JP7363078B2 - 底部反射防止膜の除去液、及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
ところで、近年、半導体素子構造の微細化に伴い、フォトレジスト膜のみを用いた従来の手法では、現像光の乱反射が要因となり、所望の回路パターンを有するフォトレジスト膜を正確に形成できないという点が問題となっている。この問題を解決する手段として、フォトレジスト膜の下層に、現像光の乱反射を防止するための底部反射防止膜を設けることがある。
しかしながら、洗浄によって、上層のフォトレジスト膜は比較的除去され易いが、下層の底部反射防止膜はドライエッチングにより変質した場合、半導体ウエハ上に残存してしまう場合がある。
さらに、半導体素子の構成材料(配線材料、絶縁材料、基板材料)として、タングステン、アルミニウム、銅、タンタル、ニッケル、コバルト等の金属、又はこれらの酸化物、窒化物、合金等が用いられることがある。
このような半導体素子においては、洗浄に用いる除去液によって上記の半導体素子の構成材料が腐食しないことも要求される。
例えば、特許文献1には、第4級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及びアルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなる剥離液が開示されている。
また、特許文献2には、多価アルコールのエーテル誘導体、エステル誘導体、エーテルエステル誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも1種と、アルカリ金属水酸化物と、キレート化合物とを含有する水溶液からなるフォトレジスト用剥離剤が開示されている。
そのため、各種性能を向上させた底部反射防止膜の除去液が求められている。
[1]
第4級アンモニウム水酸化物(A)0.05~18.0質量%、及び
アルカリ金属塩(B)0.01~8.0質量%を含み、
過酸化水素、硝酸、硝酸塩、アンモニウムの過硫酸塩、過ヨウ素酸塩、過臭素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、臭素酸塩、及び塩素酸塩からなる群より選ばれる酸化剤(X)を実質的に含有しない、底部反射防止膜の除去液。
[2]
前記酸化剤(X)の含有量が、前記除去液の全量に対して、0.01質量%未満である、上記[1]に記載の底部反射防止膜の除去液。
[3]
前記第4級アンモニウム水酸化物(A)が、下記式(a)で表される化合物(A1)である、上記[1]又は[2]に記載の底部反射防止膜の除去液。
式(a): [N(R)4]+OH-
〔上記式(a)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1~3のアルキル基、又はヒドロキシ基で置換された炭素数1~3のアルキル基である。〕
[4]
前記第4級アンモニウム水酸化物(A)が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)から選ばれる1種以上である、上記[1]~[3]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[5]
前記アルカリ金属塩(B)が、カリウム塩、ルビジウム塩、及びセシウム塩からなる群より選択される1種以上の化合物(B1)を含む、上記[1]~[4]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[6]
さらに、水溶性有機溶媒(C)を含有する、上記[1]~[5]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[7]
前記水溶性有機溶媒(C)の含有量が、前記除去液の全量に対して、0.10~70.0質量%である、上記[6]に記載の底部反射防止膜の除去液。
[8]
さらに、腐食防止剤(D)を含有する、上記[1]~[7]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[9]
さらに、水(E)を含有する、上記[1]~[8]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[10]
pHが12.0以上である、上記[1]~[9]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[11]
ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて、硬質化した部分を含む底部反射防止膜の除去に用いられる、上記[1]~[10]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[12]
シリコンゲルマニウム、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコンからなる群より選択される一種以上のシリコン系材料を含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子の製造に用いられる、上記[1]~[11]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
[13]
第4級アンモニウム水酸化物(A)0.05~18.0質量%、及び
アルカリ金属塩(B)0.01~8.0質量%を含み、
下記要件(I)及び(II)を満たす、底部反射防止膜の除去液。
・要件(I):60℃の前記除去液を用いて、シリコン基板上の、ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて硬質化した部分を含む底部反射防止膜を除去する処理時間が30分以下である。
・要件(II):60℃の前記除去液を用いて、シリコン基板上のシリコンゲルマニウム膜をエッチング処理した際のエッチング速度が3.0Å/分以下である。
[14]
シリコンゲルマニウムを含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子を製造する方法であって、
上記[1]~[13]のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液を用いて、底部反射防止膜を除去する洗浄工程を有する、半導体素子の製造方法。
[15]
前記半導体素子が、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコンからなる群より選択される1種以上の絶縁膜をさらに有するものであり、且つ
ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて硬質化した部分を含む底部反射防止膜を、前記除去液を用いて除去する工程を有する、上記[14]に記載の半導体素子の製造方法。
本発明の底部反射防止膜の除去液(以下、単に「除去液」ともいう)は、第4級アンモニウム水酸化物(A)(以下、単に「成分(A)」ともいう)及びアルカリ金属塩(B)(以下、単に「成分(B)」ともいう)を含む。
成分(A)は、除去液を強アルカリ性とし、底部反射防止膜を溶解させて除去する働きを有する。また、除去液が成分(A)と共に成分(B)を含有することにより、成分(A)の底部反射防止膜の除去性が促進される。
特許文献1に記載されたように、一般的にこのような酸化剤(X)は、フォトレジスト膜や底部反射防止膜の除去を促進させるために使用される。しかしながら、これらの酸化剤(X)の中には、酸化剤としての機能が強すぎるため、半導体素子の各種構成材料を用いて構成された基板や膜の腐食を引き起こす要因となる。特に、シリコンゲルマニウム(SiGe)等のシリコン系材料を含む構成材料を用いて構成された基板や膜は、酸化剤(X)によって、腐食され易い。
例えば、ドライエッチングにより露出した表面に、ホウ素ドーピング処理を行った場合、底部反射防止膜にもホウ素がドーピングされることがあり、そのような場合、少なくとも底部反射防止膜の表面が硬質化する。特許文献1等に記載されたような従来の剥離液では、上記の硬質化した底部反射防止膜の除去が非常に難しい。
それに対して、成分(A)及び(B)を含有すると共に、酸化剤(X)を実質的に含有しない除去液とすることで、このような硬質化した底部反射防止膜を容易に除去し得ることが分かった。さらに、本発明の除去液は、このような酸化剤(X)を実質的に含有しないため、シリコン系材料に対する防食性に優れる。
ただし、上記と同様の観点から、他の酸化剤の含有量も、極力少ないほど好ましい。
本発明の一態様の除去液において、酸化剤(X)を含む酸化剤の含有量としては、当該除去液の全量(100質量%)に対して、好ましくは0.1質量%未満、より好ましくは0.01質量%未満、更に好ましくは0.001質量%未満、より更に好ましくは0.0001質量%未満である。
また、本発明の一態様の除去液は、希釈溶媒として、水(E)(以下、単に「成分(E)」ともいう)を含有することが好ましい。
さらに、本発明の一態様の除去液は、本発明の効果を損なわない範囲で、さらに上述の成分(A)~(E)以外の他の添加剤を含有してもよい。
第4級アンモニウム水酸化物(A)は、強アルカリ性を有し、除去液の底部反射防止膜の除去性の向上に寄与する成分である。
なお、成分(A)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
成分(A)の含有量が0.05質量%以上である除去液は、底部反射防止膜の除去性が良好となる。また、成分(A)の含有量が18.0質量%以下である除去液は、調製の際に二層に分離してしまうようなことを抑制し得、除去液の液安定性が良好となる。
式(a): [N(R)4]+OH-
〔上記式(a)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1~3のアルキル基、又はヒドロキシル基で置換された炭素数1~3のアルキル基である。〕
これらの中でも、化合物(A1)としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)から選ばれる1種以上が好ましく、安全性の観点から、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)がより好ましい。
アルカリ金属塩(B)は、成分(A)が有する底部反射防止膜の除去性をより促進させる役割を担う成分である。成分(A)と共に成分(B)を含有し、酸化剤(X)を実質的に含有しない除去液とすることで、優れた底部反射防止膜の除去性を発現することができ、特に、ホウ素がドーピングされて硬質化した底部反射防止膜に対する除去性に優れる。
なお、成分(B)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
成分(B)の含有量が0.01質量%以上である除去液は、成分(A)が有する底部反射防止膜の除去性を促進させることができ、特にホウ素がドーピングされて硬質化した底部反射防止膜の除去性に対する除去性に優れる。
また、成分(B)の含有量が8.0質量%以下である除去液は、成分(B)の一部が溶解せずに沈殿が生じるといった現象を抑制し、液安定性を良好とすることができる。
また、アルカリ金属塩(B)の形態としては、特に限定されず、例えば、水酸化物、硫酸塩、塩化物、炭酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、珪酸塩等が挙げられる。
本発明の一態様の除去液は、さらに、水溶性有機溶媒(C)を含有することが好ましい。
本発明の一態様の除去液が、水溶性有機溶媒(C)を含有することにより、底部反射防止膜の除去性をさらに向上させることができ、特に、ホウ素がドーピングされて硬質化した底部反射防止膜に対しても優れた除去性を発現し得る。
なお、成分(C)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
成分(C)の含有量が0.10質量%以上であれば、底部反射防止膜の除去性をより向上させることができ、特に、ホウ素がドーピングされて硬質化した底部反射防止膜に対しても優れた除去性を有する除去液とすることができる。
一方、成分(C)の含有量が70.0質量%以下であれば、シリコン系材料等の半導体素子の各種構成材料に対する防食性が良好な除去液とすることができる。
本発明の一態様の除去液は、さらに、腐食防止剤(D)を含有することが好ましい。
本発明の一態様の除去液が腐食防止剤(D)を含有することにより、シリコンゲルマニウム、酸化シリコン、低誘電率絶縁膜(TEOS)、窒化シリコン等のシリコン系材料に対する防食性により優れた除去液とすることができる。
なお、成分(D)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、本発明の一態様において用いられる腐食防止剤(D)としては、チオール化合物が好ましく、チオ尿素が特に好ましい。
本発明の一態様の除去液は、希釈溶媒として、水(E)を含有することが好ましい。
本発明の一態様の除去液において、水(E)の含有量は、当該除去液の全量(100質量%)に対して、好ましくは30~99.98質量%、より好ましくは40~99.9質量%、更に好ましくは45~99.8質量%、特に好ましくは50~99.5質量%である。
なお、本発明の一態様において用いられる水(E)としては、例えば、イオン交換水、蒸留水、RO(Reverse Osmosis)水、超純水等が挙げられる。
本発明の一態様の除去液は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述の成分(A)~(E)以外の他の添加剤を含有していてもよい。
そのような他の添加剤としては、例えば、フッ素化合物、界面活性剤、酸化防止剤等が挙げられる。
具体的には、本発明の一態様の除去液において、ナトリウム系化合物の含有量は、当該除去液の全量(100質量%)に対して、好ましくは0.001質量%未満、より好ましくは0.0001質量%未満、更に好ましくは0.00001質量%未満である。
本発明の一態様の除去液は、上述の成分(A)及び(B)、並びに、必要に応じて、上述の成分(C)、(D)、(E)及び他の添加剤を配合し、一般的な攪拌方法で、攪拌して調製することができる。
なお、本明細書において、除去液のpHは、pHメータ(例えば、株式会社堀場製作所製、製品名「F-52」)を用いて、25℃にて測定した値を意味する。
本発明の一態様の除去液を用いて除去される対象となる底部反射防止膜としては、例えば、一般的な反射防止膜形成組成物で形成された有機膜が挙げられる。
さらに、本発明の一態様の除去液は、ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて、硬質化した部分を含む底部反射防止膜の除去においても好適に用いることができる。
すなわち、このような硬質化した部分を含む底部反射防止膜も、本発明の一態様の除去液を用いることで、容易に除去することができる。
なお、当該半導体素子は、底部反射防止膜上にさらにフォトレジスト膜を有していてもよい。
当該半導体素子の基板を構成する材料としては、例えば、シリコン、非晶性シリコン、ポリシリコン、シリコンゲルマニウム、銅、アルミニウム銅合金、アルミニウム、チタン、チタン-タングステン、タングステン、タンタル、クロム、ニッケル、コバルト、モリブデン、ジルコニウム、ルテニウム、ハフニウム、白金、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、並びにこれらの酸化物(例えば、酸化シリコン等)、窒化物(例えば、窒化シリコン等)、及び有機金属化合物(例えば、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)等)からなる群より選ばれる1種以上が挙げられる。
これらの材料は、基板全体を構成する材料であってもよく、基板の表面上に形成された配線となる膜又は層を構成する材料であってもよく、基板の表面上に形成された絶縁膜又は絶縁層を構成する材料であってもよい。
そのため、本発明の一態様の除去液は、シリコンゲルマニウム、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコンからなる群より選択される一種以上のシリコン系材料を含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子の製造に好適に使用し得、特に、シリコンゲルマニウムを含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子の製造により好適に使用し得る。
〔1〕第4級アンモニウム水酸化物(A)0.05~18.0質量%、及びアルカリ金属塩(B)0.01~8.0質量%を含み、
下記要件(I)及び(II)を満たす、底部反射防止膜の除去液。
・要件(I):60℃の前記除去液を用いて、シリコン基板上の、ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて硬質化した部分を含む底部反射防止膜を除去する処理時間が30分以下である。
・要件(II):60℃の前記除去液を用いて、シリコン基板上のシリコンゲルマニウム膜をエッチング処理した際のエッチング速度が3.0Å/分以下である。
また、当該除去液は、上述した成分(C)、(D)、(E)、及び他の添加剤成分を含有していてもよい。
要件(I)で規定する底部反射防止膜を除去する処理時間としては、好ましくは30分以下であり、より好ましくは10分以下、特に好ましくは3分以下である。
なお、要件(I)で規定の処理時間の具体的な測定方法については、後述の実施例の記載のとおりである。
要件(II)で規定するエッチング速度としては、好ましくは3.0Å/分以下であり、より好ましくは2.0Å/分以下、特に好ましくは1.0Å/分以下である。
なお、要件(II)で規定のエッチング速度は、下記式から算出された値であって、具体的な処理方法や膜厚の測定方法については、後述の実施例に記載のとおりである。
・エッチング速度(Å/分)=[除去液で処理前の膜厚(Å)-除去液で処理後の膜厚(Å)]/処理時間(分)
・要件(III):60℃の前記除去液を用いて、シリコン基板上の酸化シリコン膜、オルトケイ酸テトラエチル膜、又は窒化シリコン膜をエッチング処理した際のエッチング速度が5.0Å/分以下である。
なお、要件(III)で規定するエッチング速度の算出方法は、要件(II)で規定するエッチング速度の算出方法と同じである。
酸化シリコン膜、オルトケイ酸テトラエチル膜、又は窒化シリコン膜に対するエッチング速度としては、好ましくは5.0Å/分以下であり、より好ましくは3.0Å/分以下、特に好ましくは1.0Å/分以下である。
なお、上記〔1〕の除去液の態様において、酸化シリコン膜、オルトケイ酸テトラエチル膜、及び窒化シリコン膜の群のうち、少なくとも1種の膜に対するエッチング速度が上記範囲であることが好ましく、少なくとも2種の膜に対するエッチング速度が上記範囲であることがより好ましく、3種すべての膜に対するエッチング速度が上記範囲であることが更に好ましい。
本発明の製造方法は、シリコンゲルマニウムを含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子を製造する方法であって、上述した本発明の底部反射防止膜の除去液を用いて、底部反射防止膜を除去する洗浄工程を有する。
なお、本発明の一態様の製造方法は、前記洗浄工程の前に、下記工程(1)を有することが好ましく、下記工程(1)~(2)を有することがより好ましい。
・工程(1):前記基板の表面上に、底部反射防止膜及びフォトレジスト膜をこの順で形成し、フォトマスクを介して露光し、現像処理及びドライエッチング処理をする工程。
・工程(2):ドライエッチング処理により露出した前記基板の表面に、ホウ素ドーピング処理を行う工程。
そして、工程(1)の後、もしくは、工程(1)及び(2)の後、前記洗浄工程が行われる。
工程(1)及び(2)のドライエッチング処理及びホウ素ドーピング処理を経た底部反射防止膜の少なくとも一部(特に、少なくとも底部反射防止膜の表面)は、硬質化しており、その硬質化した底部反射防止膜は、従来の剥離液では除去することが難しい。
しかしながら、本発明の一態様の除去液を用いることで、このような硬質化した底部反射防止膜も容易に除去することができる。
しかしながら、本発明の一態様の除去液は、シリコンゲルマニウムを含む構成材料に対する防食性に優れているため、シリコンゲルマニウムを含む構成材料の腐食を効果的に抑制することができる。
また、本発明の一態様の除去液は、シリコンゲルマニウムだけでなく、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコン等のシリコン系材料を含む構成材料に対しても、優れた防食性を有する。
そのため、本発明の製造方法において、製造される前記半導体素子は、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコンからなる群より選択される1種以上の絶縁膜を有するものであっても、当該絶縁膜の腐食を効果的に抑制することができる。
また、前記絶縁膜を有する半導体素子の製造方法において、ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて硬質化した部分を含む底部反射防止膜を、前記除去液を用いて除去する工程を有していてもよい。
洗浄工程における処理温度としては、通常30℃~80℃、好ましくは40℃~70℃、より好ましくは50~60℃、更に好ましくは55℃~60℃である。
また、処理時間としては、通常1分~30分であり、好ましくは1分~10分、より好ましくは1分~3分である。
なお、調整した除去液の物性・評価方法は、以下のとおりである。
pHメータ(株式会社堀場製作所製、製品名「F-52」)を用いて、25℃にて測定した。
調製した除去液を目視で観察し、下記の基準により、除去液の液安定性を評価した。
A:除去液中において、沈殿及び分離のいずれも生じていない。
F:除去液中において、沈殿及び分離の少なくとも一方の発生が確認された。
(1)評価用ウエハ
溝状パターンを形成した直径300mmのシリコン基板上に、底部反射防止膜とフォトレジストを順に製膜した。次に、フォトマスクを用いた露光と現像により回路パターンを形成した後、ドライエッチング処理により不要なフォトレジストを除去し、さらに回路パターンに対して、ホウ素ドーピング処理を行い、表面が硬質化した底部反射防止膜を含むパターンウエハを作製した。このパターンウエハを、一辺1cmの正方形に切断したものを評価用ウエハとした。
60℃に調整した評価対象となる除去液中に、上記の評価用ウエハを、所定の時間、浸漬させ、電界放出型走査電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製、製品名「SU9000」)を用いて、評価用ウエハ上の底部反射防止膜の残存状況を観察し、評価用ウエハから、ホウ素ドーピングによって硬質化した部分を含めて底部反射防止膜が完全に除去されるまでの処理時間を測定した。そして、当該処理時間の値から、下記の基準により、除去液の底部反射防止膜の除去性を評価した。
A+:処理時間が、3分以内である。
A:処理時間が、3分を超え10分以内である。
B:処理時間が、10分を超え30分以内である。
C:処理時間が30分超であっても、完全に硬質化された底部反射防止膜を除去することができなかった。
底部反射防止膜の除去性については、評価「B」以上を合格とした。
(1)評価用基板
直径300mmのシリコン基板上に、厚さ310Åのシリコンゲルマニウム(SiGe)、厚さ5000Åの酸化シリコン(SiOx)、厚さ1000Åのオルトケイ酸テトラエチル(TEOS)、及び厚さ3000Åの窒化シリコン(SiN)のいずれかからなる膜を形成し、一辺2cmの正方形に切断したものを評価用基板とした。
膜厚の測定については、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、又は窒化シリコンからなる膜の膜厚は、光学式膜厚測定装置(n&k Technology Inc.製、製品名「n&k1280」)を用い測定し、シリコンゲルマニウムからなる膜の膜厚は、蛍光X線分析装置(SIIナノテクノロジー製、製品名「SEA1200VX」)を用いて測定した。
60℃に調整した評価対象となる除去液中に、上記の評価用基板を10分間浸漬させた。その後、評価用基板を除去液から取り出し、超純水で洗浄し、窒素ガスを吹き付けて乾燥させた。
そして、上記と同様にして、除去液で処理後の評価用基板上の膜の膜厚を測定し、下記式からエッチング速度を算出した。
・エッチング速度(Å/分)=[除去液で処理前の膜厚(Å)-除去液で処理後の膜厚(Å)]/処理時間(分)
算出されたエッチング速度から、下記の基準により、各種膜に対する除去液の防食性を評価した。
A:エッチング速度が1.0Å/分以下であった。
B:エッチング速度が1.0Å/分超3.0Å/分以下であった。
C:エッチング速度が3.0Å/分超5.0Å/分以下であった。
D:エッチング速度が5.0Å/分超であった。
SiGe膜に対する防食性については、評価「B」以上を合格とし、SiOx膜、TEOS膜、及びSiN膜に対する防食性については、評価「C」以上を合格とした。
表1及び表2に示された種類及び含有量(質量比)の各成分を配合し、超純水(UPW)で希釈し、除去液をそれぞれ調製した。
そして、除去液のpHを測定すると共に、上述の評価方法に基づき、除去液の「液安定性」、「底部反射防止膜の除去性」及び「シリコンゲルマニウム(SiGe)に対する防食性」をそれぞれ評価した。それらの結果を表1及び表2に示す。
(第4級アンモニウム水酸化物)
・「TEAH」:テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
・「TMAH」:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
(アルカリ金属塩)
・「Rb2SO4」:硫酸ルビジウム
・「KOH」:水酸化カリウム
・「CsCl」:塩化セシウム
(水溶性有機溶媒)
・「MeCN」:アセトニトリル
・「DMSO」:ジメチルスルホキシド
(酸化剤)
・「H2O2」:過酸化水素
・「HNO3」:硝酸
・「KMnO4」:過マンガン酸カリウム
・「APS」:ペルオキソ二硫酸アンモニウム
・「PIA」:オルト化ヨウ素酸
(水)
・「UPW」:超純水
一方で、表2により、比較例1及び3で調製した除去液は、酸化剤として過酸化水素もしくは過マンガン酸カリウムを含有するが、これらは酸化剤としての機能が強すぎるため、SiGe膜がエッチングされてしまい、防食性が劣る結果となった。
また、比較例2、4及び5で調製した除去液では、酸化剤として硝酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウムもしくはオルト化ヨウ素酸を含有し、SiGe膜のエッチングは抑制され、防食性は良好であるが、ホウ素がドーピングされて硬質化した底部反射防止膜の除去性は不十分であった。
さらに、比較例6~7で調製した除去液は、成分(A)及び(B)の一方を含有していないため、硬質化した底部反射防止膜の除去性が不十分であった。
なお、比較例8で調製した除去液は、少なくとも沈殿もしくは分離が確認されたため、当該除去液は使用には適さないと判断し、他の測定及び評価を行わずに終了した。
表3に示された種類及び含有量(質量比)の各成分を配合し、超純水(UPW)で希釈し、除去液をそれぞれ調製した。
そして、除去液のpHを測定すると共に、上述の評価方法に基づき、除去液の「液安定性」、「底部反射防止膜の除去性」及び「各膜(シリコンゲルマニウム(SiGe)、酸化シリコン(SiOx)、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)、及び窒化シリコン(SiN))に対する防食性」をそれぞれ評価した。それらの結果を表3に示す。
(第4級アンモニウム塩)
・「TEAH」:テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
(アルカリ金属塩)
・「Rb2SO4」:硫酸ルビジウム
(水溶性有機溶媒)
・「MeCN」:アセトニトリル
(腐食防止剤)
・「TU」:チオ尿素
(水)
・「UPW」:超純水
Claims (12)
- 第4級アンモニウム水酸化物(A)0.05~18.0質量%、
アルカリ金属塩(B)0.01~8.0質量%、及び
水(E)40~99.9質量%を含み、
過酸化水素、硝酸、硝酸塩、アンモニウムの過硫酸塩、過ヨウ素酸塩、過臭素酸塩、過塩素酸塩、ヨウ素酸塩、臭素酸塩、及び塩素酸塩からなる群より選ばれる酸化剤(X)を実質的に含有せず、
酸化剤(X)を含む酸化剤の含有量が0.1質量%未満である、底部反射防止膜の除去液。 - 前記酸化剤(X)の含有量が、前記除去液の全量に対して、0.01質量%未満である、請求項1に記載の底部反射防止膜の除去液。
- 前記第4級アンモニウム水酸化物(A)が、下記式(a)で表される化合物(A1)である、請求項1又は2に記載の底部反射防止膜の除去液。
式(a): [N(R)4]+OH-
〔上記式(a)中、Rは、それぞれ独立に、炭素数1~3のアルキル基、又はヒドロキシ基で置換された炭素数1~3のアルキル基である。〕 - 前記第4級アンモニウム水酸化物(A)が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAH)から選ばれる1種以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- 前記アルカリ金属塩(B)が、カリウム塩、ルビジウム塩、及びセシウム塩からなる群より選択される1種以上の化合物(B1)を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- さらに、水溶性有機溶媒(C)を含有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- 前記水溶性有機溶媒(C)の含有量が、前記除去液の全量に対して、0.10~70.0質量%である、請求項6に記載の底部反射防止膜の除去液。
- さらに、腐食防止剤(D)を含有する、請求項1~7のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- 成分(A)及び(B)の合計に対する、成分(C)の含有量比〔(C)/((A)+(B))〕が、0.1~15.0である、請求項6又は7に記載の底部反射防止膜の除去液。
- pHが12.0以上である、請求項1~9のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- ドライエッチング処理及びホウ素のドーピング処理が施されて、硬質化した部分を含む底部反射防止膜の除去に用いられる、請求項1~10のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
- シリコンゲルマニウム、酸化シリコン、オルトケイ酸テトラエチル、及び窒化シリコンからなる群より選択される一種以上のシリコン系材料を含む構成材料を用いて形成された基板を有する半導体素子の製造に用いられる、請求項1~11のいずれか一項に記載の底部反射防止膜の除去液。
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