JP2005064064A - エッチング剤及びエッチング方法 - Google Patents
エッチング剤及びエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005064064A JP2005064064A JP2003207819A JP2003207819A JP2005064064A JP 2005064064 A JP2005064064 A JP 2005064064A JP 2003207819 A JP2003207819 A JP 2003207819A JP 2003207819 A JP2003207819 A JP 2003207819A JP 2005064064 A JP2005064064 A JP 2005064064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- etching
- hafnium oxide
- oxide
- etching agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】次世代の半導体において絶縁材料として用いられる酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムは、耐エッチング性が高いため、周辺の他の半導体材料を侵すことなくエッチングすることが出来なかった。
【解決手段】フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを溶解することができる。またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。
【解決手段】フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなるエッチング剤では、酸化ケイ素、シリコン等の半導体材料を侵すことなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを溶解することができる。またフッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水に無機酸を加えると特にエッチング速度が高められる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング剤及びそれを用いたエッチング方法に関する。更に詳しくは、半導体デバイスの絶縁膜に使用される酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング剤及びそれを用いたエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報化技術の急速な進展に伴い大規模集積回路（ＬＳＩ、ＵＬＳＩ、ＶＬＳＩ）の微細化、高密度化、高集積化による高速化が成される動向にあり、そのため新しい材料の導入が検討されている。微細化に伴い、絶縁膜も薄くなっており、従来使用されてきた酸化ケイ素絶縁膜では限界となっている。そのため新しい絶縁膜としていわゆるＨｉｇｈ−ｋ材が検討されている。Ｈｉｇｈ−ｋ材として酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムが候補としてあるが、酸化ハフニウムが最も有力視されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
半導体回路の微細加工のためには酸化ハフニウムを成膜した後、エッチングする必要がある。しかし酸化ハフニウムは耐エッチング性を有するエッチングストッパーとして用いられている材料であり、フッ化水素酸でさえ容易にはエッチングできなかった（例えば特許文献２参照）。そのためこれまで他のダメージを受けやすい半導体材料を侵すことなく、酸化ハフニウムを実用的な速度でエッチングする方法は知られておらず、また酸化ハフニウムの成膜など、半導体製造工程で酸化ハフニウムが望ましくない場所に付着した場合、これを除去、洗浄する有効な方法はこれまでなかった。
【０００４】
一方、ハフニウムとジルコニウムは、性質が類似しているため分離が極めて困難な化合物である。そのため酸化ハフニウムには通常、常に酸化ジルコニウムを同伴している。上述した通り、酸化ハフニウムを他の材料を侵すことなく加工できるエッチング剤がなかったため、同様に酸化ジルコニウムを除去、洗浄に適したエッチング剤も知られていなかった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００３−１３３３０７号公報
【特許文献２】
特開平７−３６１７６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の課題に鑑みて、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする剤及びそれを用いたエッチング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチングについて鋭意検討した結果、フッ化水素酸水、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなる剤が他の半導体材料にダメージを与えることなく酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングできることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【０００９】
本発明のエッチング剤の必須成分は、フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水である。
【００１０】
本発明のエッチング剤に使用できる多価カルボン酸は、ジルコニウムイオン及び／又はハフニウムイオンと錯形成するものなら特に問題なく使用できるが、例示するとシュウ酸、クエン酸、リンゴ酸が挙げられる。これらは単独で使用しても良いし、それぞれを混合して使用しても良い。
【００１１】
本発明のエッチング剤に使用される過酸化水素水は、通常３５％以下のものが流通しているが、それ以上の濃度のものを使用しても良い。また過酸化尿素のような過酸化水素アダクツを使用することもできる。
【００１２】
本発明のエッチング剤には、その他一般に使用されている防食剤、界面活性剤も添加することができる。防食剤については、本発明のエッチング剤は半導体材料への腐食性が低いため、一般的に添加されている量より、少ない量の防食剤の添加で効果が現れる。
【００１３】
また、本発明のエッチング剤には、洗浄性能の向上のため、水溶性有機溶媒を添加しても良い。
【００１４】
本発明のエッチング剤の各成分の比率は、エッチング液全体を基準にして、フッ化水素酸が０．００１〜１重量％、好ましくは０．０１〜１重量％である。０．００１重量％未満であると、エッチング速度が工業的でないほど遅くなり、１重量％を超えると、酸化ケイ素、シリコンなどの半導体材料に対してダメージが大きくなる。
【００１５】
多価カルボン酸の比率は、０．０１〜３０重量％、好ましくは０．０１〜２０重量％である。０．０１重量％未満であると、多価カルボン酸を添加した効果がなく、３０重量％を超える量を添加してもエッチング速度は向上しない。
【００１６】
過酸化水素の比率は、０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３５重量％である。０．１重量％未満であると、過酸化水素を添加した効果がなく、５０重量％を超えると分解が激しく、工業的に使用するには安全上問題がある。
