KR20030023204A - 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 - Google Patents

포토레지스트용 스트리퍼 조성물 Download PDF

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강성철
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Abstract

본 발명은 TFT LCD 고성능 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 TFT-LCD 제조공정에 적용시 스트립 시간이 현저히 단축되고 스트립성이 우수하여 불순물 미립자의 발생이 없으며, 하드베이크 및 애슁 공정의 생략이 가능하여 게이트 공정 라인을 단순화함으로써 생산성 향상 및 원가절감을 이룰 수 있다. 또한, 반사/반투과막으로 은 (Ag)을 사용하는 공정에 적용하는 경우에도 스트립성이 우수할 뿐만 아니라 순수한 은(Ag) 박막에 대한 부식방지 효과가 매우 우수하다.

Description

포토레지스트용 스트리퍼 조성물{STRIPPER COMPOSITION FOR PHOTORESIST}
본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TFT의 액정표시장치 회로 또는 반도체 집적회로 등의 게이트 배선 공정의 단순화를 실현할 수 있는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 관한 것이다.
액정표시장치 회로 또는 반도체 집적회로는 극히 미세한 구조로 이루어져 있으며, 이와 같은 미세구조 회로는 기판상에 형성된 산화막 등의 절연막 또는 알루미늄 합금막 등의 도전성 금속막에 포토레지스트를 균일하게 코팅 또는 도포하고, 상기 포토레지스트를 노광하고 현상하여 소정 형상의 패턴을 만든 다음, 패턴이 형성된 포토레지스트는 마스크를 사용하여 상기 금속막 또는 절연막을 식각하여 미세회로를 형성한 다음, 포토레지스트 패턴을 제거하여 제조한다.
또한, 액정표시장치 등의 게이트 배선용 도전성 금속막으로는 단일 금속막이 아닌 상부에는 알루미늄 또는 Al-Nd와 같은 알루미늄 합금층의 제1도전막을 형성하고, 하부에는 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금층의 제2도전막으로 이루어진 이중 도전막을 형성하는 것이 일반적이다.
또한, 최근 들어서는 Al-Nd에 비하여 반사도가 우수한 Ag를 반사전극으로 사용하는 경우가 있다. 즉, 일반적으로 휴대전화, PDA(personal digital assistant) 등의 휴대성이 강조되는 중소형 TF-LCD가 중요해지면서 패널의 특성 향상을 위해 사용되는 반사형 LCD에는 반사도가 우수한 Ag을 적용하고 있다. 그러나, Ag는 알루미늄과 달리 공정개발이 까다롭고 내화학성이 약하여 은이 부식되는 문제가 있었다. 은의 용출은 케미컬 배쓰(chemical bath)의 오염 및 후속공정에 영향을 미쳐막두께 감소와 CD 손실(loss)을 가져온다.
이러한 게이트 배선의 패터닝(patterning) 공정 순서를 예를 들면 반도체 기판위에 이중금속막 증착하고, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 제1도전막 식각, 하드 베이크(Hard Bake) 및 애슁(Ashing), 포토레지스트 스트립(PR strip), 및 제2도전막 식각의 순으로 이루어진다. 그러나, 이러한 공정에 따르면 하드 베이크 및 애슁 후에 포토레지스트 스트립을 하기 때문에 게이트 배선 공정시간이 길다는 단점이 있다.
이때, 상기 포토레지스트 반사막(pattern)을 제거하는 스트리퍼는 저온 및 고온 조건에서 포토레지스트의 박리성이 우수하면서도 박리시 기판에 불순물 미립자가 남지 않아야 하며, 알루미늄, Ag 등의 금속층을 부식시키지 않아야 한다. 또한, 인체에 무해하면서도 환경친화적인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 요구 조건을 만족시키기 위하여, 종래 여러 가지 포토레지스트 스트리퍼 조성물이 개발되어 사용되고 있다. 일반적인 개발라인에 적용되는 포토레지스트 스트리퍼 조성물로 모노이소프로판올아민(MIPA), N-메틸피롤리돈(NMP), 및 카비톨로 이루어진 조성물이 있으며, 이는 활성 이물 발생이 없으나 게이트 공정 단순화가 불가능하며, 또한 Ag 반사막에 적용하는 경우에는 부식이 많이 발생하여 적용이 불가능하였다.
또한, 일반적인 양산라인에 적용되고 있는 스트리퍼 조성물로는 유기아민 화합물로 모노에탄올아민(MEA)을 사용하고, 여기에 용제로 N-메틸피롤리돈(NMP), 부틸디글리콜(BDG), 및 디메틸설폭사이드(DMSO)를 혼합하여 사용하는 방법이 있다.그러나, 상기 방법의 경우 활성 이물이 발생할 뿐만 아니라 게이트 공정 단순화가 불가능하며, 더욱이 스트리퍼 중에 포함되어 있는 DMSO의 처리가 불가능하였다.
또 다른 방법으로 유기아민 화합물로 모노이소프로판올아민(MIPA)을 사용하고 여기에 N-메틸피롤리돈(NMP), 카비톨, 설폰화합물, 및 글리콜계 화합물을 포함하는 스트리퍼 조성물이 있다. 그러나, 상기 방법은 스트립시 이물은 발생은 없으나 게이트 공정단순화가 되지 않으며, 개발 라인용 20L 용기에 공급이 불가능하며 사용되는 물질이 고가인 단점이 있다.
이 밖에 유기아민 화합물, DMF 등의 유기용매 및 계면활성제 등을 포함하여 3종 이상의 여러 종류의 화합물을 포함하는 스트리퍼 조성물이 있으나, 이 역시 스트립성은 우수할지라도 공정단순화를 실현하지는 못하였다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 고려하여, 종래보다 스트립 시간이50% 이상 단축되어 TFT 액정표시장치(LCD) 또는 반도체 집적회로 등의 이중도전막 게이트 공정의 단순화를 실현함으로써 생산성 향상 및 원가절감에 기여할 수 있는 TFT-LCD 고성능 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 게이트 공정의 단순화로 생산성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며, Ag 등의 금속층을 부식시키지 않는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 방법으로 제조되는 반도체 소자를 제공하는 것이다.
도 1a은 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용하여 글래스 좌상 부분의 전자현미경 사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 1b는 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용하여 글래스 좌하 부분의 전자현미경 사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 1c는 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용하여 글래스의 중앙 부분의 전자현미경 사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 1d는 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용하여 글래스 우상 부분의 전자현미경 사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 1e는 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용하여 글래스 우하 부분의 전자현미경 사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 적용한 15.0" PVA DVC(Digital Video Cassette)에 대한 EDS (I-V) 특성을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 적용한 3.5" 반사형 DVC(Digital Video Cassette)에 대한 EDS (I-V) 특성을 나타낸 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, 모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서,
모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함하는 스트리퍼 조성물로 포토레지스트를 스트립핑하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 기재 방법으로 제조되는 반도체 소자를 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 종래 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 문제점을 해결하기 위하여, 유기아민과 유기용매를 특정화한 후 이들의 각 성분의 함량범위를 적절히 조절하면 스트립성이 향상되어 게이트 공정에서의 스트립 시간을 단축하고, TFT-LCD 등의 게이트 공정라인의 단순화를 실현할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함한다.
상기 모노에탄올아민(MEA)은 게이트 공정에서 포토레지스트를 불순물의 미립자의 발생 없이 우수하게 박리시키는 역할을 한다. 상기 모노에탄올아민의 사용량은 전체 스트리퍼 조성물의 20 내지 60 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 35 내지 45 중량%이면 더욱 좋다. 상기 모노에탄올아민의 사용량이 20 중량% 미만이면 박리 성능이 저하되어 포토레지스트 미립자가 잔존하게 되며, 60 중량%를 초과하면 포토레지스트에의 흡수성이 작아지는 문제점이 있다.
상기 N,N-디메틸아세트아미드(DMAc)는 강한 용제 역할을 하는 성분으로서, 전체 스트리퍼 조성물의 15 내지 50 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 25 내지 35 중량%를 사용하면 더욱 좋다. 상기 N,N-디메틸아세트아미드의 사용량이 15 중량% 미만이면 포토레지스트의 용해성이 저해되고, 50 중량%를 초과하면 포토레지스트의 박리성능이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 유기용매로 상기 DMAc와 함께 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르계인 카비톨(Carbitol)을 포함한다. 이는 포토레지스트를 용해시키는 용제 역할뿐만 아니라 상기 모노에탄올아민과 N,N-디메틸아세트아미드를 포함하는 조성물의 스트립 성능을 더욱 상승시키는 역할을 한다. 본 발명에서 사용하는 카비톨(Carbitol)의 사용량은 15 내지 50 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 25 내지 35 중량%이면 더욱 좋다. 상기 카비톨의 사용량이 15 중량% 미만이면 스트리퍼 조성물이 포토레지스트 층에 용이하게 흡수되지 않고, 50 중량%를 초과하면 포토레지스트의 박리성능이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 갈릭 산(Gallic acid)을포함한다. 상기 갈릭 산은 은(Ag)을 반사막으로 사용하는 게이트 공정에 적용시 용출되는 은의 양을 억제하여 은의 부식을 방지하는 역할을 한다. 상기 갈릭 산의 사용량은 전체 스트리퍼 조성물의 0.1 내지 10 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 1.5 내지 3.5 중량%이면 더욱 좋다. 상기 갈릭 산의 사용량이 0.1 중량% 미만이면 은이 부식되는 문제가 있고, 10 중량%를 초과하면 포토레지스트의 박리성능이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 스트리퍼 조성물은 모노에탄올아민 35 내지 45 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 25 내지 35 중량%, 카비톨(carbitol) 25 내지 35 중량%, 및 갈릭 산 1.5 내지 2.5 중량%를 포함한다. 가장 바람직하게는 스트리퍼 조성물은 모노에탄올아민 40 중량%, N-메틸피롤리돈 30 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 30 중량% 및 갈릭 산 2 중량%를 포함한다.
또한, 본 발명은 상기 스트리퍼 조성물을 이용하여 게이트 공정의 포토레지스트 패턴을 제거하여 반도체 소자, 바람직하게는 TFT-LCD를 제조할 수 있다.
이를 위해, 본 발명은 통상의 포토레지스트 조성물을 도전성 금속막이 형성된 반도체(glass) 기판 상에 스틴 코팅법으로 코팅하는 단계를 실시하여 포토레지스트 박막을 형성시킨다. 이때, 상기 도전성 금속막이 형성된 글래스 기판으로는 상부에는 알루미늄 또는 Al-Nd와 같은 알루미늄 합금층의 제1도전막을 형성하고, 하부에는 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금층의 제2도전막으로 이루어진 이중 도전막을 형성하는 일반적인 기판, ITO 막이 형성된 기판, Ag 반사막이 형성된 기판 등을 포함하며, 바람직하게는 Ag 반사막이 형성된 기판을 사용하며, 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다.
이후, 상기 반도체 기판에 코팅된 포토레지스트막을 노광을 실시한다. 이때, 노광은 통상적인 노광조건에서 실시하며, 예를 들면 ArF광 KrF광, E-빔, X-선, EUV, DUV 등의 광을 이용하여 실시할 수 있다.
그 다음으로, 상기에서 노광된 포토레지스트막을 알칼리 용액으로 현상한 후에, 상기한 본 발명의 스트리퍼 조성물을 이용하여 통상의 방법, 예를 들면 침지나 스프레이 방식으로 스트리핑하여 포토레지스트 패턴을 제거함으로써, 반도체 소자를 제조할 수 있다. 이때, 상기 공정 다음으로 초순수나 아세톤, 에틸 알코올 등의 유기용제로 세정하여 불필요한 부분을 제거하고 건조하는 단계를 포함한다. 상기 알칼리 용액은 통상적인 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면 수산화나트륨 등의 무기 알칼리류, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염 수용액을 사용할 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따르면 상기와 같은 스트립성이 우수한 스트리퍼 조성물을 사용하여 노광 전/후에 하드베이크 및 애슁 공정을 수행하지 않고도 우수한 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 특정한 유기아민 화합물과 유기용매를 선택하여 함량범위를 적절히 조절하여 포토레지스트의 스트립성이 우수하여 불순물 미립자가 발생하지 않으며 스트립 시간을 단축하여 공정 단순화(하드베이크 및 애슁 공정의 생략)를 실현하므로 경제적인 효과가 있다. 더욱이, 본 발명의 스트리퍼 조성물은 팔콘(FALCON), 반사/반투과 폴리(POLY), PVA, TV등의 여러 종류의 DVC(digital video cassette)에 적용이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것으로서 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
[실시예 1 및 비교예 1]
하기 표 1과 같은 조성과 함량으로 실시예 1 및 비교예 1의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제조하였다.
[실험예 1]
상기 실시예 1 및 비교예 1의 각 스트리퍼 조성물을 현재 적용중인 TFT 게이트 공정에 이용하였다. 이후, Ag가 증착된 글래스 기판상에 스핀 코팅법으로 1300 Å 두께의 포토레지스트 박막을 형성한 다음, 소정패턴으로 노광하고 현성하여 Ag를 식각하여 소정의 패턴을 형성하였다. 이렇게 얻어진 글래스 기판을 60 ℃로 가열된 상기 실시예 1 및 비교예 1의 스트리퍼 조성물로 스프레이 방식으로 스트리핑하고 초순수로 세정하였고 스트립 시간 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
구 분 실시예 1 비교예 1
조성성분(중량%) MIPA1 - 10
MEA2 40 -
NMP3 - 55
DMAc4 30 35
카비톨 30 -
갈릭 산 2 -
스트립 시간 (초) 조(Bath) 1 / 2 = 120" / 120" 조(Bath) 1 / 2 = 240" / 240"
주)
1. MIPA: 모노이소프로판올아민
2. MEA: 모노에탄올아민
3. NMP: N-메틸피롤리돈
4. DMAc: N,N-디메틸아세트아미드
상기 표 1에서 보면, 실시예 1의 경우 종래 비교예 1에 비해 스트립 시간이 120"/120"로 50% 단축되었음을 알 수 있다.
[비교예 2 및 3]
하기 표 2와 같은 조성으로 현재 양산라인에 적용하는 스트리퍼 조성물을 제조하였다.
[실험예 2]
상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3의 스트리퍼 조성물을 반사막으로 Ag을 사용하는 TFT 게이트 공정에 적용하여 스트립 공정을 실시하였다. 이때, Ag 용출량(70 ℃, 딥방식)(단위 ppb)은 시간에 따른 결과를 ICP로 분석하여 하기 표 2에 나타내었으며, 이에 따른 포토레지스트가 증착된 글래스의 처리가능 맷수를 하기 표 2에 나타내었다.
구 분 실시예 1 비교예 1 비교예 2 비교예 3
조성성분(중량%) MIPA1 - 10 - 10
MEA2 40 - 20 -
NMP3 - 55 40 50
DMAc4 30 - - -
카비톨 30 35 - 13
BDG5 - - 20 -
DMSO6 - - 20 -
설포란 - - - 20
TEG7 - - - 7
갈릭 산 (중량%) 2 - - -
Ag 용출량(ppb) 10 분 61 3872 225 177
30 분 151 8793 876 352
24 시간 174 100% 용출 12983 1451
처리가능맷수 1500 매 500 매 100 0
주)
1. MIPA: 모노이소프로판올아민
2. MEA: 모노에탄올아민
3. NMP: N-메틸피롤리돈
4. DMAc: N,N-디메틸아세트아미드
5. BDG: 부틸디글리콜
6. DMSO: 디메틸 설폭사이드
7. TEG: 트리에틸렌 글리콜
상기 표 1에서 보면, 일반적으로 시간에 따라 Ag 용출량이 증가하는 경향이 있는데, 비교예 1의 경우 24시간이 경과된후 Ag가 100% 용출되었으며, 비교예 2 및 3의 경우도 Ag의 용출량이 과다함을 알 수 있으며, 글래스의 처리가능매수도 0 ∼ 500 매로 매우 적었다.
이에 반해, 실시예 2의 경우 갈릭 산(gallic acid)를 사용함으로써 비교예 1내지 3에 비하여 시간이 경과된 후에도 Ag의 용출량이 현저히 적어 Ag의 부식 방지 효과가 우수함을 알 수 있다. 또한, 이에 따라 처리가능매수가 상대적으로 증가하여 매우 효과적임을 알 수 있다.
[실험예 3]
Ag가 증착된 글래스 기판상에 스핀 코팅법으로 20000 Å 두께의 포토레지스트 박막을 형성한 다음, 소정패턴으로 노광하고 현상하여 Ag를 식각하여 소정의 패턴을 형성하였다. 이렇게 얻어진 글래스 기판을 60 ℃로 가열된 상기 실시예 1 및 비교예 1의 스트리퍼 조성물로 스프레이 방식으로 스트리핑하고 초순수로 세정한 후 전자현미경으로 관찰하여 그 결과를 도 1a 내지 도 1e에 나타내었다. 도 1a 내지 도 1e는 각각 상기 실시예 2에서 제조된 스트리퍼 조성물을 순수한 Ag 반사막에 적용한 경우에 대한 글래스 좌상, 좌하, 글래스 중앙, 우상, 우하의 표면 전자현미경사진(배율:300)을 나타낸 것이다.
도 1a 내지 1e에서 보면, 불순물 미립자가 전혀 없을 뿐만 아니라 스트립이 모두 우수하게 되었으며, 각각의 바이어스는 5.87 ㎛, 5.89 ㎛, 5.91 ㎛ 5.83 ㎛ 및 5.87 ㎛으로 유의차가 없음을 알 수 있다.
[실험예 4]
실시예 1 및 비교예 3의 스트리퍼 조성물을 0, 1, 3, 6, 24 시간의 간격으로 증발시킨 후 10분간 스트립 테스트를 실시하여 스트리퍼 경시변화에 따른 바이어스(bias)를 측정하였고 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
(단위: ㎛)
구 분 초기 1 hr 3 hr 6hr 24 hr
실시예 1 5.83 5.84 5.88 5.86 5.89
비교예 3 5.89 5.81 5.86 5.93 7.29
상기 표 3에서 보면, 본 발명의 실시예 1의 스트리퍼 조성물이 비교예 3에 비교하여 시간이 경과되어도 스트리퍼 경시변화가 양호함을 알 수 있다.
[실험예 5]
상기 실시예 1의 스트리퍼 조성물을 실제 TFT-LCD 제조공정의 초기 단계부터 TFT Fab Out까지 완전 적용하여 15.0" PVA와 3.5" 반사형 DVC(digital video cassette)을 제조한 후, 이에 대하여 TFT 기판에서 실시하는 전기적 특성 테스트로 EDS(Electric Die Sorting) 테스트를 실시한 후 전류-전압(I-V) 특성을 측정하여 그 결과를 도 2 및 도 3에 나타내었다. 도 2 및 도 3에서 보면, 본 발명의 실시예 1의 스트리퍼 조성물을 적용하여 제조된 15.0" PVA DVC와 3.5" 반사형 DVC의 경우 전류-전압(I-V) 특성이 양호함을 알 수 있다.
[실시예 2 및 비교예 4]
상기 실시예 1의 스트리퍼 조성물을 적용하여 Ag 반사막 패널을 제조하여 실시예 2로 하여 반사도를 3번 반복 측정하였고, 종래 스트리퍼 조성물을 적용하여 제조된 Al-Nd 반사막을 비교예 4로 하여 반사도를 2번 반복 측정하였다(LCD 5000 사용, BaSO4표면 반사도 100%). 반사도 측정 결과는 하기 표 4와 같다.
구분 실시예 2 비교예 4
시료번호 #1 #2 #3 #1 #2
반사도 (%) 246 234 240 195 159
상기 표 4에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1의 스트리퍼 조성물을 적용하여 제조된 패널의 경우 반사도가 234 ∼ 246%로 종래 Al-Nd에 비해 반사도가 크게 향상되었다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 TFT LCD 제조공정에 적용시 스트립 시간이 현저히 단축되고 스트립성이 우수하여 불순물 미립자의 발생이 없으며, 하드베이크 및 애슁 공정의 생략이 가능하여 게이트 공정 라인을 단순화함으로써 생산성 향상 및 원가절감을 이룰 수 있다. 또한, 반사/반투과막으로 은(Ag)을 사용하는 공정에 적용하는 경우에도 스트립성이 우수할 뿐만 아니라 순수한 은(Ag) 박막에 대한 부식방지 효과가 우수하다.

Claims (6)

  1. 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서,
    모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    모노에탄올아민 35 내지 45 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 25 내지 35 중량%, 카비톨(carbitol) 25 내지 35 중량%, 및 갈릭 산 1.5 내지 2.5 중량%를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  3. 반도체 소자의 제조방법에 있어서,
    모노에탄올아민 20 내지 60 중량%, N,N-디메틸아세트아미드 15 내지 50 중량%, 카비톨(carbitol) 15 내지 50 중량%, 및 갈릭 산 0.1 내지 10 중량%를 포함하는 스트리퍼 조성물로 포토레지스트를 스트립핑하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 반도체 소자가 Ag 반사막을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 b)의 노광은 ArF, KrF, DUV, E-빔 또는 X-선 광원으로 실시되는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항 기재의 방법으로 제조된 반도체 소자.
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