JP3679753B2 - レジスト剥離剤組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 66
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 37
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 7
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-4-one Chemical compound CN1CN(C)C(=O)C1 YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- HEBKCHPVOIAQTA-NGQZWQHPSA-N d-xylitol Chemical compound OC[C@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-NGQZWQHPSA-N 0.000 claims description 3
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 17
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 12
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUXJHBAJZQREDB-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutanamide Chemical compound CCC(C)C(N)=O XUXJHBAJZQREDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACBMYYVZWKYLIP-UHFFFAOYSA-N 2-methylheptan-2-ol Chemical compound CCCCCC(C)(C)O ACBMYYVZWKYLIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001720 carbohydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- CDQSTBHGKNNPSY-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylbutanamide Chemical compound CCCC(=O)N(CC)CC CDQSTBHGKNNPSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpropanamide Chemical compound CCC(=O)N(C)C MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- FIABMSNMLZUWQH-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methoxyacetate Chemical compound CCCOC(=O)COC FIABMSNMLZUWQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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Description
【発明の属する技術分野】
(発明の背景)
本発明は、大規模集積回路(LSI )、超大規模集積回路(VLSI)などの半導体素子を製造する工程内で、レジストを除去するために用いるレジスト剥離剤組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子の製造工程は、半導体基板上に形成された導電層上にレジストパターンを形成する工程、その後、前記パターンを除去用マスクとして用い前記パターンにより覆われていない導電層をエッチングする工程、これによって導電層パターンを形成するリソグラフィ工程を数十回使用する。マスクとして用いられたレジストパターンは、前記導電層パターン形成工程の後の除去工程で、レジスト剥離剤によって、導電層から除去されなければならない。しかし、最近の超大規模集積回路半導体製造においては、導電層パターンを形成するために乾式エッチング工程が行われるので、後続する剥離工程でレジストを除去することが難しくなった。
【0003】
乾式エッチング工程は、混酸の液状組成物を用いた湿式エッチング工程に置き換わるものであって、各種のプラズマエッチングガスと導電層のような各種の層の間の気相−固相反応を利用して、エッチング工程を実施する。乾式エッチングは、制御が容易でシャープなパターンを得ることができるので、最近のエッチング工程において主流となっている。しかし、乾式エッチングの工程中に各種プラズマエッチングガスに含まれる各種イオンやラジカルが、前記レジスト膜と、複雑な化学反応を起こしてレジストを急速に硬化させるため、レジストの除去が困難となる。特に、アルミニウム、アルミニウム合金および窒化チタンのような金属導電層の乾式エッチングの場合、変質し硬化したレジスト重合物が側壁部に発生し、これらを剥離工程で除去することは難しい。