【００１７】
本発明のエッチング剤には、無機酸を添加するとエッチング速度が向上する。本発明のエッチング剤に添加できる無機酸を例示すると、硫酸、硝酸、塩酸が挙げられる。無機酸の添加量は、無機酸の種類により変動するため限定することは困難であるが、エッチング液全体を基準にして、０．０１〜５０重量％である。０．０１重量％未満だと、酸を添加した効果は小さく、５０重量％を超える量を添加してもエッチング速度は増加しない。
【００１８】
本発明のエッチング剤は、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング、特に半導体デバイスの絶縁膜として使用される酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチングに利用できる。半導体デバイスにおいて、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムはいわゆるＨｉｇｈ−ｋ材として使用される。酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムは、半導体基板上にＣＶＤ法（化学気相成長）などで成膜されるが、素子、回路を形成するためには、エッチングで不要な部分を取り除く必要がある。本発明のエッチング剤を使用すれば、他の半導体材料にダメージを与えることなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングすることができる。
【００１９】
また、半導体は多段階のプロセスを経て製造されるが、その際、酸化ハフニウムが望ましくない形で、望ましくない場所に付着してしまうことがある。この酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチング、除去、洗浄する際にも本発明のエッチング剤を使用することができる。なお、ジルコニウムとハフニウムは化学的性質が極めて似ているため、分離することが困難である。そのためシルコニウムとハフニウムは通常、常に同伴するため、エッチング剤は酸化ハフニウムと酸化ジルコニウム両方をエッチングできることが必要である。
【００２０】
本発明のエッチング剤を使用する時の温度は、１０〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃である。１００℃を超える温度では、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウム以外の半導体材料に対してダメージが発生し易く、２０℃未満の温度では、工業的に満足できる速度で酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングし難い。
【００２１】
本発明のエッチング剤を使用し、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする際、超音波などを使用し、エッチングを促進しても良い。
【００２２】
【実施例】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
実施例１〜５、比較例１〜３
表１に示したエッチング液２０ｇに、７０℃で２時間、３ｇのジルコニアセラミックボールを浸漬した。浸漬後、ジルコニアセラミックボールを水洗、乾燥し、浸漬前後の重量変化を測定した。その結果を表に示した。なお、表１のエッチング液の残部は水である。
【００２４】
【表１】
実施例６
４７％フッ化水素酸０．０４ｇ、シュウ酸２ｇ、３１％過酸化水素水５ｇに水を加えて２０ｇとした。これに無定形酸化ハフニウム粉末とシリカ粉末を各５ｍｇを加え、７０℃で４時間撹拌したところ、酸化ハフニウム粉末は完全に溶解したが、シリカ粉末は溶け残った。
【００２５】
【発明の効果】
本発明のエッチング剤は、優れたエッチング能力を示すとともに、半導体材料にダメージを与えない酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムのエッチング剤として使用できる。
【産業上の利用分野】
本発明は酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング剤及びそれを用いたエッチング方法に関する。更に詳しくは、半導体デバイスの絶縁膜に使用される酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング剤及びそれを用いたエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報化技術の急速な進展に伴い大規模集積回路（ＬＳＩ、ＵＬＳＩ、ＶＬＳＩ）の微細化、高密度化、高集積化による高速化が成される動向にあり、そのため新しい材料の導入が検討されている。微細化に伴い、絶縁膜も薄くなっており、従来使用されてきた酸化ケイ素絶縁膜では限界となっている。そのため新しい絶縁膜としていわゆるＨｉｇｈ−ｋ材が検討されている。Ｈｉｇｈ−ｋ材として酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムが候補としてあるが、酸化ハフニウムが最も有力視されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
半導体回路の微細加工のためには酸化ハフニウムを成膜した後、エッチングする必要がある。しかし酸化ハフニウムは耐エッチング性を有するエッチングストッパーとして用いられている材料であり、フッ化水素酸でさえ容易にはエッチングできなかった（例えば特許文献２参照）。そのためこれまで他のダメージを受けやすい半導体材料を侵すことなく、酸化ハフニウムを実用的な速度でエッチングする方法は知られておらず、また酸化ハフニウムの成膜など、半導体製造工程で酸化ハフニウムが望ましくない場所に付着した場合、これを除去、洗浄する有効な方法はこれまでなかった。
【０００４】
一方、ハフニウムとジルコニウムは、性質が類似しているため分離が極めて困難な化合物である。そのため酸化ハフニウムには通常、常に酸化ジルコニウムを同伴している。上述した通り、酸化ハフニウムを他の材料を侵すことなく加工できるエッチング剤がなかったため、同様に酸化ジルコニウムを除去、洗浄に適したエッチング剤も知られていなかった。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００３−１３３３０７号公報
【特許文献２】
特開平７−３６１７６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の課題に鑑みて、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする剤及びそれを用いたエッチング方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチングについて鋭意検討した結果、フッ化水素酸水、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなる剤が他の半導体材料にダメージを与えることなく酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングできることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【０００９】
本発明のエッチング剤の必須成分は、フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水である。
【００１０】
本発明のエッチング剤に使用できる多価カルボン酸は、ジルコニウムイオン及び／又はハフニウムイオンと錯形成するものなら特に問題なく使用できるが、例示するとシュウ酸、クエン酸、リンゴ酸が挙げられる。これらは単独で使用しても良いし、それぞれを混合して使用しても良い。
【００１１】
本発明のエッチング剤に使用される過酸化水素水は、通常３５％以下のものが流通しているが、それ以上の濃度のものを使用しても良い。また過酸化尿素のような過酸化水素アダクツを使用することもできる。
【００１２】
本発明のエッチング剤には、その他一般に使用されている防食剤、界面活性剤も添加することができる。防食剤については、本発明のエッチング剤は半導体材料への腐食性が低いため、一般的に添加されている量より、少ない量の防食剤の添加で効果が現れる。
【００１３】
また、本発明のエッチング剤には、洗浄性能の向上のため、水溶性有機溶媒を添加しても良い。
【００１４】
本発明のエッチング剤の各成分の比率は、エッチング液全体を基準にして、フッ化水素酸が０．００１〜１重量％、好ましくは０．０１〜１重量％である。０．００１重量％未満であると、エッチング速度が工業的でないほど遅くなり、１重量％を超えると、酸化ケイ素、シリコンなどの半導体材料に対してダメージが大きくなる。
【００１５】
多価カルボン酸の比率は、０．０１〜３０重量％、好ましくは０．０１〜２０重量％である。０．０１重量％未満であると、多価カルボン酸を添加した効果がなく、３０重量％を超える量を添加してもエッチング速度は向上しない。
【００１６】
過酸化水素の比率は、０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３５重量％である。０．１重量％未満であると、過酸化水素を添加した効果がなく、５０重量％を超えると分解が激しく、工業的に使用するには安全上問題がある。
【００１７】
本発明のエッチング剤には、無機酸を添加するとエッチング速度が向上する。本発明のエッチング剤に添加できる無機酸を例示すると、硫酸、硝酸、塩酸が挙げられる。無機酸の添加量は、無機酸の種類により変動するため限定することは困難であるが、エッチング液全体を基準にして、０．０１〜５０重量％である。０．０１重量％未満だと、酸を添加した効果は小さく、５０重量％を超える量を添加してもエッチング速度は増加しない。
【００１８】
本発明のエッチング剤は、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング、特に半導体デバイスの絶縁膜として使用される酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチングに利用できる。半導体デバイスにおいて、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムはいわゆるＨｉｇｈ−ｋ材として使用される。酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムは、半導体基板上にＣＶＤ法（化学気相成長）などで成膜されるが、素子、回路を形成するためには、エッチングで不要な部分を取り除く必要がある。本発明のエッチング剤を使用すれば、他の半導体材料にダメージを与えることなく、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングすることができる。
【００１９】
また、半導体は多段階のプロセスを経て製造されるが、その際、酸化ハフニウムが望ましくない形で、望ましくない場所に付着してしまうことがある。この酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチング、除去、洗浄する際にも本発明のエッチング剤を使用することができる。なお、ジルコニウムとハフニウムは化学的性質が極めて似ているため、分離することが困難である。そのためシルコニウムとハフニウムは通常、常に同伴するため、エッチング剤は酸化ハフニウムと酸化ジルコニウム両方をエッチングできることが必要である。
【００２０】
本発明のエッチング剤を使用する時の温度は、１０〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃である。１００℃を超える温度では、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウム以外の半導体材料に対してダメージが発生し易く、２０℃未満の温度では、工業的に満足できる速度で酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングし難い。
【００２１】
本発明のエッチング剤を使用し、酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする際、超音波などを使用し、エッチングを促進しても良い。
【００２２】
【実施例】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
実施例１〜５、比較例１〜３
表１に示したエッチング液２０ｇに、７０℃で２時間、３ｇのジルコニアセラミックボールを浸漬した。浸漬後、ジルコニアセラミックボールを水洗、乾燥し、浸漬前後の重量変化を測定した。その結果を表に示した。なお、表１のエッチング液の残部は水である。
【００２４】
【表１】
４７％フッ化水素酸０．０４ｇ、シュウ酸２ｇ、３１％過酸化水素水５ｇに水を加えて２０ｇとした。これに無定形酸化ハフニウム粉末とシリカ粉末を各５ｍｇを加え、７０℃で４時間撹拌したところ、酸化ハフニウム粉末は完全に溶解したが、シリカ粉末は溶け残った。
【００２５】
【発明の効果】
本発明のエッチング剤は、優れたエッチング能力を示すとともに、半導体材料にダメージを与えない酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムのエッチング剤として使用できる。
Claims (7)
- フッ化水素酸、多価カルボン酸及び過酸化水素水を含んでなる酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムのエッチング剤。
- 多価カルボン酸がシュウ酸、リンゴ酸、クエン酸から成る群より選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載のエッチング剤。
- 無機酸を添加することを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれかに記載のエッチング剤。
- 無機酸が、硫酸、硝酸、塩酸から成る群より選ばれる少なくとも１種である請求項１〜請求項３のいずれかに記載のエッチング剤。
- 半導体デバイスの酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のエッチング剤。
- 絶縁膜として使用されている酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムをエッチングする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のエッチング剤。
- 半導体デバイスの酸化ジルコニウム及び／又は酸化ハフニウムを請求項１〜請求項６のいずれかに記載のエッチング剤でエッチングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003207819A JP4337445B2 (ja) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | エッチング剤及びエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003207819A JP4337445B2 (ja) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | エッチング剤及びエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005064064A true JP2005064064A (ja) | 2005-03-10 |
| JP4337445B2 JP4337445B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=34364155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003207819A Expired - Fee Related JP4337445B2 (ja) | 2003-08-19 | 2003-08-19 | エッチング剤及びエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4337445B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311316A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP2010056416A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ハイブリッド基板の洗浄方法 |
-
2003
- 2003-08-19 JP JP2003207819A patent/JP4337445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311316A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-11-04 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP4580258B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2010-11-10 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 |
| JP2010056416A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ハイブリッド基板の洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4337445B2 (ja) | 2009-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6027083B2 (ja) | 窒化チタンハードマスク用組成物及びエッチング残渣の除去 | |
| EP1212150B1 (en) | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| EP1177275B1 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| JP2586304B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 | |
| JP4983422B2 (ja) | エッチング用組成物及びエッチング方法 | |
| EP3602606A1 (en) | Surface treatment methods and compositions therefor | |
| KR20120092583A (ko) | 실리콘 에칭액 및 에칭 방법 | |
| WO2007063942A1 (ja) | 半導体表面処理剤 | |
| JP2007005656A (ja) | メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2007063767A1 (ja) | 半導体素子又は表示素子用洗浄液および洗浄方法 | |
| JP2006319171A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP2007012640A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP4355201B2 (ja) | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 | |
| JP4839968B2 (ja) | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 | |
| KR100354600B1 (ko) | 반도체 기판의 처리 방법 | |
| JP7180667B2 (ja) | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 | |
| JP4337445B2 (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 | |
| JP4337446B2 (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 | |
| JP3689871B2 (ja) | 半導体基板用アルカリ性洗浄液 | |
| JP6378271B2 (ja) | タングステン膜エッチング液組成物、これを用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス | |
| JP2006173292A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP7504081B2 (ja) | エッチング組成物 | |
| JP4577095B2 (ja) | 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法 | |
| JP2005203467A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP4305024B2 (ja) | 酸化ハフニウムをエッチングする方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060721 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080514 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090324 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090513 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090622 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |