CN104662643B - 清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法 - Google Patents

清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

Description

清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法
技术领域
本发明涉及清洗用液态组合物、半导体元件的清洗方法、以及半导体元件的制造方法，更详细而言，涉及在半导体元件的制造工序中抑制低介电常数层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、硬掩模、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物、及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。
背景技术
高集成化的半导体元件的制造中，通常在硅晶圆等元件上形成作为导电用布线原材料的金属膜等的导电薄膜、以进行导电薄膜间的绝缘为目的的层间绝缘膜之后，在其表面上均匀涂布光致抗蚀剂而设置感光层，对其实施选择性的曝光和显影处理，制作期望的抗蚀图案。接着，将该抗蚀图案作为掩模对层间绝缘膜实施干式蚀刻处理，从而在该薄膜上形成期望的图案。然后，通常采用利用基于氧等离子体的灰化、清洗液等将抗蚀图案和因干式蚀刻处理产生的残渣物(以下称为干式蚀刻残渣)完全去除这样的一系列工序。
近年来，设计标准的微细化推进，信号传输延迟已经支配高速度运算处理的极限。因此，导电用布线原材料从铝向电阻更低的铜转变，与之相伴，推进层间绝缘膜从二氧化硅膜向低介电常数膜(相对介电常数小于3的膜。以下称为Low-k膜)的转变。另外，为了防止铜在层间绝缘膜中扩散，利用钽、氮化钽等金属(以下称为势垒金属)和氮化硅、碳化硅等的绝缘膜(以下称为势垒绝缘膜)覆盖铜。进而，在光致抗蚀层与层间绝缘膜之间使用具有填充基底元件的凸凹、槽等间隙而进行平坦化的功能、吸收自元件反射的辐射线的功能、以及在干式蚀刻时维持层间绝缘膜的形状并容易地进行精密微细加工的功能的膜。这种膜例如有包含光吸收化合物的有机硅氧烷薄膜(以下称为有机硅氧烷系薄膜)。另外，0.2μm以下的图案的情况下，对于膜厚1μm的抗蚀层而言，图案的厚宽比(抗蚀膜厚除以抗蚀层线宽度而得到的比值)变得过大，产生图案倒塌等问题。为了解决该问题，使用如下的硬掩模法：在实际希望形成的图案膜与抗蚀膜之间插入Ti系、Si系的膜(以下称为硬掩模)，先通过干式蚀刻将抗蚀图案转印到硬掩模上，然后将该硬掩模作为蚀刻掩模，利用干式蚀刻在实际希望形成的膜上转印图案的硬掩模法。该方法能够更换蚀刻硬掩模时的气体和蚀刻实际希望形成的膜时的气体，可以选择在蚀刻硬掩模时实现与抗蚀层的选择比的气体、在蚀刻实际的膜时实现与硬掩模的选择比的气体，因此具有以较薄的抗蚀层形成图案的优点。进而，进行与基板的连接的接触插塞(contactplug)中使用钨。
然而，利用氧等离子体去除有机硅氧烷系薄膜、光致抗蚀层时，有机硅氧烷系薄膜下方存在的Low-k膜有可能暴露于氧等离子体中等而受到损伤。例如，利用先形成通孔的双镶嵌工艺(via-firstDualdamasceneprocess)的图案形成中，利用氧等离子体去除填充于通孔部的有机硅氧烷系薄膜时，通孔部周边的Low-k膜受到损伤，结果产生电特性明显劣化的问题。另一方面，有机硅氧烷系薄膜的去除工序中，由于干式蚀刻残渣附着于晶圆，因此必须在去除有机硅氧烷系薄膜、光致抗蚀层的同时也去除干式蚀刻残渣。因此，使用Low-k膜的半导体元件制造中，谋求抑制Low-k膜、铜、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，并且与氧等离子体工序同水平地去除有机硅氧烷系薄膜、光致抗蚀层，同时也去除干式蚀刻残渣的方法。进而，为了在接触插塞的露出层中也使用，有时还需要抑制钨的损伤。另外，使用硬掩模的情况下，也必须抑制对硬掩模的损伤。
专利文献1中提出了利用包含氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、防腐蚀蚀剂和氢氧化钾的剥离清洗液的布线形成方法。
专利文献2中提出了利用包含氢氧化季铵、水溶性有机溶剂、水、防腐蚀剂、氢氧化钾和特定的咪唑衍生物的剥离清洗液的、使用对钨的腐食抑制功能优异的清洗液的布线形成方法。
专利文献3中提出了利用由含有氢氧化季铵、水溶性胺和羟胺类以及唑系防腐蚀剂的水溶液构成的剥离液的印刷电路板的光致抗蚀层剥离方法，作为唑类，列举出吡唑。另外，专利文献3中记载了，不仅吡唑而且1-甲基-1H-苯并三唑也对铜的防腐蚀有效。
专利文献4中提出了含有水溶性胺和/或氢氧化铵、氧化剂以及水的、能够用于铜布线的抗蚀层剥离液，作为铜等的防腐蚀剂之一，列举出吡唑。另外，专利文献4中记载了，不仅吡唑而且苯并三唑、甲苯并三唑与乙醇的组合也对铜的防腐蚀有效。
专利文献5中提出了含有胺、溶剂、强碱和水的、可用于铜布线的抗蚀层剥离液，作为胺之一，列举出吡唑。另外，专利文献5中记载了，不仅吡唑而且乙醇胺也对铜的防腐蚀有效。
专利文献6中提出了含有硝酸、氯酸盐、铁离子和铜抑制剂的适用于覆铜层压板的抗蚀层用蚀刻液，作为铜的防腐蚀剂之一，列举出吡唑。另外，专利文献6中记载了，不仅吡唑而且苯并三唑也对铜的防腐蚀有效。
专利文献7和专利文献8中提出了由含有硝酸、硫酸、氟化合物、碱性化合物的水溶液构成的、用于去除施加了铜布线的半导体元件的蚀刻残渣的清洗液，作为碱性化合物之一，可列举出吡唑。
专利文献9中提出了以分子中具有1个羧基和1个以上羟基的含氧酸或其盐作为主要成分的银的电解剥离剂，对于作为被处理物的铜的抗变色剂之一，列举出吡唑系。另外，专利文献9中记载了，不仅吡唑而且苯并三唑也对铜的防腐蚀有效。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2006-527783号公报
专利文献2：日本特开2011-118101号公报
专利文献3：日本特开2002-62668号公报
专利文献4：日本特许4267359号公报
专利文献5：日本特开2003-140364号公报
专利文献6：日本特许3124512号公报
专利文献7：日本特开2006-83376号公报
专利文献8：日本特开2009-111409号公报
专利文献9：日本特开2000-345400号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，本发明人等在专利文献1～9中记载的发明中新发现了以下的技术问题。
专利文献1中记载的清洗液无法充分地抑制铜的损伤，无法用于本目的。
专利文献2中记载的清洗液无法充分地抑制铜的损伤，无法用于本目的。
专利文献3中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜的去除性不充分，对铜造成较大的损伤，因此无法用于本目的。另外，作为与本发明的包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂，1-甲基-1H-苯并三唑没有效果。
专利文献4中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜和干式蚀刻残渣的去除性不充分，对铜造成较大的损伤，因此无法用于本目的。另外，作为与本发明的包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂，苯并三唑、甲苯并三唑与乙醇的组合没有效果。
专利文献5中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜的去除性不充分，对铜造成较大的损伤，因此无法用于本目的。另外，作为与本发明的包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂，乙醇胺没有效果。
专利文献6中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的去除性不充分，对铜造成较大的损伤，因此无法用于本目的。另外，作为与本发明的包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂，苯并三唑没有效果。
专利文献7和专利文献8中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的去除性不充分，对铜造成较大的损伤，因此无法用于本目的。
专利文献9中记载的清洗液的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的去除性不充分，无法用于本目的。另外，作为与本发明的包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂，苯并三唑没有效果。
本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金等布线材料、硬掩模、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗液及清洗方法。
用于解决问题的方案
本发明提供解决上述问题的方法。本发明如下所述。
1.一种清洗用液态组合物，其用于半导体元件的制造，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类。
2.根据1所述的清洗用液态组合物，其中，前述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
3.根据1或2所述的清洗用液态组合物，其中，前述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
4.根据1～3中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，前述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
5.根据1～4中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，前述清洗用液态组合物还包含水。
6.根据1～5中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，前述清洗用液态组合物不含除前述吡唑类以外的唑类。
7.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，前述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类。
8.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，前述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类。
9.根据7或8所述的半导体元件的清洗方法，其中，前述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
10.根据7～9中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，前述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及，1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
11.根据7～10中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，前述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
12.根据7～11中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，前述铜布线和/或铜合金布线具有100nm以下的布线宽度。
13.一种半导体元件的制造方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，前述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类。
14.一种半导体元件的制造方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，前述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及
0.0005～10质量％的吡唑类。
15.根据13或14所述的半导体元件的制造方法，其中，前述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
16.根据13～15中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，前述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及，1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
17.根据13～16中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，前述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
18.根据13～17中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，前述铜布线和/或铜合金布线具有100nm以下的布线宽度。
发明的效果
通过使用本发明的清洗用液态组合物和半导体元件的清洗方法，能够在半导体元件的制造工序中抑制低介电常数层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、硬掩模、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层，能够成品率良好地制造高精度、高质量的半导体元件。
附图说明
图1为去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层之前的半导体元件的铜布线结构的截面图。
图2为去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层之前的半导体元件的钨插塞结构的截面图。
图3为去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层之前的半导体元件的包含硬掩模的铜布线结构的截面图。
具体实施方式
清洗用液态组合物
本发明的清洗用液态组合物(以下有时称为“清洗液”)包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂、以及吡唑类，优选还包含水。
本发明的有机硅氧烷系薄膜和干式蚀刻残渣以及光致抗蚀层的清洗液在制作半导体元件的工序中使用，且必须抑制低介电常数层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、硬掩模、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤。
本发明中使用的氢氧化季铵的具体例为氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵或胆碱。这些氢氧化季铵可以单独配混或组合2种以上来配混。
本发明中使用的上述氢氧化季铵的浓度范围为0.05～25质量％、优选为0.1～20质量％、更优选为0.5～20质量％、特别优选为1～18质量％。氢氧化季铵的浓度为上述范围内时，能够有效地进行有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的去除。
本发明中使用的氢氧化钾的浓度范围为0.001～1.0质量％、优选为0.005～0.5质量％、更优选为0.05～0.5质量％、特别优选为0.05～0.3质量％。为上述范围内时，能够有效地进行有机硅氧烷系薄膜的去除。氢氧化钾的浓度为1.0质量％以下时，能够抑制对Low-k膜的损伤。
本发明中使用的水溶性有机溶剂为：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚和二丙二醇单甲醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及，1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
本发明中使用的上述水溶性有机溶剂可以单独使用也可以组合使用2种以上。水溶性有机溶剂的浓度范围为5～85质量％、优选为10～80质量％、更优选为15～70质量％、特别优选为15～50质量％。水溶性有机溶剂的浓度为上述范围内时，能够有效地进行有机硅氧烷系薄膜的去除。水溶性有机溶剂的浓度为5质量％以上时，能够抑制对铜和钨的损伤，为85质量％以下时，能够抑制对Low-k膜的损伤。
本发明中使用的吡唑类为吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑。
本发明中使用的上述吡唑类可以单独使用也可以组合使用2种以上。吡唑类的浓度范围为0.0005～10质量％、优选为0.001～7质量％、更优选为0.05～5质量％、特别优选为0.05～3质量％。吡唑类的浓度为上述范围内时，能够抑制对铜的损伤。
本发明的清洗用液态组合物优选不含除吡唑类以外的唑类。作为除吡唑类以外的唑类，可列举出咪唑、噻唑、噁唑、三唑和四唑等。
本发明的清洗液中可以根据期望在不损害本发明的目的的范围内配混一直以来半导体用清洗液中使用的添加剂。例如，作为添加剂，可以添加表面活性剂、消泡剂等。
使用本发明的清洗液的温度优选为20～80℃、更优选为25～70℃的范围，根据蚀刻的条件、所使用的半导体基体而适当选择即可。本发明的制造方法可以根据需要组合使用超声波。使用本发明的清洗液的时间优选为0.3～20分钟、更优选为0.5～10分钟的范围，根据蚀刻的条件、所使用的半导体基体而适当选择即可。作为使用本发明的清洗液后的冲洗液，虽然也可以使用醇那样的有机溶剂，但仅用水冲洗就足够。
半导体元件的清洗方法
本发明的半导体元件的清洗方法的第一方式包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜1和光致抗蚀层的工序，所述基板具有低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
对于半导体元件，使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序。
本发明的半导体元件的清洗方法的第二方式包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
对于实施了前述干式蚀刻处理的半导体元件，使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序。
半导体元件的制造方法
本发明的半导体元件的制造方法的第一方式包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序。
本发明的半导体元件的制造方法的第二方式包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对前述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将前述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序。
本发明的清洗用液态组合物可以不依赖于半导体元件的基板上形成的铜布线和/或铜合金布线的布线宽度来使用。另外，本发明的半导体元件的清洗方法和制造方法中，半导体元件的基板上形成的铜布线和/或铜合金布线的布线宽度没有特别限定。需要说明的是，本发明中，可以使铜布线和/或铜合金布线的布线宽度较细，例如，可以优选为100nm以下、更优选为10～70nm、特别优选为20～50nm。
本发明可以应用的半导体元件和显示元件包括：硅、非晶硅、多晶硅、玻璃等基板材料；氧化硅、氮化硅、碳化硅和它们的衍生物等绝缘材料；钛、氮化钛、钽、氮化钽、钌、氧化钌等势垒材料；铜、铜合金、钨、钛-钨等布线材料；镓-砷、镓-磷、铟-磷、铟-镓-砷、铟-铝-砷等化合物半导体；氧化铬等氧化物半导体等。
通常，作为Low-k膜，使用氢化硅倍半氧烷(HSQ)系、甲基倍半硅氧烷(MSQ)系的OCD(商品名、东京应化工业株式会社制造)、掺碳氧化硅(SiOC)系的BlackDiamond(商品名、AppliedMaterials公司制造)、Aurora(商品名、ASMInternational公司制造)、Coral(商品名、NovellusSystems公司制造)、无机系的Orion(商品名、TrikonTencnlogies公司制造)。Low-k膜并不限定于这些。
通常，作为势垒金属，使用钽、氮化钽、钛、氮化钛、钌、锰、镁、钴以及它们的氧化物。势垒金属并不限定于这些。
通常，作为势垒绝缘膜，使用氮化硅、碳化硅、氮碳化硅。势垒绝缘膜并不限定于这些。
通常，作为硬掩模，使用硅、钛、铝、钽的氧化物或氮化物或碳化物。这些材料也可以层叠2种以上来使用。硬掩模并不限定于这些。
实施例
接着，利用实施例和比较例更具体地说明本发明。但是，本发明并不受这些实施例的任何限制。
测定设备：SEM观察：使用HitachiHigh-TechnologiesCorporation制造、超高分辨率场致发射型扫描电子显微镜S-5500进行观察。
判定；
I.有机硅氧烷系薄膜的去除状态
○：有机硅氧烷系薄膜完全被去除。
×：有机硅氧烷系薄膜的去除不充分。
II.干式蚀刻残渣的去除状态
○：干式蚀刻残渣完全被去除。
×：干式蚀刻残渣的去除不充分。
III.光致抗蚀层的去除状态
○：光致抗蚀层完全被去除。
×：光致抗蚀层的去除不充分。
IV.铜的损伤
◎：与清洗前相比，铜未观察到变化。
○：铜表面观察到少许粗糙。
×：铜上观察到较大的孔。
V.钨的损伤
◎：与清洗前相比，钨未观察到变化。
○：钨表面观察到少许粗糙。
×：钨上观察到较大的孔。
VI.Low-k膜的损伤
◎：与清洗前相比，Low-k膜未观察到变化。
○：Low-k膜稍微凹陷。
×：Low-k膜大幅凹陷。
VII.硬掩模的损伤
○：与清洗前相比，硬掩模未观察到变化。
×：硬掩模观察到剥离或形状的变化。
实施例1～40
试验使用具有图1、图2或图3所示那样的布线结构的截面的半导体元件。为了去除有机硅氧烷系薄膜1、干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，在表1中记载的清洗液中以表2所示的温度、时间进行浸渍，然后，进行利用超纯水的冲洗、利用干燥氮气喷射的干燥。通过利用SEM观察清洗后的半导体元件，从而判断有机硅氧烷系薄膜1、干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4的去除状态、以及铜5、钨8、势垒金属6、势垒绝缘膜7、Low-k膜3和硬掩模9的损伤。
可知，应用表2中示出的本发明的清洗液的实施例1～40中，防止了铜5、钨8、Low-k膜3和硬掩模9的损伤，并且完全去除了有机硅氧烷系薄膜1、干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4。
比较例1
利用专利文献1记载的由氢氧化四甲基铵10质量％、氢氧化钾0.02质量％、N-甲基-2-吡咯烷酮47.48质量％、硫代甘油1.5质量％、IRGAMET421.0质量％和水40质量％组成的水溶液(表3，清洗液3A)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但有机硅氧烷系薄膜1未去除。虽然防止了Low-k膜3和硬掩模9的损伤，但铜5和钨8上观察到较大的孔。因此，可知专利文献1的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例2
利用专利文献2记载的由氢氧化四甲基铵10质量％、氢氧化钾0.02质量％、二乙二醇单乙醚40质量％、2-乙基-4-甲基咪唑2质量％和水47.98质量％组成的水溶液(表3，清洗液3B)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是有机硅氧烷系薄膜1未去除。虽然防止了Low-k膜3和钨8的损伤，但是铜5上观察到较大的孔，硬掩模9剥离。因此，可知专利文献2的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例3
利用专利文献3记载的由氢氧化四甲基铵1.0质量％、羟胺1.0质量％、乙二胺3质量％、吡唑0.1质量％和水94.9质量％组成的水溶液(表3，清洗液3C)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3和硬掩模9的损伤，但是铜5和钨8上观察到较大的孔。因此，可知专利文献3的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例4
利用专利文献4记载的由氢氧化四甲基铵18质量％、过氧化氢3质量％、吡唑5质量％和水74质量％组成的水溶液(表3，清洗液3D)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1和干式蚀刻残渣2。虽然防止了Low-k膜3的损伤，但是铜5、钨8和硬掩模9上观察到较大的孔。因此，可知专利文献4的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例5
利用专利文献5记载的由氢氧化四甲基铵2质量％、吡唑30质量％、二乙二醇单丁醚60质量％和水8质量％组成的水溶液(表3，清洗液3E)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3的损伤，但是铜5、钨8上观察到较大的孔，硬掩模9剥离。因此，可知专利文献5的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例6
利用专利文献6记载的由硝酸26质量％、氯酸钠3质量％、氯化亚铁1.5质量％、吡唑1.0质量％和水68.5质量％组成的水溶液(表3，清洗液3F)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1和光致抗蚀层4。虽然防止了Low-k膜3的损伤，但是铜5、钨8和硬掩模9上观察到较大的孔。因此，可知专利文献6的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例7
利用专利文献7记载的由硝酸0.1质量％、硫酸4质量％、氟化铵0.06质量％、吡唑15质量％和水80.84质量％组成的水溶液(表3，清洗液3G)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1和光致抗蚀层4。虽然防止了Low-k膜3和钨8的损伤，但是铜5和硬掩模9上观察到较大的孔。因此，可知专利文献7的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例8
利用专利文献8记载的由扁桃酸2.5质量％、吡唑0.1质量％和水97.4质量％组成的水溶液(表3，清洗液3H)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1、和光致抗蚀层4。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知专利文献8的方法无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例9
利用由氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、吡唑0.1质量％和水49.7质量％组成的水溶液(表3，清洗液3I)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。不能去除有机硅氧烷系薄膜1、干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4。虽然防止了Low-k膜3和硬掩模9的损伤，但是铜5和钨8上观察到较大的孔。因此，可知3I的清洗液无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例10
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、二乙二醇单甲醚50％、吡唑0.1％和水47.9质量％组成的水溶液(表3，清洗液3J)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。防止了铜5、Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤。即使进行了30分钟的欠缺经济合理性的长时间的浸渍，也不能去除有机硅氧烷系薄膜1，因此可知3J的清洗液无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例11
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、吡唑0.1％和水97.7质量％组成的水溶液(表3，清洗液3K)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1和干式蚀刻残渣2。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知3K的清洗液无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例12
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％和水47.8质量％组成的水溶液(表3，清洗液3L)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知3L的清洗液无法用于如下的目的：在作为本发明的对象的半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属、势垒绝缘膜和硬掩模的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的目的(表4)。
比较例13
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、1-甲基-1H-苯并三唑0.1质量％和水47.7质量％组成的水溶液(表3，清洗液3M)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知专利文献3中记载的1-甲基-1H-苯并三唑作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例14
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、苯并三唑0.2质量％、甲苯并三唑0.2质量％、乙醇1质量％和水46.4质量％组成的水溶液(表3，清洗液3N)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知专利文献4中记载的苯并三唑、甲苯并三唑、乙醇的组合作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例15
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、乙醇胺5质量％和水42.8质量％组成的水溶液(表3，清洗液3O)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3和硬掩模9的损伤，但是铜5和钨8上观察到较大的孔。因此，可知专利文献5中记载的乙醇胺作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例16
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、苯并三唑1质量％和水46.8质量％组成的水溶液(表3，清洗液3P)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知专利文献6和专利文献9中记载的苯并三唑作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例17
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、5-氨基四唑0.5质量％和水47.3质量％组成的水溶液(表3，清洗液3Q)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知5-氨基四唑作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例18
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、吡啶3质量％和水44.8质量％组成的水溶液(表3，清洗液3R)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知吡啶作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例19
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、1-乙烯基咪唑0.8质量％和水47质量％组成的水溶液(表3，清洗液3S)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1和干式蚀刻残渣2。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，可知1-乙烯基咪唑作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
比较例20
利用由氢氧化四甲基铵2质量％、氢氧化钾0.2质量％、二乙二醇单甲醚50质量％、咪唑0.02质量％和水47.78质量％组成的水溶液(表3，清洗液3T)清洗图1、图2或图3所示的半导体元件。在表4中示出清洗条件和评价结果。能够去除干式蚀刻残渣2和光致抗蚀层4，但是不能去除有机硅氧烷系薄膜1。虽然防止了Low-k膜3、钨8和硬掩模9的损伤，但是铜5上观察到较大的孔。因此，咪唑作为与本发明的对象即包含氢氧化季铵、氢氧化钾、水溶性有机溶剂和水的清洗液组合的铜的防腐蚀剂没有效果(表4)。
表1
TMAH:四甲基氢氧化铵
TEAH:四乙基氢氧化铵
TPAH:四丙基氢氧化铵
TBAH:四丁基氢氧化铵
表2
去除状态I:有机硅氧烷系薄膜1的去除状态
去除状态II:干式蚀刻残渣2的去除状态
去除状态III:抗蚀层4的去除状态
损伤IV:铜5的损伤
损伤V:钨8的损伤
损伤VI:Low-k膜3的损伤
损伤VII:硬掩模9的损伤
表3
表4
去除状态L有机硅氧烷系薄膜1的去除状态
去除状态II:干式蚀刻残渣2的去除状态
去除状态III:抗蚀层4的去除状态
损伤IV:铜5的损伤
损伤V:钨8的损伤
损伤VI:Low-k膜3的损伤
损伤VII:硬掩模9的损伤
产业上的可利用性
通过使用本发明的清洗液和清洗方法，能够在半导体元件的制造工序中抑制Low-k膜、铜或铜合金、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层，能够成品率良好地制造高精度、高质量的半导体元件，在产业上有用。
附图标记说明
1：有机硅氧烷系薄膜
2：干式蚀刻残渣
3：Low-k膜(低介电常数层间绝缘膜)
4：光致抗蚀层
5：铜(铜布线和/或铜合金布线)
6：势垒金属
7：势垒绝缘膜
8：钨
9：硬掩模

Claims (18)

1.一种清洗用液态组合物，其用于半导体元件的制造，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类，
所述清洗用液态组合物中各成分的重量百分比之和为100％。
2.根据权利要求1所述的清洗用液态组合物，其中，所述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
3.根据权利要求1或2所述的清洗用液态组合物，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
4.根据权利要求1或2中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
5.根据权利要求1或2中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述清洗用液态组合物还包含水。
6.根据权利要求1或2中任一项所述的清洗用液态组合物，其中，所述清洗用液态组合物不含除所述吡唑类以外的唑类。
7.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将所述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类，
所述清洗用液态组合物中各成分的重量百分比之和为100％。
8.一种半导体元件的清洗方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将所述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类，
所述清洗用液态组合物中各成分的重量百分比之和为100％。
9.根据权利要求7或8所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
10.根据权利要求7或8中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
11.根据权利要求7或8中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
12.根据权利要求7或8中任一项所述的半导体元件的清洗方法，其中，所述铜布线和/或铜合金布线具有100nm以下的布线宽度。
13.一种半导体元件的制造方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将所述抗蚀图案作为掩模，对有机硅氧烷系薄膜、低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类，
所述清洗用液态组合物中各成分的重量百分比之和为100％。
14.一种半导体元件的制造方法，其包括以下的工序：
在基板上从下到上依次层叠硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和光致抗蚀层的工序，所述基板具有：低介电常数层间绝缘膜，以及，铜布线和/或铜合金布线；
对所述光致抗蚀层实施选择性的曝光和显影处理，形成光致抗蚀图案的工序；
将所述光致抗蚀图案作为掩模，对硬掩模、有机硅氧烷系薄膜和低介电常数层间绝缘膜实施干式蚀刻处理的工序；以及，
使用清洗用液态组合物，去除有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的工序，
其中，所述清洗用液态组合物包含：
0.05～25质量％的氢氧化季铵、
0.001～1.0质量％的氢氧化钾、
5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，
0.0005～10质量％的吡唑类，
所述清洗用液态组合物中各成分的重量百分比之和为100％。
15.根据权利要求13或14所述的半导体元件的制造方法，其中，所述氢氧化季铵为选自由氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵和胆碱组成的组中的1种以上。
16.根据权利要求13或14中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述水溶性有机溶剂为选自由下述物质组成的组中的1种以上：选自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇类，选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇单甲醚和二丙二醇单丙醚的二醇醚类，选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺类，二甲基亚砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。
17.根据权利要求13或14中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述吡唑类为选自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羟基吡唑组成的组中的1种以上。
18.根据权利要求13或14中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，所述铜布线和/或铜合金布线具有100nm以下的布线宽度。
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