TW201406949A - 清洗用液體組成物、半導體元件之清洗方法、及半導體元件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的係為提供在半導體元件的製造步驟中，抑制低介電層間絕緣膜、銅或者銅合金等之配線材料、金屬阻障層與阻障絕緣膜的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之清洗用液體組成物，及使用此清洗用液體組成物之半導體元件之清洗方法、及使用此清洗用液體組成物之半導體元件之製造方法。本發明之使用於半導體元件之製造之清洗用液體組成物，係包含以下成份而成:0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。

Description

清洗用液體組成物、半導體元件之清洗方法、及半導體元件之製造方法
本發明係關於清洗用液體組成物、半導體元件的清洗方法、及半導體元件的製造方法，更詳而言之，係關於在半導體元件的製造步驟中，抑制低介電率層間絕緣膜、銅或者銅合金等之配線材料、硬遮罩、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之清洗用液體組成物、及使用此組成物之半導體元件清洗方法，以及使用此組成物之半導體元件的製造方法。
高密集化之半導體元件的製造，通常，採取以下一連串步驟：係在矽晶圓等之元件上，形成作為導電用配線素材之金屬膜等之導電薄膜、或為了導電薄膜之間之絕緣的層間絕緣膜層後，於其表面將光阻均質塗佈而設置感光層，再對其實施選擇性的曝光及顯影處理，作成所望之光阻圖案。其次藉由將此光阻圖案作為遮罩，對於層間絕緣膜施以乾式蝕刻處理，於該薄膜形成所望之圖案。然後，將因為光阻圖案及乾式蝕刻處理發生之殘渣物(以下，稱為乾式蝕刻殘渣)藉由氧電漿灰化或清洗液等完全去除。
近年，隨著設計規則的微細化進展，信號傳送遲延逐漸主導高速演算處理的極限。因此，導電用配線素材從鋁轉移至電阻更低的銅，伴隨此，層間絕緣膜從氧化矽膜逐漸轉移至低介電率膜(比介電率比3更小的膜。以下，稱為Low-k膜)。又，為防止銅擴散於層間絕緣膜，以鉭或氮化鉭等之金 屬(以下，稱為金屬阻障層)與氮化矽或碳化矽等之絕緣膜(以下，稱為阻障絕緣膜)覆蓋銅。再者，於光阻與層間絕緣膜之間，逐漸使用具有以下機能之膜：填充基底元件的凹凸或溝等之間隙使其平坦化的機能；吸收從元件反射之放射線的機能；乾式蝕刻時維持層間絕緣膜的形狀使易進行精密微細加工的機能。這樣的膜，例如有：含有光吸收化合物之有機矽氧烷薄膜(以下，稱為有機矽氧烷系薄膜)。又，在0.2μm以下的圖案時，膜厚1μm的光阻劑則圖案的深寬比(將光阻膜厚除以光阻線寬得到的比值)過大，產生圖案崩塌等之問題。為了解決此問題，有人使用硬遮罩法：在實際想形成的圖案膜與光阻劑膜之間插入Ti系或Si系的膜(以下，稱為硬遮罩)，先將光阻圖案以乾式蝕刻轉印至硬遮罩，其後，將此硬遮罩作為蝕刻遮罩，藉由乾式蝕刻轉印圖案於實際想形成的膜之上。此方法，可更換蝕刻硬遮罩時的氣體與蝕刻實際想形成的膜時的氣體，因為能夠選擇在蝕刻硬遮罩時可獲得與光阻劑的選擇比及在實際蝕刻膜時可獲得與硬遮罩的選擇比的氣體，有能以較薄的光阻劑形成圖案的優點。再者，使用鎢作為與基板連接的接觸插塞。
然而，藉由氧電漿去除有機矽氧烷系薄膜或光阻時，存在於有機矽氧烷系薄膜下之Low-k膜，有暴露於氧電漿等而受到損傷的顧慮。例如，藉由介層洞優先雙層鑲嵌製程(via-first dual damascene process)形成圖案，以氧電漿去除填充於介層洞部之有機矽氧烷系薄膜時，介層洞部週邊的Low-k膜受到損傷的結果，產生電特性顯著劣化的問題。另一方面，因為在有機矽氧烷系薄膜的去除步驟時，乾式蝕刻殘渣附著於晶圓，在去除有機矽氧烷系薄膜或光阻的同時也必須要去除乾式蝕刻殘渣。因此，在使用Low-k膜的半導體元件製造，須要邊抑制Low-k膜、銅、金屬阻障層與阻障絕緣膜的損傷，邊與和氧電漿步驟相同程度去除有機矽氧烷系薄膜或光阻，且同時去除乾式蝕刻殘渣之方法。再者，因為也要使用露出接觸插塞的層，也有須要抑制鎢的損傷的情形。又，利用硬遮罩時，也須要抑制對於硬遮罩的損傷。
於專利文獻1，有人提出利用含有4級銨氫氧化物與水溶性有機溶劑與水與防蝕劑與氫氧化鉀之剝離清洗液之配線形成方法。
於專利文獻2，有人提出一種配線形成方法，係使用對於鎢之抑制腐蝕機能優良的清洗液，係利用含有4級銨氫氧化物與水溶性有機溶劑與水與防蝕劑與氫氧化鉀與特定的咪唑衍生物之剝離清洗液。
於專利文獻3，有人提出一種印刷電路板的光阻剝離方法，係利用由含有4級銨氫氧化物與水溶性胺及羥胺類與唑系防蝕劑之水溶液構成之剝離液，作為唑類舉例如吡唑。又，於專利文獻3記載，對銅的防蝕不僅吡唑，1-甲基-1H-苯并三唑亦為有效。
於專利文獻4，有人提出含有水溶性胺及/或氫氧化銨與氧化劑與水之能使用於銅配線之光阻剝離液，舉出吡唑作為銅等抗腐蝕劑之一例。又，於專利文獻4記載，於銅的防蝕不僅吡唑，苯并三唑、甲基苯并三唑與乙醇的組合亦為有效。
於專利文獻5，有人提出含有胺、溶劑、強鹼及水之能使用於銅配線之光阻剝離液，作為胺可舉例如吡唑。又，於專利文獻5記載，於銅的防蝕不僅吡唑有效，乙醇胺亦為有效。
於專利文獻6，有人提出含有硝酸與氯酸鹽與鐵離子及銅防蝕劑之適合於覆銅疊層板的蝕刻光阻劑用蝕刻液，作為銅防蝕劑之一例可舉例如吡唑。又，於專利文獻6記載，於銅的防蝕不僅吡唑，苯并三唑亦為有效。
於專利文獻7與專利文獻8，有人提出由含有硝酸與硫酸與氟化合物與鹼性化合物之水溶液構成之可去除施以銅配線之半導體元件的蝕刻殘渣的清洗液，作為鹼性化合物之一例可舉例如吡唑。
於專利文獻9，有人提出以於分子中具有1個羧基及1個以上之羥基之含氧酸或其鹽作為主成份之銀的電場剝離劑，作為被處理物的銅的變色防止劑之一例可舉例如吡唑系。又，於專利文獻9記載，於銅的防蝕，不僅吡唑 ，苯并三唑亦為有效。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特表2006-527783號公報
【專利文獻2】日本特開2011-118101號公報
【專利文獻3】日本特開2002-62668號公報
【專利文獻4】日本專利4267359號公報
【專利文獻5】日本特開2003-140364號公報
【專利文獻6】日本專利3124512號公報
【專利文獻7】日本特開2006-83376號公報
【專利文獻8】日本特開2009-111409號公報
【專利文獻9】日本特開2000-345400號公報
然而，本案發明人等，在專利文獻1~9記載的發明中，新得知以下技術性課題。
記載於專利文獻1之清洗液無法充分抑制銅的損傷，無法使用於本目的。
記載於專利文獻2之清洗液無法充分抑制銅的損傷，無法使用於本目的。
記載於專利文獻3之清洗液對有機矽氧烷系薄膜的去除性不足，且對銅造成巨大損傷，故無法使用於本目的。1-甲基-1H-苯并三唑，作為與本發明之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液的組合的銅的防蝕劑，沒有效果。
記載於專利文獻4之清洗液，對有機矽氧烷系薄膜與乾式蝕刻殘渣的去除性不足，且對銅造成巨大損傷，故無法使用於本目的。又，苯并三唑、甲基苯并三唑與乙醇的組合作為與本發明之含有4級銨氫氧化物與氫氧化 鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合的銅的防蝕劑，沒有效果。
記載於專利文獻5之清洗液對有機矽氧烷系薄膜的去除性不足，且對銅造成巨大損傷，故無法使用於本目的。又，乙醇胺，作為與本發明之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合的銅的防蝕劑，沒有效果。
記載於專利文獻6之清洗液對有機矽氧烷系薄膜與光阻的去除性不足，且對銅造成巨大損傷，故無法使用於本目的。又，苯并三唑，作為與本發明之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合的銅的防蝕劑，沒有效果。
記載於專利文獻7與專利文獻8之清洗液對有機矽氧烷系薄膜與光阻的去除性不足，且對銅造成巨大損傷，故無法使用於本目的。
記載於專利文獻9之清洗液對有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣與光阻的去除性不足，無法使用於本目的。又，苯并三唑，作為與本發明之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合的銅的防蝕劑，沒有效果。
本發明之目的係為，提供在半導體元件的製造步驟中，抑制Low-k膜、銅或者銅合金等之配線材料、硬遮罩、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之清洗液及清洗方法。
本發明提供解決前述課題的方法。本發明如下述。
1.一種清洗用液體組成物，其係使用於半導體元件之製造，係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
2.如1.之清洗用液體組成物，其中，前述4級銨氫氧化物係選自於由氫 氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
3.如1.或2.記載之清洗用液體組成物，其中，前述水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
4.如1.至3.中任一項記載之清洗用液體組成物，其中，前述吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
5.如1.至4.中任一項之清洗用液體組成物，其中，前述清洗用液體組成物係更包含水而成。
6.如1.至5.中任一項之清洗用液體組成物，其中，前述清洗用液體組成物不含有前述吡唑類以外之唑類。
7.一種半導體元件之清洗方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；前述清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及 0.0005~10質量%之吡唑類。
8.一種半導體元件之清洗方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；前述清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
9.如7.或8.記載之半導體元件之清洗方法，其中，前述4級銨氫氧化物，係選自於由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
10.如7.至9.中任一項記載之半導體元件之清洗方法，其中，前述水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
11.如7.至10.中任一項記載之半導體元件之清洗方法，其中，前述吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
12.如7.至11.中任一項記載之半導體元件之清洗方法，其中，前述銅配線及/或銅合金配線具有100nm以下之配線寬度。
13.一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；前述清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
14.一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；前述清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
15.如13.或14.記載之半導體元件之製造方法，其中，前述4級銨氫氧化物係選自於由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四 丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
16.如13.至15.中任一項記載之半導體元件之製造方法，其中，前述水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
17.如13.至16.中任一項記載之半導體元件之製造方法，其中，前述吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
18.如13.至17.中任一項記載之半導體元件之製造方法，其中，前述銅配線及/或銅合金配線具有100nm以下之配線寬度。
藉由使用本發明之清洗用液體組成物及半導體元件的清洗方法，在半導體元件的製造步驟中，能抑制低介電率層間絕緣膜、銅或者銅合金等之配線材料、硬遮罩、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻，能以良好產率製造高精度、高品質的半導體元件。
1‧‧‧有機矽氧烷系薄膜
2‧‧‧乾式蝕刻殘渣
3‧‧‧Low-k膜(低介電率層間絕緣膜)
4‧‧‧光阻
5‧‧‧銅(銅配線及/或銅合金配線)
6‧‧‧金屬阻障層
7‧‧‧阻障絕緣膜
8‧‧‧鎢
9‧‧‧硬遮罩
圖1顯示有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻去除前之半導體元件之銅配線結構之剖面圖。
圖2顯示有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻去除前之半導體元件之鎢插塞結構之剖面圖。
圖3顯示有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻去除前之具有硬遮罩之半導體元件之銅配線結構之剖面圖。
【實施發明之形態】
[清洗用液體組成物]
本發明之清洗用液體組成物(以下，亦稱為「清洗液」)，係為含有4級銨氫氧化物、氫氧化鉀、水溶性有機溶媒、及吡唑類者，宜更包含水。
本發明中之有機矽氧烷系薄膜與乾式蝕刻殘渣及光阻之清洗液，係使用於半導體元件的製作步驟，必須要抑制低介電率層間絕緣膜、銅或者銅合金等之配線材料、硬遮罩、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷。
本發明使用之4級銨氫氧化物的具體例為：氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨或膽鹼。此等4級銨氫氧化物可單獨或組合2種類以上摻合。
本發明使用之前述4級銨氫氧化物的濃度範圍宜為0.05~25質量%，更佳為0.1~20質量%，又更佳為0.5~20質量%，特佳為1~18質量%。若4級銨氫氧化物的濃度在前述範圍內，即可有效的進行去除有機矽氧烷系薄膜及光阻。
本發明使用之氫氧化鉀的濃度範圍宜為0.001~1.0質量%，更佳為0.005~0.5質量%，又更佳為0.05~0.5質量%，特佳為0.05~0.3質量%。於前述範圍內則可有效的進行去除有機矽氧烷系薄膜。若氫氧化鉀的濃度在1.0質量%以下，即可抑制對Low-k膜的損傷。
本發明使用之水溶性有機溶媒係為選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、二乙二醇、木糖醇及山梨醇之醇類，選自於二乙二醇單甲醚 、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、及二丙二醇單甲醚之二醇醚類，選自於N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類，二甲基亞碸及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
本發明使用之前述水溶性有機溶媒可單獨亦可組合2種類以上使用。水溶性有機溶媒的濃度範圍宜為5~85質量%，更佳為10~80質量%，又更佳為15~70質量%，特佳為15~50質量%。若水溶性有機溶媒的濃度在前述範圍內，即可有效的進行去除有機矽氧烷系薄膜。若水溶性有機溶媒的濃度在5質量%以上，即可抑制對銅與鎢的損傷，且若為85質量%以下，即可抑制對Low-k膜的損傷。
本發明使用之吡唑類係為吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑。
本發明使用之前述吡唑類可單獨亦可組合2種類以上使用。吡唑類的濃度範圍宜為0.0005~10質量%，更佳為0.001~7質量%，又更佳為0.05~5質量%，特佳為0.05~3質量%。若吡唑類的濃度在前述範圍內，即可抑制對銅的損傷。
本發明之清洗用液體組成物，宜為不含吡唑類以外的唑類。作為吡唑類以外的唑類可舉例如：咪唑、噻唑、唑、三唑、及四唑。
於本發明之清洗液，在不損及本發明的目的範圍內，根據期望可摻合習知使用於半導體用清洗液之添加劑。例如，作為添加劑，可添加界面活性劑、消泡劑等。
本發明之清洗液的使用溫度，較佳為20~80℃，更佳為25~70℃的範圍，視蝕刻的條件或使用之半導體基體適當選擇即可。本發明的製造方法，可視須要併用超音波。使用本發明的清洗液的時間宜為0.3~20分鐘，更佳為0.5~10分鐘的範圍，視蝕刻的條件或使用之半導體基體適當選擇即可。作為 使用本發明的清洗液後的潤洗液，也可使用如醇之有機溶劑，但僅以水潤洗也已夠充分。
[半導體元件之清洗方法]
依據本發明之半導體元件之清洗方法的第1態樣，係為包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜1、光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；於半導體元件，使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻。
依據本發明之半導體元件之清洗方法的第2態樣，係為包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；於前述施以乾式蝕刻處理之半導體元件，使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻。
[半導體元件之製造方法]
依據本發明之半導體元件之製造方法的第1態樣，係為包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案； 將前述光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；
使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻。
依據本發明之半導體元件之製造方法的第2態樣，係為包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩，有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於前述光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將前述光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻。
依本發明之清洗用液體組成物，可不依存形成於半導體元件的基板上之銅配線及/或銅合金配線的配線寬度而使用。又，在依本發明之半導體元件之清洗方法及製造方法中，不特別限定形成於半導體元件的基板上之銅配線及/或銅合金配線的配線寬度。再者，在本發明，可使銅配線及/或銅合金配線的配線寬度變細，例如可使其為：較佳為100nm以下，更佳為10~70nm，特佳為20~50nm。
可適用於本發明之半導體元件及顯示元件包括矽、非晶矽、多晶矽、玻璃等之基板材料；氧化矽、氮化矽、碳化矽及此等衍生物等之絕緣材料；鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、釕、酸化釕等之阻障層材料；銅、銅合金、鎢、鈦-鎢等之配線材料；鎵-砷，鎵-磷、銦-磷、銦-鎵-砷、銦-鋁-砷等之半導體化合物；鉻氧化物等之氧化物半導體等。
一般而言，係使用羥基倍半矽氧烷(HSQ)系或甲基倍半矽氧烷(MSQ)系的OCD(商品名、東京應化工業公司製)、碳摻雜(Carbon doped)氧化矽系的 Black Diamond(商品名、應用材料公司製)、Aurora(商品名、ASM International公司製)、Coral(商品名、Novellus Systems公司製)、無機系的Orion(商品名、Trikon Tencnlogies公司製)作為Low-k膜。Low-k膜並不限定於此等。
一般而言，係使用鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、釕、錳、鎂、鈷及此等之氧化物作為金屬阻障層。金屬阻障層並不限定於此等。
一般而言，係使用氮化矽、碳化矽、窒化碳化矽作為阻障絕緣膜。阻障絕緣膜並不限定於此等。
一般而言，係使用矽、鈦、鋁、鉭的氧化物或窒化物或碳化物作為硬遮罩。亦可將此等材料疊層2種類以上使用。硬遮罩並不限定於此等。
【實施例】
其次藉由實施例以及比較例對本發明進行進一步具體的說明。但本發明並不僅限於此等之實施例。
測定機器；SEM觀察：使用Hitachi High-Technologies股份有限公司製，超高解析度電場放射型掃描式電子顯微鏡S-5500進行觀察。
判定；
I.有機矽氧烷系薄膜的去除狀態
○：有機矽氧烷系薄膜完全去除。
╳：有機矽氧烷系薄膜未充分去除。
II.乾式蝕刻殘渣的去除狀態
○：乾式蝕刻殘渣完全去除。
╳：乾式蝕刻殘渣未充分去除。
III.光阻去除狀態
○：光阻完全去除。
╳：光阻未充分去除。
IV.銅的損傷
◎：與清洗前相比看不出銅的變化。
○：在銅表面看到些許粗糙。
╳：在銅看到大的孔洞。
V.鎢的損傷
◎：與清洗前相比看不出鎢的變化。
○：在鎢表面看到些許粗糙。
╳：在鎢看到大的孔洞。
VI.Low-k膜的損傷
◎：與清洗前相比看不出Low-k膜的變化。
○：Low-k膜有點凹陷。
╳：Low-k膜有很大的凹陷。
VII.硬遮罩的損傷
○：與清洗前相比看不出硬遮罩的變化。
╳：於硬遮罩看到剝離或形狀的變化。
[實施例1~40]
使用具有如圖1、圖2或圖3表示之配線結構的剖面的半導體元件於測試。為了去除有機矽氧烷系薄膜1與乾式蝕刻殘渣2及光阻4，使用記於表1之清洗液以表2表示之溫度、時間實施浸漬，其後，藉由超純水進行潤洗，且藉由乾燥氮氣噴射實施乾燥。將清洗後的半導體元件藉由以SEM觀察，判斷有機矽氧烷系薄膜1、乾式蝕刻殘渣2及光阻4的去除狀態與銅5、鎢8、金屬阻障層6、阻障絕緣膜7、Low-k膜3及硬遮罩9的損傷。
在應用表2表示之本發明之清洗液之實施例1~40中，得知能夠防止銅5、鎢8、Low-k膜3及硬遮罩9的損傷，並且完全去除有機矽氧烷系薄膜1、乾式蝕刻殘渣2及光阻4。
[比較例1]
使用專利文獻1記載之由氫氧化四甲銨10質量%、氫氧化鉀0.02質量%、N-甲基-2-吡咯烷酮47.48質量%、硫甘油1.5質量%、1.0質量%IRGAMET42 、及水40質量%構成之水溶液(表3，清洗液3A)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但有機矽氧烷系薄膜1未被去除。防止了Low-k膜3及硬遮罩9的損傷，然而在銅5與鎢8看到了大的孔洞。因此，得知專利文獻1的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例2]
使用專利文獻2記載之由氫氧化四甲銨10質量%、氫氧化鉀0.02質量%、二乙二醇單乙醚40質量%、2-乙基-4-甲基咪唑2質量%、及水47.98質量%構成之水溶液(表3，清洗液3B)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但有機矽氧烷系薄膜1未被去除。防止了Low-k膜3與鎢8的損傷，然而在銅5看到大的孔洞，且硬遮罩9剝離。因此，得知專利文獻2的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例3]
使用由專利文獻3記載之氫氧化四甲銨1.0質量%、羥胺1.0質量%、乙二胺3質量%、吡唑0.1質量%、及水94.9質量%構成之水溶液(表3，清洗液3C)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3與硬遮罩9的損傷，然而在銅5與鎢8看到大的孔洞。因此，得知專利文獻3的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例4]
使用專利文獻4記載之由氫氧化四甲銨18質量%、過氧化氫3質量%、吡唑5質量%、及水74質量%構成之水溶液(表3，清洗液3D)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1及乾式蝕刻殘渣2。防止了Low-k膜3的損傷，然而在銅5、鎢8與硬遮罩9看到大的孔洞。因此，得知專利文獻4的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例5]
使用專利文獻5記載之由氫氧化四甲銨2質量%、吡唑30質量%、二乙二醇單丁醚60質量%、及水8質量%構成之水溶液(表3，清洗液3E)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3的損傷，然而在銅5、鎢8看到大的孔洞，且硬遮罩9剝離。因此，得知專利文獻5的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例6]
使用專利文獻6記載的由硝酸26質量%、氯酸鈉3質量%、氯化鐵(II)1.5質量%、吡唑1.0質量%、及水68.5質量%構成之水溶液(表3，清洗液3F)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1及光阻4。防止Low-k膜3的損傷，然而在銅5、鎢8與硬遮罩9看到大的孔洞。因此，得知專利文獻6的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例7]
使用專利文獻7記載的由硝酸0.1質量%、硫酸4質量%、氟化銨0.06質量%、吡唑15質量%、及水80.84質量%構成之水溶液(表3，清洗液3G)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1及光阻4。防止了Low-k膜3與鎢8的損傷，然而在銅5與硬遮罩9看到大的孔洞。因此，得知專利文獻7的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例8]
使用專利文獻8記載的由苦杏仁酸2.5質量%、吡唑0.1質量%、及水97.4質量%構成之水溶液(表3，清洗液3H)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1、及光阻4。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知專利文獻8的方法，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例9]
使用由氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、吡唑0.1質量%、及水49.7質量%構成之水溶液(表3，清洗液3I)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。未能去除有機矽氧烷系薄膜1、乾式蝕刻殘渣2及光阻4。防止了Low-k膜3與硬遮罩9的損傷，然而在銅5與鎢8看到大的孔洞。因此，得知3I的清洗液，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例10]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、二乙二醇單甲醚50%、吡唑0.1%、及水47.9質量%構成之水溶液(表3，清洗液3J)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了銅5、Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷。從就算進行30分鐘欠缺經濟合理性的長時間的浸漬也無法去除有機矽氧烷系薄膜1之現象，得知3J的清洗液，無法使用於作為本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例11]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、吡唑0.1%、及水97.7質量%構成之水溶液(表3，清洗液3K)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1及乾式蝕刻殘渣2。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知3K的清洗液，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例12]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、及水47.8質量%構成之水溶液(表3，清洗液3L)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知3L的清洗液，無法使用於作為在本發明的對象的半導體元件的製造步驟中抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層、阻障絕緣膜與硬遮罩的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻之目的(表4)。
[比較例13]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、1-甲基-1H-苯并三唑0.1質量%、及水47.7質量%構成之水溶液(表3，清洗液3M)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知記載於專利文獻3之1-甲基-1H-苯并三唑，作為與係發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例14]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、苯并三唑0.2質量%、甲基苯并三唑0.2質量%、乙醇1質量%、及水46.4質量%構成之水溶液(表3，清洗液3N)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知記載於專利文獻4之苯并三唑、甲基苯并三唑、乙醇的組合，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例15]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、乙醇胺5質量%、及水42.8質量%構成之水溶液(表3，清洗液3O)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3與硬遮罩9的損傷，然而在銅5與鎢8看到大的孔洞。因此，得知記載於專利文獻5之乙醇胺，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例16]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、苯并三唑1質量%、及水46.8質量%構成之水溶液(表3，清洗液3P)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，得知記載於專利文獻6與專利文獻9之苯并三唑，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例17]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、5-胺基四唑0.5質量%、及水47.3質量%構成之水溶液(表3，清洗液3Q)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，5-胺基四唑，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例18]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、吡啶3質量%、及水44.8質量%構成之水溶液(表3，清洗液3R)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，吡啶，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例19]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50 質量%、1-乙烯基咪唑0.8質量%、及水47質量%構成之水溶液(表3，清洗液3S)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1及乾式蝕刻殘渣2。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，1-乙烯基咪唑，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
[比較例20]
使用由氫氧化四甲銨2質量%、氫氧化鉀0.2質量%、二乙二醇單甲醚50質量%、咪唑0.02質量%、及水47.78質量%構成之水溶液(表3，清洗液3T)清洗圖1、圖2或圖3表示之半導體元件。於表4表示清洗條件與評價結果。能去除乾式蝕刻殘渣2及光阻4，但未能去除有機矽氧烷系薄膜1。防止了Low-k膜3、鎢8與硬遮罩9的損傷，然而在銅5看到大的孔洞。因此，咪唑，作為與係本發明對象之含有4級銨氫氧化物與氫氧化鉀與水溶性有機溶劑與水之清洗液組合銅的防蝕劑，沒有效果(表4)。
【產業上利用性】
藉由使用本發明之清洗液及清洗方法，在半導體元件的製造步驟中，可抑制Low-k膜、銅或者銅合金、金屬阻障層與阻障絕緣膜的損傷，且去除被處理物表面的有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣及光阻，能以良好產率製造高精度、高品質的半導體元件，於產業上有用。
1‧‧‧有機矽氧烷系薄膜
2‧‧‧乾式蝕刻殘渣
3‧‧‧Low-k膜(低介電率層間絕緣膜)
4‧‧‧光阻
5‧‧‧銅(銅配線及/或銅合金配線)
6‧‧‧金屬阻障層
7‧‧‧阻障絕緣膜

Claims (18)

  1. 一種清洗用液體組成物，其係使用於半導體元件之製造，係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
  2. 如申請專利範圍第1項之清洗用液體組成物，其中，該4級銨氫氧化物係選自於由氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之清洗用液體組成物，其中，該水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之清洗用液體組成物，其中，該吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之清洗用液體組成物，其中，該清洗用液體組成物係更包含水而成。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之清洗用液體組成物，其中，該清洗用液體組成物不含有該吡唑類以外之唑類。
  7. 一種半導體元件之清洗方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於該光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案； 將該光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；該清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
  8. 一種半導體元件之清洗方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於該光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將該光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；該清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之半導體元件之清洗方法，其中，該4級銨氫氧化物，係選自於由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
  10. 如申請專利範圍第7或8項之半導體元件之清洗方法，其中，該水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、 選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
  11. 如申請專利範圍第7或8項之半導體元件之清洗方法，其中，該吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
  12. 如申請專利範圍第7或8項之半導體元件之清洗方法，其中，該銅配線及/或銅合金配線具有100nm以下之配線寬度。
  13. 一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於該光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將該光阻圖案作為遮罩，對於有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及光阻；該清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
  14. 一種半導體元件之製造方法，其係包含以下步驟而成：在具有低介電率層間絕緣膜及銅配線及/或銅合金配線之基板上，自下而上依序疊層硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜及光阻；對於該光阻實施選擇性的曝光及顯影處理，而形成光阻圖案；將該光阻圖案作為遮罩，對於硬遮罩、有機矽氧烷系薄膜、及低介電率層間絕緣膜實施乾式蝕刻處理；使用清洗用液體組成物，去除有機矽氧烷系薄膜、乾式蝕刻殘渣、及 光阻；該清洗用液體組成物係包含以下成份而成：0.05~25質量%之4級銨氫氧化物、0.001~1.0質量%之氫氧化鉀、5~85質量%之水溶性有機溶媒、及0.0005~10質量%之吡唑類。
  15. 如申請專利範圍第13或14項之半導體元件之製造方法，其中，該4級銨氫氧化物係選自於由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙銨、氫氧化四丙銨、氫氧化四丁銨、及膽鹼構成之群組中之1種以上。
  16. 如申請專利範圍第13或14項之半導體元件之製造方法，其中，該水溶性有機溶媒係選自於由以下水溶性有機溶媒構成之群組中之1種以上：選自於乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇及山梨糖醇之醇類、選自於二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單甲醚、及二丙二醇單丙醚之二醇醚類、選自於N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺及N-甲基-2-吡咯烷酮之醯胺類、二甲基亞碸以及1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮。
  17. 如申請專利範圍第13或14項之半導體元件之製造方法，其中，該吡唑類係選自於由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑哢、及3-胺基-5-羥基吡唑構成之群組中之1種以上。
  18. 如申請專利範圍第13或14項之半導體元件之製造方法，其中，該銅配線及/或銅合金配線具有100nm以下之配線寬度。
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