JP5364250B2 - 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 - Google Patents
窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5364250B2 JP5364250B2 JP2007184694A JP2007184694A JP5364250B2 JP 5364250 B2 JP5364250 B2 JP 5364250B2 JP 2007184694 A JP2007184694 A JP 2007184694A JP 2007184694 A JP2007184694 A JP 2007184694A JP 5364250 B2 JP5364250 B2 JP 5364250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium nitride
- mass
- stripping solution
- tungsten
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明の窒化チタン剥離液は、フッ酸、過酸化水素、水、及びフッ酸以外の無機酸を含む。更に、本発明の窒化チタン剥離液は、必要に応じて防食剤、及びグリコールエーテル等の水溶性有機溶剤を含んでいてもよい。この窒化チタン剥離液は、窒化チタン被膜、導体層、絶縁層を有する半導体多層積層体における窒化チタン被膜を剥離する際に、特に好適に用いることができる。
本発明の窒化チタン剥離液は、フッ酸を含む。窒化チタン剥離液がフッ酸を含むことにより、窒化チタン被膜を効率的に剥離することができる。窒化チタン剥離液に含有させることができるフッ酸の含有量は、0.01質量%以上5質量%以下であることが好ましい。フッ酸の含有量を上記範囲内とすることにより、窒化チタン剥離液への窒化チタンの溶解性を高く維持すると共に、導体層及び絶縁層に対する浸食を抑制することができる。上記含有量は、0.1質量%以上2質量%以下であることが更に好ましい。
本発明の窒化チタン剥離液は、過酸化水素を含む。窒化チタン剥離液が過酸化水素を含むことにより、窒化チタン剥離液への窒化チタンの溶解を促進すると共に、フッ酸による導体層や絶縁層への浸食を抑制することができる。更に、過酸化水素は、窒化チタン被膜の溶解の過程で発生する水素ガスを随時捕捉できることから、窒化チタンの溶解が、水素ガスによって局所的に阻害されることがない。
本発明の窒化チタン剥離液は、更に無機酸を含有する。窒化チタン剥離液が、無機酸を含有することにより、窒化チタン剥離液のpHを低下させることができる。ここで、半導体多層積層体において、タングステン又はタングステン合金等の酸に不溶な金属材料を含む層を設ける場合には、窒化チタン剥離液のpHを低下させることにより、タングステン又はタングステン合金を含む層への窒化チタン剥離液による浸食を、より低下させることができる。
本発明の窒化チタン剥離液は、防食剤を含んでいてもよい。この防食剤としては、特に限定されるものではないが、タングステン又はタングステン合金等を含む層を有する半導体多層積層体に適用する場合には、環内に窒素原子を2個有する含窒素5員環化合物を好ましく用いることができる。
環内に窒素原子を2個有する含窒素5員環化合物を窒化チタン剥離液に用いた場合、窒化チタン剥離液の、特にタングステン又はタングステン合金等を含む層への浸食を有効に抑制することができる。
本発明の窒化チタン剥離液は、水溶性有機溶剤を含有していてもよい。窒化チタン剥離液に含有させることができる水溶性有機溶剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、アルコール類及びグリコールエーテルを挙げることができる。
本発明の窒化チタン剥離液はグリコールエーテルを含有することが好ましい。このグリコールエーテルを含有させることにより、上記含窒素5員環化合物を窒化チタン剥離液に十分に溶解させることができる。また、グリコールエーテルは、絶縁層の浸食を抑制する作用をも有するため、窒化チタン被膜を剥離する際における、窒化チタン剥離液による絶縁層への浸食を抑制することができる。
本発明の窒化チタン被膜の剥離方法は、タングステン又はタングステン合金を含む層と、絶縁層である酸化ケイ素被膜と、窒化チタン被膜と、を有する半導体多層積層体に本発明の窒化チタン剥離液を接触させることにより、窒化チタン被膜を剥離して除去する、窒化チタン被膜の剥離方法である。
タングステン又はタングステン合金を含む層に用いられる材料は、タングステン又はタングステン合金を含む金属材料であれば、特に限定されるものではない。このタングステン又はタングステン合金を含む層としては、半導体多層積層体における導体層を挙げることができる。
絶縁層とは、例えば、半導体多層積層体において通常用いられる、SiO2やlow−k材等からなる層である。
純水17.66質量部に、35%過酸化水素水溶液4.29質量部、50%フッ酸2.00質量部、ジエチレングリコールモノエチルエーテル75.00質量部、及び95%硫酸1.05質量部を加えて窒化チタン溶解液とした。
純水16.60質量部に、35%過酸化水素水溶液4.29質量部、35%フッ酸2.00質量部、ジエチレングリコールモノエチルエーテル75.00質量部、及び95%硫酸2.10質量部を加えて窒化チタン溶解液とした。
純水22.10質量部に、35%過酸化水素水溶液10.00質量部、50%フッ酸1.00質量部、ジエチレングリコールモノエチルエーテル64.80質量部、及び95%硫酸10.50質量部を加えて窒化チタン溶解液とした。
純水95.11質量部に、35%過酸化水素水溶液4.29質量部、及び50%フッ酸0.60質量部を加えて窒化チタン溶解液とした。
純水18.71質量部に、35%過酸化水素水溶液4.29質量部、50%フッ酸2.00質量部、及びジエチレングリコールモノエチルエーテル75.00質量部を加えて窒化チタン溶解液とした。
[pHの測定]
25℃に温調した実施例1から3、及び比較例1から2の窒化チタン剥離液100mlを、pH4及びpH7の標準液で校正したpHメーター;「TPX−90Si」(商品名、東興化学株式会社製)にて1分間測定し、各窒化チタン剥離液のpHを測定した。結果を表1に示す。
実施例1から3、並びに比較例1及び2の窒化チタン剥離液を、各種基板に接触させ、接触前後の膜厚の差を求めた。測定は次の方法により行った。窒化チタン被膜を100nm成膜したウェハの抵抗値を測定し、窒化チタン被膜の膜厚に換算する。タングステン層を100nm成膜したウェハの抵抗値を測定し、タングステン層の膜厚に換算する。P−TEOS層を500nm成膜したウェハをエリプソメーターで測定する。上記の方法で、処理前後の膜厚を測定し、エッチングレートを算出した。測定した各材料のエッチングレート、並びにタングステンに対する窒化チタンのエッチング選択比、及びP−TEOSに対する窒化チタンのエッチング選択比を表1に示す。
Claims (8)
- フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、
更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。 - 前記無機酸が、硫酸、硝酸、及び塩酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項1に記載の窒化チタン剥離液。
- フッ酸の含有量が0.01質量%以上5質量%以下であり、前記無機酸の含有量が0.1質量%以上10質量%以下である、請求項1又は2に記載の窒化チタン剥離液。
- 25℃に温調した前記窒化チタン剥離液100mlを、pH4及びpH7の標準液で校正したpHメーターにて1分間測定したpHが3以下である、請求項1から3のいずれかに記載の窒化チタン剥離液。
- 更に、グリコールエーテルを含有する、請求項1から4のいずれかに記載の窒化チタン剥離液。
- 更に、環内に窒素原子を2個有する含窒素5員環化合物を含有する、請求項1から5のいずれかに記載の窒化チタン剥離液。
- タングステン、又はタングステン合金を含む層と、窒化チタン被膜と、を有する半導体多層積層体において、前記窒化チタン被膜を溶解するために用いられる請求項1から6のいずれかに記載の窒化チタン剥離液。
- タングステン、又はタングステン合金を含む層と、窒化チタン被膜と、を有する半導体多層積層体を、請求項1から7のいずれかに記載の窒化チタン剥離液に接触させることにより、前記窒化チタン被膜を溶解して除去する、窒化チタン被膜の除去方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184694A JP5364250B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
US12/171,198 US8623236B2 (en) | 2007-07-13 | 2008-07-10 | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007184694A JP5364250B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009019255A JP2009019255A (ja) | 2009-01-29 |
JP5364250B2 true JP5364250B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=40359151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007184694A Active JP5364250B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5364250B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5047881B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2012-10-10 | 東京応化工業株式会社 | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 |
US8623236B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-01-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film |
JP6329909B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2018-05-23 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 |
JP2014093407A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP6017273B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2016-10-26 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014103179A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2014146623A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-14 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法、エッチング液及び半導体素子の製造方法 |
US9472420B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
US9222018B1 (en) * | 2014-07-24 | 2015-12-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Titanium nitride hard mask and etch residue removal |
JP6514578B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2019-05-15 | 東京応化工業株式会社 | エッチング組成物及び伝導膜の製造方法 |
JP6713044B2 (ja) | 2016-06-02 | 2020-06-24 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法及びレジストの除去方法 |
EP4293097A1 (en) * | 2021-02-12 | 2023-12-20 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for cleaning semiconductor substrate, method for cleaning semiconductor substrate, and method for producing semiconductor substrate |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100207472B1 (ko) * | 1996-06-07 | 1999-07-15 | 윤종용 | 티타늄 질화막 적층 구조의 게이트 전극을 갖춘 반도체장치 및 그 제조 방법 |
JP2001077118A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004043850A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | チタンまたはチタン合金のエッチング方法 |
JP2007005656A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP5038698B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-10-03 | アイシン・エィ・ダブリュ工業株式会社 | トルクコンバータのロックアップダンパ装置 |
-
2007
- 2007-07-13 JP JP2007184694A patent/JP5364250B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009019255A (ja) | 2009-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5047881B2 (ja) | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 | |
JP5047712B2 (ja) | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 | |
JP5364250B2 (ja) | 窒化チタン剥離液、及び窒化チタン被膜の剥離方法 | |
US8623236B2 (en) | Titanium nitride-stripping liquid, and method for stripping titanium nitride coating film | |
CN104662643B (zh) | 清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法 | |
JP5537126B2 (ja) | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 | |
KR101608952B1 (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물, 및 반도체소자의 세정방법 | |
KR101275757B1 (ko) | 박리제 조성물 | |
KR102533069B1 (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물, 반도체소자의 세정방법 및 반도체소자의 제조방법 | |
TWI465866B (zh) | 使用含金屬鹽之剝除溶液使金屬蝕刻速率降低 | |
TW200912564A (en) | Improved metal conservation with stripper solutions containing resorcinol | |
JP5037442B2 (ja) | 窒化チタン除去液、窒化チタン被膜の除去方法、及び窒化チタン除去液の製造方法 | |
JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
EP2922086A1 (en) | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal | |
JP5379389B2 (ja) | チタン除去液及びチタン被膜の除去方法 | |
TWI275903B (en) | A composition for stripping photo resist | |
KR20170042240A (ko) | 반도체소자의 세정용 액체 조성물 및 반도체소자의 세정방법, 그리고 반도체소자의 제조방법 | |
JP5438907B2 (ja) | チタン除去液及びチタン被膜の除去方法 | |
JP7363078B2 (ja) | 底部反射防止膜の除去液、及び半導体素子の製造方法 | |
TWI824299B (zh) | 蝕刻劑組合物 | |
CN108018557A (zh) | 蚀刻组合物 | |
JP6468716B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄液、及び基板のエッチング加工方法 | |
JPH09283481A (ja) | 半導体回路用洗浄液及び半導体回路の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5364250 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |