JP2002351093A - レジスト剥離用組成物 - Google Patents
レジスト剥離用組成物Info
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- JP2002351093A JP2002351093A JP2001152304A JP2001152304A JP2002351093A JP 2002351093 A JP2002351093 A JP 2002351093A JP 2001152304 A JP2001152304 A JP 2001152304A JP 2001152304 A JP2001152304 A JP 2001152304A JP 2002351093 A JP2002351093 A JP 2002351093A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体または液晶用の電子回路などの製造工
程において、配線形成時に生成するレジスト残渣を高性
能で除去することが可能であり、かつ金属配線材料の腐
食を良好に防止できるレジスト剥離用組成物を提供する
こと。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示される群より選択され
る少なくとも１種の化合物を含有するレジスト剥離用組
成物： 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なってい
てもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カルボキ
シル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、またはアミノ基を表す）。
程において、配線形成時に生成するレジスト残渣を高性
能で除去することが可能であり、かつ金属配線材料の腐
食を良好に防止できるレジスト剥離用組成物を提供する
こと。 【解決手段】 一般式（Ｉ）で示される群より選択され
る少なくとも１種の化合物を含有するレジスト剥離用組
成物： 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なってい
てもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カルボキ
シル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、またはアミノ基を表す）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離用組成物に関する。さらに詳しくは、
半導体基板上または液晶用ガラス基板上に配線を形成す
る際に不要となったフォトレジスト残渣を高性能で除去
可能なフォトレジスト剥離用組成物に関する。
液晶パネルの半導体素子回路などの製造に用いられるフ
ォトレジスト剥離用組成物に関する。さらに詳しくは、
半導体基板上または液晶用ガラス基板上に配線を形成す
る際に不要となったフォトレジスト残渣を高性能で除去
可能なフォトレジスト剥離用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路、液晶パネルの半導体素
子回路などの製造に用いられるフォトレジストを基板上
から剥離する際に、剥離用組成物が用いられる。例え
ば、半導体素子回路または付随する電極部の製造は、以
下のように行われる。シリコン、ガラスなどの基板上に
ＣＶＤやスパッタなどにより形成された金属膜やＳｉＯ
２膜などの絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成す
る。パターン形成されたフォトレジストをマスクとして
上記金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングする。その
後、不要となったフォトレジスト層を剥離用組成物を用
いて剥離・除去する。これらの操作を繰り返すことによ
り上記回路または電極部の形成が行われる。ここで上記
金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム
−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）などのアルミニウ
ム合金；チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）などのチタン合金；ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉなどのシリ
コンが用いられ、これらは単層または複数層にて基板上
に形成される。
子回路などの製造に用いられるフォトレジストを基板上
から剥離する際に、剥離用組成物が用いられる。例え
ば、半導体素子回路または付随する電極部の製造は、以
下のように行われる。シリコン、ガラスなどの基板上に
ＣＶＤやスパッタなどにより形成された金属膜やＳｉＯ
２膜などの絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布し、
これを露光、現像処理をしてレジストパターンを形成す
る。パターン形成されたフォトレジストをマスクとして
上記金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングする。その
後、不要となったフォトレジスト層を剥離用組成物を用
いて剥離・除去する。これらの操作を繰り返すことによ
り上記回路または電極部の形成が行われる。ここで上記
金属膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム
−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）などのアルミニウ
ム合金；チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）などのチタン合金；ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉなどのシリ
コンが用いられ、これらは単層または複数層にて基板上
に形成される。
【０００３】従来、フォトレジストの剥離には、有機ア
ミン、無機アルカリ、有機酸、無機酸などの化合物を単
独もしくは２種以上組合せて有機溶媒あるいは水に溶解
し、必要に応じて、添加物を配合した剥離用組成物が用
いられている。
ミン、無機アルカリ、有機酸、無機酸などの化合物を単
独もしくは２種以上組合せて有機溶媒あるいは水に溶解
し、必要に応じて、添加物を配合した剥離用組成物が用
いられている。
【０００４】例えば、現在モノエタノールアミン（ＭＥ
Ａ）と有機溶媒との混合液からなる非水系の剥離液が広
く使用されているが、これらの剥離液は熱やエッチング
により変質したフォトレジスト、もしくはアッシングさ
れたフォトレジスト残渣の剥離性、除去性が十分ではな
い。更に、非水系の剥離液は、含水系の剥離液に比べ
て、より高い温度条件下で使用しなければならない。
Ａ）と有機溶媒との混合液からなる非水系の剥離液が広
く使用されているが、これらの剥離液は熱やエッチング
により変質したフォトレジスト、もしくはアッシングさ
れたフォトレジスト残渣の剥離性、除去性が十分ではな
い。更に、非水系の剥離液は、含水系の剥離液に比べ
て、より高い温度条件下で使用しなければならない。
【０００５】また、有機アミンと有機溶媒からなる剥離
液に、さらに水を加えたフォトレジスト剥離液も広く使
用されているが、これらの剥離液もアッシングされた後
のレジスト残渣に対する剥離性、除去性が十分ではな
く、また金属配線材料に対する腐食性も大きいという欠
点を持っている。
液に、さらに水を加えたフォトレジスト剥離液も広く使
用されているが、これらの剥離液もアッシングされた後
のレジスト残渣に対する剥離性、除去性が十分ではな
く、また金属配線材料に対する腐食性も大きいという欠
点を持っている。
【０００６】一方、特開平１１−２５８８２５号公報に
は、Ｎ−ヒドロキシアルキル置換のアミン及び含窒素複
素環式ヒドロキシ化合物の中から選ばれる少なくとも1
種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及びピロカテコールを
含有してなるレジスト用剥離液が記載されているが、近
年、カテコールが発癌性を有することが示唆されてお
り、安全性の面から好ましくない。
は、Ｎ−ヒドロキシアルキル置換のアミン及び含窒素複
素環式ヒドロキシ化合物の中から選ばれる少なくとも1
種の含窒素有機ヒドロキシ化合物及びピロカテコールを
含有してなるレジスト用剥離液が記載されているが、近
年、カテコールが発癌性を有することが示唆されてお
り、安全性の面から好ましくない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の理由から、半導
体基板上や液晶用ガラス基板上に形成される金属配線材
料を腐食せず、熱やエッチングにより変質したフォトレ
ジスト、もしくはアッシングされたレジスト残渣を効果
的に除去し、かつ安全性の高いフォトレジスト剥離用組
成物が望まれていた。
体基板上や液晶用ガラス基板上に形成される金属配線材
料を腐食せず、熱やエッチングにより変質したフォトレ
ジスト、もしくはアッシングされたレジスト残渣を効果
的に除去し、かつ安全性の高いフォトレジスト剥離用組
成物が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者は種々の実験を重
ねた結果、有機アミンと水、及び必要に応じて水溶性有
機溶媒を含有するレジスト剥離用組成物に、さらに特定
の化合物を含有させることでレジスト残渣を効果的に除
去し、かつ金属配線材料に対する防食性にも優れること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
ねた結果、有機アミンと水、及び必要に応じて水溶性有
機溶媒を含有するレジスト剥離用組成物に、さらに特定
の化合物を含有させることでレジスト残渣を効果的に除
去し、かつ金属配線材料に対する防食性にも優れること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】本発明は、下記一般式（Ｉ）で示される群
より選択される少なくとも１種の化合物を含有する、レ
ジスト剥離用組成物に関する。
より選択される少なくとも１種の化合物を含有する、レ
ジスト剥離用組成物に関する。
【００１０】
【化２】
【００１１】（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一また
は異なっていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸
基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、またはアミノ基を表す）。
は異なっていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸
基、カルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキ
シ基、ハロゲン原子、またはアミノ基を表す）。
【００１２】好ましい実施態様においては、本発明のレ
ジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）一般式（Ｉ）で示さ
れる群より選択される少なくとも１種の化合物と、
（Ｂ）有機アミン、及び（Ｃ）水を含有する。
ジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）一般式（Ｉ）で示さ
れる群より選択される少なくとも１種の化合物と、
（Ｂ）有機アミン、及び（Ｃ）水を含有する。
【００１３】また、別の好ましい実施態様においては、
本発明のレジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）、
（Ｂ）、および(Ｃ)に加えて、さらに水溶性有機溶媒
（Ｄ）を含有する。
本発明のレジスト剥離用組成物は、前記（Ａ）、
（Ｂ）、および(Ｃ)に加えて、さらに水溶性有機溶媒
（Ｄ）を含有する。
【００１４】好ましい実施態様においては、前記Ｒ１お
よびＲ４の少なくとも一つが水酸基である。
よびＲ４の少なくとも一つが水酸基である。
【００１５】さらに好ましい実施態様においては、前記
（Ａ）一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なく
とも１種の化合物がマルトール、もしくはコウジ酸であ
る。
（Ａ）一般式（Ｉ）で示される群より選択される少なく
とも１種の化合物がマルトール、もしくはコウジ酸であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト剥離用組成物に
は、下記一般式（Ｉ）で示される群より選択される少な
くとも１種の化合物（以下、化合物（Ａ）ということが
ある）が含まれる。
は、下記一般式（Ｉ）で示される群より選択される少な
くとも１種の化合物（以下、化合物（Ａ）ということが
ある）が含まれる。
【００１７】
【化３】
【００１８】Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なっ
ていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カル
ボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、またはアミノ基を表す。
ていてもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カル
ボキシル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、またはアミノ基を表す。
【００１９】低級アルキル基としては、炭素数１〜４の
アルキル基が好ましく用いられる。例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などが好ましく用いら
れる。
アルキル基が好ましく用いられる。例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などが好ましく用いら
れる。
【００２０】ヒドロキシアルキル基としては、炭素数１
〜４のヒドロキシアルキル基が好ましく用いられる。例
えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒド
ロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基などが好ましく
用いられる。
〜４のヒドロキシアルキル基が好ましく用いられる。例
えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒド
ロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基などが好ましく
用いられる。
【００２１】アルコキシ基としては、炭素数１〜４のア
ルコキシ基が好ましく用いられる。例えば、メトシキ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが好ま
しく用いられる。
ルコキシ基が好ましく用いられる。例えば、メトシキ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが好ま
しく用いられる。
【００２２】ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素などが好ましく用いられる。
素、ヨウ素などが好ましく用いられる。
【００２３】上記一般式（Ｉ）で表される化合物のＲ１
およびＲ４の少なくとも一つは水酸基であることが好ま
しい。
およびＲ４の少なくとも一つは水酸基であることが好ま
しい。
【００２４】上記化合物としては、Ｒ１が水酸基、Ｒ２
がメチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるマルトー
ルが好ましく用いられる。また、Ｒ１が水酸基、Ｒ２が
エチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるエチルマル
トールが好ましく用いられる。さらに、Ｒ１およびＲ３
が水素原子、Ｒ２がヒドロキシメチル基、そしてＲ４が
水酸基であるコウジ酸も好ましく用いられる。
がメチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるマルトー
ルが好ましく用いられる。また、Ｒ１が水酸基、Ｒ２が
エチル基、Ｒ３およびＲ４が水素原子であるエチルマル
トールが好ましく用いられる。さらに、Ｒ１およびＲ３
が水素原子、Ｒ２がヒドロキシメチル基、そしてＲ４が
水酸基であるコウジ酸も好ましく用いられる。
【００２５】化合物（Ａ）の、レジスト剥離用組成物中
の含有量は、０．１〜２０重量％であることが好まし
く、より好ましくは０．１〜１０重量％である。化合物
（Ａ）の含有量が０．１重量％未満の場合は、プラズマ
アッシングにより変質を受けたレジスト残渣に対する剥
離性・除去性が得られない傾向にある。他方、２０重量
％を超えて含有させた場合、格別な利点はなく経済的に
も好ましくない。
の含有量は、０．１〜２０重量％であることが好まし
く、より好ましくは０．１〜１０重量％である。化合物
（Ａ）の含有量が０．１重量％未満の場合は、プラズマ
アッシングにより変質を受けたレジスト残渣に対する剥
離性・除去性が得られない傾向にある。他方、２０重量
％を超えて含有させた場合、格別な利点はなく経済的に
も好ましくない。
【００２６】本発明のレジスト剥離用組成物は、化合物
（Ａ）の他に、一般に有機アミン（Ｂ）と水（Ｃ）を含
む。
（Ａ）の他に、一般に有機アミン（Ｂ）と水（Ｃ）を含
む。
【００２７】本発明の組成物に含有される有機アミン
（Ｂ）としては次の化合物が挙げられるがこれに限定さ
れない：トリエチレンテトラミン、テトラメチルエチレ
ンジアミンなどのアルキルアミン、モノエタノールアミ
ン（ＭＥＡ）、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）などの１
級アルカノールアミン；Ｎ−メチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールア
ミン、Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミンなどの２級アルカノ
ールアミン；Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ジブチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミ
ン、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキ
シルアミンなどの３級アルカノールアミン；テトラメチ
ルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシ
エチル）アンモニウム水酸化物などの４級アンモニウム
化合物；など。
（Ｂ）としては次の化合物が挙げられるがこれに限定さ
れない：トリエチレンテトラミン、テトラメチルエチレ
ンジアミンなどのアルキルアミン、モノエタノールアミ
ン（ＭＥＡ）、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）などの１
級アルカノールアミン；Ｎ−メチルエタノールアミン、
Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールア
ミン、Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミンなどの２級アルカノ
ールアミン；Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ、
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ、Ｎ−ジブチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ、Ｎ−ジエタノールアミ
ン、Ｎ、Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキ
シルアミンなどの３級アルカノールアミン；テトラメチ
ルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシ
エチル）アンモニウム水酸化物などの４級アンモニウム
化合物；など。
【００２８】これらの中で、モノエタノールアミン、お
よびジグリコールアミンなどの１級アルカノールアミン
が好適に用いられる。
よびジグリコールアミンなどの１級アルカノールアミン
が好適に用いられる。
【００２９】上記有機アミン（Ｂ）は、組成物中に１〜
９４重量％含まれることが好ましい。より好ましくは５
〜８０重量％である。有機アミン（Ｂ）の含有量が１重
量％未満の場合はレジスト残渣除去性が低下する傾向に
ある。他方、９４重量％を超える場合は、他成分の含有
量が減るためレジスト残渣除去性が得られない傾向にあ
る。
９４重量％含まれることが好ましい。より好ましくは５
〜８０重量％である。有機アミン（Ｂ）の含有量が１重
量％未満の場合はレジスト残渣除去性が低下する傾向に
ある。他方、９４重量％を超える場合は、他成分の含有
量が減るためレジスト残渣除去性が得られない傾向にあ
る。
【００３０】水（Ｃ）は組成物中に５〜８５重量％の割
合で含有されることが好ましく、より好ましくは５〜６
０重量％であり、さらに好ましくは５〜４０重量％であ
る。水の含有量が５重量％未満の場合はレジスト残渣に
対する除去性が得られにくくなる傾向にある。他方、８
５重量％を超える場合は、他成分の含有量が減るため、
レジスト残渣除去性と、金属配線材料に対する防食性が
両立できない傾向にある。
合で含有されることが好ましく、より好ましくは５〜６
０重量％であり、さらに好ましくは５〜４０重量％であ
る。水の含有量が５重量％未満の場合はレジスト残渣に
対する除去性が得られにくくなる傾向にある。他方、８
５重量％を超える場合は、他成分の含有量が減るため、
レジスト残渣除去性と、金属配線材料に対する防食性が
両立できない傾向にある。
【００３１】本発明のレジスト剥離用組成物には、水溶
性有機溶媒（Ｄ）が含有されてもよい。水溶性有機溶媒
（Ｄ）としては、次の化合物が用いられ得る：ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロ
ピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル（ＢＤＧ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭ
ＳＯ）、エチレングリコール、プロピレングリコールな
ど。
性有機溶媒（Ｄ）が含有されてもよい。水溶性有機溶媒
（Ｄ）としては、次の化合物が用いられ得る：ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロ
ピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル（ＢＤＧ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭ
ＳＯ）、エチレングリコール、プロピレングリコールな
ど。
【００３２】水溶性有機溶媒（Ｄ）の含有量は、特に限
定されない。上記化合物（Ａ）、有機アミン（Ｂ）、水
（Ｃ）、および必要に応じてさらに含有される防食剤の
残部が水溶性有機溶媒（Ｄ）であり得る。
定されない。上記化合物（Ａ）、有機アミン（Ｂ）、水
（Ｃ）、および必要に応じてさらに含有される防食剤の
残部が水溶性有機溶媒（Ｄ）であり得る。
【００３３】必要に応じてさらに含有される防食剤とし
ては、アルミニウムや銅に対する当業者が通常用いる防
食剤、例えば、１、２、３−ベンゾトリアゾール、２−
メルカプトベンゾイミダゾール、２、３−ジヒドロキシ
ナフタレン、２−メルカプトベンゾイミダゾール、Ｄ−
ソルビトール、安息香酸などが挙げられる。
ては、アルミニウムや銅に対する当業者が通常用いる防
食剤、例えば、１、２、３−ベンゾトリアゾール、２−
メルカプトベンゾイミダゾール、２、３−ジヒドロキシ
ナフタレン、２−メルカプトベンゾイミダゾール、Ｄ−
ソルビトール、安息香酸などが挙げられる。
【００３４】上記化合物（Ａ）、有機アミン（Ｂ）、水
（Ｃ）および必要に応じて水溶性有機溶媒（Ｄ）を含有
する本発明のレジスト剥離用組成物は、基板上からレジ
スト残渣を剥離するのに用いられる。
（Ｃ）および必要に応じて水溶性有機溶媒（Ｄ）を含有
する本発明のレジスト剥離用組成物は、基板上からレジ
スト残渣を剥離するのに用いられる。
【００３５】次に、半導体基板または液晶用ガラス基板
を用いて半導体素子を作製する場合を例に挙げ、本発明
の組成物の使用方法を説明する。例えば、基材上にＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどによりＡｌ合金などの金属膜や
ＳｉＯ2などの絶縁膜を形成する。次いで、その上にフ
ォトレジストを成膜しフォトマスクを載置して露光し、
現像などの処理を行い、パターン形成を行なう。パター
ン形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして
金属薄膜をエッチングする。その後、アッシングにより
レジストを灰化する。灰化した際に残留するレジスト残
渣を、本発明の組成物を用いて剥離・除去する。具体的
には、灰化後の基板を、本発明の組成物に浸漬すること
により、フォトレジスト残渣が溶解もしくは剥離し、除
去される。浸漬温度は通常２４〜７５℃、浸漬時間は３
０秒〜３０分である。このようにして、表面に配線など
が形成された半導体素子が製造される。
を用いて半導体素子を作製する場合を例に挙げ、本発明
の組成物の使用方法を説明する。例えば、基材上にＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどによりＡｌ合金などの金属膜や
ＳｉＯ2などの絶縁膜を形成する。次いで、その上にフ
ォトレジストを成膜しフォトマスクを載置して露光し、
現像などの処理を行い、パターン形成を行なう。パター
ン形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして
金属薄膜をエッチングする。その後、アッシングにより
レジストを灰化する。灰化した際に残留するレジスト残
渣を、本発明の組成物を用いて剥離・除去する。具体的
には、灰化後の基板を、本発明の組成物に浸漬すること
により、フォトレジスト残渣が溶解もしくは剥離し、除
去される。浸漬温度は通常２４〜７５℃、浸漬時間は３
０秒〜３０分である。このようにして、表面に配線など
が形成された半導体素子が製造される。
【００３６】本発明のレジスト剥離用組成物を用いる
と、フォトレジスト残渣は、容易に基板表面から剥離
し、かつ形成されたＡｌ合金などの金属膜を腐食するこ
とがない。このような組成物を用いると精度の高いパタ
ーン化基板が形成される。
と、フォトレジスト残渣は、容易に基板表面から剥離
し、かつ形成されたＡｌ合金などの金属膜を腐食するこ
とがない。このような組成物を用いると精度の高いパタ
ーン化基板が形成される。
【００３７】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明の
特徴をより一層明確に説明する。本発明がこの実施例に
限定されないのはいうまでもない。
特徴をより一層明確に説明する。本発明がこの実施例に
限定されないのはいうまでもない。
【００３８】シリコン酸化膜上にＴｉ、さらにその上に
ＴｉＮ、さらにその上にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉを膜付けした
基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてＣ
ｌ２とＢＣｌ３を用いてドライエッチングし、続いて酸
素と水を用いてプラズマアッシングした時に配線側壁ま
たは上部に生成するレジスト残渣を剥離対象物としてレ
ジスト剥離用組成物を評価した。
ＴｉＮ、さらにその上にＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉを膜付けした
基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてＣ
ｌ２とＢＣｌ３を用いてドライエッチングし、続いて酸
素と水を用いてプラズマアッシングした時に配線側壁ま
たは上部に生成するレジスト残渣を剥離対象物としてレ
ジスト剥離用組成物を評価した。
【００３９】表１に示す剥離剤組成物の中に上述の対象
物を７０℃で１０分浸漬した後、２４℃の純水の中に１
分浸漬、さらに新たな２４℃の純水中に１分浸漬した
後、２４℃の純水シャワーにて１分水洗し、最後に窒素
ガスで乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて剥離
性（残渣除去性の程度）及びアルミニウムの腐食の程度
を観察し、比較を行った。結果を表１に示す。なお、表
１における剥離性およびアルミニウム防食性の評価は以
下の通りである。
物を７０℃で１０分浸漬した後、２４℃の純水の中に１
分浸漬、さらに新たな２４℃の純水中に１分浸漬した
後、２４℃の純水シャワーにて１分水洗し、最後に窒素
ガスで乾燥させた。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて剥離
性（残渣除去性の程度）及びアルミニウムの腐食の程度
を観察し、比較を行った。結果を表１に示す。なお、表
１における剥離性およびアルミニウム防食性の評価は以
下の通りである。
【００４０】
【表１】
【００４１】一般式（Ｉ）で示される化合物（Ａ）を含
有する実施例１〜５は、高いレジスト除去性とＡｌ防食
性とを有することが示されるが、化合物（Ａ）を含まな
い比較例１〜５は、プラズマアッシングにより変質を受
けたレジスト残渣物に対する剥離性が不十分であり、配
線材料に対する防食性も不十分であった。
有する実施例１〜５は、高いレジスト除去性とＡｌ防食
性とを有することが示されるが、化合物（Ａ）を含まな
い比較例１〜５は、プラズマアッシングにより変質を受
けたレジスト残渣物に対する剥離性が不十分であり、配
線材料に対する防食性も不十分であった。
【００４２】
【発明の効果】本発明の、一般式（Ｉ）で示される群よ
り選択される化合物（Ａ）を含有するレジスト剥離用組
成物、特に有機アミン（Ｂ）および水（Ｃ）を含有する
レジスト剥離用組成物は、プラズマアッシングにより変
質を受けたレジスト残渣物に対する剥離性に優れ、剥離
処理後の水リンスの際に金属配線材料が腐食することが
ない。本発明のレジスト剥離用組成物は、特に、半導体
または液晶用の電子回路などの製造工程などに好ましく
用いられ、配線形成時に生成するレジスト残渣が高性能
で除去され、しかも金属配線材料を腐食することがな
い。しかも、カテコールのような発癌性の疑いのある物
質を含有していないため、安全性にも優れている。
り選択される化合物（Ａ）を含有するレジスト剥離用組
成物、特に有機アミン（Ｂ）および水（Ｃ）を含有する
レジスト剥離用組成物は、プラズマアッシングにより変
質を受けたレジスト残渣物に対する剥離性に優れ、剥離
処理後の水リンスの際に金属配線材料が腐食することが
ない。本発明のレジスト剥離用組成物は、特に、半導体
または液晶用の電子回路などの製造工程などに好ましく
用いられ、配線形成時に生成するレジスト残渣が高性能
で除去され、しかも金属配線材料を腐食することがな
い。しかも、カテコールのような発癌性の疑いのある物
質を含有していないため、安全性にも優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 真紀 兵庫県龍野市龍野町中井236番地 ナガセ ケムテックス株式会社播磨工場内 (72)発明者 小谷 武 兵庫県龍野市龍野町中井236番地 ナガセ ケムテックス株式会社播磨工場内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA03
Claims (5)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示される群より選択
される少なくとも１種の化合物を含有する、レジスト剥
離用組成物： 【化１】 （式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ同一または異なってい
てもよい水素原子、低級アルキル基、水酸基、カルボキ
シル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子、またはアミノ基を表す）。 - 【請求項２】 （Ａ）一般式（Ｉ）で示される群より選
択される少なくとも１種の化合物、（Ｂ）有機アミン、
及び（Ｃ）水を含有する、請求項１に記載のレジスト剥
離用組成物。 - 【請求項３】 さらに水溶性有機溶媒（Ｄ）を含有す
る、請求項２に記載のレジスト剥離用組成物。 - 【請求項４】 前記Ｒ１およびＲ４の少なくとも一つが
水酸基である、請求項１から３のいずれかの項に記載の
レジスト剥離用組成物。 - 【請求項５】 前記（Ａ）一般式（Ｉ）で示される群よ
り選択される少なくとも１種の化合物がマルトール、も
しくはコウジ酸である、請求項１から４のいずれかの項
に記載のレジスト剥離用組成物。
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| JP2001152304A JP4692799B2 (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | レジスト剥離用組成物 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083581A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Meltex Inc. | Agent de liberation de reserve |
| WO2008105440A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2011059280A2 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 비수계 레지스트 박리액 조성물 |
| JP2012058602A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nagase Chemtex Corp | リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
| JP2016201515A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサの駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244386A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Nippon Hyomen Kagaku Kk | レジスト剥離液 |
| JP2007235144A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
-
2001
- 2001-05-22 JP JP2001152304A patent/JP4692799B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07244386A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Nippon Hyomen Kagaku Kk | レジスト剥離液 |
| JP2007235144A (ja) * | 2007-03-09 | 2007-09-13 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083581A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Meltex Inc. | Agent de liberation de reserve |
| JP4692497B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2011-06-01 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| WO2008105440A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2008216296A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Nagase Chemtex Corp | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| TWI413874B (zh) * | 2007-02-28 | 2013-11-01 | Nagase Chemtex Corp | 光阻剝離劑組成物 |
| WO2008140076A1 (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-20 | Nagase Chemtex Corporation | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP4716225B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2011-07-06 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| JP2008286881A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Nagase Chemtex Corp | フォトレジスト剥離剤組成物 |
| KR101420471B1 (ko) | 2007-05-15 | 2014-07-16 | 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제조성물 |
| WO2011059280A2 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-05-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 비수계 레지스트 박리액 조성물 |
| WO2011059280A3 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-10-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 비수계 레지스트 박리액 조성물 |
| JP2012058602A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Nagase Chemtex Corp | リン酸及び／又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
| JP2016201515A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサの駆動用電解液およびそれを用いた電解コンデンサ |
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