JP4530146B2 - 洗浄液および洗浄法。 - Google Patents
洗浄液および洗浄法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4530146B2 JP4530146B2 JP2004238262A JP2004238262A JP4530146B2 JP 4530146 B2 JP4530146 B2 JP 4530146B2 JP 2004238262 A JP2004238262 A JP 2004238262A JP 2004238262 A JP2004238262 A JP 2004238262A JP 4530146 B2 JP4530146 B2 JP 4530146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning method
- cleaning
- copper
- surfactant
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
また、配線素材も従来多用されてきたアルミニウムを主成分とする素材では抵抗が高すぎ、回路を指定の速度で動作させることが困難となってきており、銅単体の利用が高まりつつある。そこで、このような配線素材にダメージを与えることなくエッチング残渣を除去することが、高品質の半導体素子を得るために極めて重要な課題となってきている。
また、本発明は酸化剤、無機酸、フッ素化合物および塩基性化合物を混合し、水の濃度が80重量%以上、pH1〜10に調整された洗浄液を用いることを特徴とする金属配線の施された半導体素子または表示素子の洗浄法を提供するものである。
一方、本発明に使用されるフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウムおよび(1)式
(式中R1、R2、R3およびR4は各々独立してアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヒドロキシアルキル基およびアルコキシアルキル基を示す)で表されるフッ化第4級アンモニウム類が挙げられる。(1)式で表されるフッ化第4級アンモニウム類の具体例としては、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化トリエチルメチルアンモニウム、フッ化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム、フッ化テトラエタノールアンモニウム、フッ化メチルトリエタノールアンモニウム等が挙げられる。この中で好ましくは、フッ化アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムである。フッ素化合物は、単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。また、フッ素化合物の濃度は通常0.001〜15重量%であり、好ましくは0.005〜10重量%である。
本発明で用いられる塩基性化合物は、アンモニア、第1アミン、第2アミン、第3アミン、イミン、アルカノールアミン、炭素数1〜8のアルキル基を有していてもよい複素環式化合物および(2)式
(式中R5、R6、R7およびR8は各々独立してアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヒドロキシアルキル基およびアルコキシアルキル基を示す)で表される水酸化第4級アンモニウム類が挙げられる。第1アミンの具体例としては、エチルアミン、n-プロピルアミン、ブチルアミン、1-エチルブチルアミン、1,3-ジアミノプロパン、シクロヘキシルアミン等が挙げられる。第2アミンとしては、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン等が挙げられる。第3アミンとしては、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。イミンとしては、1-プロパンイミン、ビス-(ジアルキルアミノ)イミン等が挙げられる。アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、プロパノールアミン等が挙げられる。炭素数1〜8のアルキル基を有していてもよい複素環式化合物としては、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピロリジン、2-ピロリン、イミダゾリジン、2-ピラゾリン、ピラソリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン等が挙げられる。(2)式で表される水酸化第4級アンモニウム類の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム(コリン)、水酸化テトラエタノールアンモニウム等が挙げられる。
この塩基性化合物の中では、無金属イオン強塩基である水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム(コリン)が好ましい。
本発明に使用される塩基性化合物は、単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。また、塩基性化合物の濃度は、通常0.01〜15重量%の濃度で使用されるが、塩基性化合物の濃度については、所望するpHから勘案して決定すればよい。
前記界面活性剤、有機酸またはこの塩、求核性アミンまたはその塩は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。腐食防止剤としては、特に制限はなく、リン酸系、カルボン酸系、アミン系、オキシム系、芳香族ヒドロキシ化合物、トリアゾール化合物、糖アルコール及びこれらの塩等、各種のものを使用することができる。
前記界面活性剤、腐食防止剤は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。
本発明の洗浄法を実施する際の温度は、通常常温〜90℃の範囲であり、エッチングの条件や使用される半導体基体により適宜選択すればよい。
本発明の洗浄法において使用される半導体基体としては、シリコン、非晶性-シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、銅、チタン、チタン-タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金等の半導体配線材料あるいはガリウム-砒素、ガリウム-リン、インジウム-リン等の化合物半導体等が挙げられる。
本発明の洗浄法は、必要に応じて超音波を併用することができる。
本発明の洗浄法により、半導体基体上のエッチング残渣を除去した後のリンスとしては、アルコールのような有機溶剤を使用する必要はなく、水でリンスするだけで十分である。
図-1に下層銅配線体1上にCVD法によりシリコン窒化膜2とシリコン酸化膜3を順に堆積させた後、レジストを塗布し通常のフォト技術を用いてレジストを加工し、その後ドライエッチング技術を使用して前記シリコン酸化膜を所望のパターンにエッチング加工し、残存したレジストを除去した半導体素子の一部の断面を示した。側壁にエッチング残渣4が残存している。
上記銅回路素子を表-1および3で示した洗浄液を用いて所定の条件で洗浄した後、超純水でリンスして乾燥した。しかる後に、走査型電子顕微鏡(SEM)で表面状態を観察し、エッチング残渣の除去性および銅配線体の腐食について下記の判断基準に従って評価した。その結果を表-2および4に示した。
なお、評価基準は次の通りである。
表-1に示したように、本発明の洗浄液および洗浄法を適用した実施例1〜4においては、銅を全く腐食することなく、エッチング残渣の除去性も優れていた。
(除去状態)◎:完全に除去された。
○:ほぼ完全に除去された。
△:一部残存していた。
×:大部分残存していた。
(腐食状態)◎:腐食が全く認められなかった。
○:腐食がほとんど認められなかった。
△:クレーター状あるいはピット状の腐食が認められた。
×:銅層の全面にあれが認められ、さらに銅層の後退が認められた。
2:シリコン窒化膜
3:シリコン酸化膜
4:エッチング残渣
Claims (5)
- 銅単体又は銅とバリアメタルの積層構造を有する金属配線が施された半導体素子または表示素子の洗浄方法であって、過酸化水素、無機酸の両方を含み、フッ化物としてフッ化アンモニウムまたはフッ化テトラメチルアンモニウムの何れかを含み、さらに水酸化テトラメチルアンモニウムまたは水酸化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムの何れかを混合し、水の濃度が80重量%以上であるpH1〜10に調整した水溶液であることを特徴とする銅単体又は銅とバリアメタルの積層構造を有する金属配線が施された半導体素子または表示素子の洗浄方法。
- 無機酸/過酸化水素重量比が、1〜100であることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。
- 更に、界面活性剤及び/又は腐食防止剤を含んでいる請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記界面活性剤が陰イオン性界面活性剤であることを特徴とすると請求項3に記載の洗浄方法。
- 前記界面活性剤がポリオキシエチレンアルキルエーテル又はポリオキシエチレンアルキルアリールエーテルのリン酸エステルであることを特徴とする請求項3に記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004238262A JP4530146B2 (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | 洗浄液および洗浄法。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004238262A JP4530146B2 (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | 洗浄液および洗浄法。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006059906A JP2006059906A (ja) | 2006-03-02 |
JP4530146B2 true JP4530146B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=36107145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004238262A Active JP4530146B2 (ja) | 2004-08-18 | 2004-08-18 | 洗浄液および洗浄法。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4530146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5347237B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-11-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 洗浄用組成物 |
WO2010041333A1 (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | アクアサイエンス株式会社 | 剥離液及び対象物洗浄方法 |
JP6329909B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2018-05-23 | インテグリス・インコーポレーテッド | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000315670A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2001308054A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002507057A (ja) * | 1998-03-13 | 2002-03-05 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド | 反射防止被覆の選択的エッチング法 |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
-
2004
- 2004-08-18 JP JP2004238262A patent/JP4530146B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002507057A (ja) * | 1998-03-13 | 2002-03-05 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド | 反射防止被覆の選択的エッチング法 |
JP2000315670A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Nec Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JP2001308054A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006059906A (ja) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101047776B1 (ko) | 세정액 및 이를 이용한 세정방법 | |
EP1628336B1 (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
JP4810928B2 (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP4456424B2 (ja) | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物 | |
US20050003977A1 (en) | Composition for cleaning | |
JP5251128B2 (ja) | 半導体素子又は表示素子用洗浄液および洗浄方法 | |
JP5146445B2 (ja) | 洗浄用組成物、半導体素子の製造方法 | |
JP2007016232A (ja) | カチオン塩含有残留物除去用の組成物及びそれを使用する方法 | |
JP3389166B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
TWI425323B (zh) | 用以移除後蝕刻及灰化之光阻劑殘餘物及總體光阻劑之組合物 | |
KR20170085483A (ko) | 텅스텐을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 | |
JP2009212383A (ja) | 洗浄剤組成物及び半導体基板の製造方法 | |
JP4374989B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 | |
JP4651269B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 | |
JP4530146B2 (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP3968535B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP4772107B2 (ja) | 洗浄液およびそれを用いた洗浄法 | |
JP2006059908A (ja) | 洗浄液および洗浄法。 | |
JP3298628B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002351093A (ja) | レジスト剥離用組成物 | |
JP4415228B2 (ja) | レジスト剥離液用組成物 | |
JP5407121B2 (ja) | 洗浄剤組成物 | |
JP2007324357A (ja) | 剥離剤組成物 | |
JP2001168015A (ja) | フォトレジストアッシング残さ洗浄剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091016 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100407 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100519 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4530146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100601 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140618 Year of fee payment: 4 |