JP2008177441A - 配線工程用レジストの剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのN−アルキル化体等のアミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行う。
【選択図】 なし
Description
[1]低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行うことを特徴とするレジストの剥離方法。
[2]アミンが、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのN−アルキル化体からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記[1]に記載のレジストの剥離方法。
[3]アミンがエチレンアミン類及びエタノールアミン類からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする上記[1]に記載のレジストの剥離方法。
MEA:モノエタノールアミン
H2SiF6:ケイフッ化水素酸
HBF4:ホウフッ化水素酸
BEE:2−(2−ブトキシエトキシ)エタノール
HPO:過酸化水素水
実施例1〜3及び比較例1〜5
以下に示す実施例、比較例において、レジスト膜の剥離性評価には、レジスト膜をマスクとしドライエッチングを行ったものを試料と用いた。また、低誘電率絶縁膜(SiOC)の腐食性評価にはシリコン上にプラズマCVDにて作製したSiOC膜を試料として用いた。
×:腐食が認められた
表1から明らかなとおり、本発明の方法によれば、低誘電率層間絶縁膜(SiOC)を腐食することなくレジストを除去できた。これに対し、比較例に示した方法ではレジストの剥離が不十分であった。また、レジスト除去を容易にするために、酸化剤による前処理を行った後レジスト剥離を行なうとSiOCに腐食が見られた。
Claims (3)
- 低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行うことを特徴とするレジストの剥離方法。
- アミンが、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのN−アルキル化体からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のレジストの剥離方法。
- アミンがエチレンアミン類及びエタノールアミン類からなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のレジストの剥離方法。
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