JP6027083B2 - 窒化チタンハードマスク用組成物及びエッチング残渣の除去 - Google Patents
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Description
本特許出願は、2013年12月20日出願の米国仮特許出願第61/918,943号の利益を主張する。
負電荷がその構造体全体にわたって高度に分散している弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物は(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気に曝され、かつ(3)7未満のpHを有する。
Cu、W、低k誘電材料、及び窒化チタンを含む半導体デバイスと、
前記半導体デバイスから前記窒化チタンを選択的に除去するための水性組成物と
を含み、前記水性組成物が、
弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物は(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気に曝され、かつ(3)7未満のpHを有し、
前記窒化チタンは前記水性組成物と直接に接しているが、Wと直接に接していない。
前記半導体デバイスを水性組成物と接触させる工程であって、前記水性組成物が、
弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物が(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気に曝され、かつ(3)7未満のpHを有する工程、並びに
前記窒化チタンを除去する工程
を含み、前記窒化チタンは前記水性組成物と直接に接しているが、Wと直接に接していない。
(1)窒化チタンの高いエッチング速度が70℃以下で観察される。
(2)組成物の水溶液が安定である。
(3)この低活性フッ化物含有組成物は、低TEOSエッチングと、パターン形成されたPDEMの損傷2.2(2.2 damage)とを示す。
(4)タングステン(W)のエッチングは実質上観察されず、したがってこのプラットホームの組成物は金属層に適合し、その洗浄に使用することができる。
(5)この組成物は、タングステン層と低k誘電体層の間のTiNライナーを傷つけない。
水性組成物を、表1に示す成分をブレンドすることによって調製した。
水性組成物を、表2に示す成分をブレンドすることによって調製した。
水性組成物を、表3に示す成分をブレンドすることによって調製した。
[窒素不足型TiNx(ただしx<1)ブランケットウェーハに対するヘキサフルオロチタン酸アンモニウム]
ヘキサフルオロチタン酸アンモニウムを含む水性組成物14a及び14bを、表4に示す成分をブレンドすることによって調製した。
[Wとの流電結合によるTiNエッチング速度の抑制]
例1の場合と同じ水性組成物を使用してエッチングの検討を行ったが、水性組成物に浸漬する前にそのTiNとWブランケットウェーハを互いに流電結合させた。結合は、浸漬プロセスの間ずっと保たれた。
[腐食抑制剤の添加]
表6に列挙したタングステン腐食抑制剤の組み合わせの添加有り及び無しの2種類の組成物88A及び88Fが存在し、組成物88Fは、88Aにポリエチレンイミンとクエン酸及びマロン酸のタングステン腐食抑制剤の組み合わせを加えることによって調製した。
Claims (21)
- Cu、W、低k誘電材料、及び窒化チタン(TiN又はTiNxOy)を含む半導体デバイスから窒化チタンを選択的に除去するための水性組成物であって、
弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物が(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気をブレンドしたものであって、かつ(3)7未満のpHを有し、
前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれが<500ppmの範囲にある、水性組成物。 - 前記弱配位性陰イオンが1.0〜10.0wt%の範囲にあり、p−トルエンスルホン酸(C7H8SO3 -)、硫酸(SO4 2-)、硝酸(NO3 -)、トリフラート(CF3SO3 -)、ペルフルオロスルホン酸(RfSO3 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ヘキサフルオロケイ酸(SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタン酸(TiF6 2-)、テトラフルオロホウ酸(BF4 -)、ヘキサフルオロリン酸(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモン酸(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミン酸((RfO)4Al-、ただしRfはペルフルオロアルキル基)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の水性組成物。
- 前記アミン塩緩衝剤が0.5〜10.0wt%の範囲にあり、塩化アンモニウム、重硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、ペルフルオロスルホン酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、又はヘキサフルオロケイ酸アンモニウム(これは水酸化アンモニウムとヘキサフルオロケイ酸から作り出すことができる)と、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムからなる群より選択される有機酸のアンモニウム塩と、それらの組み合わせとからなる群より選択され、
前記アンモニウムが、N(R1R2R3R4)+の形態を有し、R1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立してH、CH3、C2H5、及びC3H7からなる群より選択される、請求項1に記載の水性組成物。 - 前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれがFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン、Ni(II)イオン、及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選択される、請求項1に記載の水性組成物。
- <2000ppmの量の腐食抑制剤をさらに含み、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、アルキルアミン並びにヘキシル及びオクチルアミンを含むアルキルアミン、ポリエチレンイミン並びにクエン酸及びマロン酸を含むカルボン酸を用いたポリエチレンイミン、イミダゾール、システイン及び置換システイン、シスチン及び置換シスチン、トリアゾール及び置換トリアゾール、イミノ二酢酸、チオ尿素、ベンゾイミダゾール、バニリン、カテコール、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項1に記載の水性組成物。
- <4000ppmの量のフッ化水素塩をさらに含む、請求項1に記載の水性組成物。
- 前記pHが<4である、請求項1に記載の水性組成物。
- マイクロ電子デバイスから窒化チタン(TiN又はTiNxOy)を選択的に除去するためのシステムであって、
Cu、W、低k誘電材料、及び窒化チタンを含む半導体デバイスと、
前記半導体デバイスから前記窒化チタンを選択的に除去するための水性組成物と
を含み、前記水性組成物が、
弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物が(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気をブレンドしたものであって、かつ(3)7未満のpHを有し、
前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれが<500ppmの範囲にあり、
前記窒化チタンが前記水性組成物と直接に接しているが、Wと直接に接していない、システム。 - 前記弱配位性陰イオンが、1.0〜10.0wt%の範囲にあり、p−トルエンスルホン酸(C7H8SO3 -)、硫酸(SO4 2-)、硝酸(NO3 -)、トリフラート(CF3SO3 -)、ペルフルオロスルホン酸(RfSO3 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ヘキサフルオロケイ酸(SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタン酸(TiF6 2-)、テトラフルオロホウ酸(BF4 -)、ヘキサフルオロリン酸(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモン酸(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミン酸((RfO)4Al-、ただしRfはペルフルオロアルキル基)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項8に記載のシステム。
- 前記アミン塩緩衝剤が、0.5〜10.0wt%の範囲にあり、塩化アンモニウム、重硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、ペルフルオロスルホン酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、又はヘキサフルオロケイ酸アンモニウム(これは水酸化アンモニウムとヘキサフルオロケイ酸から作り出すことができる)と、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムからなる群より選択される有機酸のアンモニウム塩と、それらの組み合わせとからなる群より選択され、
前記アンモニウムが、N(R1R2R3R4)+の形態を有し、かつR1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立してH、CH3、C2H5、及びC3H7からなる群より選択される、請求項8に記載のシステム。 - 前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれがFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン、Ni(II)イオン、及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選択される、請求項8に記載のシステム。
- 前記水性組成物が<2000ppmの量の腐食抑制剤をさらに含み、かつ前記腐食抑制剤が、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、アルキルアミン並びにヘキシル及びオクチルアミンを含むアルキルアミン、ポリエチレンイミン並びにクエン酸及びマロン酸を含むカルボン酸を用いたポリエチレンイミン、イミダゾール、システイン及び置換システイン、シスチン及び置換シスチン、トリアゾール及び置換トリアゾール、イミノ二酢酸、チオ尿素、ベンゾイミダゾール、バニリン、カテコール、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項8に記載のシステム。
- 前記水性組成物が<4000ppmの量のフッ化水素塩をさらに含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記水性組成物がpH<4を有する、請求項8に記載のシステム。
- Cu、W、低k誘電材料、及び窒化チタン(TiN又はTiNxOy)を含むマイクロ電子デバイスから窒化チタンを選択的に除去するための方法であって、
前記半導体デバイスを水性組成物と接触させる工程であって、前記水性組成物が、
弱配位性陰イオンと、
アミン塩緩衝剤と、
少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンと、
水、グリコール、プロピレングリコール、乳酸、酢酸、スルホラン、ジメチルスルホキシド、アルキルスルホン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される溶媒である残部と
を含み、前記水性組成物が(1)非周囲酸化剤を含有せず、(2)空気に曝され、かつ(3)7未満のpHを有し、
前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれが<500ppmの範囲にある工程、並びに
前記窒化チタンを除去する工程
を含み、前記窒化チタンが前記水性組成物と直接に接しているが、Wと直接に接していない、方法。 - 前記弱配位性陰イオンが、1.0〜10.0wt%の範囲にあり、p−トルエンスルホン酸(C7H8SO3 -)、硫酸(SO4 2-)、硝酸(NO3 -)、トリフラート(CF3SO3 -)、ペルフルオロスルホン酸(RfSO3 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ペルフルオロスルホンイミド((Rf)2NSO2 -、ただしRfはC1〜C4ペルフルオロアルキル基)、ヘキサフルオロケイ酸(SiF6 2-)、ヘキサフルオロチタン酸(TiF6 2-)、テトラフルオロホウ酸(BF4 -)、ヘキサフルオロリン酸(PF6 -)、ヘキサフルオロアンチモン酸(SbF6 -)、ペルフルオロアルキルアルミン酸((RfO)4Al-、ただしRfはペルフルオロアルキル基)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項15に記載の方法。
- 前記アミン塩緩衝剤が、0.5〜10.0wt%の範囲にあり、塩化アンモニウム、重硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、ペルフルオロスルホン酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム、又はヘキサフルオロケイ酸アンモニウム(これは水酸化アンモニウムとヘキサフルオロケイ酸から作り出すことができる)と、クエン酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、乳酸アンモニウムからなる群より選択される有機酸のアンモニウム塩と、それらの組み合わせとからなる群より選択され、
前記アンモニウムが、N(R1R2R3R4)+の形態を有し、かつR1、R2、R3、R4のそれぞれが、独立してH、CH3、C2H5、及びC3H7からなる群より選択される、請求項15に記載の方法。 - 前記少なくとも2種類の非酸化性微量金属イオンのそれぞれがFe(II)イオン、Cu(I)イオン、Cu(II)イオン、Co(II)イオン、Cr(II)イオン、Mn(II)イオン、Ni(II)イオン、及びそれらの組み合わせからなる群より独立して選択される、請求項15に記載の方法。
- 前記水性組成物が<2000ppmの量の腐食抑制剤をさらに含み、かつ前記腐食抑制剤が、ベンゾトリアゾール及び置換ベンゾトリアゾール、アルキルアミン並びにヘキシル及びオクチルアミンを含むアルキルアミン、ポリエチレンイミン並びにクエン酸及びマロン酸を含むカルボン酸を用いたポリエチレンイミン、イミダゾール、システイン及び置換システイン、シスチン及び置換シスチン、トリアゾール及び置換トリアゾール、イミノ二酢酸、チオ尿素、ベンゾイミダゾール、バニリン、カテコール、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項15に記載の方法。
- 前記水性組成物が<4000ppmの量のフッ化水素塩をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記水性組成物がpH<4を有する、請求項15に記載の方法。
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