JP5302551B2 - シリコン異方性エッチング液組成物 - Google Patents

シリコン異方性エッチング液組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP5302551B2
JP5302551B2 JP2008047979A JP2008047979A JP5302551B2 JP 5302551 B2 JP5302551 B2 JP 5302551B2 JP 2008047979 A JP2008047979 A JP 2008047979A JP 2008047979 A JP2008047979 A JP 2008047979A JP 5302551 B2 JP5302551 B2 JP 5302551B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
compound
etching
hydrazine
anisotropic etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008047979A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009206335A (ja
Inventor
謙司 勇
真弓 木村
哲男 青山
次広 田湖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
System Solutions Co Ltd
On Semiconductor Niigata Co Ltd
Hayashi Pure Chemical Ind Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Semiconductor Co Ltd
Sanyo Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Hayashi Pure Chemical Ind Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Semiconductor Co Ltd, Sanyo Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Hayashi Pure Chemical Ind Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2008047979A priority Critical patent/JP5302551B2/ja
Priority to KR1020090012908A priority patent/KR101217431B1/ko
Priority to TW098105810A priority patent/TWI390019B/zh
Priority to CN2009100066008A priority patent/CN101519592B/zh
Priority to SG200901380-6A priority patent/SG155148A1/en
Priority to US12/393,090 priority patent/US20090218542A1/en
Publication of JP2009206335A publication Critical patent/JP2009206335A/ja
Priority to KR1020110038898A priority patent/KR20110049763A/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP5302551B2 publication Critical patent/JP5302551B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • H01L21/30608Anisotropic liquid etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

本発明は、各種シリコンデバイスを製造する際の表面加工工程で使用されるシリコン異方性エッチング液組成物に関し、特にシリコン基板上に金属膜を有する半導体装置の製造に好適なシリコン異方性エッチング液組成物に関する。
近年、マイクロマシニング技術により、各種シリコンデバイスは半導体装置、例えば、熱型センサ、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサなどの各種デバイスに応用されている。このような各種シリコンデバイスは、高集積化、微細化、高感度化、高機能化などの種々の要望がなされており、このような要望を満たすためにこれらシリコンデバイスの製造に当たってはマイクロマシニング技術である微細加工技術が用いられている。マイクロマシニング技術においては、所望の立体的な構造を形成するためにシリコンの異方性エッチング技術が用いられている。
従来、シリコン単結晶基板に対して湿式エッチングを行う場合、フッ酸、硝酸、酢酸の混合水溶液である酸性エッチング液でエッチングする方法と、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、ヒドラジン等の水溶液であるアルカリ性エッチング液でエッチングする方法などがある。上記の酸性エッチング液でエッチングを行う場合、シリコン単結晶基板の結晶方位に関係なく等方性のエッチングであることから、シリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウエハ表面を均一にエッチングする場合に多く用いられている。一方、アルカリ性エッチング液は、シリコン単結晶基板の結晶方位に依存するエッチング速度を有することからシリコン異方性エッチングが可能であり、この異方性を利用して複雑な3次元構造を有するシリコンデバイスを作ることができる。
従来、アルカリ性エッチング液を用いたシリコン異方性エッチングに関しては、
i)水和ヒドラジン1容積に対し無水エチレンジアミン0.5乃至1容積を混合したアルカリ性エッチング液を用いることにより、従来の水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、ヒドラジンが有するシリコンエッチングの異方性を維持しながら、マイクロ・ピラミッドの発生を抑える技術が開示されている(特許文献1参照)。
ii)アルカリ水溶液とアルコールからなるエッチング液を使用する上で処理槽内のエッチング速度を均一にする工夫が開示されている(特許文献2参照)。
iii)エッチング液の引火点より低い温度で使用することにより、p型にドーピングした領域をエッチングせず、他の領域を高い選択性にてエッチングするアルカリ化合物と高級アルコールとからなるシリコンエッチング剤が開示されている(特許文献3参照)。
iv)エッチング面が平坦で、かつエッチング底面が基板の主面と平行となり、さらにシリコンのエッチング速度が速く、マスクであるシリコン酸化膜を浸食する度合いの極めて少ない、0.3以上の水酸化カリウムとヒドラジンおよび水の3成分からなるアルカリ性エッチング剤が開示されている(特許文献4参照)。 v)水酸化カリウムとエチレンジアミン、水酸化カリウムと水酸化テトラメチルアンモニウム、または水酸化カリウムとアンモニアのように最もエッチング速度が速い結晶面が異なる2つ以上のアルカリを混合したエッチング剤により、滑らかなエッチング壁面を得る技術が開示されている(特許文献5参照)。
vi)加圧下にて、水酸化カリウム溶液に還元剤を加えてシリコンエッチングすることにより、エッチング速度の向上と均一なエッチング面を得る技術が開示されている(特許文献6参照)。
また、近年急速的に成長しているMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)分野においても、シリコン異方性エッチング技術を用いることによりシリコンの微細加工が行われており、製造する電信機器の種類により加工形状の違いに対応して、シリコン結晶面によるエッチング速度の比(例えば結晶方位によってエッチング速度が100倍も異なる異方性を示す)やエッチング面(底面や壁面)の平滑度などの異なる多くのアルカリ性エッチング液が開発されている。
他方、従来よりシリコン半導体における電極または配線材料は、一般的にはアルミニウムまたはアルミニウム合金が用いられている。しかしながら、これらのアルミニウムやアルミニウム合金はアルカリ性エッチング液に対して侵されやすいため、電極または配線材料として使用する場合何らかの対策を施している。
従来、アルミニウムまたはアルミニウム合金を有する半導体装置の製造にアルカリ性エッチング液を用いる場合には、下記のような方法が採られていた。
1)アルカリ性異方性シリコンエッチング液を用いてエッチングを行った後に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の形成を行う。
2)アルカリ性異方性エッチングに耐性を有する保護膜(例えば、酸化膜等)により、アルミニウムまたはアルミニウム合金を保護する。
3)電極材料をアルミニウムまたはアルミニウム合金から、アルカリ性異方性エッチング液に耐性を有する金属、例えばチタニウム(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)等の金属に代える。
4)アルカリ性異方性エッチング液にシリコンや酸化剤を添加して、アルミニウムやアルミニウム合金のエッチングを低減させる(特許文献7,8参照)。
5)無機アルカリ性又は有機アルカリ性異方性エッチング液に還元剤を添加することにより、アルミニウムやアルミニウム合金のエッチングを低減させ、かつエッチング速度を向上させる(特許文献9参照)。
しかしながら、前述のアルミニウムまたはアルミニウム合金を有する半導体装置の製造にアルカリ性異方性エッチング液を使用した場合には、下記のような種々の問題点を有している。
1)の方法は、アルカリ性異方性エッチングにより基板と分離された部分の構造強度が弱いため、アルミニウム層またはアルミニウム合金層を成膜した後、これを更にエッチングするためのフォトリソグラフィやエッチングの適用が困難である。
2)の方法は、酸化膜などの通常使用される保護膜は導電性を持たないので、アルミニウム層またはアルミニウム合金層との電気的接触を行うためには保護膜の除去が必要となる。しかし、この保護膜除去はフォトリソグラフィやエッチングで行うことは困難である。
3)の方法では、アルミニウム以外の金属材料を用いるため半導体装置の汚染問題が発生する。さらに、通常半導体装置はアルミニウムまたはアルミニウム合金を使用して作製するため、信号処理回路との集積化ができなくなる。
4)の方法では、アルミニウムまたはアルミニウム合金に対して十分な防食効果は認められず、かつエッチング時間が長いためアルミニウムまたはアルミニウム合金へのダメージが大きくなる。また、
5)の方法はアルミニウムまたはアルミニウム合金のエッチング速度は著しく増加するが、アルミニウムやアルミニウム合金の腐食は抑制できるが、まだ十分な防食効果は得られていない。
また、前述の種々のエッチング方法においては、いずれもエッチング時間が長時間を要するためシリコンのプロセス時間が律速となりこのプロセスの時間短縮が大きな課題となってきている。そのために生産性が向上せず、シリコンのエッチング速度を上げるべく改善とアルミニウムやアルミニウム合金に対する十分な防食性が求められている。
特開昭49−076479号公報 特開平05−102124号公報 特公平08−31452号公報 特許第3444009号公報 特許第3525612号公報 特開2000−349063号公報 特開平04−370932号公報 特開2004−119674号公報 特開2007−214456号公報
本発明の目的は、前述の問題点に鑑み、シリコン異方性エッチングにおいて、シリコンエッチング速度が速くシリコンエッチングプロセス時間を短縮することが可能なエッチング液組成物、電極や配線材料に多用されるアルミニウムやアルミニウム合金を腐食することなく、シリコンのみを選択的に異方性エッチングすることが可能なエッチング液組成物を提供することにある。
本発明のシリコン異方性エッチング液組成物は、(a)有機アルカリ化合物と無機アルカリ化合物の混合物であるアルカリ化合物と、(b)含珪素化合物と、を含有する水溶液であって、前記含珪素化合物の濃度が0.01〜30重量%の範囲にあることを特徴としている。
前記有機アルカリ化合物は、第4級水酸化アンモニウムまたはエチレンジアミンからなる群から選択される1種以上であることが望ましい。
また、前記無機アルカリ化合物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアまたはヒドラジンからなる群から選択される1種以上であることが望ましい。
また、前記含珪素化合物は、含珪素無機化合物及び含珪素有機化合物の少なくとも1種であることが望ましい。
また、前記含珪素無機化合物は、金属珪素、ヒュームド・シリカ、コロイダル・シリカ、シリカゲル、シリカゾル、珪藻土、酸性白土、活性白土からなる群から選択される1種以上であり、前記含珪素有機化合物が、珪酸アルキル若しくはアルキル珪酸の第四級アンモニウム塩からなる群から選択される1種以上であることが望ましい。
本発明のシリコン異方性エッチング液組成物は、さらに、(c)還元性化合物を含有していることが望ましい。
前記還元性化合物は、ヒドロキシルアミン類、ヒドラジン類、リン酸塩類、次亜リン酸塩類、還元糖類、アスコルビン酸、およびグリオキシル酸並びにそれらの誘導体から選択される少なくとも1種であることが望ましい。
また、前記還元性化合物は、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、塩化ヒドロキシルアミン、シュウ酸ヒドロキシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドラジン、一塩酸ヒドラジン、二塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、メチルヒドラジン、マルトース、ラクトース、メリビオース、セリビオース、イソマルトオリゴ糖、アスコルビン酸、またはグリオキシル酸からなる群から選択される1種以上であることが望ましい。
本発明により、シリコンのエッチング速度が極めて大きく、かつ電極や配線材料に用いられるアルミニウムやアルミニウム合金に対する防食性の高い、エッチング選択性と高いエッチング機能を有するシリコン異方性エッチング液組成物を提供することが可能になり、本発明のエッチング液組成物を用いることにより、シリコン微細加工技術を用いる製造プロセスの生産性に大きく寄与することができる。
本発明の実施の第一の態様としては、1種類以上の有機アルカリ化合物と1種類以上の無機アルカリ化合物との混合物であるアルカリ化合物と、含珪素化合物とを含有する水溶液であるシリコン異方性エッチング液が挙げられ、さらに第二の態様としては、上記シリコン異方性エッチング液にさらに還元剤を添加した水溶液であるシリコン異方性エッチング液が挙げられる。
本発明に用いるアルカリ化合物としては、有機、無機に係わらず強アルカリ性を示す化合物であれば使用可能であり、所望のエッチング特性が得られる従来のアルカリ化合物を使用することができる。有機アルカリ化合物としては水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン水酸化物またはエチレンジアミンが好ましい例として挙げられ、無機アルカリ化合物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアまたはヒドラジンが好ましい例として挙げられる。また、アルカリ化合物は有機アルカリ化合物を1種類以上と無機アルカリ化合物1種類以上組み合わせて使用する。本発明に用いられるシリコン異方性エッチング液中の有機アルカリ化合物の濃度は0.01〜25重量%、無機アルカリ化合物の濃度は0.01〜50重量%が好ましい。
有機アルカリ化合物及び無機アルカリ化合物の濃度を上記範囲とすることにより、本発明のエッチング液組成物に特有のエッチング特性、すなわち、エッチング選択性と高いエッチング機能の両方を具備したエッチング液組成物を実現するための基本的な要件を備えることができる。
また、本発明に用いる含珪素化合物は、金属珪素、ヒュームド・シリカ、コロイダル・シリカ、シリカゲル、シリカゾル、珪藻土、酸性白土、活性白土等の無機含珪素化合物であり、珪酸アルキル若しくはアルキル珪酸等の有機含珪素化合物である。また、本発明に用いられるシリコン異方性エッチング液中の含珪素化合物の濃度は0.01〜30重量%であり、好ましくは0.01〜20重量%である。シリコン異方性エッチング液中の濃度が0.01重量%未満の濃度ではアルミニウム又はアルミニウム合金の防食効果が認められず、30重量%を超えるとシリコンのエッチング速度が低下し好ましくない。
本発明に用いる還元性化合物としては、ヒドロキシルアミン類、ヒドラジン類、リン酸類、次亜リン酸塩類、還元糖類、アスコルビン酸、グリオキシル酸、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも1種が挙げられる。具体的は、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、塩化ヒドロキシルアミン、シュウ酸ヒドロキシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン−o−スルホン酸、ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドラジン、一塩酸ヒドラジン、二塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、二臭化水素酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、メチルヒドラジン、メチルヒドラジン硫酸塩、リン酸二水素アンモニウム、次亜リン酸アンモニウム、マルトース、ラクトース、メリビオース、セリビオース、イソマルトオリゴ糖、アスコルビン酸およびグリオキシル酸等が挙げられる。これらの中で特に好ましい還元性化合物は、ヒドロキシルアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、炭酸ヒドロキシルアミン、塩化ヒドロキシルアミン、シュウ酸ヒドロキシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドラジン等である。
還元性化合物は、単独でも2種類以上組み合わせても良い。還元性化合物の濃度はエッチング液組成物中のアルカリ化合物と珪素化合物の濃度によって適宜決定されるが、好ましくは0.1〜50重量%の範囲で使用される。還元性化合物の濃度が0.1重量%より低い場合はシリコンのエッチング速度が低く所望のエッチング速度が得られず、50重量%より高い濃度の場合は、エッチング液組成物中での結晶の析出や固化が発生したりエッチング液組成物が引火点を持ったりするなどの取り扱いが容易でなく好ましくない。
本発明のシリコン異方性エッチング液は、上記以外に、従来から使用されている防食剤を添加しても何ら問題はない。本発明に添加される防食材としては糖類、糖アルコール、カテコール類が挙げられる。糖類、糖アルコールとしてはアラビノース、ガラクトース、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、マンノース、グルコース、ラクトース、マルトース、イノシトール、キシロース、トレオース、エリトース、リボース、リブロース、キシルトース、タガトース、アロース、グロース、イドース、タロース、ソルボース、ブシコース、果糖、トレイトール、エリトリトール、アドニトール、アラビトール、タリトール、イジトール、ズルシトール等が挙げられる。またカテコール類はピロカテコール、ブチルピロカテコール等が挙げられる。上記防食剤のシリコン異方性エッチング液中の濃度は使用されるアルカリ化合物、含珪素化合物、還元剤の種類、濃度により適宜に決定されるが、好ましくは0.1〜20重量%の範囲で使用される。0.1重量%未満では、アルミニウム又はアルミニウム合金の防食効果が得られず、20重量%を超えるとエッチング液中の結晶の析出や固化などが生じ取り扱いが難しくなり好ましくない。
さらに、本発明のシリコン異方性エッチング液は所望により濡れ性を改善するために界面活性剤や溶剤を添加してもよい。界面活性剤としては、例えばカチオン性、アニオン性、ノニオン性の何れも使用可能であり、界面活性剤の濃度も特に制限されるものではない。溶剤としては、アルコールやグリセリンまたはグリセリン誘導体が好ましく、アルコールとしてはメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等であり、グリセリン誘導体としてはジグリセリン、ポリグリセリン等が挙げられる。
本発明のシリコン微細加工のための異方性エッチングは、通常常温からエッチング液の沸点以下の範囲で行うことが好ましいが、より速いエッチング速度を所望するならば、さらに高温で行うことが可能であり、その場合は加圧下で行うことができる。
なお、従来のアルカリ性異方性エッチング液を、アルミニウムまたはアルミニウム合金ではなく、アルカリ性異方性エッチング液に耐性を有する金属、例えばチタニウム(Ti)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)等の金属を電極材料に用いたシリコン基板のエッチングに使用した場合、シリコン基板上に占める、上記金属からなる電極(金属膜)の面積が大きくなると、エッチングが行われない現象が発生することがあるが、本発明のシリコン異方性エッチング液を用いた場合には、そのような現象は発生しない。
また、電極を微細な加工寸法で仕上げようとする場合、一般的にドライエッチングの方法が用いられるが、この際にシリコン基板の表面にダメージが与えられてしまい、エッチングが行われない現象が発生することがあるが、本発明のシリコン異方性エッチング液を用いた場合には、そのような現象は発生しない。
さらに、本発明のシリコン異方性エッチング液は、シリコン酸化膜のエッチングレートを有しているので、シリコンエッチングを行う前に、フッ酸系の薬液で処理する工程を必要とすることなく、シリコンエッチングと同時にシリコン基板上に生成した自然酸化膜の除去を行うことも可能である。
これらの特性を持つ本発明のシリコン異方性エッチング液は、シリコンの湿式エッチング工程を含むMEMS分野において、バルブ、ノズル、プリンタ用ヘッド、並びに流量、圧力及び加速度等の各種物理量を検知するための半導体センサ等の、種々のシリコンデバイスを製造する際のエッチング液として好適に使用できる。
以下、本発明を実施例及び比較例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら制限されるものではない。
[実施例1]
本発明の要件を満たすシリコン異方性エッチング液組成物として、表1の実施例1〜8のエッチング液組成物を用意し、所定の条件下でその特性を調べた。
まず、実施例1では、シリコン異方性エッチング液組成物として、有機アルカリとして水酸化テトラメチルアンモニウム(以下TMAHと略記する)5.0重量%、無機アルカリとして水酸化カリウム1.0重量%、含珪素化合物としてコロイダル・シリカ3.0重量%を含有する水溶液(シリコン異方性エッチング液組成物)を調製した。
そして、この実施例1のエッチング液組成物に、エッチング速度測定用のシリコン単結晶の面(100)方向および面(111)方向のシリコンウエハサンプルを75℃で1時間浸漬した。
超純水にてリンス後、乾燥を行い、シリコン単結晶の面(100)方向およびシリコン単結晶の面(111)の方向へのエッチング量を測定し、エッチング速度を求めた。
また、同一組成のエッチング液組成物を用いてアルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したウエハを使用し、同様にしてアルミニウム合金のエッチング速度を求めた。その結果を表1に示す。
また、実施例2では、エッチング液組成物として、含珪素化合物がヒュームド・シリカであること以外は、実施例1のエッチング液組成物と同じ組成のエッチング液組成物を調製した。そして、このエッチング液組成物を用いて,上記実施例1の場合と同じ条件でシリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
また、実施例3では、実施例1と同じエッチング液組成物を用い、エッチング条件を変えて(温度を75℃から85℃に変更、他の条件は同じ)、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
また、実施例4および5では、実施例1のエッチング液組成物との関係において、TMAHの割合および無機アルカリ化合物の割合を異ならせたエッチング液組成物を調製し、このエッチング液組成物を用いて、上記実施例1の場合と同じ条件で、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
また、実施例6では、実施例1の組成にさらに還元性化合物としてヒドロキシルアミン1.0重量%を添加したエッチング液組成物を調製し、このエッチング液組成物を用いて、上記実施例1の場合と同じ条件で、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
また、実施例7では、実施例1の組成にさらに還元性化合物として、実施例6の場合よりも多い割合(5.0重量%の割合)でヒドロキシルアミンを添加したエッチング液組成物を調製し、このエッチング液組成物を用いて、上記実施例1の場合と同じ条件で、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
さらに、実施例8では、実施例1の組成にさらに還元性化合物としてマルトース1.0重量%を添加したエッチング液組成物を調製し、このエッチング液組成物を用いて、上記実施例1の場合と同じ条件で、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表1に示す。
Figure 0005302551
表1に示すように、本発明の要件を満たす、実施例1〜8のエッチング液組成物を用いた場合、アルミニウムに比べて、シリコンを選択的に、高いエッチング速度でエッチングすることが可能であることが確認された。
[比較例]
比較のため、表2に示すように、
1)有機アルカリ化合物を含むが、無機アルカリ化合物および含珪素化合物を含まないエッチング液組成物(比較例1)、
2)有機アルカリ化合物および無機アルカリ化合物を含むが、含珪素化合物を含まないエッチング液組成物(比較例2)、
3)有機アルカリ化合物および含珪素化合物を含むが無機アルカリ化合物は含まないエッチング液組成物(比較例3)、
4)有機アルカリ化合物および還元性化合物を含むが無機アルカリ化合物および含珪素化合物は含まないエッチング液組成物(比較例4)、
5)有機アルカリ化合物、無機アルカリ化合物、および還元性化合物は含むが含珪素化合物は含まないエッチング液組成物(比較例5)、
6)有機アルカリ化合物、含珪素化合物はおよび還元性化合物は含むが無機アルカリ化合物は含まないエッチング液組成物(比較例6)、
を調製し、上記実施例1の場合と同じ条件で、シリコンウエハサンプルのエッチングを行い、シリコンエッチング速度を調べるとともに、アルミニウム合金(Al−Cu)を成膜したシリコンウエハのエッチングを行い、アルミニウムエッチング速度を測定した。その結果を表2に示す。
Figure 0005302551
表2に示すように、本願発明の要件を満たさない比較例1〜6の場合、シリコンエッチング速度よりもアルミニウムエッチング速度の方が大きかったり(比較例1,2,4,5)、シリコンエッチング速度の方がアルミニウムエッチング速度よりも大きいが両者の差が小さかったり(比較例3,6)して、シリコンを選択的にエッチングすることができないか、その性能が不十分であることが確認された。
なお、上記実施例ではシリコンウエハ上に成膜されたアルミニウム合金(Al−Cu)膜をエッチングする場合を例にとって説明したが、アルミニウム合金膜に限らず、本発明はアルミニウム膜をエッチングする場合にも適用することが可能である。
本発明は、さらにその他の点においても、上記実施例に限定されるものではなく、有機アルカリ化合物、無機アルカリ化合物、含珪素化合物はおよび還元性化合物を含めた各成分の種類、配合割合、エッチングを行う際の条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
上述のように、本発明によれば、シリコンのエッチング速度が極めて大きく、かつ電極や配線材料に用いられるアルミニウムやアルミニウム合金に対する防食性の高い、シリコンエッチングに対する選択性と高いエッチング機能を有するシリコン異方性エッチング液組成物を提供することが可能になる。そして、本発明のエッチング液組成物を用いることにより、シリコン微細加工の効率を大きく向上させることができる。
したがって、本発明は、シリコンウエハなどの微細加工を行う技術分野に広く適用することが可能である。

Claims (8)

  1. (a)有機アルカリ化合物と無機アルカリ化合物の混合物であるアルカリ化合物と、
    (b)含珪素化合物と、
    を含有する水溶液であって、
    前記含珪素化合物の濃度が0.01〜30重量%の範囲にあること
    を特徴とするシリコン異方性エッチング液組成物。
  2. 前記有機アルカリ化合物が、第4級水酸化アンモニウムまたはエチレンジアミンからなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  3. 前記無機アルカリ化合物が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアまたはヒドラジンからなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1または2記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  4. 前記含珪素化合物が含珪素無機化合物及び含珪素有機化合物の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  5. 前記含珪素無機化合物が、金属珪素、ヒュームド・シリカ、コロイダル・シリカ、シリカゲル、シリカゾル、珪藻土、酸性白土、活性白土からなる群から選択される1種以上であり、
    前記含珪素有機化合物が、珪酸アルキル若しくはアルキル珪酸の第四級アンモニウム塩からなる群から選択される1種以上であること
    を特徴とする請求項記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  6. さらに、(c)還元性化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  7. 前記還元性化合物が、ヒドロキシルアミン類、ヒドラジン類、リン酸塩類、次亜リン酸塩類、還元糖類、アスコルビン酸、およびグリオキシル酸並びにそれらの誘導体から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項6記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
  8. 前記還元性化合物が、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、硫酸ヒドロキシルアミン、塩化ヒドロキシルアミン、シュウ酸ヒドロキシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、ジメチルヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドラジン、一塩酸ヒドラジン、二塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、メチルヒドラジン、マルトース、ラクトース、メリビオース、セリビオース、イソマルトオリゴ糖、アスコルビン酸、またはグリオキシル酸からなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項6または7記載のシリコン異方性エッチング液組成物。
JP2008047979A 2008-02-28 2008-02-28 シリコン異方性エッチング液組成物 Active JP5302551B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008047979A JP5302551B2 (ja) 2008-02-28 2008-02-28 シリコン異方性エッチング液組成物
KR1020090012908A KR101217431B1 (ko) 2008-02-28 2009-02-17 실리콘 이방성 에칭액 조성물
TW098105810A TWI390019B (zh) 2008-02-28 2009-02-24 矽異方性蝕刻液組成物
CN2009100066008A CN101519592B (zh) 2008-02-28 2009-02-25 硅各向异性蚀刻液组合物
SG200901380-6A SG155148A1 (en) 2008-02-28 2009-02-26 Anisotropic silicon etchant composition
US12/393,090 US20090218542A1 (en) 2008-02-28 2009-02-26 Anisotropic silicon etchant composition
KR1020110038898A KR20110049763A (ko) 2008-02-28 2011-04-26 실리콘 이방성 에칭액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008047979A JP5302551B2 (ja) 2008-02-28 2008-02-28 シリコン異方性エッチング液組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009206335A JP2009206335A (ja) 2009-09-10
JP5302551B2 true JP5302551B2 (ja) 2013-10-02

Family

ID=41012473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008047979A Active JP5302551B2 (ja) 2008-02-28 2008-02-28 シリコン異方性エッチング液組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090218542A1 (ja)
JP (1) JP5302551B2 (ja)
KR (2) KR101217431B1 (ja)
CN (1) CN101519592B (ja)
SG (1) SG155148A1 (ja)
TW (1) TWI390019B (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5720573B2 (ja) * 2009-10-02 2015-05-20 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液およびエッチング方法
TWI445806B (zh) 2009-10-14 2014-07-21 羅門哈斯電子材料有限公司 清潔及微蝕刻半導體晶圓之方法
US7994062B2 (en) * 2009-10-30 2011-08-09 Sachem, Inc. Selective silicon etch process
DE102009060931A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten
EP2355138B1 (en) 2010-01-28 2016-08-24 Canon Kabushiki Kaisha Liquid composition, method of producing silicon substrate, and method of producing liquid discharge head substrate
US20120112321A1 (en) * 2010-11-04 2012-05-10 Solarworld Industries America, Inc. Alkaline etching liquid for texturing a silicon wafer surface
US20110244184A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Solarworld Industries America, Inc. Alkaline etching solution for texturing a silicon wafer surface
EP2372779B9 (en) * 2010-04-01 2015-01-07 SolarWorld Industries America, Inc. Alkaline etching liquid for texturing a silicon wafer surface
WO2011146206A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-24 Asia Union Electronic Chemical Corporation Improved chemistries for the texturing of silicon substrates
JPWO2012035888A1 (ja) * 2010-09-17 2014-02-03 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液及びそれを用いたトランジスタの製造方法
JP5869368B2 (ja) * 2011-03-04 2016-02-24 富士フイルム株式会社 キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液
US8771531B2 (en) 2011-04-19 2014-07-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing substrate for liquid ejection head
JP2012227304A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Hayashi Junyaku Kogyo Kk エッチング液組成物およびエッチング方法
KR20120136881A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
KR20120136882A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
JP2015008167A (ja) * 2011-10-28 2015-01-15 三菱電機株式会社 シリコン基板のエッチング方法およびシリコン基板のエッチング液
JP5439466B2 (ja) * 2011-12-26 2014-03-12 富士フイルム株式会社 シリコンエッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及びそのキット
JP5575822B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-20 第一工業製薬株式会社 テクスチャー形成用エッチング液
WO2014112430A1 (ja) * 2013-01-15 2014-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子
TWI471457B (zh) * 2013-02-22 2015-02-01 Uwin Nanotech Co Ltd 金屬剝除添加劑、含其之組合物、及使用該組合物以剝除金屬的方法
EP2978026A4 (en) 2013-03-19 2016-12-07 Choshu Ind Co Ltd PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP6406908B2 (ja) 2014-07-18 2018-10-17 キヤノン株式会社 シリコン基板をエッチングするエッチング方法、及び前記エッチング方法を含む液体吐出ヘッドの製造方法
US9873833B2 (en) * 2014-12-29 2018-01-23 Versum Materials Us, Llc Etchant solutions and method of use thereof
US10400167B2 (en) 2015-11-25 2019-09-03 Versum Materials Us, Llc Etching compositions and methods for using same
WO2018136220A1 (en) * 2017-01-18 2018-07-26 Arconic Inc. Methods of preparing 7xxx aluminum alloys for adhesive bonding, and products relating to the same
JP6813548B2 (ja) * 2018-09-14 2021-01-13 株式会社東芝 添加剤、添加剤分散液、エッチング原料ユニット、添加剤供給装置、エッチング装置、及びエッチング方法
WO2020129737A1 (ja) * 2018-12-18 2020-06-25 株式会社トクヤマ シリコンエッチング液
KR20200086180A (ko) 2019-01-08 2020-07-16 동우 화인켐 주식회사 실리콘 막 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법
KR20220033141A (ko) * 2020-09-09 2022-03-16 동우 화인켐 주식회사 실리콘 식각액 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 어레이 기판의 제조 방법, 및 이에 따라 제조된 어레이 기판
WO2022190903A1 (ja) * 2021-03-11 2022-09-15 富士フイルム株式会社 半導体処理用組成物、被処理物の処理方法
JP2023111873A (ja) * 2022-01-31 2023-08-10 花王株式会社 樹脂マスクの剥離方法
CN115287071B (zh) * 2022-07-06 2023-08-25 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种无c高选择性氮化硅蚀刻液

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548694B2 (ja) * 1972-11-27 1980-12-08
US4007464A (en) * 1975-01-23 1977-02-08 International Business Machines Corporation Ink jet nozzle
US4137123A (en) * 1975-12-31 1979-01-30 Motorola, Inc. Texture etching of silicon: method
JP3027030B2 (ja) * 1991-06-19 2000-03-27 株式会社豊田中央研究所 シリコンの異方性エッチング液
JP3444009B2 (ja) * 1995-03-20 2003-09-08 日産自動車株式会社 シリコン半導体の異方性エッチング方法
JP3525612B2 (ja) * 1996-03-12 2004-05-10 セイコーエプソン株式会社 シリコンウェハーの加工方法及びそのシリコンウェハーを用いた電子機器
JP3970145B2 (ja) * 2002-09-26 2007-09-05 株式会社豊田中央研究所 シリコン異方性エッチング液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
KR100491979B1 (ko) * 2003-06-27 2005-05-27 한국전자통신연구원 초미세 채널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3994992B2 (ja) * 2004-08-13 2007-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP4517867B2 (ja) * 2005-01-31 2010-08-04 株式会社Sumco シリコンウェーハ表面形状制御用エッチング液及び該エッチング液を用いたシリコンウェーハの製造方法
JP5109261B2 (ja) * 2006-02-10 2012-12-26 三菱瓦斯化学株式会社 シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物
US8961677B2 (en) * 2006-04-26 2015-02-24 Silbond Corporation Suspension of nanoparticles and method for making the same
US20090266414A1 (en) * 2006-05-02 2009-10-29 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Process for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate for solar application and etching solution

Also Published As

Publication number Publication date
CN101519592A (zh) 2009-09-02
KR20110049763A (ko) 2011-05-12
KR20090093814A (ko) 2009-09-02
JP2009206335A (ja) 2009-09-10
TW200944581A (en) 2009-11-01
KR101217431B1 (ko) 2013-01-02
US20090218542A1 (en) 2009-09-03
SG155148A1 (en) 2009-09-30
TWI390019B (zh) 2013-03-21
CN101519592B (zh) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5302551B2 (ja) シリコン異方性エッチング液組成物
JP5109261B2 (ja) シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物
TWI430353B (zh) 用於製造矽之微結構之各向異性蝕刻劑組成物及蝕刻方法
JP2006351813A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
US20070175862A1 (en) Anisotropic etching agent composition used for manufacturing of micro-structures of silicon and etching method
JP5720573B2 (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
US8883652B2 (en) Silicon etching liquid and etching method
KR20060063656A (ko) 박리제 조성물
JP2007005656A (ja) メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR101992224B1 (ko) 실리콘 에칭액 및 에칭방법 그리고 미소전기기계소자
JP2009123798A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2009117504A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2006351811A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法。
JP7305679B2 (ja) シリコンエッチング液
JP2008124135A (ja) 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法
JP2004119674A (ja) シリコン異方性エッチング液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4337446B2 (ja) エッチング剤及びエッチング方法
JP2006351812A (ja) シリコン微細加工に用いる異方性エッチング剤組成物及びエッチング方法
JP2009105306A (ja) シリコンエッチング液およびエッチング方法
JP2001351906A (ja) シリコン基板のエッチング方法
JP2005175223A (ja) シリコンウエハのエッチング方法
JP2005064064A (ja) エッチング剤及びエッチング方法
Chung et al. The Effect of Pyrazine on TMAH: IPA Single-crystal Silicon Anisotropic Etching Properties

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20101215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110224

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20110324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120426

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120509

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130612

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130621

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5302551

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250