JP5709075B2 - リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 89
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 68
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 46
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 title claims description 34
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 title claims description 28
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 title claims description 28
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title claims description 7
- XPCTZQVDEJYUGT-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methyl-4-pyrone Chemical compound CC=1OC=CC(=O)C=1O XPCTZQVDEJYUGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- HYMLWHLQFGRFIY-UHFFFAOYSA-N Maltol Natural products CC1OC=CC(=O)C1=O HYMLWHLQFGRFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229940043353 maltol Drugs 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 inorganic alkalis Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Description
本発明の別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させたレジスト残渣剥離剤組成物である。
本発明のさらに別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化されたレジスト残渣剥離液を準備する工程、並びに、前記レジスト残渣剥離液用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上のレジスト残渣を剥離除去する工程、を含むレジスト残渣除去方法である。
本発明のさらに別の態様は、リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化された組成物を準備する工程、並びに、前記組成物を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上の膜をエッチングする工程、を含むエッチング方法である。
表1に示す組成物を作成し、ポアサイズが0.05μmのポリエチレン製フィルターを用いてろ過を行い、クリーンポリ容器(ポリエチレン製)に充填を行った。さらにクリーン容器に小分けを行い、リオン製液中パーティクルカウンターで液中パーテイクル数を測定し、初期パーティクル値とした。測定は粒径0.2μm以上の粒子数、0.3μm以上の粒子数、0.5μm以上の粒子数をそれぞれ求めた。例えば、実施例1において、初期パーティクル値は、0.2μm以上の粒子数が251個/mLであり、そのうち、0.3μm以上の粒子数が52個/mLであり、さらにそのうち、0.5μm以上の粒子が4個/mLであった。表中、DIW(Deionized water)は脱イオン水を意味する。
実施例1の結果を表2に示した。比較例1の結果を表3に示した。
Claims (10)
- リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液中の、パーティクルの経時的な粒子数増加を、該水溶液にマルトールを含有させることにより、抑制する、該水溶液のパーティクル数経時安定化方法。
- 0.2μm以上の粒径を有するパーティクル数を計測した計測値の経時増加が、マルトールを含有させることにより抑制される請求項1記載の方法。
- 粒径0.5μm以上のパーティクルの常温における30日経過後の粒子数増加率が100%以下である請求項2記載の方法。
- マルトールを0.001〜5重量%配合する請求項1〜3のいずれか記載の方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液は、レジスト残渣剥離剤組成物である請求項1〜4のいずれか記載の方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させたレジスト残渣剥離剤組成物。
- さらに、フッ化物を含有する、請求項6記載のレジスト残渣剥離剤組成物。
- マルトールの含有量が、0.001〜5重量%である請求項6又は7記載の組成物。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化されたレジスト残渣剥離液を準備する工程、並びに、前記レジスト残渣剥離液を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上のレジスト残渣を剥離除去する工程、を含むレジスト残渣除去方法。
- リン酸及び/又はリン酸塩と水とを含有し、さらにマルトールを含有させた、パーティクル数が経時安定化された組成物を準備する工程、並びに、前記組成物を用いて半導体基板上又は液晶用ガラス基板上の膜をエッチングする工程、を含むエッチング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010203488A JP5709075B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
TW100131231A TWI526521B (zh) | 2010-09-10 | 2011-08-31 | Phosphoric acid and / or phosphate aqueous solution, and a resist residue release agent composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010203488A JP5709075B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012058602A JP2012058602A (ja) | 2012-03-22 |
JP5709075B2 true JP5709075B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46055740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010203488A Active JP5709075B2 (ja) | 2010-09-10 | 2010-09-10 | リン酸及び/又はリン酸塩の水溶液のパーティクル数経時安定化方法及びレジスト残渣剥離剤組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5709075B2 (ja) |
TW (1) | TWI526521B (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3103360B2 (ja) * | 1990-02-09 | 2000-10-30 | 日本化学工業株式会社 | 高純度リン酸及びその製造方法 |
JPH04124008A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-24 | Fujitsu Ltd | ボイル燐酸の廃液処理方法 |
JPH08310804A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-26 | Fujitsu Ltd | りん酸の精製方法および半導体装置の製造方法 |
JP4692799B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2011-06-01 | ナガセケムテックス株式会社 | レジスト剥離用組成物 |
JP2004287288A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nagase Chemtex Corp | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 |
KR100672933B1 (ko) * | 2003-06-04 | 2007-01-23 | 삼성전자주식회사 | 세정 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법 |
JP2005070230A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Nagase Chemtex Corp | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 |
JP4655542B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-03-23 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物を用いたエッチング方法 |
JP5016201B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2012-09-05 | 日本化学工業株式会社 | 高純度リン酸の製造方法 |
JP4692497B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2011-06-01 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
JP4716225B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2011-07-06 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物 |
-
2010
- 2010-09-10 JP JP2010203488A patent/JP5709075B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-31 TW TW100131231A patent/TWI526521B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012058602A (ja) | 2012-03-22 |
TW201219546A (en) | 2012-05-16 |
TWI526521B (zh) | 2016-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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