JP2003098691A - レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 32
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 229920001795 coordination polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 claims description 11
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 8
- ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 4-[7-hydroxy-2-[5-[5-[6-hydroxy-6-(hydroxymethyl)-3,5-dimethyloxan-2-yl]-3-methyloxolan-2-yl]-5-methyloxolan-2-yl]-2,8-dimethyl-1,10-dioxaspiro[4.5]decan-9-yl]-2-methyl-3-propanoyloxypentanoic acid Chemical group C1C(O)C(C)C(C(C)C(OC(=O)CC)C(C)C(O)=O)OC11OC(C)(C2OC(C)(CC2)C2C(CC(O2)C2C(CC(C)C(O)(CO)O2)C)C)CC1 ZNBNBTIDJSKEAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 7
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine hydrochloride Chemical compound Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 claims description 4
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine group Chemical group NO AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- NYAMAEKVJAAPKC-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound ON.OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O NYAMAEKVJAAPKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NILJXUMQIIUAFY-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;nitric acid Chemical compound ON.O[N+]([O-])=O NILJXUMQIIUAFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LVWBCSKGNSTMNO-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;oxalic acid Chemical compound ON.OC(=O)C(O)=O LVWBCSKGNSTMNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYYHQASRTSDPOD-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;phosphoric acid Chemical compound ON.OP(O)(O)=O HYYHQASRTSDPOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 claims description 3
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 32
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 30
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 41
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 5
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- -1 specifically Chemical group 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWFFJNQBEYNXQF-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)-N-methoxypropanamide Chemical compound C(CC)(=O)N(OC)CCO DWFFJNQBEYNXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000003840 hydrochlorides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SWTFBLUIBHXOAH-UHFFFAOYSA-N n-butylhydroxylamine Chemical compound CCCCNO SWTFBLUIBHXOAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDUIPQNXOQMTBF-UHFFFAOYSA-N n-ethylhydroxylamine Chemical compound CCNO VDUIPQNXOQMTBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N n-methylhydroxylamine Chemical compound CNO CPQCSJYYDADLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XEZLAJRZQNKEOJ-UHFFFAOYSA-N n-pentylhydroxylamine Chemical compound CCCCCNO XEZLAJRZQNKEOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OMXHKVKIKSASRV-UHFFFAOYSA-N n-propylhydroxylamine Chemical compound CCCNO OMXHKVKIKSASRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000004817 pentamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
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- C11D2111/14—Hard surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストだけでなくポリマーのようなエッチ
ング副産物の除去力に優れ、下部膜を損傷させず、脱イ
オン水リンス後に残査及び残留物が残らないように適当
な粘度を有する組成物を提供する。 【解決手段】 アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアル
カンアミドと、膨潤剤とを含み、必要に応じて双極子モ
ーメントが３以上の極性物質、損傷防止剤及びアルカノ
ールアミンからなる群より選択される一以上の化合物を
さらに含むことを特徴とするレジスト除去用組成物であ
る。
ング副産物の除去力に優れ、下部膜を損傷させず、脱イ
オン水リンス後に残査及び残留物が残らないように適当
な粘度を有する組成物を提供する。 【解決手段】 アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアル
カンアミドと、膨潤剤とを含み、必要に応じて双極子モ
ーメントが３以上の極性物質、損傷防止剤及びアルカノ
ールアミンからなる群より選択される一以上の化合物を
さらに含むことを特徴とするレジスト除去用組成物であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト及びエッチ
ング副産物除去用組成物及びこれを利用したレジストま
たはエッチング副産物除去方法に関する。
ング副産物除去用組成物及びこれを利用したレジストま
たはエッチング副産物除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造するための多様な工
程、例えば乾式エッチング工程またはイオン注入工程な
どを実施した後には、マスクとして使われたレジストパ
ターンを除去しなければならない。また、レジストパタ
ーンがミスアラインされた場合にも新しいレジストパタ
ーンを形成するためにこれを除去しなければならない。
程、例えば乾式エッチング工程またはイオン注入工程な
どを実施した後には、マスクとして使われたレジストパ
ターンを除去しなければならない。また、レジストパタ
ーンがミスアラインされた場合にも新しいレジストパタ
ーンを形成するためにこれを除去しなければならない。
【０００３】レジスト除去工程の主要問題は、下部膜を
損傷させずにできるだけ速くレジスト及びエッチング副
産物などを基板表面から完全に除去できるかどうか、で
ある。一般に、レジスト除去工程は、アッシング工程の
ような乾式ストリッピング工程と、有機除去剤を使用す
る湿式ストリッピング工程との組合わせで進行される。
湿式ストリッピング工程は、乾式ストリッピング工程の
アッシング工程時に完全に除去されず残存するレジスト
や、エッチング副産物のような不純物を集積回路基板の
表面から除去することである。ここでエッチング副産物
とは、例えばタングステン、アルミニウム、銅、チタン
またはチタン窒化物で構成された断層もしくは多層配線
パターンなど様々なパターンを形成するためのエッチン
グ工程、これらの配線パターンを露出させるコンタクト
ホールもしくはビアホールを形成するためのエッチング
工程、または、アッシング工程時に生じる物質をいう。
損傷させずにできるだけ速くレジスト及びエッチング副
産物などを基板表面から完全に除去できるかどうか、で
ある。一般に、レジスト除去工程は、アッシング工程の
ような乾式ストリッピング工程と、有機除去剤を使用す
る湿式ストリッピング工程との組合わせで進行される。
湿式ストリッピング工程は、乾式ストリッピング工程の
アッシング工程時に完全に除去されず残存するレジスト
や、エッチング副産物のような不純物を集積回路基板の
表面から除去することである。ここでエッチング副産物
とは、例えばタングステン、アルミニウム、銅、チタン
またはチタン窒化物で構成された断層もしくは多層配線
パターンなど様々なパターンを形成するためのエッチン
グ工程、これらの配線パターンを露出させるコンタクト
ホールもしくはビアホールを形成するためのエッチング
工程、または、アッシング工程時に生じる物質をいう。
【０００４】除去されねばならない主要なエッチング副
産物としては、プラズマエッチングまたは反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）工程時にレジストパターンを構成
する炭素、水素、酸素などの成分と配線物質とがプラズ
マと反応して形成された有機ポリマー、エッチング工程
またはアッシング工程時に配線物質がレジストパターン
とコンタクトホールまたはビアホールとの側壁にバック
スパッタリングされて形成された有機金属性ポリマー、
および、配線パターン下部の絶縁膜がオーバーエッチン
グされつつバックスパッタリングされて形成された絶縁
物または金属性酸化物、などがある。
産物としては、プラズマエッチングまたは反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）工程時にレジストパターンを構成
する炭素、水素、酸素などの成分と配線物質とがプラズ
マと反応して形成された有機ポリマー、エッチング工程
またはアッシング工程時に配線物質がレジストパターン
とコンタクトホールまたはビアホールとの側壁にバック
スパッタリングされて形成された有機金属性ポリマー、
および、配線パターン下部の絶縁膜がオーバーエッチン
グされつつバックスパッタリングされて形成された絶縁
物または金属性酸化物、などがある。
【０００５】このようなレジストまたはエッチング副産
物を除去するための組成物（以下、除去用組成物とい
う）が、米国特許番号第６，２４２，４００号及び６，
２２１，８１８号に開示されている。これらに開示され
ている除去用組成物は、主要構成成分としてヒドロキシ
ルアミン（ＮＨ2ＯＨ）やモノエタノールアミンのよう
な塩基性アミン還元剤、極性溶媒、及び、カテコールの
ような有機酸を含むものである。
物を除去するための組成物（以下、除去用組成物とい
う）が、米国特許番号第６，２４２，４００号及び６，
２２１，８１８号に開示されている。これらに開示され
ている除去用組成物は、主要構成成分としてヒドロキシ
ルアミン（ＮＨ2ＯＨ）やモノエタノールアミンのよう
な塩基性アミン還元剤、極性溶媒、及び、カテコールの
ような有機酸を含むものである。
【０００６】しかしながら、従来の除去用組成物を構成
する塩基性アミン還元剤は、還元力が比較的弱いため
に、配線またはコンタクトホール形成時に生成されるエ
ッチング副産物（金属酸化物または有機金属性ポリマ
ー）を完全に除去できない。そこで、アッシング工程前
の前処理段階として、基板を硝酸溶液で処理する段階が
必要となる。
する塩基性アミン還元剤は、還元力が比較的弱いため
に、配線またはコンタクトホール形成時に生成されるエ
ッチング副産物（金属酸化物または有機金属性ポリマ
ー）を完全に除去できない。そこで、アッシング工程前
の前処理段階として、基板を硝酸溶液で処理する段階が
必要となる。
【０００７】加えて、従来の除去用組成物は主に有機成
分より構成されており、粘度が高いため、脱イオン水だ
けで基板をリンスしても組成物を完全に除去することが
できない問題がある。このような場合、基板に残存した
除去用組成物は、有機性汚染として作用する傾向があ
る。
分より構成されており、粘度が高いため、脱イオン水だ
けで基板をリンスしても組成物を完全に除去することが
できない問題がある。このような場合、基板に残存した
除去用組成物は、有機性汚染として作用する傾向があ
る。
【０００８】また従来の除去用組成物は、除去用組成物
に晒される下部膜、特に配線膜を腐食させやすく、配線
パターンのプロファイルを変形（例：アンダーカット形
成）させる可能性がある。したがって、イソプロピルア
ルコール（以下、ＩＰＡとも称する）のようなアルコー
ル系リンス剤を使用するリンス工程を追加で実施しなけ
ればならない。
に晒される下部膜、特に配線膜を腐食させやすく、配線
パターンのプロファイルを変形（例：アンダーカット形
成）させる可能性がある。したがって、イソプロピルア
ルコール（以下、ＩＰＡとも称する）のようなアルコー
ル系リンス剤を使用するリンス工程を追加で実施しなけ
ればならない。
【０００９】したがって、エッチング副産物であるポリ
マーの除去力を強化するために、アッシング前処理段階
として硝酸処理段階を実施したり、配線膜腐食を防止す
るために脱イオン水のリンス工程前にＩＰＡリンス工程
をさらに実施したりする必要がある。そのために、レジ
スト除去工程が複雑になり、工程時間が長くなり、生産
性が低下する問題がある。また、前処理物質（硝酸）及
び後処理物質（ＩＰＡ）を使用しなければならないため
に、生産コストが増大する。さらに前処理及び後処理を
実施するための槽（バス）をそれぞれ必要とするので、
レジスト除去装置が大型化してしまう。
マーの除去力を強化するために、アッシング前処理段階
として硝酸処理段階を実施したり、配線膜腐食を防止す
るために脱イオン水のリンス工程前にＩＰＡリンス工程
をさらに実施したりする必要がある。そのために、レジ
スト除去工程が複雑になり、工程時間が長くなり、生産
性が低下する問題がある。また、前処理物質（硝酸）及
び後処理物質（ＩＰＡ）を使用しなければならないため
に、生産コストが増大する。さらに前処理及び後処理を
実施するための槽（バス）をそれぞれ必要とするので、
レジスト除去装置が大型化してしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、レジ
ストだけでなく、上述した有機ポリマー、有機金属性ポ
リマー及び金属酸化物のようなエッチング副産物の除去
能力に優れ、下部膜に損傷を与えないだけでなく、リン
ス後に残査及び残留物が残らない特性を有する除去用組
成物を提供することである。
ストだけでなく、上述した有機ポリマー、有機金属性ポ
リマー及び金属酸化物のようなエッチング副産物の除去
能力に優れ、下部膜に損傷を与えないだけでなく、リン
ス後に残査及び残留物が残らない特性を有する除去用組
成物を提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、前記除去用組成物を
使用してレジストまたはエッチング副産物を除去する方
法を提供することである。
使用してレジストまたはエッチング副産物を除去する方
法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、レジスト
除去用組成物に、アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルア
ルカンアミドおよび膨潤剤を含ませることによって、レ
ジスト及びポリマー副産物の剥離及び溶解に非常に効果
的に作用することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
除去用組成物に、アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルア
ルカンアミドおよび膨潤剤を含ませることによって、レ
ジスト及びポリマー副産物の剥離及び溶解に非常に効果
的に作用することを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１３】すなわち本発明は以下のように構成され
る。 （１） アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンア
ミドと、膨潤剤とを含むことを特徴とするレジスト除去
用組成物。 （２） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカ
ンアミドは下記化学式（１）：
る。 （１） アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンア
ミドと、膨潤剤とを含むことを特徴とするレジスト除去
用組成物。 （２） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカ
ンアミドは下記化学式（１）：
【００１４】
【化３】
【００１５】（式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜５の
炭化水素基であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立し
て炭素数１〜５の炭化水素基である。）で示される、
（１）に記載の組成物。 （３） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカ
ンアミドの含量が、組成物全質量を基準として１０〜７
０質量％である、（１）または（２）に記載の組成物。 （４） 前記膨潤剤はヒドロキシルアミン塩である、
（１）〜（３）のいずれか一つに記載の組成物。 （５） 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシルアミ
ン硫酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキシルア
ミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン燐酸塩、ヒドロキシル
アミンシュウ酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸塩また
はこれらの混合物である、（４）に記載の組成物。 （６） 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシルアミ
ン硫酸塩である、（５）に記載の組成物。 （７） 前記膨潤剤の含量が、組成物全質量を基準とし
て０．０１〜３０質量％である、（１）〜（６）のいず
れか一つに記載の組成物。 （８） 双極子モーメントが３以上の極性物質をさらに
含む、（１）〜（７）のいずれか一つに記載の組成物。 （９） 前記極性物質は水、メタノールまたはジメチル
スルホキシドである、（８）に記載の組成物。 （１０） 前記極性物質の含量が、組成物全質量を基準
として０．０１〜６０質量％である、（８）または
（９）に記載の組成物。 （１１） 損傷防止剤をさらに含む、（１）〜（１０）
のいずれか一つに記載の組成物。 （１２） 前記損傷防止剤は、ベンゾトリアゾール、カ
テコール、没食子酸、または、酢酸、クエン酸、乳酸及
びコハク酸からなる群より選択される脂肪族カルボン酸
である、（１１）に記載の組成物。 （１３） 前記損傷防止剤はベンゾトリアゾールであ
る、（１２）に記載の組成物。 （１４） 前記損傷防止剤の含量が、組成物全質量を基
準として０．０１〜３０質量％である、（１１）〜（１
３）のいずれか一つに記載の組成物。 （１５） 下記化学式（２）：
炭化水素基であり、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立し
て炭素数１〜５の炭化水素基である。）で示される、
（１）に記載の組成物。 （３） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカ
ンアミドの含量が、組成物全質量を基準として１０〜７
０質量％である、（１）または（２）に記載の組成物。 （４） 前記膨潤剤はヒドロキシルアミン塩である、
（１）〜（３）のいずれか一つに記載の組成物。 （５） 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシルアミ
ン硫酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキシルア
ミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン燐酸塩、ヒドロキシル
アミンシュウ酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸塩また
はこれらの混合物である、（４）に記載の組成物。 （６） 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシルアミ
ン硫酸塩である、（５）に記載の組成物。 （７） 前記膨潤剤の含量が、組成物全質量を基準とし
て０．０１〜３０質量％である、（１）〜（６）のいず
れか一つに記載の組成物。 （８） 双極子モーメントが３以上の極性物質をさらに
含む、（１）〜（７）のいずれか一つに記載の組成物。 （９） 前記極性物質は水、メタノールまたはジメチル
スルホキシドである、（８）に記載の組成物。 （１０） 前記極性物質の含量が、組成物全質量を基準
として０．０１〜６０質量％である、（８）または
（９）に記載の組成物。 （１１） 損傷防止剤をさらに含む、（１）〜（１０）
のいずれか一つに記載の組成物。 （１２） 前記損傷防止剤は、ベンゾトリアゾール、カ
テコール、没食子酸、または、酢酸、クエン酸、乳酸及
びコハク酸からなる群より選択される脂肪族カルボン酸
である、（１１）に記載の組成物。 （１３） 前記損傷防止剤はベンゾトリアゾールであ
る、（１２）に記載の組成物。 （１４） 前記損傷防止剤の含量が、組成物全質量を基
準として０．０１〜３０質量％である、（１１）〜（１
３）のいずれか一つに記載の組成物。 （１５） 下記化学式（２）：
【００１６】
【化４】
【００１７】（式中、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜
５の炭化水素基であり、Ｒ6は炭素数１〜５の炭化水素
基である。）で示されるアルカノールアミンをさらに含
む、（１）〜（１４）のいずれか一つに記載の組成物。 （１６） 前記アルカノールアミンの含量が、組成物全
質量を基準として０．０１〜３０質量％である、（１
５）に記載の組成物。 （１７） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアル
カンアミド１０〜７０質量％と、前記膨潤剤としてヒド
ロキシルアミン塩０．０１〜３０質量％と、双極子モー
メントが３以上の極性物質０．０１〜６０質量％と、を
含む、（１）に記載の組成物。 （１８） ０．０１〜３０質量％の損傷防止剤をさらに
含む、（１７）に記載の組成物。 （１９） ０．０１〜３０質量％のアルカノールアミン
をさらに含む、（１７）に記載の組成物。 （２０） フォトレジスト、有機ポリマーまたは有機金
属性ポリマーを除去することを特徴とする、（１）〜
（１９）のいずれか一つに記載の組成物。 （２１） レジスト膜が形成されている基板を提供する
段階と、前記基板を（１）〜（２０）のいずれか一つに
記載のレジスト除去用組成物と接触させて前記基板から
前記レジスト膜を除去する段階と、を含むことを特徴と
するレジスト除去方法。
５の炭化水素基であり、Ｒ6は炭素数１〜５の炭化水素
基である。）で示されるアルカノールアミンをさらに含
む、（１）〜（１４）のいずれか一つに記載の組成物。 （１６） 前記アルカノールアミンの含量が、組成物全
質量を基準として０．０１〜３０質量％である、（１
５）に記載の組成物。 （１７） 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアル
カンアミド１０〜７０質量％と、前記膨潤剤としてヒド
ロキシルアミン塩０．０１〜３０質量％と、双極子モー
メントが３以上の極性物質０．０１〜６０質量％と、を
含む、（１）に記載の組成物。 （１８） ０．０１〜３０質量％の損傷防止剤をさらに
含む、（１７）に記載の組成物。 （１９） ０．０１〜３０質量％のアルカノールアミン
をさらに含む、（１７）に記載の組成物。 （２０） フォトレジスト、有機ポリマーまたは有機金
属性ポリマーを除去することを特徴とする、（１）〜
（１９）のいずれか一つに記載の組成物。 （２１） レジスト膜が形成されている基板を提供する
段階と、前記基板を（１）〜（２０）のいずれか一つに
記載のレジスト除去用組成物と接触させて前記基板から
前記レジスト膜を除去する段階と、を含むことを特徴と
するレジスト除去方法。
【００１８】本発明のレジスト除去用組成物は、レジス
ト除去力に優れるだけでなく上述した有機ポリマー、有
機金属性ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング副
産物を効果的に除去できる。また、除去用組成物に露出
される下部膜を損傷させることがなく、かつ脱イオン水
でリンスするのに適当な粘度を有しているため、残査及
び有機性残膜などが残留しない。
ト除去力に優れるだけでなく上述した有機ポリマー、有
機金属性ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング副
産物を効果的に除去できる。また、除去用組成物に露出
される下部膜を損傷させることがなく、かつ脱イオン水
でリンスするのに適当な粘度を有しているため、残査及
び有機性残膜などが残留しない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るレジストまた
はエッチング副産物除去用組成物（以下、単に除去用組
成物ともいう）及びこれを利用したレジストまたはエッ
チング副産物除去方法について詳細に説明する。なお本
明細書で使用する「質量％」は、各構成要素の比重を１
と仮定して計算した値である。
はエッチング副産物除去用組成物（以下、単に除去用組
成物ともいう）及びこれを利用したレジストまたはエッ
チング副産物除去方法について詳細に説明する。なお本
明細書で使用する「質量％」は、各構成要素の比重を１
と仮定して計算した値である。
【００２０】以下、本発明において用いられる「レジス
ト」という用語は、フォトレジストだけではなく、エッ
チング副産物及びその他の高分子物質を含むものとす
る。本発明において「エッチング副産物」とは、上述し
たように、プラズマエッチングまたは反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）工程時にレジストパターンを構成する
炭素、水素、酸素などの成分と配線物質とがプラズマと
反応して形成された有機ポリマー、エッチング工程また
はアッシング工程時に配線物質がレジストパターンとコ
ンタクトホールまたはビアホールとの側壁にバックスパ
ッタリングされて形成された有機金属性ポリマー、およ
び、配線パターン下部の絶縁膜がオーバーエッチングさ
れつつバックスパッタリングされて形成された絶縁物ま
たは金属性酸化物、などを含むものである。また、本発
明において「他の高分子」とは、半導体素子または平板
ディスプレー素子製造時に適用されるフォトレジスト以
外の有機高分子物質、例えばポリイミド物質などを含む
ものである。さらに本発明において「レジスト除去用組
成物」とは、フォトレジストだけではなく、前記エッチ
ング副産物及びその他の高分子物質を除去するための組
成物のことをいう。
ト」という用語は、フォトレジストだけではなく、エッ
チング副産物及びその他の高分子物質を含むものとす
る。本発明において「エッチング副産物」とは、上述し
たように、プラズマエッチングまたは反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）工程時にレジストパターンを構成する
炭素、水素、酸素などの成分と配線物質とがプラズマと
反応して形成された有機ポリマー、エッチング工程また
はアッシング工程時に配線物質がレジストパターンとコ
ンタクトホールまたはビアホールとの側壁にバックスパ
ッタリングされて形成された有機金属性ポリマー、およ
び、配線パターン下部の絶縁膜がオーバーエッチングさ
れつつバックスパッタリングされて形成された絶縁物ま
たは金属性酸化物、などを含むものである。また、本発
明において「他の高分子」とは、半導体素子または平板
ディスプレー素子製造時に適用されるフォトレジスト以
外の有機高分子物質、例えばポリイミド物質などを含む
ものである。さらに本発明において「レジスト除去用組
成物」とは、フォトレジストだけではなく、前記エッチ
ング副産物及びその他の高分子物質を除去するための組
成物のことをいう。
【００２１】本発明のレジスト除去用組成物は、アルコ
キシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドと、膨潤剤
とを含むことを特徴とする。
キシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドと、膨潤剤
とを含むことを特徴とする。
【００２２】本発明においてアルコキシＮ−ヒドロキシ
アルキルアルカンアミドは、好ましくは、下記化学式
（１）で示される構造を有するアルコキシＮ−ヒドロキ
シアルキルアルカンアミドである。
アルキルアルカンアミドは、好ましくは、下記化学式
（１）で示される構造を有するアルコキシＮ−ヒドロキ
シアルキルアルカンアミドである。
【００２３】
【化５】
【００２４】式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜５
のアルキル基であり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して炭
素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ4は炭素数１〜５
のアルキル基である。
のアルキル基であり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して炭
素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ4は炭素数１〜５
のアルキル基である。
【００２５】Ｒ1及びＲ4における前記炭素数１〜５のア
ルキル基としては、直鎖状、分岐状または環状のアルキ
ル基を含み、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブ
チル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、シクロペンチル基などが挙げられ、好ましく
は、メチル基である。
ルキル基としては、直鎖状、分岐状または環状のアルキ
ル基を含み、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブ
チル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−
ブチル基、シクロブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペン
チル基、シクロペンチル基などが挙げられ、好ましく
は、メチル基である。
【００２６】Ｒ2およびＲ3における前記炭素数１〜５の
アルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基が挙げら
れ、好ましくはエチレン基である。
アルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基が挙げら
れ、好ましくはエチレン基である。
【００２７】このようなアルコキシＮ−ヒドロキシアル
キルアルカンアミドとして具体的には、Ｒ1は水素原子
であり、Ｒ2およびＲ3はエチレン基であり、Ｒ4はメチ
ル基である化合物が、レジスト及びポリマー副産物の剥
離及び溶解に非常に効果的に作用し得るため好ましい。
キルアルカンアミドとして具体的には、Ｒ1は水素原子
であり、Ｒ2およびＲ3はエチレン基であり、Ｒ4はメチ
ル基である化合物が、レジスト及びポリマー副産物の剥
離及び溶解に非常に効果的に作用し得るため好ましい。
【００２８】以上説明したようなアルコキシＮ−ヒドロ
キシアルキルアルカンアミドを含む本発明のレジスト除
去用組成物は、次のようなメカニズムによりレジストお
よびエッチング副産物などを効果的に除去するものと考
えられる。
キシアルキルアルカンアミドを含む本発明のレジスト除
去用組成物は、次のようなメカニズムによりレジストお
よびエッチング副産物などを効果的に除去するものと考
えられる。
【００２９】まず、前記アルコキシＮ−ヒドロキシアル
キルアルカンアミドは、水酸基（−ＯＨ）、アルコキシ
ル基（−ＯＲ4）及びカルボニル基を含むものであり、
これらの基が、レジスト及びポリマー副産物の剥離及び
溶解に非常に効果的に作用していると考えられる。
キルアルカンアミドは、水酸基（−ＯＨ）、アルコキシ
ル基（−ＯＲ4）及びカルボニル基を含むものであり、
これらの基が、レジスト及びポリマー副産物の剥離及び
溶解に非常に効果的に作用していると考えられる。
【００３０】さらに前記アルコキシＮ−ヒドロキシアル
キルアルカンアミドは、下記反応式１のように有機金属
性ポリマーなどと反応して基板表面から有機金属性ポリ
マーなどを容易に除去する。
キルアルカンアミドは、下記反応式１のように有機金属
性ポリマーなどと反応して基板表面から有機金属性ポリ
マーなどを容易に除去する。
【００３１】
【化６】
【００３２】反応式１中、Ｍｐは有機金属性ポリマーを
示す。
示す。
【００３３】本発明の除去用組成物において、前記アル
コキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドの含量
は、組成物全質量を基準として好ましくは１０〜７０質
量％、より好ましくは３５〜５０質量％である。前記ア
ルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドの含量
が１０質量％未満の場合、添加効果が低くなる恐れがあ
り、一方で７０質量％を超過する場合、添加量に見合っ
た効果が得られない恐れがある。
コキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドの含量
は、組成物全質量を基準として好ましくは１０〜７０質
量％、より好ましくは３５〜５０質量％である。前記ア
ルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドの含量
が１０質量％未満の場合、添加効果が低くなる恐れがあ
り、一方で７０質量％を超過する場合、添加量に見合っ
た効果が得られない恐れがある。
【００３４】本発明の除去用組成物において前記膨潤剤
とは、膨潤作用及び還元作用を有する物質であればよい
が、好ましくはヒドロキシルアミン塩である。当該ヒド
ロキシルアミン塩としては、ヒドロキシルアミン硫酸
塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキシルアミン硝
酸塩、ヒドロキシルアミン燐酸塩、ヒドロキシルアミン
シュウ酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸塩またはこれ
らの混合物が挙げられ、これらはいずれも優れた膨潤作
用及び還元作用を有するため好ましい。なかでも特に、
ヒドロキシルアミン硫酸塩がより優れた膨潤作用及び還
元作用を有するため好ましい。また、炭素数１〜５のア
ルキル基が置換されたヒドロキシルアミン塩、例えばＮ
−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシル
アミン、Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ−ブチル
ヒドロキシルアミン、Ｎ−ペンチルヒドロキシルアミン
などの硫酸塩、塩酸塩、硝酸塩、燐酸塩、シュウ酸塩ま
たはクエン酸塩なども使用可能である。
とは、膨潤作用及び還元作用を有する物質であればよい
が、好ましくはヒドロキシルアミン塩である。当該ヒド
ロキシルアミン塩としては、ヒドロキシルアミン硫酸
塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキシルアミン硝
酸塩、ヒドロキシルアミン燐酸塩、ヒドロキシルアミン
シュウ酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸塩またはこれ
らの混合物が挙げられ、これらはいずれも優れた膨潤作
用及び還元作用を有するため好ましい。なかでも特に、
ヒドロキシルアミン硫酸塩がより優れた膨潤作用及び還
元作用を有するため好ましい。また、炭素数１〜５のア
ルキル基が置換されたヒドロキシルアミン塩、例えばＮ
−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシル
アミン、Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ−ブチル
ヒドロキシルアミン、Ｎ−ペンチルヒドロキシルアミン
などの硫酸塩、塩酸塩、硝酸塩、燐酸塩、シュウ酸塩ま
たはクエン酸塩なども使用可能である。
【００３５】本発明において上述したようなヒドロキシ
ルアミン塩は、膨潤作用及び還元作用によりポリマー副
産物の除去力を向上させる作用がある。一方、ヒドロキ
シルアミン塩溶液は、レジスト除去用組成物の粘度を、
脱イオン水で除去し易い粘度にすることができる。脱イ
オン水で除去容易な粘度とは、具体的には２０ｃｐ以下
であることが好ましい。
ルアミン塩は、膨潤作用及び還元作用によりポリマー副
産物の除去力を向上させる作用がある。一方、ヒドロキ
シルアミン塩溶液は、レジスト除去用組成物の粘度を、
脱イオン水で除去し易い粘度にすることができる。脱イ
オン水で除去容易な粘度とは、具体的には２０ｃｐ以下
であることが好ましい。
【００３６】本発明の除去用組成物において、前記膨潤
剤の含量は、組成物全質量を基準として好ましくは０．
０１〜３０質量％、より好ましくは６〜１３質量％であ
る。前記膨潤剤の含量が０．０１質量％未満の場合、添
加効果が低くなる恐れがあり、一方で３０質量％を超過
する場合、添加量に見合った効果が得られない恐れがあ
る。
剤の含量は、組成物全質量を基準として好ましくは０．
０１〜３０質量％、より好ましくは６〜１３質量％であ
る。前記膨潤剤の含量が０．０１質量％未満の場合、添
加効果が低くなる恐れがあり、一方で３０質量％を超過
する場合、添加量に見合った効果が得られない恐れがあ
る。
【００３７】本発明の除去用組成物は、必要に応じて、
双極子モーメントが３以上の極性物質、損傷防止剤、お
よび、アルカノールアミンからなる群より選択される一
以上の化合物をさらに含むことができる。以下、それぞ
れについて説明する。
双極子モーメントが３以上の極性物質、損傷防止剤、お
よび、アルカノールアミンからなる群より選択される一
以上の化合物をさらに含むことができる。以下、それぞ
れについて説明する。
【００３８】前記双極子モーメントが３以上の極性物質
は、交差結合されたポリマー及びレジストに対して高い
溶解度を示す。すなわち、本発明の除去用組成物にこの
ような極性物質をさらに添加することによって、レジス
トパターンの側壁及び露出された下部膜表面に強く結合
しているポリマーを効果的に除去でき、レジストも容易
に除去できる。
は、交差結合されたポリマー及びレジストに対して高い
溶解度を示す。すなわち、本発明の除去用組成物にこの
ような極性物質をさらに添加することによって、レジス
トパターンの側壁及び露出された下部膜表面に強く結合
しているポリマーを効果的に除去でき、レジストも容易
に除去できる。
【００３９】前記双極子モーメントが３以上の極性物質
として具体的には、水、メタノールまたはジメチルスル
ホキシドが挙げられ、いずれも本発明において好ましく
使用でき、より好ましくは水である。
として具体的には、水、メタノールまたはジメチルスル
ホキシドが挙げられ、いずれも本発明において好ましく
使用でき、より好ましくは水である。
【００４０】前記双極子モーメントが３以上の極性物質
の含量は、組成物全質量を基準として好ましくは０．０
１〜６０質量％、より好ましくは２５〜４５質量％であ
る。前記極性物質の含量が０．０１質量％未満の場合、
添加効果が低くなる恐れがあり、一方で６０質量％を超
過する場合、添加量に見合った効果が得られない恐れが
ある。
の含量は、組成物全質量を基準として好ましくは０．０
１〜６０質量％、より好ましくは２５〜４５質量％であ
る。前記極性物質の含量が０．０１質量％未満の場合、
添加効果が低くなる恐れがあり、一方で６０質量％を超
過する場合、添加量に見合った効果が得られない恐れが
ある。
【００４１】前記損傷防止剤は、集積回路基板の表面に
露出している配線膜の腐食または損傷を防止する作用を
有する。その作用を説明すると、集積回路基板の表面に
露出している配線パターンの表面の大部分には、金属性
酸化膜が形成されることが多い。これら金属性酸化膜が
還元剤と反応して金属イオンに転換すると、損傷防止剤
がこの金属イオンとキレート反応を起こしてキレート化
合物を形成する。その結果、露出している金属配線パタ
ーンの表面が安定したキレート化合物で覆われた状態に
なるので、配線パターンの腐食または損傷を効果的に防
止することができる。さらに前記損傷防止剤は、上記腐
食または損傷防止効果に加えて、有機金属性ポリマーに
対する溶解剤としても機能するため、本発明において好
ましく使用される。
露出している配線膜の腐食または損傷を防止する作用を
有する。その作用を説明すると、集積回路基板の表面に
露出している配線パターンの表面の大部分には、金属性
酸化膜が形成されることが多い。これら金属性酸化膜が
還元剤と反応して金属イオンに転換すると、損傷防止剤
がこの金属イオンとキレート反応を起こしてキレート化
合物を形成する。その結果、露出している金属配線パタ
ーンの表面が安定したキレート化合物で覆われた状態に
なるので、配線パターンの腐食または損傷を効果的に防
止することができる。さらに前記損傷防止剤は、上記腐
食または損傷防止効果に加えて、有機金属性ポリマーに
対する溶解剤としても機能するため、本発明において好
ましく使用される。
【００４２】前記損傷防止剤としては、芳香族化合物や
脂肪族カルボン酸化合物が適している。具体的には、芳
香族化合物として、ベンゾトリアゾール、カテコールま
たは没食子酸が好ましく、脂肪族カルボン酸化合物とし
て、酢酸、クエン酸、乳酸またはコハク酸が好ましい。
このうちベンゾトリアゾールが損傷防止剤として最も好
ましい。
脂肪族カルボン酸化合物が適している。具体的には、芳
香族化合物として、ベンゾトリアゾール、カテコールま
たは没食子酸が好ましく、脂肪族カルボン酸化合物とし
て、酢酸、クエン酸、乳酸またはコハク酸が好ましい。
このうちベンゾトリアゾールが損傷防止剤として最も好
ましい。
【００４３】前記損傷防止剤の含量は、組成物全質量を
基準として好ましくは０．０１〜３０質量％、より好ま
しくは１〜１５質量％である。前記損傷防止剤の含量が
０．０１質量％未満の場合、添加効果が低くなる恐れが
あり、一方で３０質量％を超過する場合、添加量に見合
った効果が得られない恐れがある。
基準として好ましくは０．０１〜３０質量％、より好ま
しくは１〜１５質量％である。前記損傷防止剤の含量が
０．０１質量％未満の場合、添加効果が低くなる恐れが
あり、一方で３０質量％を超過する場合、添加量に見合
った効果が得られない恐れがある。
【００４４】また、前記アルカノールアミンを本発明の
除去用組成物にさらに添加することによって、上述した
ような有機ポリマーまたは有機金属性ポリマーの除去力
を効果的に向上させることができる。
除去用組成物にさらに添加することによって、上述した
ような有機ポリマーまたは有機金属性ポリマーの除去力
を効果的に向上させることができる。
【００４５】前記アルカノールアミンとしては、下記化
学式２で示される炭素数１〜１０のモノアルカノールア
ミンが最も適している。
学式２で示される炭素数１〜１０のモノアルカノールア
ミンが最も適している。
【００４６】
【化７】
【００４７】式中、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜５
の炭化水素基であり、Ｒ6は炭素数１〜５の二価の炭化
水素基である。Ｒ5における前記炭素数１〜５の炭化水
素基としては、前記化学式１のＲ1およびＲ4の説明にお
いて列挙した炭化水素基と同様であるので記載を省略す
る。Ｒ5として好ましくは、水素原子である。なお、上
記アルカノールアミンだけでなく、モノアルカノールア
ミン、ジアルカノールアミンまたはトリアルカノールア
ミンも使用可能である。
の炭化水素基であり、Ｒ6は炭素数１〜５の二価の炭化
水素基である。Ｒ5における前記炭素数１〜５の炭化水
素基としては、前記化学式１のＲ1およびＲ4の説明にお
いて列挙した炭化水素基と同様であるので記載を省略す
る。Ｒ5として好ましくは、水素原子である。なお、上
記アルカノールアミンだけでなく、モノアルカノールア
ミン、ジアルカノールアミンまたはトリアルカノールア
ミンも使用可能である。
【００４８】Ｒ6における二価の炭素数１〜５の炭化水
素としては、前記化学式１のＲ2およびＲ3の説明におい
て列挙した二価の炭化水素基と同様であるので記載を省
略する。Ｒ6として好ましくはエチレン基である。
素としては、前記化学式１のＲ2およびＲ3の説明におい
て列挙した二価の炭化水素基と同様であるので記載を省
略する。Ｒ6として好ましくはエチレン基である。
【００４９】化学式（２）で示されるアルカノールアミ
ンとして具体的には、Ｒ5が水素原子であり、Ｒ6がエチ
レン基であるモノエタノールアミンであり、本発明にお
いて好ましく用いられる。
ンとして具体的には、Ｒ5が水素原子であり、Ｒ6がエチ
レン基であるモノエタノールアミンであり、本発明にお
いて好ましく用いられる。
【００５０】前記アルカノールアミンの含量は、組成物
全質量を基準として好ましくは０．０１〜３０質量％、
より好ましくは１〜１０質量％である。前記アルカノー
ルアミンの含量が０．０１質量％未満の場合、添加効果
が低くなる恐れがあり、一方で３０質量％を超過する場
合、添加量に見合った効果が得られない恐れがある。
全質量を基準として好ましくは０．０１〜３０質量％、
より好ましくは１〜１０質量％である。前記アルカノー
ルアミンの含量が０．０１質量％未満の場合、添加効果
が低くなる恐れがあり、一方で３０質量％を超過する場
合、添加量に見合った効果が得られない恐れがある。
【００５１】本発明のレジスト除去用組成物は、レジス
ト除去力に優れるだけでなく、上述した有機ポリマー、
有機金属性ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング
副産物を効果的に除去できる。また、除去用組成物に露
出される下部膜を損傷させることがなく、かつ脱イオン
水でリンスするのに適当な粘度を有しているため、残査
及び有機性残膜などが残留しない。
ト除去力に優れるだけでなく、上述した有機ポリマー、
有機金属性ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング
副産物を効果的に除去できる。また、除去用組成物に露
出される下部膜を損傷させることがなく、かつ脱イオン
水でリンスするのに適当な粘度を有しているため、残査
及び有機性残膜などが残留しない。
【００５２】下記表１に、本発明のレジスト除去用組成
物の各成分の組み合わせおよび質量比を規定した、好ま
しい実施形態１〜８を示す。
物の各成分の組み合わせおよび質量比を規定した、好ま
しい実施形態１〜８を示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】上記実施形態１〜８のレジスト除去用組成
物は、上記のように成分を組み合わせることによって、
レジストに加えて、上述した有機ポリマー、有機金属性
ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング副産物を効
果的に除去できる。また好ましくは上記表１に記載の質
量範囲（より好ましくはカッコ内に記載の範囲）で各成
分を混合することによって、除去用組成物に露出される
下部膜、例えば配線に対する損傷を最小化することがで
き、かつ脱イオン水でリンスするのに適当な粘度にする
ことができる。
物は、上記のように成分を組み合わせることによって、
レジストに加えて、上述した有機ポリマー、有機金属性
ポリマー及び金属酸化物のようなエッチング副産物を効
果的に除去できる。また好ましくは上記表１に記載の質
量範囲（より好ましくはカッコ内に記載の範囲）で各成
分を混合することによって、除去用組成物に露出される
下部膜、例えば配線に対する損傷を最小化することがで
き、かつ脱イオン水でリンスするのに適当な粘度にする
ことができる。
【００５５】上述した実施形態のなかでも、より好まし
くは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた場合の
実施形態２のレジスト除去用組成物であり、さらにより
好ましくは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた
場合の実施形態５のレジスト除去用組成物であり、最も
好ましくは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた
場合の実施形態８のレジスト除去組成物であり、レジス
ト及びポリマー除去力が最も優れ、レジスト下部膜とし
て金属膜がある場合に金属膜を損傷させず、脱イオン水
で完全に除去することができ、残査及び有機性残膜を残
さない、という長所がある。
くは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた場合の
実施形態２のレジスト除去用組成物であり、さらにより
好ましくは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた
場合の実施形態５のレジスト除去用組成物であり、最も
好ましくは膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩を用いた
場合の実施形態８のレジスト除去組成物であり、レジス
ト及びポリマー除去力が最も優れ、レジスト下部膜とし
て金属膜がある場合に金属膜を損傷させず、脱イオン水
で完全に除去することができ、残査及び有機性残膜を残
さない、という長所がある。
【００５６】損傷防止剤を含まない実施形態１、２、４
および６は、配線膜など、除去用組成物により損傷しう
る物質が除去用組成物に晒されない場合には他の損傷防
止剤を含む除去用組成物と同じ効果を示す。また、双極
子モーメントが３以上の極性物質を含まない実施形態
１、３、４および７は、除去されねばならないポリマー
の量が極少量である場合、またはポリマー除去の前処理
工程を実施した場合には他の組成物と同じ効果を示しう
る。同じく、除去されねばならないポリマーの量が極少
量である場合、アルカノールアミンを含まない実施形態
１、２、３および５も他の実施形態と同様の効果を示し
うる。したがって、本発明の除去用組成物は、除去され
るレジストやポリマー等の種類、量に応じて、適切な組
成を選択することが好ましい。
および６は、配線膜など、除去用組成物により損傷しう
る物質が除去用組成物に晒されない場合には他の損傷防
止剤を含む除去用組成物と同じ効果を示す。また、双極
子モーメントが３以上の極性物質を含まない実施形態
１、３、４および７は、除去されねばならないポリマー
の量が極少量である場合、またはポリマー除去の前処理
工程を実施した場合には他の組成物と同じ効果を示しう
る。同じく、除去されねばならないポリマーの量が極少
量である場合、アルカノールアミンを含まない実施形態
１、２、３および５も他の実施形態と同様の効果を示し
うる。したがって、本発明の除去用組成物は、除去され
るレジストやポリマー等の種類、量に応じて、適切な組
成を選択することが好ましい。
【００５７】上述したように本発明のレジスト除去用組
成物は、レジスト除去力が優秀なだけでなく、上述した
有機ポリマー、有機金属性ポリマー及び金属酸化物のよ
うなエッチング副産物を容易に除去できる。これに加え
て本発明の除去用組成物は、レジスト除去用組成物に露
出される下部膜、例えば配線膜を損傷させず、かつ、脱
イオン水で完全に除去されて基板に残留しない。その
上、本発明の除去用組成物は、既存の除去用組成物を構
成する物質に比べて、コストの低い化合物で構成されて
いるため、経済面での長所がある。
成物は、レジスト除去力が優秀なだけでなく、上述した
有機ポリマー、有機金属性ポリマー及び金属酸化物のよ
うなエッチング副産物を容易に除去できる。これに加え
て本発明の除去用組成物は、レジスト除去用組成物に露
出される下部膜、例えば配線膜を損傷させず、かつ、脱
イオン水で完全に除去されて基板に残留しない。その
上、本発明の除去用組成物は、既存の除去用組成物を構
成する物質に比べて、コストの低い化合物で構成されて
いるため、経済面での長所がある。
【００５８】一方、本発明の除去用組成物は、ポリマー
除去力に優れるため、半導体素子または平板ディスプレ
ー素子製造時に適用されるフォトレジスト以外の有機高
分子物質、例えばポリイミド物質を除去するための工程
にも有用に適用できる。
除去力に優れるため、半導体素子または平板ディスプレ
ー素子製造時に適用されるフォトレジスト以外の有機高
分子物質、例えばポリイミド物質を除去するための工程
にも有用に適用できる。
【００５９】レジスト除去方法
本発明のレジスト除去用組成物を使用してレジストを除
去する段階を、図１を参照して説明する。図１は、本発
明のレジスト除去用組成物を用いてレジストまたはエッ
チング副産物を除去する方法を示すフローチャートであ
る。
去する段階を、図１を参照して説明する。図１は、本発
明のレジスト除去用組成物を用いてレジストまたはエッ
チング副産物を除去する方法を示すフローチャートであ
る。
【００６０】まず写真工程を通じてレジストパターンを
形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして
使用して半導体素子を完成するための様々な工程、例え
ば、エッチング（乾式または湿式）工程またはイオン注
入工程などを実施する。
形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして
使用して半導体素子を完成するための様々な工程、例え
ば、エッチング（乾式または湿式）工程またはイオン注
入工程などを実施する。
【００６１】次いでレジストパターンが形成された基板
に対して乾式ストリッピング工程としてアッシング工程
を実施する（１００）。次に本発明のレジスト除去用組
成物と接触させてレジスト、ポリマー及び有機金属性ポ
リマーを除去する湿式ストリッピング工程を実施する
（１１０）。レジスト除去用組成物と接触させる方法
は、レジスト除去用組成物をバスに仕込んだ後、ここに
基板を浸漬して接触させる方法や、レジスト除去用組成
物を基板上にスプレーして接触させる方法が挙げられる
がこれらに限定されない。好ましくは、浸漬して接触さ
せる方法する方法である。
に対して乾式ストリッピング工程としてアッシング工程
を実施する（１００）。次に本発明のレジスト除去用組
成物と接触させてレジスト、ポリマー及び有機金属性ポ
リマーを除去する湿式ストリッピング工程を実施する
（１１０）。レジスト除去用組成物と接触させる方法
は、レジスト除去用組成物をバスに仕込んだ後、ここに
基板を浸漬して接触させる方法や、レジスト除去用組成
物を基板上にスプレーして接触させる方法が挙げられる
がこれらに限定されない。好ましくは、浸漬して接触さ
せる方法する方法である。
【００６２】本発明のレジスト除去用組成物を使用する
場合、レジスト除去段階は７０℃以下の低温で実施する
ことが好ましく、より好ましくは常温〜７０℃、さらに
より好ましくは４５〜７０℃の温度である。接触時間は
特には限定されないが、１０〜３０分が適当である。
場合、レジスト除去段階は７０℃以下の低温で実施する
ことが好ましく、より好ましくは常温〜７０℃、さらに
より好ましくは４５〜７０℃の温度である。接触時間は
特には限定されないが、１０〜３０分が適当である。
【００６３】本発明のレジスト除去用組成物により除去
されうるレジストは、既存のｉ−ライン（３６５ｎｍ）
用レジスト及びＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）
用レジストだけでなく、ＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）用レジストまたはＦ 2エキシマレーザー（１５
７ｎｍ）のように短波長露光源用レジストにも適用可能
である。
されうるレジストは、既存のｉ−ライン（３６５ｎｍ）
用レジスト及びＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）
用レジストだけでなく、ＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）用レジストまたはＦ 2エキシマレーザー（１５
７ｎｍ）のように短波長露光源用レジストにも適用可能
である。
【００６４】レジスト除去が完了した後、基板表面に残
留するレジスト除去用組成物及び溶解したレジストをリ
ンスする段階を実施する（１２０）。当該リンスは、特
には限定されないが、好ましくは脱イオン水を使用して
実施し、必要に応じて２段階で実施する。最後に基板を
スピンドライ法またはイソプロピルアルコールを使用す
る乾燥法で乾燥させて基板表面に残っている脱イオン水
を除去する（１３０）。
留するレジスト除去用組成物及び溶解したレジストをリ
ンスする段階を実施する（１２０）。当該リンスは、特
には限定されないが、好ましくは脱イオン水を使用して
実施し、必要に応じて２段階で実施する。最後に基板を
スピンドライ法またはイソプロピルアルコールを使用す
る乾燥法で乾燥させて基板表面に残っている脱イオン水
を除去する（１３０）。
【００６５】乾燥段階１３０まで完了した基板は次の工
程へ移送される。後続工程で再びレジストを使用する場
合には、目的とする工程が完了した後、再び図１の工程
を経て使われたレジストを除去する。このように単位工
程とレジスト除去工程とを繰り返し行うことによって、
半導体素子を完成する。
程へ移送される。後続工程で再びレジストを使用する場
合には、目的とする工程が完了した後、再び図１の工程
を経て使われたレジストを除去する。このように単位工
程とレジスト除去工程とを繰り返し行うことによって、
半導体素子を完成する。
【００６６】以上説明したように、本発明のレジスト除
去用組成物はレジスト除去力だけでなく上述した有機ポ
リマー、有機金属性ポリマー及び金属酸化物の除去力が
優秀である。したがって本発明の除去用組成物を、従来
の有機ストリッパーで十分に除去されない副産物が生成
し得る工程に適用することによって、レジスト除去前処
理段階を省略することができる。また本発明の除去用組
成物を適用することによって、レジスト下部膜の損傷を
防止し、残査及び有機性残膜を残さないので、レジスト
除去後処理段階も省略することができる。したがって、
従来の除去工程に比べて非常に単純化した工程でレジス
トを完全に除去でき、さらに、レジスト除去装置におい
て、レジスト除去前処理段階及び後処理段階に必要なバ
ス等が必要ないためにレジスト除去装置を単純化するこ
とができる。さらに前処理及び後処理段階に使われる物
質（例：硝酸及びＩＰＡ）が必要ないので、半導体素子
の生産性を顕著に向上させうる。
去用組成物はレジスト除去力だけでなく上述した有機ポ
リマー、有機金属性ポリマー及び金属酸化物の除去力が
優秀である。したがって本発明の除去用組成物を、従来
の有機ストリッパーで十分に除去されない副産物が生成
し得る工程に適用することによって、レジスト除去前処
理段階を省略することができる。また本発明の除去用組
成物を適用することによって、レジスト下部膜の損傷を
防止し、残査及び有機性残膜を残さないので、レジスト
除去後処理段階も省略することができる。したがって、
従来の除去工程に比べて非常に単純化した工程でレジス
トを完全に除去でき、さらに、レジスト除去装置におい
て、レジスト除去前処理段階及び後処理段階に必要なバ
ス等が必要ないためにレジスト除去装置を単純化するこ
とができる。さらに前処理及び後処理段階に使われる物
質（例：硝酸及びＩＰＡ）が必要ないので、半導体素子
の生産性を顕著に向上させうる。
【００６７】本発明に係るより詳細な内容は、以下の具
体的な実施例を通じて説明され、ここに記載されない内
容は当業者であれば十分に技術的に類推できるものであ
るので記載を省略する。
体的な実施例を通じて説明され、ここに記載されない内
容は当業者であれば十分に技術的に類推できるものであ
るので記載を省略する。
【００６８】
【実施例】本発明は以下に開示される実施例に限定され
るのではなく、相異なる多様な形で具現され得るもので
ある。従って以下の実施例は本発明の開示を完全にし、
当業者に発明の範囲を知らせるために提供されるもので
ある。一方、本明細書で使用されている単位「質量％」
は、各構成要素の比重を１と仮定して計算した値であ
る。
るのではなく、相異なる多様な形で具現され得るもので
ある。従って以下の実施例は本発明の開示を完全にし、
当業者に発明の範囲を知らせるために提供されるもので
ある。一方、本明細書で使用されている単位「質量％」
は、各構成要素の比重を１と仮定して計算した値であ
る。
【００６９】＜実施例１＞実施例１において、本発明の
相異なる組成のレジスト除去用組成物のポリマー除去力
を試験した。まず、本発明の除去用組成物を処理するた
めのウェーハを次のようにして用意した。まず、基板を
準備した。該基板上に、各々ＢＰＳＧ（Borophosphosil
icate glass）膜を５０００Åの厚さに形成した。次
に、得られたＢＰＳＧ膜上に、チタン膜とチタン窒化膜
とを各々２００Åの厚さに形成した後、これらの膜をア
ニーリングした。さらに該基板上にアルミニウム膜を６
０００Åの厚さに蒸着した後、該基板をフローさせた。
得られたアルミニウム膜上に、キャッピング層としてチ
タン窒化膜をさらに形成した後、層間絶縁膜を１０００
０Åの厚さに形成した。次に、得られた層間絶縁膜上に
ＡｒＦ用レジスト組成物を約０．３μｍの厚さにコーテ
ィングした。その後、得られた基板を１３０℃の温度で
９０秒間ソフトベーキングし、ＡｒＦエキシマレーザー
ステッパー（ＩＳＩ社製；ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）
を用いて露光した後、１２０℃の温度で９０秒間露光し
てからベーキングを実施した後、２．３８質量％テトラ
メチルアンモニア（ＴＭＡＨ）溶液を用いて約６０秒間
現像し、ビアホールを定義するレジストパターンを形成
した。得られたレジストパターンをマスクとして使用し
て緩衝化された酸化膜エッチング液で層間絶縁膜をエッ
チングし、大きさが４００〜５００μｍのビアホールを
形成し、試験用ウェーハを得た。得られた各ウェーハに
対してアッシング工程を実施し、該ウェーハを表２に示
されるようなそれぞれ異なる組成物が仕込まれている複
数の槽に浸漬した。なお、バスの温度は６０℃に維持さ
れた。２０分間浸漬した後、ウェーハを脱イオン水で５
分間リンス及び乾燥させた後、走査電子顕微鏡（以下、
ＳＥＭ）で結果物のレジストおよびポリマー除去程度を
確認した。結果を下記表２に示す。なお表２中、「ＨＡ
Ｓ」はヒドロキシルアミン硫酸塩、「ＭＨＰＡ」はメト
キシＮ−ヒドロキシエチルプロパンアミド、「ＢＴＡ」
はベンゾトリアゾール、「ＭＥＡ」はモノエタノールア
ミンの略称である。
相異なる組成のレジスト除去用組成物のポリマー除去力
を試験した。まず、本発明の除去用組成物を処理するた
めのウェーハを次のようにして用意した。まず、基板を
準備した。該基板上に、各々ＢＰＳＧ（Borophosphosil
icate glass）膜を５０００Åの厚さに形成した。次
に、得られたＢＰＳＧ膜上に、チタン膜とチタン窒化膜
とを各々２００Åの厚さに形成した後、これらの膜をア
ニーリングした。さらに該基板上にアルミニウム膜を６
０００Åの厚さに蒸着した後、該基板をフローさせた。
得られたアルミニウム膜上に、キャッピング層としてチ
タン窒化膜をさらに形成した後、層間絶縁膜を１０００
０Åの厚さに形成した。次に、得られた層間絶縁膜上に
ＡｒＦ用レジスト組成物を約０．３μｍの厚さにコーテ
ィングした。その後、得られた基板を１３０℃の温度で
９０秒間ソフトベーキングし、ＡｒＦエキシマレーザー
ステッパー（ＩＳＩ社製；ＮＡ＝０．６、σ＝０．７）
を用いて露光した後、１２０℃の温度で９０秒間露光し
てからベーキングを実施した後、２．３８質量％テトラ
メチルアンモニア（ＴＭＡＨ）溶液を用いて約６０秒間
現像し、ビアホールを定義するレジストパターンを形成
した。得られたレジストパターンをマスクとして使用し
て緩衝化された酸化膜エッチング液で層間絶縁膜をエッ
チングし、大きさが４００〜５００μｍのビアホールを
形成し、試験用ウェーハを得た。得られた各ウェーハに
対してアッシング工程を実施し、該ウェーハを表２に示
されるようなそれぞれ異なる組成物が仕込まれている複
数の槽に浸漬した。なお、バスの温度は６０℃に維持さ
れた。２０分間浸漬した後、ウェーハを脱イオン水で５
分間リンス及び乾燥させた後、走査電子顕微鏡（以下、
ＳＥＭ）で結果物のレジストおよびポリマー除去程度を
確認した。結果を下記表２に示す。なお表２中、「ＨＡ
Ｓ」はヒドロキシルアミン硫酸塩、「ＭＨＰＡ」はメト
キシＮ−ヒドロキシエチルプロパンアミド、「ＢＴＡ」
はベンゾトリアゾール、「ＭＥＡ」はモノエタノールア
ミンの略称である。
【００７０】
【表２】
【００７１】表２に記載の観察結果は、各ウェーハをＳ
ＥＭで観察した結果であって、残留するポリマー及びレ
ジストの相対的な量により評価したものである。表２
中、良好な状態（○）とは従来の有機ストリッパー（以
下Ａストリッパー）を使用する場合とほぼ類似した状態
であり、より良好な状態（◎）とは従来のＡストリッパ
ーを使用する場合より改善された状態であり、最も良好
な状態（(）とは従来のＡストリッパーを使用する場合
より顕著に改善された状態である。
ＥＭで観察した結果であって、残留するポリマー及びレ
ジストの相対的な量により評価したものである。表２
中、良好な状態（○）とは従来の有機ストリッパー（以
下Ａストリッパー）を使用する場合とほぼ類似した状態
であり、より良好な状態（◎）とは従来のＡストリッパ
ーを使用する場合より改善された状態であり、最も良好
な状態（(）とは従来のＡストリッパーを使用する場合
より顕著に改善された状態である。
【００７２】表２に記載されたように、本発明の除去用
組成物のレジスト及びポリマー除去力は、従来のＡスト
リッパーのレジスト及びポリマー除去力と同等かあるい
はさらに優秀なことが分かった。
組成物のレジスト及びポリマー除去力は、従来のＡスト
リッパーのレジスト及びポリマー除去力と同等かあるい
はさらに優秀なことが分かった。
【００７３】＜実施例２＞実施例２において、本発明の
レジスト除去用組成物の配線膜に対する損傷有無を試験
した。実施例２では、実施例１と同じ方法でビアホール
が形成された試験用ウェーハを用意し、下記表３に記載
の相異なる除去用組成物で処理した後、アンダーカット
のような配線膜の損傷有無を観察した。
レジスト除去用組成物の配線膜に対する損傷有無を試験
した。実施例２では、実施例１と同じ方法でビアホール
が形成された試験用ウェーハを用意し、下記表３に記載
の相異なる除去用組成物で処理した後、アンダーカット
のような配線膜の損傷有無を観察した。
【００７４】
【表３】
【００７５】表３から分かるように、本発明の除去用組
成物の多くが、配線膜に対するアンダーカットを全く生
じさせなかった。また微細なアンダーカットが生じたも
のもあるが、従来のＡストリッパーを使用する場合に比
べればその程度が非常に少なかった。一方、組成物にＭ
ＥＡとＢＴＡとが同時に含まれることがアンダーカット
発生防止に効果的であることが分かった。
成物の多くが、配線膜に対するアンダーカットを全く生
じさせなかった。また微細なアンダーカットが生じたも
のもあるが、従来のＡストリッパーを使用する場合に比
べればその程度が非常に少なかった。一方、組成物にＭ
ＥＡとＢＴＡとが同時に含まれることがアンダーカット
発生防止に効果的であることが分かった。
【００７６】＜実施例３＞実施例３において、本発明の
レジスト除去用組成物と、従来のＡストリッパー及び他
の従来の有機ストリッパー（以下、Ｂストリッパー）と
の、性能を比較した。
レジスト除去用組成物と、従来のＡストリッパー及び他
の従来の有機ストリッパー（以下、Ｂストリッパー）と
の、性能を比較した。
【００７７】実施例１と同じ方法で大きさが４００〜５
００μｍのビアホールが形成されたウェーハを用意し
た。該ウェーハにアッシング工程を実施し、その直後の
ビアホールの上面をＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真
を図２に示す。図２からわかるように、ビアホール上面
には多量のポリマーが残留していた。
００μｍのビアホールが形成されたウェーハを用意し
た。該ウェーハにアッシング工程を実施し、その直後の
ビアホールの上面をＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真
を図２に示す。図２からわかるように、ビアホール上面
には多量のポリマーが残留していた。
【００７８】続いて、アッシング工程後のウェーハを、
本発明の除去用組成物に６５℃で２０分間浸漬した後、
脱イオン水でリンス及び乾燥させた。その後、ビアホー
ルの上面及び断面をＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真
を図３Ａ（ビアホール上面）およびＢ（ビアホール断
面）に示す。
本発明の除去用組成物に６５℃で２０分間浸漬した後、
脱イオン水でリンス及び乾燥させた。その後、ビアホー
ルの上面及び断面をＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真
を図３Ａ（ビアホール上面）およびＢ（ビアホール断
面）に示す。
【００７９】一方、アッシング工程後のウェーハを、Ａ
ストリッパーおよびＢストリッパー各々に６５℃で２０
分間浸漬した後、脱イオン水でリンス及び乾燥させた。
Ａストリッパーで処理したビアホールの上面及び断面を
ＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真を図４Ａ（ビアホー
ル上面）およびＢ（ビアホール断面）に示す。同様に、
Ｂストリッパーで処理したビアホールの断面をＳＥＭで
撮影した。そのＳＥＭ写真を図５に示す。
ストリッパーおよびＢストリッパー各々に６５℃で２０
分間浸漬した後、脱イオン水でリンス及び乾燥させた。
Ａストリッパーで処理したビアホールの上面及び断面を
ＳＥＭで撮影した。そのＳＥＭ写真を図４Ａ（ビアホー
ル上面）およびＢ（ビアホール断面）に示す。同様に、
Ｂストリッパーで処理したビアホールの断面をＳＥＭで
撮影した。そのＳＥＭ写真を図５に示す。
【００８０】図３ＡおよびＢによれば、本発明の除去用
組成物を使用することによってポリマーが完全に除去さ
れ、アルミニウム配線膜にアンダーカットが全く生じな
いことが分かった。一方、図４ＡおよびＢによれば、Ａ
ストリッパーを使用すると、ポリマーが残存してアンダ
ーカットが多量に生じることが分かり、図５によれば、
Ｂストリッパーを使用すると、ポリマーが残存してアン
ダーカットが多量に生じることが分かった。
組成物を使用することによってポリマーが完全に除去さ
れ、アルミニウム配線膜にアンダーカットが全く生じな
いことが分かった。一方、図４ＡおよびＢによれば、Ａ
ストリッパーを使用すると、ポリマーが残存してアンダ
ーカットが多量に生じることが分かり、図５によれば、
Ｂストリッパーを使用すると、ポリマーが残存してアン
ダーカットが多量に生じることが分かった。
【００８１】＜実施例４＞実施例４において、本発明の
レジスト除去用組成物の金属膜に対する影響を試験し
た。金属ベアウェーハ上にチタン膜及びチタン窒化膜を
各々２００Åの厚さに形成したもの、および、金属ベア
ウェーハ上にタングステン膜を２０００Åの厚さに形成
したものの二種類の試料を用意した。表２に記載の組成
物５と同じ含量で構成成分を含むが、ＢＴＡの代わりに
カテコールを含む組成物５’を用意した。当該組成物
５’およびＡストリッパーに、上記２種類の試料をそれ
ぞれ６５℃で２０分間浸漬した後、各膜質のエッチング
程度を測定した。その結果、本発明に係る組成物５’を
使用した場合、チタン膜及びチタン窒化膜が１．１２
Å、タングステン膜が１８．６１Å程度エッチングされ
た。その一方、Ａストリッパーを使用した場合、チタン
膜及びチタン窒化膜が１１．８２Å、タングステン膜が
２７．４４Å程度エッチングされていた。したがって本
発明のレジスト除去用組成物は、金属膜の損傷を顕著に
改善できることが分かる。
レジスト除去用組成物の金属膜に対する影響を試験し
た。金属ベアウェーハ上にチタン膜及びチタン窒化膜を
各々２００Åの厚さに形成したもの、および、金属ベア
ウェーハ上にタングステン膜を２０００Åの厚さに形成
したものの二種類の試料を用意した。表２に記載の組成
物５と同じ含量で構成成分を含むが、ＢＴＡの代わりに
カテコールを含む組成物５’を用意した。当該組成物
５’およびＡストリッパーに、上記２種類の試料をそれ
ぞれ６５℃で２０分間浸漬した後、各膜質のエッチング
程度を測定した。その結果、本発明に係る組成物５’を
使用した場合、チタン膜及びチタン窒化膜が１．１２
Å、タングステン膜が１８．６１Å程度エッチングされ
た。その一方、Ａストリッパーを使用した場合、チタン
膜及びチタン窒化膜が１１．８２Å、タングステン膜が
２７．４４Å程度エッチングされていた。したがって本
発明のレジスト除去用組成物は、金属膜の損傷を顕著に
改善できることが分かる。
【００８２】
【発明の効果】本発明のレジスト除去用組成物はレジス
ト除去力が優秀なだけでなく、上述したような有機ポリ
マー、有機金属性ポリマーまたは金属酸化物のようなエ
ッチング副産物を効果的に除去できる。また、本発明の
レジスト除去用組成物に露出される下部膜を損傷させな
い。したがって本発明のレジスト除去用組成物を使用す
る場合にはポリマーなどの残留物を除去するためのレジ
スト除去の前処理段階及び下部膜の損傷を防止するため
の後処理段階が要らない。したがって、レジスト除去工
程を単純化して処理時間を短縮できる。そして、本発明
に係る組成物を使用するためのレジスト除去装置も単純
化及び軽量化できる。そして、本発明のレジスト除去用
組成物は脱イオン水リンスに適した粘度を有するのでレ
ジスト除去後に脱イオン水できれいにリンスできる。
ト除去力が優秀なだけでなく、上述したような有機ポリ
マー、有機金属性ポリマーまたは金属酸化物のようなエ
ッチング副産物を効果的に除去できる。また、本発明の
レジスト除去用組成物に露出される下部膜を損傷させな
い。したがって本発明のレジスト除去用組成物を使用す
る場合にはポリマーなどの残留物を除去するためのレジ
スト除去の前処理段階及び下部膜の損傷を防止するため
の後処理段階が要らない。したがって、レジスト除去工
程を単純化して処理時間を短縮できる。そして、本発明
に係る組成物を使用するためのレジスト除去装置も単純
化及び軽量化できる。そして、本発明のレジスト除去用
組成物は脱イオン水リンスに適した粘度を有するのでレ
ジスト除去後に脱イオン水できれいにリンスできる。
【図１】 本発明のレジスト除去用組成物を用いてレジ
ストまたはエッチング副産物を除去する方法を示すフロ
ーチャートである。
ストまたはエッチング副産物を除去する方法を示すフロ
ーチャートである。
【図２】 ビアホールを形成するための写真エッチング
工程を実施したウェーハに、アッシング工程を実施した
直後の、ビアホールの上面のＳＥＭ写真である。
工程を実施したウェーハに、アッシング工程を実施した
直後の、ビアホールの上面のＳＥＭ写真である。
【図３】 Ａは、本発明のレジスト除去用組成物で処理
してレジスト及びポリマーを除去した後のビアホール上
面のＳＥＭ写真であり、Ｂはその断面のＳＥＭ写真であ
る。
してレジスト及びポリマーを除去した後のビアホール上
面のＳＥＭ写真であり、Ｂはその断面のＳＥＭ写真であ
る。
【図４】 Ａは、従来のレジスト除去用組成物で処理し
てレジスト及びポリマーを除去した後のビアホール上面
のＳＥＭ写真であり、Ｂはその断面のＳＥＭ写真であ
る。
てレジスト及びポリマーを除去した後のビアホール上面
のＳＥＭ写真であり、Ｂはその断面のＳＥＭ写真であ
る。
【図５】 従来のレジスト除去用組成物で処理してレジ
スト及びポリマーを除去した後のビアホール断面のＳＥ
Ｍ写真である。
スト及びポリマーを除去した後のビアホール断面のＳＥ
Ｍ写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ１１Ｄ 7/60 Ｃ１１Ｄ 7/60
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ
21/3065 21/302 １０４Ｈ
(72)発明者 全 相 文
大韓民国京畿道城南市盆唐区九美洞211番
地 大林アパート110棟2502号
(72)発明者 黄 震 虎
大韓民国京畿道水原市八達区靈通洞1044−
１番地
(72)発明者 孫 一 現
大韓民国京畿道龍仁市器興邑農書里７−１
番地
(72)発明者 朴 相 五
大韓民国京畿道城南市盆唐区野塔洞147番
地 木蓮マウル鮮京アパート604棟606号
(72)発明者 田 弼 権
大韓民国ソウル特別市瑞草区瑞草１洞1436
−１番地 現代アパート20棟106号
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA03
4H003 BA12 DA15 DB03 EB03 EB04
EB07 EB08 EB14 EB17 EB20
EB21 ED02 ED28 ED31 FA04
5F004 AA09 BD01 FA08
5F046 MA02
Claims (21)
- 【請求項１】 アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアル
カンアミドと、膨潤剤とを含むことを特徴とするレジス
ト除去用組成物。 - 【請求項２】 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキル
アルカンアミドは下記化学式（１）： 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜５のアルキル
基であり、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して炭素数１〜５
のアルキレン基であり、Ｒ4は炭素数１〜５のアルキル
基である。）で示される、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキル
アルカンアミドの含量が、組成物全質量を基準として１
０〜７０質量％である、請求項１または２に記載の組成
物。 - 【請求項４】 前記膨潤剤はヒドロキシルアミン塩であ
る、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項５】 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシ
ルアミン硫酸塩、ヒドロキシルアミン塩酸塩、ヒドロキ
シルアミン硝酸塩、ヒドロキシルアミン燐酸塩、ヒドロ
キシルアミンシュウ酸塩、ヒドロキシルアミンクエン酸
塩またはこれらの混合物である、請求項４に記載の組成
物。 - 【請求項６】 前記ヒドロキシルアミン塩はヒドロキシ
ルアミン硫酸塩である、請求項５に記載の組成物。 - 【請求項７】 前記膨潤剤の含量が、組成物全質量を基
準として０．０１〜３０質量％である、請求項１〜６の
いずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項８】 双極子モーメントが３以上の極性物質を
さらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成
物。 - 【請求項９】 前記極性物質は水、メタノールまたはジ
メチルスルホキシドである、請求項８に記載の組成物。 - 【請求項１０】 前記極性物質の含量が、組成物全質量
を基準として０．０１〜６０質量％である、請求項８ま
たは９に記載の組成物。 - 【請求項１１】 損傷防止剤をさらに含む、請求項１〜
１０のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項１２】 前記損傷防止剤は、ベンゾトリアゾー
ル、カテコール、没食子酸、または、酢酸、クエン酸、
乳酸及びコハク酸からなる群より選択される脂肪族カル
ボン酸である、請求項１１に記載の組成物。 - 【請求項１３】 前記損傷防止剤はベンゾトリアゾール
である、請求項１２に記載の組成物。 - 【請求項１４】 前記損傷防止剤の含量が、組成物全質
量を基準として０．０１〜３０質量％である、請求項１
１〜１３のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項１５】 下記化学式（２）： 【化２】 （式中、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜５の炭化水素
基であり、Ｒ6は炭素数１〜５の炭化水素基である。）
で示されるアルカノールアミンをさらに含む、請求項１
〜１４のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項１６】 前記アルカノールアミンの含量が、組
成物全質量を基準として０．０１〜３０質量％である、
請求項１５に記載の組成物。 - 【請求項１７】 前記アルコキシＮ−ヒドロキシアルキ
ルアルカンアミド１０〜７０質量％と、 前記膨潤剤としてヒドロキシルアミン塩０．０１〜３０
質量％と、 双極子モーメントが３以上の極性物質０．０１〜６０質
量％と、を含む、請求項１に記載の組成物。 - 【請求項１８】 損傷防止剤０．０１〜３０質量％をさ
らに含む、請求項１７に記載の組成物。 - 【請求項１９】 アルカノールアミン０．０１〜３０質
量％をさらに含む、請求項１７に記載の組成物。 - 【請求項２０】 フォトレジスト、有機ポリマーまたは
有機金属性ポリマーを除去することを特徴とする、請求
項１〜１９のいずれか一項に記載の組成物。 - 【請求項２１】 レジスト膜が形成されている基板を提
供する段階と、 前記基板を請求項１〜２０のいずれか一項に記載のレジ
スト除去用組成物と接触させて前記基板から前記レジス
ト膜を除去する段階と、を含むことを特徴とするレジス
ト除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2001-049601 | 2001-08-17 | ||
| KR10-2001-0049601A KR100434491B1 (ko) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003098691A true JP2003098691A (ja) | 2003-04-04 |
| JP3940634B2 JP3940634B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=19713293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002165960A Expired - Fee Related JP3940634B2 (ja) | 2001-08-17 | 2002-06-06 | レジスト除去用組成物及びこれを利用したレジスト除去方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6713440B2 (ja) |
| JP (1) | JP3940634B2 (ja) |
| KR (1) | KR100434491B1 (ja) |
| CN (1) | CN1256629C (ja) |
| DE (1) | DE10237042B4 (ja) |
| FR (1) | FR2828746B1 (ja) |
| GB (1) | GB2381532B (ja) |
| SG (1) | SG128421A1 (ja) |
| TW (1) | TWI247976B (ja) |
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| KR101117987B1 (ko) * | 2005-06-07 | 2012-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조장치 및 방법 |
| JP2008060238A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP2149147A1 (en) * | 2007-05-14 | 2010-02-03 | Basf Se | Method for removing etching residues from semiconductor components |
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| KR20100070557A (ko) * | 2008-12-18 | 2010-06-28 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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- 2001-08-17 KR KR10-2001-0049601A patent/KR100434491B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-31 US US10/059,150 patent/US6713440B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 TW TW091103677A patent/TWI247976B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-21 SG SG200201673A patent/SG128421A1/en unknown
- 2002-03-28 CN CNB021083037A patent/CN1256629C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-06 JP JP2002165960A patent/JP3940634B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-07 GB GB0218357A patent/GB2381532B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-07 DE DE10237042A patent/DE10237042B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-14 FR FR0210330A patent/FR2828746B1/fr not_active Expired - Fee Related
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- 2003-12-19 US US10/739,203 patent/US7223721B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2381532A (en) | 2003-05-07 |
| US6713440B2 (en) | 2004-03-30 |
| US20040142836A1 (en) | 2004-07-22 |
| TWI247976B (en) | 2006-01-21 |
| CN1256629C (zh) | 2006-05-17 |
| FR2828746B1 (fr) | 2005-02-04 |
| JP3940634B2 (ja) | 2007-07-04 |
| GB2381532B (en) | 2004-02-18 |
| GB0218357D0 (en) | 2002-09-18 |
| CN1407409A (zh) | 2003-04-02 |
| US20030078174A1 (en) | 2003-04-24 |
| DE10237042A1 (de) | 2003-03-13 |
| FR2828746A1 (fr) | 2003-02-21 |
| DE10237042B4 (de) | 2007-02-01 |
| KR100434491B1 (ko) | 2004-06-05 |
| KR20030015716A (ko) | 2003-02-25 |
| US7223721B2 (en) | 2007-05-29 |
| SG128421A1 (en) | 2007-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040806 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060929 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |