JP4409138B2 - フォトレジスト除去用組成物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
（技術分野）
本発明はフォトレジスト除去用組成物に関し、より詳しくは、半導体装置および液晶表示装置を製造するためのフォトリソグラフィ工程において、基板上に付着しているフォトレジストを除去するためのフォトレジスト除去用組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（背景技術）
フォトリソグラフィ工程は、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）或いは超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）のような半導体装置と、液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）のような画像表示装置などの製造に使用される工程である。
【０００３】
簡略に記せば、フォトリソグラフィ工程において、所定の基板、例えば半導体基板またはガラス基板上にフォトレジスト層を形成する。フォトレジストを形成する基板は、いかなる工程も通っていない裸基板である場合もある。しかし、通常は、既に一連の前段階を経て金属配線のような下部構造が基板上に形成されている。フォトレジスト層は、基板の全領域または一部領域に形成されるが、基板全面に形成されるのが一般的である。基板上の全面にフォトレジスト膜を形成する方法は多様であるが、一般的なものはスピンコーティング方法である。
【０００４】
次に、所定のパターンを有する露光マスクを前記フォトレジストに密着させたり、所定間隔離隔するように配置する。その後、前記マスクを通して、紫外線、電子ビームまたはＸ線のような高エネルギー励起光をフォトレジスト層に照射する。基板上に形成されたフォトレジスト層の一部は、前記マスクパターンを通して高エネルギー励起光が照射され、遮光される領域はマスクパターンにより光を遮られる。高エネルギー励起光の照射後は、前記遮光領域は前記高エネルギー活性線照射以前と同一な物性に維持されるが、露光領域はその物性が変化する。照射直後のフォトレジスト膜は、物性変化如何によって区分形成された潜在的パターンを有し、「潜像（latent image）」と呼ばれる。
【０００５】
潜像を有する前記フォトレジスト膜に対して、現像工程を進めてマスクパターンをフォトレジスト層に転写してフォトレジストパターンを形成する。次いで、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用い、その下地基板をエッチングすることによって基板に所定のパターンを形成する。その後、不必要なフォトレジストパターンを基板から除去することにより、一連のフォトリソグラフィ工程が完了する。
【０００６】
本発明は、フォトリソグラフィ工程において、基板上にフォトレジストパターンが形成された後に、基板からのフォトレジストの除去に関するものである。
【０００７】
従来は、基板上のフォトレジストを除去するために、無機酸水溶液または無機塩基性水溶液系などの除去剤が用いられた。また、特開昭６４−４２６５３号公報に開示されている芳香族炭化水素とアルキルベンゼンスルホン酸との混合物などのような除去剤も用いられた。しかし、従来のフォトレジスト除去剤は、下地金属配線を腐食させたり、人体に有害であるという短所がある。従って、このような問題点を多少緩和させることができるフォトレジスト残留物質除去剤として、有機溶剤系列の除去剤が特開平４−１２４６６８号公報、特開平４−３５０６６０号公報、特開平５−２７３７６８号公報、特開平５−２８１７５３号公報などで開示された。
【０００８】
有機溶剤系列を除去剤として使うときは、エッチング処理する基板を有機溶剤に浸漬して、基板からフォトレジストを剥離する。この浸漬方式は、多量のフォトレジスト除去剤を必要とする。その上、大形半導体ウエハー及び大形表示装置に対する需要増加および大量生産の傾向によって、フォトレジスト除去剤の使用量がさらに増加するようになった。このように、フォトレジスト除去剤使用量が増加すると、フォトレジスト除去工程の効率性および経済性が悪くなる。
【０００９】
最近では、大形基板からフォトレジストを除去するため、基板を１枚ずつ個別的に処理する枚葉方式が利用されている。この枚葉方式による装置では、フォトレジスト除去剤容器を含む複数個のタンク及びフォトレジスト除去剤や超純水を入れる洗浄容器が使われる。フォトレジスト除去工程の間、タンク内のフォトレジスト除去剤が、以前に配設されたタンクからのフォトレジスト除去剤によって汚染されないように、フォトレジスト除去剤の使用寿命を延ばすことができるエアーナイフ（air knife ）工程が実施される。
【００１０】
残留フォトレジストは、乾式または湿式エッチング、アッシングまたはイオン注入工程で発生する。しかし、従来のフォトレジスト除去剤は、このような残留フォトレジストを除去できない。従って、エアーナイフ工程を実施しても残っている残留フォトレジストが、後続タンクに混入されてフォトレジスト除去剤の寿命を短縮させ、後続工程が円滑に進められず、完成した半導体装置または表示装置に動作上の欠陥を与えることがある。
【００１１】
残留フォトレジストは、特に微粒子状残留物と斑点性残留物として存在する。添付図面を参照すると、その残留の様子を明確に把握できる。
【００１２】
図１は、フォトレジストリソグラフィ工程において、メタルライン１５を形成した後、フォトレジストを除去する前の基板１０の表面を観察した光学顕微鏡写真である。図２は、図１の基板１０の表面のフォトレジストを、比較例１のフォトレジスト除去剤で除去した後、基板表面に残っている微粒子状残留物２０を観察した光学顕微鏡写真である。
【００１３】
図３は、比較例１のフォトレジスト除去剤を利用して処理された基板２５の表面に残っている斑点性残留物３５を観察した光学顕微鏡写真であり、図１及び図２のメタルライン１５とは異なる形態のメタルライン３０ａ、３０ｂ形成工程により、基板２５表面に残る斑点性残留物３５を観察したものである。特に、小形パターンを形成する製造工程では、小粒の斑点性残留物も製品に大きな欠陥を与えることがあるので、このような斑点性残留物３５の形成を防止することが望ましい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記した問題点を解決するため、本発明の目的は、フォトレジスト、特に乾式または湿式エッチング、アッシングまたはイオン注入工程により発生したフォトレジスト残留物を十分に溶解し除去でき、各種金属膜質に対する広がり性（spreadability ）に優れ、エアーナイフ工程でも除去困難な、フォトレジスト残留物から生じる粒子を除去できるフォトレジスト除去用組成物を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
（本発明の説明）
本発明は、前述の目的を達成するために、１０〜３０重量％のアミン化合物、２０〜６０重量％のグリコール系溶剤、２０〜６０重量％の極性溶剤、及び０．０１〜３重量％のパーフルオロアルキルエチレンオキシドを含むことを特徴とするフォトレジスト除去用組成物を提供する。
【００１６】
パーフルオロアルキルエチレンオキシドは、下記の化２で表される物質群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００１７】
【化２】
Ｒ_f −Ａ−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ）_n −Ｒ
ここに、Ｒ_f は炭素数が１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−，−（ＣＨ₂ ）_m −ＳＯ₂ ＮＲ₁ −，−（ＣＨ₂ ）_m −ＣＯＮＲ₂ −，−ＳＯ₃ −，−ＣＯ₂ −又は−ＳＯ₂ Ｎ（Ｒ₃ ）ＣＨ₂ ＣＯ₂ −であり、Ｒは水素原子または炭素数が１〜１８のアシル基またはアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ₁ ，Ｒ₂ 及びＲ₃ は水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基または−（ＣＨ₂ ＣＨ₂₀）_x −Ｒ₄ であり、ｘは１〜２０の整数であり、Ｒ₄ は炭素数が１〜６のアルキル基である。
【００１８】
より好ましくは、化２において、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−であり、Ｒ_f は炭素数１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数である。
【００１９】
前記アミン化合物は、脂肪族アミン化合物であることが好ましい。
【００２０】
前記脂肪族アミン化合物は、モノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及び２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールを含む第１級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２１】
前記脂肪族アミン化合物は、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン及び２−メチルアミノエタノールを含む第２級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２２】
前記脂肪族アミン化合物は、トリエチルアミノエタノールを含む第３級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２３】
前記グリコール系溶剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル及びジプロピレングリコールブチルエーテルからなる物質群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２４】
前記極性溶剤は、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド及びジメチルイミダゾリジノンを含む物質群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（本発明を実行するための最良の形態）
本発明によるフォトレジスト除去用組成物は、１０〜３０重量％のアミン化合物、２０〜６０重量％のグリコール系溶剤、２０〜６０重量％の極性溶剤、及び０．０１〜３重量％パーフルオロアルキルエチレンオキシド、を含むことを特徴とする。
【００２６】
前記パーフルオロアルキルエチレンオキシドは、下記化３で表示される物質群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００２７】
【化３】
Ｒ_f −Ａ−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ）_n −Ｒ
ここに、Ｒ_f は炭素数が１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−，−（ＣＨ₂ ）_m −ＳＯ₂ ＮＲ₁ −，−（ＣＨ₂ ）_m −ＣＯＮＲ₂ −，−ＳＯ₃ −，−ＣＯ₂ −または−ＳＯ₂ Ｎ（Ｒ₃ ）ＣＨ₂ ＣＯ₂ −であり、Ｒは水素原子または炭素数が１〜１８のアシル基またはアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ は水素原子または炭素数が１〜６のアルキル基または−（ＣＨ₂ ＣＨ₂₀）_x −Ｒ₄ であり、ｘは１〜２０の整数であり、Ｒ₄ は炭素数が１〜６のアルキル基である。
【００２８】
より好ましくは、化３において、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−であり、Ｒ_f は炭素数１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数である。
【００２９】
パーフルオロアルキレンオキシドは、フォトレジスト除去用組成物が基板に塗付されるとき、組成物が下地金属膜質に対して有する表面張力を低くする役割を果たす。従って、基板上にフォトレジスト残留物質が付着することを防止でき、その結果、枚葉方式の湿式フォトレジスト除去において、各基板が洗浄される際にエアーナイフ工程を円滑に遂行することができる。
【００３０】
前記脂肪族アミン化合物は、モノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及び２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールを含む第１級脂肪族アミン化合物群、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン及び２−メチルアミノエタノールを含む第２級脂肪族アミン化合物群、及びトリエチルアミノエタノールを含む第３級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質であることが好ましく、そのうちでもモノエタノールアミンが最も好ましい。
【００３１】
本発明によるフォトレジスト除去用組成物に含まれたアミン化合物は、強アルカリ性物質であって、乾式または湿式エッチング、アッシングまたはイオン注入工程などの複数の工程条件下で生成したり架橋されたフォトレジスト残留物を攻撃して、分子内または分子間に存在する引力を破る役割を果たす。結果的に、このようなアミン化合物の作用は、基板に残留するフォトレジスト内の構造的に脆弱な部分に空洞を形成して、フォトレジストを無定形の高分子ゲル塊り状態に変形させることにより、基板上部に付着されたフォトレジストを容易に除去することができるようにすることである。
【００３２】
本発明によるフォトレジスト除去用組成物に含まれたグリコール系溶剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル及びジプロピレングリコールブチルエーテルを含む物質群から選択される１つ以上の物質であることが好ましい。
【００３３】
前記グリコール系溶剤の中でも特に、沸点が１８０℃以上であり、水との混和性が殆ど無制限であるジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルまたはジエチレングリコールブチルエーテルを用いると、最も好ましい効果を得ることができる。
【００３４】
高温条件下でフォトレジスト除去工程を進める場合、沸点が１８０℃以上に高いグリコール系溶剤を使用すると、揮発現象が起こり難いことにより、フォトレジスト除去剤使用初期の組成比を一定に維持できる。従って、フォトレジスト除去工程周期全体を通じて、フォトレジスト除去剤の除去性能が持続的に発現できる。また、沸点が１８０℃以上に高いグリコール系溶剤を使用すると、フォトレジストと下部金属膜質層での表面張力が低いため、フォトレジスト除去効率を向上させることができ、融点が低く発火点が高いため、保存安定性の側面からも有利となる。
【００３５】
本発明によるフォトレジスト除去用組成物に含まれた極性溶剤は、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド及びジメチルイミダゾリジノンを含む物質群から選択される１つ以上の物質であることを特徴とする。
【００３６】
特に、前記極性溶剤は単独で利用することもできるが、２種類以上を選択的に組み合わせて利用することがより好ましい。前記極性溶剤は、アミン化合物によって基板から剥離された高分子ゲル塊りを単位分子程度に細かく分解する作用をする。従って、洗浄工程で主に発生するフォトレジスト再付着現象を改善することができる。特に、分子内機能基としてアミンを含むＮ−メチル−２−ピロリドンのような極性溶剤はアミン化合物がフォトレジスト内部に浸透する機能を補助する作用もすることができる。
【００３７】
【実施例】
（実施例１〜５）
アミン化合物、グリコール系溶剤、極性溶剤およびパーフルオロアルキルエチレンオキシドを含むフォトレジスト除去用組成物を、下記の表１に示した組成比によって製造した。
【００３８】
（比較例１〜３）
パーフルオロアルキルエチレンオキシドの代わりに、Ｎ−オクチルピロリジン（ＯＰ）またはＮ−ドデシルピロリドン（ＤＰ）を含有する組成物を、比較例１および２とし、比較例３の場合はアミン化合物、グリコール系溶剤および極性溶剤だけでフォトレジスト除去用組成物を製造した
【表１】

ＤＥＡ：ジエタノールアミン
ＤＧＢＥ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
ＤＧＥＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル
ＤＭＡｃ：ジメチルアセトアミド
ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド
ＤＭＩ：ジメチルイミダゾリジノン
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＤＰ：Ｎ−ドデシルピロリドン
ＤＰＧＭＥ：ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
ＥＧＭＥ：エチレングリコールモノメチルエーテル
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＭＩＰＡ：モノイソプロパノールアミン
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
ＯＰ：Ｎ−オクチルピロリドン
ＰＦＡＥＯ：パーフルオロアルキルエチレンオキシド
（１）金属層の種類によるフォトレジスト除去用組成物の表面張力評価
（試料の作成）
０．７mm×５０mm×５０mmの大きさのガラス基板上に、Ａｌ、Ｃｒ、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を各々用いて、無パターン単一金属膜が形成されたガラス基板と金属膜を形成しない裸ガラス基板とを試料として用意した。このとき、Ａｌ、Ｃｒ及びＳｉＮｘは、各々膜の厚さを１３００Å（１３０ｎｍ）とし、ＩＴＯは９００Å（９０ｎｍ）とした。
【００３９】
（表面張力の測定）
用意した試料を、地面と平行に維持したまま、試料上部に実施例１〜５及び比較例１〜３のフォトレジスト除去剤を加えた後、５分間放置した。そして、エアーナイフ工程により、基板上に存在するフォトレジスト除去剤を処理した後、更に２分間放置した。つぎに、ガラス基板上にフォトレジスト除去剤が存在する様相を観察した。その結果を、表２に示す。
【００４０】
【表２】

Ｏ：表面張力が低く収縮現象が起こらない。
【００４１】
Ｘ：表面張力が高く収縮現象が起こる。
【００４２】
表２に示すように、界面活性剤であるＰＦＡＥＯが添加された実施例１〜５は、どの膜質に対しても除去用組成物収縮現象を起こさない。その反面、ＯＰまたはＤＰ界面活性剤が添加された比較例１及び２は、全ての場合の膜質に対して収縮現象が起こることが分かる。一方、比較例３は添加剤を全く含有しない組成物で処理した場合であって、その結果は、比較例１及び２と同様に表面張力が高くて収縮現象が起こることが分かる。
【００４３】
（２） エアーナイフ工程時残留物質の存在有無評価
（試料の作成）
Ａｌ、Ｃｒ及びＳｉＮ_x 各々を、１３００Å（１３０ｎｍ）の厚さに形成した０．７mm×５０mm×５０mm大きさの試料３個を用意した。乾燥工程後、試料上に汎用フォトレジスト（製品名ＤＴＦＲ−３６００。東進セミケム株式会社製、韓国）を、フォトレジストの厚さが１．５μｍ程度になるように塗布した。次に、このフォトレジストが塗布された試料をホットプレート上に装着した後、１１０℃の温度を維持しながら９０秒間熱処理して、前記基板上に塗布されたフォトレジストを乾燥した。その後、前記フォトレジスト膜上に所定のパターンが形成されたマスクを配置し、その全面に対して紫外線を照射する露光工程を行った。この紫外線に露光されたフォトレジスト膜を、現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）（製品名ＤＰＤ−１００Ｓ。東進セミケム株式会社製、韓国）により、２１℃で９０秒間現像した。その後、試料を乾燥オーブンでハードベークして、夫々の試料に形成された金属膜、つまり、Ａｌ、Ｃｒ及びＳｉＮ_x 層上に所定のフォトレジストパターンを形成した。これら試料をエッチング溶液に浸漬し、フォトレジストパターンによって露出された金属膜をエッチングして、金属膜パターンを形成した。その後、金属膜パターンが形成された基板全面を、超純水で洗浄した後、窒素ガスで乾燥した。
【００４４】
（フォトレジスト残存量の測定）
以上、用意した試料各々を地面と平行に維持したまま、試料上面に実施例１〜５と比較例１〜３のフォトレジスト除去剤を加えた後、５分間放置した。その後、エアーナイフ工程を進行し、試料上に存在するフォトレジスト除去剤を除去して、２分間放置した。次に、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素ガスで乾燥した。本発明による実施例および比較例に対するエアーナイフ工程終了時のフォトレジスト残留物を、計数評価した。その結果を表３に示す。
【００４５】
【表３】

通常、ガラス基板上に、ＳｉＮ_x 層、アモルファスシリコン層及びｎ⁺ アモルファスシリコン層が、順に積層された層状構造の上部面をアクティブであると言い、上記表３でのアクティブ層は、このような膜質構造を有する最上層のものを言う。表３の残留物質評価でフォトレジスト除去用組成物などの性能を明確に比較するために、評価の条件を厳しくした。図２及び図３は、比較例１の組成物を使用して処理した試料上に残っている微粒子状残膜と斑点性残膜とを観察した光学顕微鏡写真である。表３によると、界面活性剤であるパーフルオロアルキルエチレンオキシドを添加剤として用いることにより、エアーナイフ工程時フォトレジスト残留物質がより完全に除去されることが分かる。
【００４６】
（３）フォトレジスト除去性能評価
（試料の作成）
ＳｉＮ_x を１３００Å（１３０ｎｍ）の厚さに形成した、０．７mm×５０mm×５０mm大きさに用意されたガラス基板試料を用意して乾燥工程を経た後、試料上に汎用フォトレジスト（製品名ＤＴＦＲ−３６００。東進セミケム株式会社製、韓国）をフォトレジストの厚さが１．５μｍ程度になるように塗布した。次に、このフォトレジストが塗布された試料を、ホットプレート上に装着した後、１１０℃の温度を維持しながら９０秒間熱処理して、基板上に塗布されたフォトレジストを乾燥した。
【００４７】
その降、フォトレジスト膜上部に所定のパターンが形成されたマスクを配置し、その全面に対して紫外線を照射する露光工程を行った。この紫外線に露光されたフォトレジスト膜を、現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）溶液（製品名ＤＰＤ−１００Ｓ。東進セミケム株式会社製、韓国）により、２１℃で９０秒間現像した。その後、試料を乾燥オーブンでハードベークして、夫々の試料に形成された金属膜、つまり、Ａｌ、Ｃｒ及びＳｉＮ_x 層上部に所定のフォトレジストパターンを形成した。これら試料を、ＳＦ₆ 、ＣＦ₄ 及びＣＨＦ₃ の混合ガス雰囲気下で、プラズマにより乾式エッチングを行った。このとき、フォトレジストパターンによって露出された下部金属膜をエッチングして金属膜パターンを形成した。次に、プラズマアッシングを行うことによって、乾式エッチング工程によって変質したフォトレジスト表皮層の一部を除去した。更に、ホットプレート上で１４０℃及び１７０℃で各々１０分間ベークした試料を用意した。
【００４８】
（フォトレジスト剥離能力の評価）
実施例１〜５および比較例１〜３で得られたフォトレジスト除去剤を用いて、各基板からフォトレジストを除去したが、その際、フォトレジスト除去剤の温度を７０℃に維持した。その後、光学顕微鏡でフォトレジストの残存有無を観察した。各基板からフォトレジストが完全に除去されるに要する時間を、測定した。その結果を表４に示す。
【００４９】
【表４】

実施例１および比較例１において、共に含まれている他の組成物の添加比率が同一な場合、界面活性剤パーフルオロアルキルエチレンオキシド（ＰＦＡＥＯ）を添加した組成物は、他の界面活性剤を添加した組成物に比べて剥離特性が優れており、実施例２〜４の場合も、比較例１〜３の場合より全般的にその除去性能が優れていることが分かる。
【００５０】
以上の実施例は、本発明の理解を助けるための例示的なものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。従って、本発明は上記実施例外に本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者によって多様に変形でき、これらも本発明の技術的範囲に属することは自明である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によるフォトレジスト除去用組成物は、乾式または湿式エッチング、アッシング、イオン注入などの工程によって変質して基板上部に残留するフォトレジストの除去性能が改善されると同時に、アルミニウムなどの各種金属膜層に対して広がり性が優れていながら、これらに対する腐食力は弱いために下部金属膜質に対する侵食が殆ど起こらない長所も有している。特に、本発明によるフォトレジスト除去用組成物は、最近、液晶表示装置回路の製造において湿式フォトレジスト除去工程に常用化されている枚葉方式のエアーナイフ工程で頻発するフォトレジスト異物の再付着問題を解決することができる点で有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォトレジストリソグラフィ工程のうち、パターン形成後、フォトレジストを除去する前の基板上を観察した光学顕微鏡写真
【図２】比較例１のフォトレジスト除去剤を使用して、図１の基板上のフォトレジストを除去処理した後、基板上に残っている微粒子状残留物質を観察した光学顕微鏡写真
【図３】比較例１のフォトレジスト除去剤を使用して、フォトレジストを除去処理した後、基板上に残っている斑点性残留物質を観察した光学顕微鏡写真
【符号の説明】
１０ 基板
１５ メタルライン
２０ 微粒子状残留物質
２５ 基板
３０ａ、３０ｂ メタルライン
３５ 斑点性残留物

Claims (9)

1. １０〜３０重量％のアミン化合物、
   ２０〜６０重量％のグリコール系溶剤、
   ２０〜６０重量％の極性溶剤、及び
   ０．０１〜３重量％パーフルオロアルキルエチレンオキシド、
   を含むフォトレジスト除去用組成物。
2. 前記パーフルオロアルキルエチレンオキシドは、下記の化１で表される物質群から選択される１つ以上の物質である請求項１のフォトレジスト除去用組成物、
   【化１】
   Ｒ_f −Ａ−（ＣＨ₂ ＣＨ₂ Ｏ）_n −Ｒ
   ここに、Ｒ_f は炭素数が１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−，−（ＣＨ₂ ）_m −ＳＯ₂ ＮＲ₁ −，−（ＣＨ₂ ）_m −ＣＯＮＲ₂ −，−ＳＯ₃ −，−ＣＯ₂ −または−ＳＯ₂ Ｎ（Ｒ₃ ）ＣＨ₂ ＣＯ₂ −であり、Ｒは水素原子または炭素数が１〜１８のアシル基またはアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数であり、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ は水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基または−（ＣＨ₂ ＣＨ₂₀）_x −Ｒ₄ で、ｘは１〜２０の整数であり、Ｒ₄ は炭素数が１〜６のアルキル基である。
3. 前記化１において、Ａは−（ＣＨ₂ ）_m −Ｏ−であり、Ｒ_f は炭素数１〜１４のパーフルオロアルキル基であり、ｍは０〜２０の整数であり、ｎは１〜５の整数である請求項２のフォトレジスト除去用組成物。
4. 前記アミン化合物は、脂肪族アミン化合物である請求項１のフォトレジスト除去用組成物。
5. 前記脂肪族アミン化合物は、モノエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール及び２−（２−アミノエチルアミノ）エタノールを含む第１級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質である請求項４のフォトレジスト除去用組成物。
6. 前記脂肪族アミン化合物は、ジエタノールアミン、イミノビスプロピルアミン及び２−メチルアミノエタノールを含む第２級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質である請求項４のフォトレジスト除去用組成物。
7. 前記脂肪族アミン化合物は、トリエチルアミノエタノールを含む第３級脂肪族アミン化合物群から選択される１つ以上の物質である請求項４のフォトレジスト除去用組成物。
8. 前記グリコール系溶剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル及びジプロピレングリコールブチルエーテルからなる物質群から選択される１つ以上の物質である請求項１のフォトレジスト除去用組成物。
9. 前記極性溶剤は、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド及びジメチルイミダゾリジノンからなる物質群から選択される１つ以上の物質である請求項１のフォトレジスト除去用組成物。

Images