JP4772107B2 - 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 - Google Patents
洗浄液およびそれを用いた洗浄法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4772107B2 JP4772107B2 JP2008329871A JP2008329871A JP4772107B2 JP 4772107 B2 JP4772107 B2 JP 4772107B2 JP 2008329871 A JP2008329871 A JP 2008329871A JP 2008329871 A JP2008329871 A JP 2008329871A JP 4772107 B2 JP4772107 B2 JP 4772107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- cleaning
- liquid according
- weight
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
これらアルカリ性剥離液を用いてエッチング残渣およびレジスト等の除去を行うと、半導体集積回路等の使用時に吸湿した水分により残存するアミン類が解離してアルカリ性を呈し、またアルカリ性剥離液を用いた後にアルコール等の有機溶剤を使用しないで水洗を行った場合には水洗時にアルカリ性を呈し、微細配線加工の配線材料に使用される金属等に対する腐食が生ずるおそれがある。一方、上記腐食を避けるためにはリンス液にアルコール等の有機溶剤を使用しなければならないという問題点が生ずる。
そこで、半導体製造プロセスにおいて配線素材にダメージを与えることなくエッチング残渣を完全に除去できるような洗浄液が強く要望されている。
さらに、リンス液としてアルコールのような有機溶剤を使用する必要がなく、水のみでリンスすることができるので高精度、高品質の回路配線の製造が可能となる。
該洗浄液中での硫酸/硝酸の重量比は、1〜100であり、好ましくは10〜60である。
また、該洗浄液中での水の濃度は、80重量%以上、好ましくは85重量%以上である。
洗浄液中の硝酸濃度、硫酸濃度、および水の濃度を前記範囲とすることで、エッチング残渣が効率良く除去でき、かつ配線材料等の腐食を効果的に押さえることができる。
[(R1R2R3R4)N]+・F- (1)
式(1)中、R1、R2、R3およびR4は、各々独立してアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。
上記フッ素化合物は、単独でも2種類以上組み合わせて用いてもよい。また、本発明の洗浄液中のフッ素化合物濃度は、0.005〜10重量%である。
フッ素化合物濃度が前記0.005重量%以上でエッチング残渣を効率良く除去でき、また前記10重量%を越えると配線材料等への腐食の問題が生じてくる。
式(2)中、R5,R6,R7およびR8は、各々独立してアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヒドロキシアルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。
本発明に使用される界面活性剤は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。本発明の洗浄液中の界面活性剤の濃度は、好ましくは0.001〜5重量%、より好ましくは0.01〜1重量%である。
また、本発明の洗浄液には、所望により本発明の目的を損なわない範囲で従来から洗浄液に使用されている他の添加剤を配合してもよい。
本発明の洗浄法を実施する際の温度は、通常常温から90℃の範囲であり、エッチングの条件や使用される半導体基体により適宜温度条件を選択すればよい。
本発明の洗浄液は、前記半導体配線材料のなかでも、金属配線が施された半導体素子または表示素子における回路を高速で動作させるために銅単体又は銅とバリアメタル(境界金属層)の積層構造を含む銅配線に対し、より効果的に使用することができる。
図1に示す下層銅配線体1上にCVD法によりシリコン窒化膜2とシリコン酸化膜3を順に堆積させた後、レジストを塗布し通常のフォト技術を用いてレジストを加工し、その後ドライエッチング技術を使用して前記シリコン酸化膜を所望のパターンにエッチング加工し、残存したレジストを除去した。レジスト除去後の半導体素子の一部断面を図1に示す。エッチング加工した側壁にエッチング残渣4が残存している。
上記銅回路素子を表1〜3に示す洗浄液を用いて所定の条件で洗浄した後、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕微鏡(SEM)で表面状態を観察し、エッチング残渣の除去性および銅配線体の腐食について評価した。その結果を表1〜3に示した。
(1)エッチング残渣の除去性について
◎:エッチング残渣が完全に除去された。
○:エッチング残渣がほぼ除去された。
△:エッチング残渣が一部残存していた。
×:大部分残存していた。
(2)銅の腐食性について
◎:腐食が全く認められなかった。
○:腐食が殆ど認められなかった。
△:クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。
×:銅層の全面にあれが認められ、更に銅層の後退が認められた。
2:シリコン窒化膜
3:シリコン酸化膜
4:エッチング残渣
Claims (8)
- 基板上に銅配線、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を堆積し、その上にレジストを塗布し、現像後、続いてドライエッチングを行い、残存したレジストを除去し、その後にエッチング残渣を洗浄する洗浄液であって、該洗浄液中の硝酸濃度が0.1〜2.0重量%、硫酸濃度が2.0〜4.0重量%であり、かつ、硫酸/硝酸重量比が、1〜40およびフッ素化合物の濃度が0.3〜3.0重量%であり、塩基性化合物を添加してpHが3〜7に調整された水の濃度が80重量%以上であることを特徴とする洗浄液。
- 前記フッ素化合物がフッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムである請求項1に記載の洗浄液。
- 前記塩基性化合物が、無金属イオン強塩基である請求項1または2に記載の洗浄液。
- 前記無金属イオン強塩基が水酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムである請求項3に記載の洗浄液。
- 前記洗浄液に更に界面活性剤を配合してなる請求項1〜4のいずれかに記載の洗浄液。
- 前記界面活性剤が陰イオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項5に記載の洗浄液。
- 前記陰イオン界面活性剤がポリオキシエチレンアルキルエーテルのリン酸エステル、またはポリオキシエチレンアルキルアリールエーテルのリン酸エステルである請求項6に記載の洗浄液。
- 基板上に銅配線、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を堆積し、その上にレジストを塗布し、現像後、続いてドライエッチングを行い、残存したレジストを除去し、その後にエッチング残渣を請求項1〜7のいずれかに記載の洗浄液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体素子または表示素子の洗浄法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008329871A JP4772107B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008329871A JP4772107B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003040930A Division JP4651269B2 (ja) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111409A JP2009111409A (ja) | 2009-05-21 |
JP4772107B2 true JP4772107B2 (ja) | 2011-09-14 |
Family
ID=40779488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008329871A Expired - Lifetime JP4772107B2 (ja) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4772107B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9587208B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-03-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid composition, method for cleaning semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor element |
CN110597026B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-11-29 | 上海富柏化工有限公司 | 一种软性电路板干膜清除工艺 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61112327A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3046208B2 (ja) * | 1994-08-05 | 2000-05-29 | 新日本製鐵株式会社 | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 |
JPH09321250A (ja) * | 1996-06-03 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
JPH11204491A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-30 | Lsi Logic Corp | ドライエッチング残留物除去方法 |
JP2002069495A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-03-08 | Kao Corp | 洗浄剤組成物 |
-
2008
- 2008-12-25 JP JP2008329871A patent/JP4772107B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009111409A (ja) | 2009-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7572758B2 (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
KR101047776B1 (ko) | 세정액 및 이를 이용한 세정방법 | |
JP4810928B2 (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP5537126B2 (ja) | エッチング残渣を除去するための組成物基板及びその使用 | |
JP4456424B2 (ja) | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物 | |
JP4369284B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
KR101330509B1 (ko) | 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 세정 방법 | |
JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
WO2007010679A1 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP4374989B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 | |
JP4651269B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 | |
JP4772107B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 | |
JP3820545B2 (ja) | レジスト剥離用組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4530146B2 (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP2008047831A (ja) | ドライエッチング残渣用洗浄液および洗浄法 | |
JP2008216843A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
JP4731406B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP5206177B2 (ja) | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP2006059908A (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP3298628B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4415228B2 (ja) | レジスト剥離液用組成物 | |
JP5407121B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
JP2000063895A (ja) | フォトレジストアッシング残滓洗浄剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110607 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140701 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4772107 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |