5μm，特别是在2～4μm的范围时，由于深度方向的蚀刻量会降低到小于3.5μm(单面)，因此也适用于减薄硅基板的厚度(例如60～200μm，更优选70～120μm)的情况，可以削减硅使用量。此外，棱锥体的对角线的平均长度L还与表面凹凸的深度密切相关。因此，可以成为减薄了集电极18、19(指状电极)的厚度的(例如1～5μm的厚度)集电极图案。通过如此将指状电极减薄，银膏等的使用量也减小，能提供更为廉价的太阳能电池。作为形成厚度较薄的指状电极的方法，例如优选使用凹版胶印。指状电极的厚度优选1μm以上，指状电极的厚度小于1μm时变得难以实施，进而电阻增加。
本发明人实际试验专利文献1所述的技术时得知，不仅是能提高填充因数，还能提高开路电压。按照非专利文献1，凹凸部的槽(谷)的部分产生局部外延膜时，表面复合速度加快4倍，显示其成为使开路电压大幅降低的主因。尽管具体情况不明，但凹凸部的槽的部分不易发生自由基种的表面扩散，且加上非专利文献1所述的局部应力的作用，推测凹凸部的槽的部分会形成局部的外延膜。由于专利文献1所述的技术通过使凹凸部形成圆的，抑制了凹凸部的槽的部分形成局部的外延膜，因此推测不仅是能提高填充因数，还能提高开路电压。
发明人为了在不使用专利文献1所述技术的情况下降低局部的外延膜，考虑加大棱锥体状凹凸部的尺寸并减小槽部可能有效。可是，将棱锥体状凹凸部的尺寸加大时，产生未形成凹凸部的(100)面残留于硅基板表面的部位，导致开路电压的降低。因此，为降低该(100)面部而延长蚀刻时间时，得知容易产生凹凸部被过蚀刻的部位，也会导致填充因数的降低。
非专利文献1中示出(100)面与(111)面相比表面复合速度快40倍的情况，(100)面的露出例如小面积时会导致开路电压的显著降低。另一方面，本实施方式中把形成棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度L定义为(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5时，尽管对角线的平均长度L在2μm以上且不足5μm的范围，且凹凸部的槽的部分增大，但是仍得到了720mV以上的高开路电压。其结果，在硅基板上利用化学气相沉积法形成非晶质系硅薄膜时，与在所述硅基板的温度超过180℃且220℃以下的比较高温的状态下进行也有关系。在比较高的温度下进行时自由基种的表面扩散变得活泼，凹凸部的槽的部分难以形成局部的外延膜。由此，享受到前述的(100)面几乎不会露出的优点，还会得到较高的开路电压。需要说明的是，上述的效果基于“ALKA-TEXZERO”的使用，作为替代它的添加剂，使用林纯药工业株式会社制“TAD70”也会得到同样效果，因而可以认为针对对角线的平均长度存在普遍性。
关于本发明的要点，通过将硅基板的棱锥体型凹凸部的对角线的平均长度设定在特定范围，关于进行各向异性蚀刻的方法和药剂，由于没有作为问题对象，所以当然可以应用例如日本专利公开公报特开2010-74102号所述的“硅基板的蚀刻方法”、日本专利公开公报特开2009-206335号所述的“硅各向异性蚀刻液组合物”，日本专利公开公报特开2012-227304号所述的“蚀刻液组合物和蚀刻方法”的技术。
另外，本发明的太阳能电池模块，具备以上说明的光伏元件而构成。即，太阳能电池模块(太阳能电池面板)的基本结构，是串联连接的多个光伏元件借助密封材料而被玻璃等表面面板和背板夹持的结构。例如还可以采用日本专利公开公报特表2005-536894号所述的“光伏电池用电极、光伏电池和光伏模块”的技术。通过组合将指状电极的厚度减薄的(例如1～5μm的厚度)集电极图案，可以实现电阻的减小，能够提供效率更高的太阳能电池模块。此外，通过设置必要数量的所述太阳能电池模块，构成太阳能电池系统。太阳能电池模块和太阳能电池系统中，适当安装有用于连接的端子、控制电路等控制机构等。
本发明不限于上述的实施方式，在不改变本发明的发明思想的范围内可以改变其构成。例如，本发明中的“非晶质系”不仅是非晶质体，也包含微晶体，可以适当进行替换。
例如，在上述实施方式中，能从硅基板的表背面受光后发电，但是当仅从表面侧受光时，可以进一步简化背面的构成。
附图标记的说明
10：光伏元件，11：硅基板，12：本征非晶质系硅薄膜层，13：p型非晶质系硅薄膜层，14：本征非晶质系硅薄膜层，15：n型非晶质系硅薄膜层，16、17：透明导电氧化物，18、19：梳状的集电极(指状电极)。

Claims (10)

1.一种光伏元件，具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜，所述光伏元件的特征在于，
由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，
对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。
2.根据权利要求1所述的光伏元件，其特征在于，
所述基于化学气相沉积法的至少与所述硅基板直接接合的非晶质系硅薄膜的层叠，是在所述硅基板的温度超过180℃且为220℃以下的状态下进行的。
3.根据权利要求1或2所述的光伏元件，其特征在于，
所述硅基板的厚度处于70～120μm的范围。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，
表面形成有指状电极，该指状电极的厚度处于1～5μm的范围。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，
所述对角线的平均长度处于2～4μm的范围。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的光伏元件，其特征在于，
开路电压为720mV以上。
7.一种太阳能电池模块，其特征在于，
具备权利要求1～6中任意一项所述的光伏元件。
8.一种太阳能电池系统，其特征在于，
包含权利要求7所述的太阳能电池模块。
9.一种光伏元件的制造方法，所述光伏元件具备：利用各向异性蚀刻在表面形成有多个棱锥体状凹凸部的硅基板、以及在所述棱锥体状凹凸部上通过化学气相沉积法形成的非晶质系硅薄膜，所述光伏元件的制造方法的特征在于，
具有蚀刻工序，通过对蚀刻前硅基板进行不使用异丙醇而是使用了碱和包含醇衍生物及表面活性剂中至少1种的添加剂和水的混合液的所述各向异性蚀刻，得到所述硅基板，
由以下的公式定义且形成所述棱锥体状凹凸部的棱锥体的对角线的平均长度小于5μm，
对角线的平均长度＝(2×视野范围的面积/视野范围的棱锥体的顶点数)0.5。
10.根据权利要求9所述的光伏元件的制造方法，其特征在于，
所述混合液的碱浓度以NaOH换算为0.2～2质量％，
作为所述蚀刻工序，将所述蚀刻前硅基板浸渍在所述混合液中10～20分钟，
还具有进行所述硅基板的清洗处理的清洗工序。
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