KR101330509B1 - 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
탄소쇄의 서로 이웃한 위치에 2개 이상의 아미노기를 가지는 특정 구조를 갖는 폴리아민 또는 그 염을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 상기 세정액을 이용한 반도체 소자 또는 표시 소자의 세정 방법을 제공한다. 본 발명의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액은 안전성이 높고, 환경면의 부하가 작은 것이며, 반도체 기판 상의 에칭 잔사를 단시간에 용이하게 제거할 수 있고, 그 때 배선 재료를 전혀 부식하지 않고 미세 가공이 가능하며, 더욱이 린스액으로서 알코올과 같은 유기용매를 사용할 필요가 없어 물만으로 린스할 수 있다. 따라서, 본 발명의 세정 방법에 의하면, 반도체 소자 또는 표시 소자의 제조에 있어서, 환경면의 부하가 작고, 고정밀도, 고품질의 회로 배선을 공업적으로 매우 유리하게 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자나 표시 소자의 제조 공정에 있어서, 피처리물 표면의 부착물을 제거하는 세정액 및 세정 방법에 관한 것으로, 상세하게는 환경면의 부하가 작고, 피처리물 표면의 강고한 부착물을 피처리물 상의 금속 배선, 층간 절연막 등의 반도체 기체에 손상을 주지 않고 제거하는 세정액 및 세정 방법에 관한 것이다.
오늘날 고집적화된 LSI 등의 반도체 소자 제조 방법으로는, 일반적으로 리소그래피법이 사용되고 있다. 이 리소그래피법에 의해 반도체 소자를 제조하는 경우에는 통상 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 도전용 배선 재료가 되는 금속막 등의 도전 박막이나 배선간의 절연을 행할 목적의 실리콘 산화막 등의 층간 절연막을 형성한 후, 그 표면에 포토레지스트를 균질하게 도포해 감광층을 마련하고, 이것에 선택적 노광 및 현상 처리를 실시하여 원하는 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 하층부의 박막에 선택적 에칭 처리를 실시함으로써, 상기 박막에 원하는 레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 이 레지스트 패턴을 완전하게 제거한다고 하는 일련의 공정이 취해지고 있다.
최근, 반도체 소자는 고집적화가 진행되어 0.18㎛ 이하의 패턴 형성이 필요해지기 시작해서, 이 가공 치수의 초미세화에 따라 상기 선택적 에칭 처리에 있어서는 드라이 에칭법이 주류가 되어오고 있다. 드라이 에칭 처리에 있어서는, 형성된 패턴 주변부에 드라이 에칭 가스, 레지스트, 피가공막 및 드라이 에칭 장치 내의 처리 부재 등에 기인하는 잔사 (이하, 에칭 잔사라고 칭함)가 생성되는 것이 알려져 있다. 에칭 잔사가, 특히 비아 홀 내부 및 그 주변부에 잔존하면 고저항화를 초래하거나 전기적으로 단락이 생기거나 하는 등의 바람직하지 않은 사태를 초래한다.
금속 배선을 형성하는 공정에서의 에칭 잔사를 제거하는 세정액으로는, 알칸올 아민과 유기용매의 혼합계로 이루어진 유기 아민계 박리액이 개시되어 있다 (특허 문헌 1, 2). 그러나, 이들 세정액은 에칭 잔사 및 레지스트 등의 제거 후에 물 세정을 실시했을 경우에는 흡습한 수분에 의해 아민이 해리하여 알칼리성을 나타내기 때문에, 금속막 등을 부식하므로 린스액에 알코올 등의 유기용매를 필요로 하여 안전면이나 환경면의 부하가 커지는 문제점을 가진다.
또, 유기 아민계 박리액보다도 에칭 잔사, 레지스트 경화층의 제거 능력이 높은 세정제로서 불소 화합물, 유기용매 및 방식제 등으로 이루어진 불소계 세정액이 사용되고 있다 (특허 문헌 3, 4). 그러나, 최근 반도체 소자의 제조 공정에서의 드라이 에칭의 조건이 엄격해져 레지스트가 보다 변질함으로써, 상기 불소계 수용액으로는 완전한 제거를 할 수 없게 되어 있다.
이들 유기용매를 다량으로 포함하는 유기 아민계 세정액이나 불소계 세정액 은 반도체 제조 프로세스에 있어서 안전 대책이나 폐액 처리 등의 경제면, 환경면의 부하가 커서 과대한 대책이 필요해진다. 이 때문에 수용성 세정액으로서 유기산과 환원제의 수용액인 산계 세정제가 개시되어 있다 (특허 문헌 5).
그러나, 이 수용성 세정액으로는 보다 강고하게 변질한 에칭 잔사를 완전하게 제거할 수 없다. 또, 환원제는 약액 성분이나 공기 중 성분의 환원으로 소비되므로 품질 유지 기한이 짧고, 또한 품질을 유지하기 위해서는 특별한 보관이 필요하다. 더욱이, 수용성 세정액은 강산이므로 폐기에도 특별한 배려가 필요하여, 경제면과 환경면의 부하를 충분히 저감하고 있다고는 말할 수 없다.
이 때문에, 배선 소재에 손상을 주는 일 없이 에칭 잔사를 완전하게 제거할 수 있고, 또한 반도체 제조 프로세스에서의 안전 및 환경면의 부하가 작은 세정액이 강하게 요망되고 있다.
특허 문헌 1: 일본공개특허 소62-49355호 공보
특허 문헌 2: 일본공개특허 소64-42653호 공보
특허 문헌 3: 일본공개특허 평7-201794호 공보
특허 문헌 4: 일본공개특허 평11-67632호 공보
특허 문헌 5: 일본공개특허 2003-16730호 공보
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 반도체 집적 회로에 이용되는 반도체 소자의 배선 공정이나 표시 소자의 배선 공정에서의 드라이 에칭 후에 잔존하는 에칭 잔사를 단시간에 제거할 수 있고, 또한 배선 재료나 층간 절연막 등을 산화 또는 부식하지 않고, 또 환경면의 부하가 작은 세정액 및 이것을 이용한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해서 열심히 검토한 결과, 탄소쇄의 서로 이웃한 위치에 2개 이상의 아미노기를 가지는 특정 구조를 갖는 폴리아민류 또는 그 염을 함유하는 세정액, 또는 추가로 산성 화합물이나 염기성 화합물, 혹은 추가로 불소 화합물을 함유하는 세정액을 이용함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어 본 발명에 도달했다.
즉, 본 발명은 이하의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 세정 방법을 제공한다.
1. 하기 일반식 (1) 또는 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류 또는 그 염을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액.
(R1 ~ R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다. 단, R1 와 R4는 알킬기인 경우에 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다.)
(R5 ~ R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를, n은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.)
2. 산성 화합물 및/또는 염기성 화합물을 더 함유하는 상기 1의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액.
3. 불소 화합물을 더 함유하는 상기 1 또는 2의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액.
4. 불소 화합물이 불화수소산, 불화암모늄 또는 불화테트라메틸암모늄인 상기 3의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 세정액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 표시 소자의 세정 방법.
발명의 효과
본 발명의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액은 유해 물질을 포함하지 않고, 또 공기 중에서 변질하는 일 없이, 비교적 저농도로 사용할 수 있으므로, 안전성이 높고, 환경면의 부하가 작은 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 세정액을 사용함으로써, 반도체 기판 상의 에칭 잔사를 단시간에 용이하게 제거할 수 있고, 그 때 배선 재료를 전혀 부식하지 않고 미세 가공이 가능하며, 아울러 린스액으로서 알코올과 같은 유기용매를 사용할 필요가 없어 물만으로 린스할 수 있다.
발명을 실시하기
위한 바람직한 형태
먼저, 본 발명의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 (이하, 단순히 세정액이라고도 함)은 하기 일반식 (1) 또는 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류 또는 그의 염을 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.
일반식 (1)에서의 R1 ~ R4 및 일반식 (2)에서의 R5 ~ R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다. 단, 일반식 (1)에서의 R1 와 R4는 알킬기인 경우에 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다. 또, n은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.
이 일반식 (1) 및 일반식 (2)에서의 알킬기의 탄소수는 1~5인 것이 바람직하고, 아랄킬기의 탄소수는 7~11인 것이 바람직하며, 알케닐기의 탄소수는 2~6인 것, 아릴기에서의 탄소수는 6~10인 것이 바람직하다.
(1) 식으로 나타내는 폴리아민류의 구체예로는 에틸렌디아민, 1,2-디아미노프로판, 2,3-디아미노부탄, 1,2-디아미노시클로헥산 등을 들 수 있다. (2) 식으로 나타내는 폴리아민류의 구체예로는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민, 펜타에틸렌헥사민 등을 들 수 있다. 이들 폴리아민류는 단독으로도 2종류 이상을 조합해 이용해도 된다.
본 발명의 세정액에서의 일반식 (1) 및 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류의 농도는 통상 0.005중량% 이상, 바람직하게는 0.01중량% 이상이다. 0.005중량% 이상으로 함으로써 드라이 에칭 후에 잔존하는 에칭 잔사 등을 효과적으로 제거할 수 있다. 에칭 잔사 제거 성능의 관점에서는 상한을 마련할 필요는 없지만, 경제성이나 환경 부하, 안전성을 감안해 적절한 양을 선택할 필요가 있다. 환경면의 부하를 감안하면 물의 농도를 80중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 세정액으로는 상기 일반식 (1) 또는 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류 외에 pH를 조정할 목적으로 산성 화합물 및 염기성 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이 산성 화합물 및 염기성 화합물은 금속을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 일반식 (1) 또는 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류는 임의의 pH 영역에서 에칭 잔사 제거 성능을 가지므로, 배선 금속과 층간 절연막의 부식성이나 금속 불순물의 부착을 방지할 목적으로 세정액의 pH는 임의로 선택할 수 있다.
사용되는 산성 화합물 및 염기성 화합물은 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위이면 종류나 농도에 특별히 제한은 없고, 무기산, 유기산, 염기 어느 것이나 이용할 수 있다.
무기산의 구체예로는 붕산, 염산, 질산, 아질산, 황산, 아황산, 인산, 아인산, 차아인산 등을 들 수 있다.
유기산의 구체예로는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 발레르산, 헵탄산, 라우르산, 팔미트산, 스테아르산, 아크릴산, 메타크릴산, 옥살산, 말론산, 말레산, 숙신산, 아디프산, 시트르산, 아스코르브산, 이소아스코르브산, 글리옥실산, 벤조산, 톨일산, 프탈산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 벤젠술폰산, 톨루엔술폰산, 살리실산 등을 들 수 있다.
염기의 구체예로는 암모니아, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화트리메틸히드록시에틸암모늄 (콜린), 에탄올아민, 히드록실아민 등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 산성 화합물 및/또는 염기성 화합물은 단독으로도 2종류 이상 적절히 조합해 이용해도 된다. 또, 산성 화합물 및 염기성 화합물의 농도는 원하는 pH로부터 감안하여 결정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 세정액은 불소 화합물을 포함하지 않는 경우에도 충분한 에칭 잔사 제거 성능을 가지지만, 층간 절연막에 부착된 에칭 잔사를 층간 절연막의 표층과 함께 제거할 목적으로, 불소 화합물을 첨가하는 것이 바람직하다.
사용되는 불소 화합물로는 불화수소산, 불화암모늄, 산성 불화암모늄 및 하기 일반식 (3)으로 나타내는 불화 제4급 암모늄류를 들 수 있다.
상기 식 중, R11~R14는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다. 이 일반식 (3)에 있어서도, 알킬기의 탄소수는 1~5인 것이 바람직하고, 아랄킬기의 탄소수는 7~11인 것이 바람직하며, 알케닐기의 탄소수는 2~6인 것, 아릴기에서의 탄소수는 6~10인 것이 바람직하다.
일반식 (3)으로 나타내는 불화 제4급 암모늄류의 구체예로는 불화테트라메틸암모늄, 불화테트라에틸암모늄, 불화트리에틸메틸암모늄, 불화트리메틸히드록시에틸암모늄, 불화테트라에탄올암모늄, 불화메틸트리에탄올암모늄 등을 들 수 있다. 이 중에서, 바람직하게는 불화수소산, 불화암모늄 및 불화테트라메틸암모늄이다.
본 발명의 세정액에 있어서는, 이 불소 화합물은 단독으로도 2종류 이상 적절히 조합해 이용해도 되며, 또 그 농도는 바람직하게는 0.001~15중량%이며, 보다 바람직하게는 0.005~10중량%이다.
세정액의 습윤성을 향상시키기 위해서 계면활성제를 첨가해도 되며, 양이온성, 음이온성, 비이온성 및 불소계 계면활성제 중 어떠한 계면활성제도 사용할 수 있다. 계면활성제는 단독으로도 2종류 이상 적절히 조합해 이용해도 된다.
세정액의 금속 배선 부식 방지성을 더욱 향상시키기 위해서 부식 방지제를 첨가해도 된다. 부식 방지제로는 특별히 제한은 없고, 인산계 킬레이트, 카르복실산계 킬레이트, 아민계 킬레이트, 옥심계 킬레이트, 아세틸렌계 킬레이트 등의 킬레이트 화합물, 방향족 히드록시 화합물, 트리아졸이나 테트라졸 화합물, 당 알코올 및 이들의 염 등을 사용할 수 있다.
킬레이트 화합물의 구체예로는 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산, 히드록시에탄포스폰산 등의 인산계 킬레이트 화합물; 에틸렌디아민4아세트산, 디히드록시에틸글리신, 니트릴로3아세트산, 옥살산, 시트르산, 말산, 타르타르산 등의 카르복실산계 킬레이트 화합물; 비피리딘, 테트라페닐포르피린, 페난트롤린, 2,3-피리딘디올 등의 아민계 킬레이트 화합물; 디메틸글리옥심, 디페닐글리옥심 등의 옥심계 킬레이트 화합물; 페닐아세틸렌, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올 등의 아세틸렌계 킬레이트 화합물 등을 들 수 있다.
방향족 히드록시 화합물의 구체예로는 페놀, 크레졸, 크실레놀, 피로카테콜, t-부틸카테콜, 레조르시놀, 히드로퀴논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-히드록시벤질알코올, o-히드록시벤질알코올, p-히드록시페네틸알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레조르시놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산, 3,4-디히드록시벤조산, 3,5-디히드록시벤조산, 갈산 등을 들 수 있다.
트리아졸이나 테트라졸 화합물로는 벤조트리아졸, 아미노트리아졸, 아미노테트라졸 등을 들 수 있다. 당 알코올로는 소르비톨, 자일리톨, 팔라티니트 등을 예로서 들 수 있다.
이들 부식 방지제는 단독 또는 2종 이상을 조합해 이용할 수 있다.
본 발명의 세정액에서의 부식 방지제의 농도는 바람직하게는 0.001~10중량%, 바람직하게는 0.005~5중량%이다.
또, 본 발명의 세정액에는 원하는 바에 따라 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 종래부터 세정액에 사용되고 있는 다른 첨가제를 배합해도 된다.
상기 세정액을 이용하는 본 발명의 반도체 소자 또는 표시 소자의 세정 방법에서의 세정 온도는 통상, 상온~70℃이며, 에칭 조건이나 사용되는 반도체 기체나 배선 금속에 의해 적절히 선택한다.
본 발명의 세정 방법에 사용되는 반도체 소자 및 표시 소자는 실리콘, 비정질 실리콘, 폴리실리콘, 유리 등의 기판 재료; 산화실리콘, 질화실리콘 및 이들의 유도체 등의 절연 재료; 티탄, 질화티탄, 탄탈, 탄탈 화합물 등의 배리어 재료; 구리, 텅스텐, 티탄-텅스텐, 알루미늄, 알루미늄 합금, 크롬, 크롬 합금 등의 배선 재료; 갈륨-비소, 갈륨-인, 인듐-인 등의 화합물 반도체; 크롬 산화물 등의 산화물 반도체 등이 포함되어 있지만, 본 발명의 세정액을 이용함으로써 이들 소재에 손상을 주는 일 없이 세정하여 에칭 잔사 등을 완전하게 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 세정 방법은 필요에 따라 초음파를 병용할 수 있다.
본 발명의 세정법에 의해 반도체 기체 상의 에칭 잔사 등을 제거한 후의 린스액으로는 알코올과 같은 유기용매를 사용할 필요는 없고, 물로 린스하는 것만으로 충분하다.
도 1은 실시예에 있어서, 하층 구리 배선체 상에 CVD 법에 의해 실리콘 질화막과 실리콘 산화막을 순서대로 퇴적시킨 후, 레지스트를 도포하고 통상의 포토리소그래피 기술을 이용해 레지스트를 가공하며, 그 후 드라이 에칭 기술을 사용해 상기 실리콘 산화막을 원하는 패턴으로 에칭 가공하여 잔존한 레지스트를 제거한 반도체 소자의 단면도이다.
부호의 설명
1 하층 구리 배선체
2 실리콘 질화막
3 실리콘 산화막
4 에칭 잔사
다음에 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 제한되는 것은 아니다.
또한, 이하의 실시예에 있어서 반도체 소자를 세정 후의 평가 기준은 다음과 같다.
(1) 에칭 잔사 제거 상태
A: 완전하게 제거되었다.
B: 거의 완전하게 제거되었다.
C: 일부 잔존하고 있었다.
D: 대부분 잔존하고 있었다.
(2) 구리의 부식 상태
A: 부식이 전혀 확인되지 않았다.
B: 부식이 거의 확인되지 않았다.
C: 크레이터 모양 혹은 피트 (pit) 모양의 부식이 확인되었다.
D: 구리층의 전면에 거침이 확인되고, 아울러 구리층의 후퇴가 확인되었다.
(3) 층간 절연막의 부식 상태
A: 부식이 전혀 확인되지 않았다.
B: 부식이 거의 확인되지 않았다.
C: 비아 홀 측벽에 거침이 확인되었다.
D: 비아 홀 지름이 커져 있었다.
실시예
1~10 및
비교예
1~3
CVD법에 의해 구리 배선체(1) 상에 실리콘 질화막(2)과 실리콘 산화막(3)을 순서대로 퇴적시킨 후, 레지스트를 도포하고 통상의 포토리소그래피 기술을 이용해 레지스트를 가공하고, 그 후 드라이 에칭 기술을 사용해 상기 실리콘 산화막을 원하는 패턴으로 에칭 가공하여 잔존한 레지스트를 제거한 반도체 소자의 일부 단면을 도 1에 나타낸다. 이 구리 회로 소자에서는 비아 홀 측벽에 에칭 잔사(4)가 잔존하고 있다.
도 1에 나타내는 구리 회로 소자를 표 1에 나타낸 세정액을 이용해 소정의 조건으로 세정한 후, 초순수로 린스하고 질소 블로우에 의해 건조했다. 상온에서 1 시간 후에, 주사형 전자현미경(SEM)으로 표면 상태를 관찰하여 에칭 잔사의 제거성 및 구리 배선체의 부식에 대해 상기 판단 기준에 따라서 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 표 1에 있어서 계면활성제인 포스파놀은 토호화학공업 주식회사제의 상품명이다.
[표 1]
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 세정액 및 세정법을 적용한 실시예 1~6에 있어서는 구리를 완전히 부식하는 일 없이, 층간 절연막의 부식도 전혀 없이 세정할 수 있어 뛰어난 에칭 잔사의 제거성을 가지고 있다.
본 발명의 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액은 안전성이 높고, 환경면의 부하가 작은 것이며, 반도체 기판 상의 에칭 잔사를 단시간에 용이하게 제거할 수 있고, 그 때 배선 재료를 전혀 부식하지 않고 미세 가공이 가능하며, 아울러 린스액으로서 알코올과 같은 유기용매를 사용할 필요가 없어 물만으로 린스할 수 있다.
따라서, 본 발명의 세정 방법에 의하면, 반도체 소자 또는 표시 소자의 제조에 있어서, 환경면의 부하가 작고, 고정밀도, 고품질의 회로 배선을 공업적으로 매우 유리하게 제조할 수 있다.
Claims (5)
- 하기 일반식 (1) 또는 일반식 (2)로 나타내는 폴리아민류 또는 그 염,산성 화합물 및 염기성 화합물로부터 선택되는 1종 이상, 및불소 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액:
(R1 ~ R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다. 단, R1 와 R4는 알킬기인 경우에 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다.)
(R5 ~ R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아랄킬기, 알케닐기, 아릴기, 히드록시알킬기, 아미노알킬기 또는 알콕시알킬기를, n은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.). - 청구항 1에 있어서,불소 화합물이 불화수소산, 불화암모늄 또는 불화테트라메틸암모늄인 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액.
- 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 세정액을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 표시 소자의 세정 방법.
- 삭제
- 삭제
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