JP2012058602A - リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるリン酸及び/又はリン酸塩含有組成物におけるパーティクル数経時安定化方法であって、リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液に、マルトールを含有させる、パーティクル数経時安定化方法、及び、パーティクル数経時増加が抑制されたレジスト残渣剥離剤組成物。
【選択図】なし
Description
本発明の別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させたレジスト残渣剥離剤組成物である。
本発明のさらに別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化されたレジスト残渣剥離液を準備する工程、並びに、前記レジスト残渣剥離液用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上のレジスト残渣を剥離除去する工程、を含むレジスト残渣除去方法である。
本発明のさらに別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化された組成物を準備する工程、並びに、前記組成物を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上の膜をエッチングする工程、を含むエッチング方法である。
表1に示す組成物を作成し、ポアサイズが0.05μmのポリエチレン製フィルターを用いてろ過を行い、クリーンポリ容器(ポリエチレン製)に充填を行った。さらにクリーン容器に小分けを行い、リオン製液中パーティクルカウンターで液中パーテイクル数を測定し、初期パーティクル値とした。測定は粒径0.2μm以上の粒子数、0.3μm以上の粒子数、0.5μm以上の粒子数をそれぞれ求めた。例えば、実施例1において、初期パーティクル値は、0.2μm以上の粒子数が251個/mLであり、そのうち、0.3μm以上の粒子数が52個/mLであり、さらにそのうち、0.5μm以上の粒子が4個/mLであった。表中、DIW(Deionized water)は脱イオン水を意味する。
実施例1の結果を表2に示した。比較例1の結果を表3に示した。
Claims (10)
- リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液中の、パーティクルの経時的な粒子数増加を、該水溶液にマルトールを含有させることにより、抑制する、該水溶液のパーティクル数経時安定化方法。
- 0.2μm以上の粒径を有するパーティクル数を計測した計測値の経時増加が、マルトールを含有させることにより抑制される請求項1記載の方法。
- 粒径0.5μm以上のパーティクルの常温における30日経過後の粒子数増加率が100%以下である請求項2記載の方法。
- マルトールを0.001〜5重量%配合する請求項1〜3のいずれか記載の方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液は、レジスト残渣剥離剤組成物である請求項1〜4のいずれか記載の方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させたレジスト残渣剥離剤組成物。
- さらに、フッ化物を含有する、請求項6記載のレジスト残渣剥離剤組成物。
- マルトールの含有量が、0.001〜5重量%である請求項6又は7記載の組成物。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化されたレジスト残渣剥離液を準備する工程、並びに、前記レジスト残渣剥離液を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上のレジスト残渣を剥離除去する工程、を含むレジスト残渣除去方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化された組成物を準備する工程、並びに、前記組成物を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上の膜をエッチングする工程、を含むエッチング方法。
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