【0004】
レジスト剥離剤として、各種有機アミン化合物と各種有機溶剤とを含む種々のレジスト剥離剤組成物が前記除去工程のために示唆されており、特に、モノエタノールアミン(MEA )を必須成分として含むレジスト剥離剤組成物は、最も広く用いられている。
【0005】
例えば、a)モノエタノールアミン(MEA )、2−(2−アミノエトキシ)エタノール(AEE )などの有機アミン化合物と、b)N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF )、N−メチルピロリドン(NMP )、ジメチルスルホキシド(DMSO)、カルビトールアセテート、メトキシアセトキシプロパン等の極性溶剤からなる2成分系レジスト剥離剤組成物(米国特許公報4,617,251号); a)モノエタノールアミン(MEA )、モノプロパノールアミン、メチルアミルエタノール等の有機アミン化合物と、b)N−メチルアセトアミド(Mac )、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF )、N,N−ジメチルプロピオンアミド、N,N−ジエチルブチルアミド、N−メチル−N−エチルプロピオンアミド等のアミド溶剤からなる2成分系レジスト剥離剤組成物(米国特許公報4,770,713号); a)モノエタノールアミン(MEA )のような有機アミン化合物と、b)1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI )、1,3−ジメチル−テトラヒドロピリミジノン等の非プロトン性極性溶剤類からなる2成分系レジスト剥離剤組成物(ドイツ特許公開公報3,828,513号); a)モノエタノールアミン(MEA )、ジエタノールアミン(DEA )、トリエタノールアミン(TEA )など及びエチレンジアミンのような各種アルカノールアミンのエチレンオキシド誘導型アルキレンポリアミン類と、b)スルホラン等のスルホン化合物と、c)ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールモノアルキルエーテルを特定比率で混合したレジスト剥離剤組成物(特開昭62−49355号); a)モノエタノールアミン(MEA )、ジエタノールアミン(DEA )等の水溶性アミンと、b)1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを含有したレジスト剥離剤組成物(特開昭63−208043号); a)モノエタノールアミン(MEA )、エチレンディアミン、ピペリジン、ベンジルアミン等のアミン類と、b)DMAc、NMP、DMSO等の極性溶剤と、c)界面活性剤からなるポジ形レジスト剥離剤組成物(特開昭63−231343号); a)モノエタノールアミン(MEA)のような含窒素有機ヒドロキシ化合物と、b)ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、γ−ブチロラクトン及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリノンから選択された1つ以上の溶剤、及びc)特定比率のDMSOを含むポジ形レジスト剥離剤組成物(特開昭64−42653号); a)モノエタノールアミン(MEA )等の有機アミン化合物と、b)ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、DMAc、NMP、DMSO等の非プロトン性極性溶剤と、c)リン酸エステル系界面活性剤を含むポジ形レジスト剥離剤組成物(特開平4−124668号); a)1,3−ジメチル−2−イミダゾリノン(DMI )と、b)ジメチルスルホキシド(DMSO)、及びc)モノエタノールアミン(MEA )のような有機アミン化合物を含有したレジスト剥離剤組成物(特開平4−350660号); そして、a)モノエタノールアミン(MEA )、b)DMSO、及びc)カテコールを含有したレジスト剥離剤組成物(特開平5−281753号)などが提案されており、このようなレジスト剥離剤組成物は安全性、作業性、レジスト剥離性能で比較的に優れた特成を示している。
【0006】
一方、最近の半導体素子製造工程の傾向の1つは、シリコンウエハーをはじめとする各種基板を高温で処理することであり、ハードベーク工程の温度条件を高温化している。しかし、これらのレジスト剥離剤は、高温でハードベークされたレジストを除去する能力が十分ではない。ハードベークされたレジストを除去するための組成物として、水を含有する水系レジスト剥離剤が提案されてきた。例えば、a)ヒドロキシルアミン類、b)アルカノールアミン類、c)水を含んだレジスト剥離剤組成物(特開平4−289866号;a)ヒドロキシルアミン類、b)アルカノールアミン類、c)水およびd)防蝕剤を含むレジスト剥離剤組成物(特開平6−266119号);a)GBL、DMF、DMAc、NMP等の極性溶剤類、b)2−メチルアミノエタノールのようなアミノアルコール類、c)水を含有したレジスト剥離剤組成物(特開平7−69618号);a)モノエタノールアミン(MEA )のようなアミノアルコール類、b)水、およびc)ブチルジグリコールを含有した剥離剤組成物(特開平8−123043号); a)アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類、b)グリコールモノアルキルエーテル、c)糖アルコール類、d)第4級水酸化アンモニウム、及びe)水を含有したレジスト剥離剤組成物(特開平8−262746号);a)モノエタノールアミン(MEA )またはAEEのうち1つ以上のアルカノールアミン、b)ヒドロキシルアミン、c)ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、d)糖類(ソルビトール)、及びe)水を含有した剥離剤組成物(特開平9−152721号);a)ヒドロキシルアミン類、b)水、c)酸解離定数(pKa )が7.5〜13であるアミン類、d)水溶性有機溶剤、およびe)防蝕剤を含むレジスト剥離剤組成物(特開平9−96911号)などが提案された。しかし、これらの剥離剤組成物も、超大規模集積回路製造に用いられる乾式エッチング又は灰化工程でプラズマガスに曝露されて変質した側壁レジスト重合物を十分に除去できないことが明らかになった。したがって、これらの問題を解決するような、乾式エッチング工程に使用できるレジスト剥離剤の開発が必要である。
【0007】
既述のように、乾式エッチング工程を経たレジストを一般的なレジスト剥離剤で除去することは難しい。レジストは、高い放射線量と高エネルギーイオンビームによる反応熱が主原因となって、レジストの表面が硬化する。同時に、レジストのポッピング(popping )現象が発生してレジスト残渣を生じる。通常、灰化処理する半導体ウエハーは、200℃以上の高温で加熱処理する。このとき、レジスト内部に残存する溶剤が気化して排出されなければならないが、灰化工程後のレジスト表面には硬化層が存在するため、これが不能となる。
【0008】
したがって、灰化が進むと共にレジスト膜内部の圧力が上昇し、内部に残存する溶剤によりレジスト膜表面が破裂する現象が生じるが、これをポッピング現象という。このようなポッピング現象によって飛散された表面硬化層は、残渣になって一般的な剥離剤組成物では除去することが難しい。このように変質したレジストは、残渣とパーティクルに変わってやはり汚染源となり、超大規模集積回路製造時に生産収率を低下させる原因となる。特に、レジストを除去するために剥離工程前に灰化工程を行なう場合、レジスト層が重大な問題となる程に変質して剥離工程で不良を発生する。
【0009】
前述したレジスト変質硬化層を除去するための多様なエッチング工程が提案されているが、その中の1つが2段階灰化法で、通常の灰化工程に続いて2次灰化を行なうことが、文献[藤村、日本春季応用物理学会予稿集1P−13、p574、1989]に記載されている。しかし、これらの工程は複雑で、多くの設備を要し、生産収率が落ちる。
【0010】
結局、これらの問題を解決するには、水系レジスト剥離剤組成物を用いる剥離工程を使う以外に方法がなく、その1つがヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、防蝕剤および水を含むレジスト剥離剤組成物であって、変質硬化したレジスト重合物に対して比較的有効な除去性能のために広く用いられている。しかし、この組成物は、64メガDRAM級以上の半導体生産ラインで使用される金属膜材料の腐蝕に起因して、重大な問題となるアンダーカット現象を生じさせる。そこで、これらの問題を補完する新たなレジスト剥離剤が要望されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
(発明の概要)
本発明の目的として提供されるレジスト剥離剤組成物は、乾式エッチングまたは灰化工程により変質硬化した側壁レジスト重合物ならびに前記工程における金属膜材料、特に窒化チタン膜材料、からエッチングされて生じた金属副産物によって生成されたものを、容易かつ迅速に除去することができ、下部金属膜材料の腐蝕を最少化することができる。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記技術的課題を達成するために、本発明が提供するレジスト剥離剤組成物は、(a)有機アミン化合物が3〜10重量%、(b)DMAc、DMF、DMI、NMPからなる群より選択された溶剤が30〜60重量%、(c)水が30〜60重量%、(d)カテコール、レゾルシンまたはこれらの混合物が1〜10重量%及び(e)炭素数が4〜6の直鎖多価アルコールが1〜10重量%含有される(但し、第四級アンモニウム水酸化物を含むものを除く)ことにある。
【0013】
本発明によるレジスト剥離剤組成物において、有機アミン化合物はアミノアルコール化合物を使用しており、アミノアルコール化合物はモノエタノールアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、及びモノイソプロパノールアミンからなる群より選択される。
【0014】
有機アミン化合物の含有量は3〜10重量%が好ましい。特に、有機アミン化合物の含有量が3重量%未満であると、乾式エッチングと灰化の工程により変質したレジスト重合物を完全に除去するのが難しく、含有量が10重量%を超えると、アルミニウムまたはアルミニウム合金のような下部金属膜材料が過度に腐食される。
【0015】
本発明によるレジスト剥離剤組成物において、DMAc、DMF、NMP、DMI等の溶剤の含有量は、30〜60重量%が好ましい。溶剤の含有量が30重量%未満であると、剥離したレジスト重合物に対する溶解能が低下し、含有量が60重量%を超えると、長時間使用時に、前記DMAc、DMF、DMI、NMP等の溶剤の低沸点特性により、成分変化によってレジスト溶解性能が低下するという問題がある。
【0016】
本発明によるレジスト剥離剤組成物において、成分の水はイオン交換樹脂を通じてろ過した純水が好ましいが、比抵抗が18MΩ以上であるイオン交換水(超純水)を用いることがより好ましい。
【0017】
水の含有量は、30〜60重量%が好ましい。水の含有量が30重量%未満であると、前記有機アミン化合物を活性化できずレジストを除去する能力が低下し、水の含有量が60重量%を超えると、(a)の有機アミン化合物と(b)DMAc、DMF、DMI、NMP等の溶剤の相対的含有量が減って、レジストを除去する能力が低下する。研究の結果、水の含有量は30〜60重量%が最も好ましいと確認された。
【0018】
本発明によるレジスト剥離剤組成物において、前記カテコール、レゾルシン又はこれらの混合物は、有機アミン化合物と水の水素イオンが反応して発生する水酸化イオンが、レジスト層と基板との間の接触面に効果的に浸透する機能を発揮する。また、前記カテコール、レゾルシン又はこれらの混合物は、レジスト剥離剤組成物から生成された水酸基による導電性の下部金属膜材料の腐食を防止する。
【0019】
カテコール、レゾルシンまたはこれらの混合物の含有量は、1〜10重量%が好ましい。カテコール、レゾルシン又はこれらの混合物の含有量が1重量%未満であると、下部金属膜材料の腐蝕が深化する問題点があり、10重量%を超えると、レジスト剥離剤組成物の粘度を上昇させて使用時の利便性を低下させる。
【0020】
本発明によるレジスト剥離剤組成物において、炭素数4〜6の直鎖多価アルコールの含有量は、1〜10重量%が好ましい。炭素数4〜6の直鎖多価アルコールの含有量が1重量%未満であると、窒化チタン膜材料に起因する側壁レジスト重合物の完全な除去が難しく、10重量%を超えると、アルミニウム及びアルミニウム合金のような下部金属膜材料に対する腐食性が過度になる問題点がある。有機アミン化合物だけでも本発明のレジスト剥離剤組成物にレジスト重合物除去性能を付与できるが、下部金属膜材料である窒化チタンの側面から発生する側壁レジスト重合物を完全に除去することはできない。
【0021】
研究の結果として判明したことは、炭素数4〜6の直鎖多価アルコールを前記有機アミン化合物に混合すると、窒化チタンの側面から発生する側壁レジスト重合物を除去できることである。
【0022】
更に、前記炭素数4〜6の直鎖多価アルコールとしては、D−キシリトール、ソルビトール、トレオゾル(threosol)などが好ましく、D−キシリトールがより好ましい。
【0023】
【発明の実施の形態】
(詳細な説明と好適実施形態)
以下、本発明を実施の形態により、さらに詳細に説明する。しかし、本発明の範囲は下記の実施形態に限られるわけではない。また、特に断らない限り、百分率および混合比は重量を基準にしたものである。
【0024】
本発明の実施例および比較例において、レジスト剥離剤組成物に対する性能評価を下記の方法によって実施した。
【0025】
(1)レジスト除去試験
試片Aの作製
8インチ(20.3cm)シリコンウエハー上に、アルミニウム合金および窒化チタン膜が下から各々800Å(80nm)及び150Å(15nm)沈着され、TEOSとFOX、そして再びTEOSをCVD(化学気相蒸着法)装置を用いて沈着した。汎用的に用いられるポジ形レジスト組成物(東進セミケム社の製品、商品名: DPR−i900)をスピンコートして、最終膜厚さを1.2μmとした。次に、ホットプレートでレジスト膜を110℃で90秒間プリベークした。レジスト膜上に所定のバイアホールパターンのマスクを配置させ、露光して2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)現像液で21℃、60秒間現像した後、ホットプレートでバイアホールパターンが形成された試片を、120℃、100秒間ハードベークした。前記試片に形成されたレジストパターンをマスクとして利用して、乾式エッチング装置でSF6/Cl2 混合ガスを乾式エッチングガス(日立製作所、モデル名: M318)として用いて、35秒間レジストパターンによって覆われていない下部の窒化チタン膜をエッチングした。その後、O2 プラズマを利用した灰化装置を使用し、レジストのほとんどを除去して試片を完成した。
【0026】
レジスト除去試験
試片Aを、温度70℃のレジスト剥離剤組成物に10分間浸漬した。続いて、試片をレジスト剥離剤組成物から取り出した後、イオン交換水で洗浄し、窒素ガスで乾燥した。ホールパターン断面の側壁表面にレジスト重合物が残留しているかどうかを、SEMで検査した。レジスト剥離性能を次のような基準に基づいて評価して、その結果を下記の表2に示した。
【0027】
○: バイアホールパターン側壁からレジスト残留物が完全に除去された場合
△: バイアホールパターン側壁からレジスト残留物は50%以上除去されたが、少量残っている場合
×: バイアホールパターン側壁からレジスト残留物がほとんど除去されていない場合
(2)金属膜材料腐食試験
試片Bの作製
試片Bを、前記試片Aと同一方法で作製した。
【0028】
金属膜材料腐食試験
試片Bを温度70℃のレジスト剥離剤組成物に、10及び20分ずつ各々浸漬させた。続いて、試片をレジスト剥離剤組成物から取り出した後、イオン交換水で洗浄し窒素ガスで乾燥した。パターン断面での下部金属膜材料にアンダーカット現象が発生したかどうかをSEMで検査した。腐蝕程度を次のような基準に基づいて評価し、その結果を下記の表3に示した。
【0029】
○: 下部金属膜材料にアンダーカット現象がない場合
△: 下部金属膜材料にアンダーカット現象が一部ある場合
×: 下部金属膜材料にアンダーカット現象が激しく現れた場合
実施例1〜4及び比較例1、2
各成分(a)〜(e)を表1に示した比率で混合して、実施例1〜4及び比較例1、2のレジスト剥離剤組成物を各々作製した。このようにして得たレジスト剥離剤組成物に対して、前述した(1)レジスト除去、及び(2)金属膜材料腐食の試験を実施し、その結果を下記の表2、3に示した。
【0030】
【表1】
【表2】
図1〜図3は走査電子顕微鏡(日立製作所製、モデル名; S−4100)写真であって、実施例1のレジスト剥離剤組成物のレジスト除去性能と比較例2のレジスト剥離剤組成物のそれを比較して示す。図1〜図3は、試片Aのレジスト剥離剤組成物温度70℃での試験結果を示す。
【0031】
図1はパターン断面構造の走査電子顕微鏡写真であって、アルミニウム合金金属膜1、窒化チタン膜2、テトラエチルオルト珪酸塩(TEOS:Tetraethyl orthosilicate )3、流動可能酸化物(FOX )4及びTEOS5 が順次に積層されている基板上に、レジストを塗布しバイアホールパターンを形成した後、乾式エッチング及び灰化の前の状態を示す。
【0032】
図2は走査電子顕微鏡写真であって、レジスト6の一部を除去するために図1のパターンを灰化した後の、比較例2のレジスト剥離剤組成物を使用した70℃レジスト剥離性能試験の結果を示す。
【0033】
図3は走査電子顕微鏡写真であって、レジスト6の一部を除去するために図1のパターンを灰化した後の、実施例1のレジスト剥離剤組成物を使用した70℃レジスト剥離性能試験の結果を示す。
【0034】
【表3】
【発明の効果】
上記したように、本発明によるレジスト剥離剤組成物は乾式エッチング、灰化およびイオン注入工程によって硬化したレジスト重合物および前記諸工程のうち、下部の金属膜材料に起因する金属性副産物によって変質した側壁レジスト重合物を、容易かつ迅速に除去することができる。また、本発明によるレジスト剥離剤組成物は、レジスト除去工程中、下部の金属配線、特にアルミニウム配線の腐蝕を最少化することができ、その後のリンス工程でイソプロピルアルコール、ジメチルスルホキシドのような有機溶剤を使用しなくとも、水のみでリンスできる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】走査電子顕微鏡(SEM)写真であって、アルミニウム合金金属膜(1) 、窒化チタン層(2) 、テトラエチルオルト珪酸塩(TEOS)(3) 、流動可能酸化物(FOX :Flowable Oxide)(4) 、テトラエチルオルト珪酸塩(TEOS)(5) が順次に積層されている基板上に、レジスト(6) を塗布してバイアホール(via hole)パターンを形成した後、乾式エッチング工程を行なって、灰化工程を行なう前の状態のパターン断面構造である。
【図2】SEM写真であって、前記パターンに灰化工程を行なってレジスト(6) の一部を除去した後、比較例2のレジスト剥離剤組成物を使用して70℃でレジスト剥離性能試験を行なった結果を示す。
【図3】SEM写真であって、前記パターンに灰化工程を行なってレジスト(6) の一部を除去した後、実施例1のレジスト剥離剤組成物を使用して70℃でレジスト剥離性能試験を行なった結果を示す。
【符号の説明】
1 アルミニウム合金金属膜
2 窒化チタン膜
3 テトラエチルオルト珪酸塩
4 流動可能酸化物
5 テトラエチルオルト珪酸塩
6 レジスト
Claims (4)
- (a)有機アミン化合物が3〜10重量%、(b)N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF )、1,3−ジメチル−2−イミダゾリノン(DMI )及びN−メチルピロリドン(NMP )からなる群から選ばれた溶剤が30〜60重量%、(c)水が30〜60重量%、(d)カテコール、レゾルシンまたはこれらの混合物が1〜10重量%及び(e)炭素数4〜6の直鎖多価アルコールが1〜10重量%含まれる(但し、第四級アンモニウム水酸化物を含むものを除く)レジスト剥離剤組成物。
- 前記有機アミン化合物は、アミノアルコール化合物である請求項1に記載のレジスト剥離剤組成物。
- 前記アミノアルコール化合物は、モノエタノールアミン、2−(2−アミノエトキシ)エタノール、モノイソプロパノールアミンからなる群より選択される請求項2に記載のレジスト剥離剤組成物。
- 前記直鎖多価アルコールが、D−キシリトールである請求項1に記載のレジスト剥離剤組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000022221A KR100360985B1 (ko) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 레지스트 스트리퍼 조성물 |
KR2000/22221 | 2000-04-26 | ||
PCT/KR2001/000692 WO2001082002A1 (en) | 2000-04-26 | 2001-04-25 | Resist stripper composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003532143A JP2003532143A (ja) | 2003-10-28 |
JP3679753B2 true JP3679753B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=19667052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001579032A Expired - Fee Related JP3679753B2 (ja) | 2000-04-26 | 2001-04-25 | レジスト剥離剤組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6774097B2 (ja) |
JP (1) | JP3679753B2 (ja) |
KR (1) | KR100360985B1 (ja) |
CN (1) | CN1220115C (ja) |
AU (1) | AU2001256797A1 (ja) |
TW (1) | TW508478B (ja) |
WO (1) | WO2001082002A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964192B1 (en) | 1997-12-02 | 2011-06-21 | Janssen Alzheimer Immunotherapy | Prevention and treatment of amyloidgenic disease |
US6455479B1 (en) * | 2000-08-03 | 2002-09-24 | Shipley Company, L.L.C. | Stripping composition |
JP3738996B2 (ja) | 2002-10-10 | 2006-01-25 | 東京応化工業株式会社 | ホトリソグラフィー用洗浄液および基板の処理方法 |
JP4698123B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2011-06-08 | ドウジン セミケム カンパニー リミテッド | レジスト除去剤組成物 |
KR20030076093A (ko) * | 2002-03-22 | 2003-09-26 | 크린크리에티브 주식회사 | 감광성 수지 제거용 조성물 |
JP3516446B2 (ja) | 2002-04-26 | 2004-04-05 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト剥離方法 |
KR100581279B1 (ko) | 2003-06-02 | 2006-05-17 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 범프 형성방법 |
US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
KR101136026B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-04-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR20060064441A (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-13 | 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 | 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물 |
WO2007021085A1 (en) | 2005-08-13 | 2007-02-22 | Techno Semichem Co., Ltd. | Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing |
WO2007046655A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stripper composition for removing dry etching residue and stripping method |
US8551682B2 (en) | 2007-08-15 | 2013-10-08 | Dynaloy, Llc | Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol |
CN101685274B (zh) * | 2008-09-26 | 2012-08-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于厚膜光刻胶的清洗剂 |
WO2010061701A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 出光興産株式会社 | 防食性フォトレジスト剥離剤組成物 |
WO2010090146A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 出光興産株式会社 | レジスト剥離剤組成物及びそれを用いたレジスト剥離方法 |
KR101089211B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | 1차 알칸올 아민을 포함하는 lcd 제조용 포토레지스트 박리액 조성물 |
US10073351B2 (en) * | 2014-12-23 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation |
JP6562789B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | 除去対象物の除去方法 |
CN105655352B (zh) * | 2016-01-14 | 2018-08-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅tft阵列基板的制作方法 |
JP6681284B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2020-04-15 | 信越化学工業株式会社 | 糖アルコール化合物の金属低減方法 |
KR102228536B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2021-03-15 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
JP2020118969A (ja) | 2019-01-25 | 2020-08-06 | 東京応化工業株式会社 | 処理液および基板の処理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5556482A (en) | 1991-01-25 | 1996-09-17 | Ashland, Inc. | Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor |
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GB2342727A (en) | 1998-10-12 | 2000-04-19 | Ekc Technology Ltd | Composition to remove resists and tp inhibit titanium corrosion |
-
2000
- 2000-04-26 KR KR1020000022221A patent/KR100360985B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-04-25 CN CNB018085733A patent/CN1220115C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-25 JP JP2001579032A patent/JP3679753B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-25 US US10/258,823 patent/US6774097B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-25 AU AU2001256797A patent/AU2001256797A1/en not_active Abandoned
- 2001-04-25 WO PCT/KR2001/000692 patent/WO2001082002A1/en active Application Filing
- 2001-04-26 TW TW090110052A patent/TW508478B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1426544A (zh) | 2003-06-25 |
TW508478B (en) | 2002-11-01 |
US20030100459A1 (en) | 2003-05-29 |
WO2001082002A1 (en) | 2001-11-01 |
KR20010106537A (ko) | 2001-12-07 |
US6774097B2 (en) | 2004-08-10 |
JP2003532143A (ja) | 2003-10-28 |
AU2001256797A1 (en) | 2001-11-07 |
KR100360985B1 (ko) | 2002-11-18 |
CN1220115C (zh) | 2005-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |