TW538306B - Photoresist remover composition - Google Patents

Description

538306 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（l ) 發明背景 1 ·發明範圍 本發明係有關於光阻去除劑組成物，更詳細的是，係 關於一種用以在照相蝕刻法加工中由一基片去除光阻的光 阻去除劑組成物，該照像蝕刻法被應用以製造半導體裝置 和液晶顯示器（LCDs)。 2·描述相關技藝 照相蝕刻法是製造諸如積體電路（ICs)、大型積體電 路（LSIs )、超大型積體電路（VLSIs )之半導體裝置，和 諸如液晶顯示器（LCDs )和電漿顯示嵌板（PDPs )之圖像 顯示裝置的常見的加工。 簡而言之，在照相姓刻法加工中，光阻層沉積在預定 的基片上，比方，一個半導體基片或一個玻璃基片。待添 加光阻劑的基片可能是在照相蝕刻法加工之前未經任何加 工的赤裸基片。然而，該暴露在照相蝕刻法加工的基片經 常具有如金屬互相連結之次結構，其經由一系列先前的步 驟在基片上形成。該被形成的光阻層可能覆蓋全部或一部 份的基片。然而，沉積光阻層佈滿整個基片是較常見的。 光阻層可以藉由各種不同的方法沉積佈滿整個基片，通常 係藉由旋轉塗膜法。 下一步，一個有已定的囷案的曝光光罩，被排列在與 光阻層接觸’或在光阻層之上一個已定的距離。之後，帶 有曝光光罩的光阻層被高能量活化的光束照射，比如紫外 光（UV)、電子束或X-射線❶形成於基片上的光阻層的部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注 意事項本頁) -裝. 訂 538306 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 伤經由光罩圖案被曝露在高能量活化的光束下，和遮蔽的 部分藉由光罩圖案阻斷高能量活化的光束。高能量活化的 光束照射之後，曝露部分的物理性質改變，遮蔽部分的性 質仍保留。該光照之後的光阻圖案立即被稱做一，，潛在的圖 像”’該光阻圖案含有一具有物理上已改變和未改變部分之 潛在光阻圖案。 帶有潛在圖像的光阻層是容易受顯像加工的，以轉移 光罩圖案到光阻層上，其形成一光阻囷案。其次，使用光 阻圖案當作姓刻光罩，該在光阻圖案下面的基片被蝕刻以 在基片上形成先前預定的圖案。接下來，非需要的光阻圖 案由基片上被移除，使一系列的照相蝕刻法加工完成。 本發明係關於在照相餘刻法加工中由基片上移除光 阻，其係於在基片上光阻圖案之形成完成後實行。 S知技術使用含水的無機酸溶液或含水的無機驗溶 液’當作光阻移除劑。曰本專利公開公報昭64-42653號中 揭露以芳香族的碳水化合物和烷基苯磺酸的混合物，當作 光阻移除劑。然而，此存在的光阻移除劑腐蝕較低的金屬 之間的互相連結和對人體有害。因為這些原因，使用有機 系列的溶劑當作光阻移除劑在日本專利公開公報平 4-124668、平4-350660、平 5-273768及平 5-281753號中被教 示。 备有機系列溶劑被選擇當作移除劑時，被蚀刻的基片 被浸泡在有機系列溶劑一下，由基片上除去光阻。此浸泡 一下的技術需要不少量的光阻移除劑。更甚之，由於對大 装------、玎------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

538306 A7 —— --------B7__ 五、發明説明（3 ) 型的半導體晶圓及大螢幕顯示器的需求增加，及大量製造 的趨勢，促成所需要的光阻移除劑量的進一步增加。於所 而要的光阻移除劑的量上如此的增加，由光阻移除加工之 效率的觀點來看是非預望的，並且是昂貴的。 最近’單一的晶園處理已經被應用在由大型基片移除 光阻。在早晶圓處理系統中，有數個包括光阻移除劑儲存 器的槽’及包含光阻移除劑或去離子水的清除室。在光阻 移除加工過程中，為了避免包含在槽中的光阻移除劑被任 何先則準備槽中的光阻移除劑污染，一氣刀加工被實行， 氣刀也延長光阻移除劑可使用的使用期。 光阻殘渣由乾式或濕式蝕刻法、灰化法、或離子植入 加工所產生。然而，習知的光阻移除劑不能夠移除如此之 光阻殘渣。因此，雖然氣刀加工被實行，仍然存在的光阻 殘產會被結合至後來的槽中，因此縮短光阻移除劑的使用 期。結果’後續加工的成功不能被保證，而完成的半導艘 裝置或顯示器可能有操作上的缺陷。 光阻殘 >查可以被區分成顆粒的殘潰和點狀的殘潰。藉 由參考的所附的囷示，該殘渣的圖案將被表現的更清楚。 第1圖是一個光學顯微照片，其顯示於光阻由基片10 被移除之前’在照相姓刻法加工過程中一條金屬線1 5形成 之後的基片10的表層。第2囷是一個光學顯微照片，其顯示 使用在比較例1中配製的光阻劑移除劑移除在光阻之後，在 基片10表面上的顆粒殘渣20。第3圖是一個光學顯微鏡照 片，其顯示在形成金屬線30a和30b期間，點狀殘渔3〇仍存 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4胁（21GX297公釐) " - (請先閲讀背、面之注意事項本頁) ，裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538306 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 留在基片25表面的，其與第1圖和第2圖中的金屬線15圖案 不同。特別的，在形成縮圖圖案，存在此小的點狀的殘渣 30可能造成裝置的缺陷，因此避免產生點狀殘渣3〇是被期 •望的。 發明之概要說明 為解決以上問題，本發明的目的是為了提供光阻去除 劑組成物，該組成物能夠完全的分解和移除由乾式或濕式 姓刻法、灰化法、或離子植入加工產生的光阻殘渣，本發 明對於各種不同金屬層有好的擴散能力，及能夠移除由光 阻殘渣掉落的微粒，此等微粒即使藉由氣刀處理都很難去 本發明的目的藉由光阻去除劑組成物達成，該光阻去 除劑組成物組成包含：10至30重量％胺組成，20至60重量 %乙二醇系列的溶劑，20至60重量％極性溶劑，和0.01至3 重量 ％過敗烧基環氧乙烧（perfluoroalkylethyleneoxide ) 〇 較佳地，該過氟烷基環氧乙烷為擇自於由具有通式（1) 之材料所構成的群組中之至少一者：

RrA-(CH2CH20)n-R ...(1)

其中Rf是一個由1至14個碳原子組成的過氟烷基；A是 -(CH2)m-0-，-(CHJm-SOzNR!-，-(CH2)m-CONR2-，-S03-， -C02-或-S02N(R3)CH2C02- ; R是氫或醯基或1至18個碳原 子的烷基；m是由0至20的整數，η是由0至5的整數；Ri、 R2和R3是氫、1至6個碳原子的烷基或-((：Η2<：Η2〇)χ-Ι14，X 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ---------装------^------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 538306 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 表示1至20的整數，R4是1至6個碳原子的烷基。 更佳地，在通式（1)中，A可為-(CH2)m-〇·，1是1 至14個碳原子的過氟烷基，m是由0至20的整數，n是由〇至 5的整數。 較佳地，該胺類化合物是一個脂肪族胺化合物。 較佳地，該脂肪族胺化合物是包含單乙醇胺、2-(2-胺 基乙氧基）乙醇和2-(2-胺基乙基胺基）乙醇之脂肪族伯胺化 合物中之至少一者。 較佳地，該脂肪族胺化合物是包含二乙醇胺、亞胺鉍 丙基胺和2-曱基胺基乙醇之脂肪族仲胺化合物中之至少一 者。 較佳地，該脂肪族胺化合物是包含三乙基胺基乙醇之 脂肪族叔胺化合物中之至少一者。 較佳地，該乙二醇系列的溶劑中至少一個係擇自下列 群組：乙二醇甲謎、乙二醇乙趟、乙二醇丁謎、二乙二醇 甲謎、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁謎、丙二酵甲謎、丙二 醇乙謎、丙二醇丁謎、二丙二醇甲越、二丙二醇乙謎及二 丙二醇丁謎。 較佳地，該極性溶劑係為擇自下列群組之一：二曱基 亞風、N·甲基咐*洛酮、N，N’-二曱基匕酿胺、n，N，·二曱 基甲醯胺和二甲基味嗤二嗣。 圓示之簡要說明 藉由描述詳細的較佳具體例，以上之目的及本發明之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） (請先閱讀背面之注意事項wjHk本頁) .裝- 訂 線 538306 A7 B7 五、發明説明（6 ) 優勢將變得較明顯，因此參照本發明所附之圖示，其中： 第1圖是一個光學顯微鏡照片，其顯示基片表面有已 定的圖案，在照相蝕刻法加工中光阻劑從基片上被移除之 前。 第2圖是一個光學顯微鏡照片，其顯示使用在比較例1 中配製的光阻移除劑自基片上的移除第1圖的光阻之後，仍 存留在基片表面之顆粒光阻殘渣。 第3圖是一個光學顯微鏡照片，其顯示使用在比較例1 中配製的光阻移除劑移除在基片上的光阻之後，仍存留在 基片表面的點狀光阻劑殘渣。 本發明之詳細描述 根據本發明之光阻去除劑組成物其特徵在於該組成物 包含：10至30重量％胺組成，20至60重量％乙二醇系列的 溶劑，20至60重量％極性溶劑，和〇·〇1至3重量％過氟烷基 環氧乙烷。 較佳地，該過氟烷基環氧乙烷為擇自於由具有通式（1) 之材料所構成的群組中之至少一者：

RrA-(CH2CH20)n-R ...(1) 其中Rf是一個由1至14個碳原子的過氟烷基；A是 -(CH2)m-0-，-(CH^-SC^NR,•，-(CH2)m-CONR2·，-S03-， -C〇2-或-S〇2N(R3)CH2C〇2- ; R是氫或酿基或1至18個碳原 子的烷基；m是由0至20的整數，η是由0至5的整數；R!、 R2和R3是氫、1至6個碳原子的烷基、或-(CH2CH2〇)x-R4， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538306 A7 B7 五、發明説明（7 ) X表示1至20的整數，心是^至6個碳原子的烷基。 更佳地’在通式（D中，A是-(CH2)m-0-，Rf是1至14 個碳原子的過氟烷基，m是由〇至2〇的整數，η是由〇至5的 整數。 當光阻去除劑組成物被應用到基片表面，相對於較低 的金屬層’過氟烷基環氧乙烷降低去除劑組成物的表面張 力。結果’黏住晶圓表面的光阻殘渣可以被避免，以致於 當每一單一晶圓在以濕型的光阻移除劑被清理時，氣刀加 工可以順暢地完成。 較佳地，該脂肪族胺化合物中是包含單乙醇胺、2-(2_ 胺基乙氧基）乙醇和2-(2-胺基乙基胺基）乙醇的脂肪族伯胺 化合物中之至少一者，包含二乙醇胺、亞胺鉍丙基胺和入 曱基胺基乙醇的脂肪族仲胺化合物中之至少一者，或包含 二乙基胺基乙醇之脂肪族叔胺化合物中至少一個。這些化 合物之中，單乙醇胺是最佳的。 根據本發明之光阻去除劑組成物的胺化合物是一個強 驗化合物，藉由乾式或濕式蝕刻法、灰化法或離子植入加 工攻擊產生的或交叉結合的光阻殘潰，藉此打破分子之内 的或之間的結合。結果，在光阻殘渣弱的結構形成一個裂 縫’因此造成無定形的凝膠疙瘩，這是由基片上容易移除 的。 較佳地，該乙二醇系列的溶劑中至少一個係擇自下列 群組：乙二醇曱、乙二醇乙喊、乙二醇丁趟、二乙二醇 曱醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁_、丙二醇曱醚、丙二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請I閲讀t面之注意事項 本頁) .聲· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 538306 A7 B7 丁醚、二丙二醇曱醚、二丙二醇 五、發明説明（8 醇乙醚、丙二 二丙二醇丁醚。 較佳的乙二醇溶劑是二乙二醇甲醚、二乙二醇乙謎或 二乙二醇丁醚，其有18〇t或更高的沸點，及乙二醇溶劑是 易混合而不受限制的。 如果使用具有1 80 °C或更高的沸點的乙二醇系列溶 劑，即使當光阻的移除是在高溫下實施，該乙二醇系列溶 劑也不能被蒸發，因此光阻移除劑開始的組成能夠被保 留。結果，在光阻移除加工過程中光阻移除劑的光阻移除 能力能夠被保留。更甚之，具有180〇c或更高的沸點的乙二 醇系列溶劑降低介於光阻和在下面的金屬層的表面張力， 如此以致於移除光阻之效率能被改善。乙二醇系列溶劑具 有低凝固點和高燃點，因此當儲存時有利穩定。 根據本發明光阻去除劑組成物之極性溶劑可為二甲基 亞礙、N·甲基·2-咬咯啶酮、N，N，-二曱基乙醯胺、N，N、二 曱基曱醢胺和二曱基味峻咬酮。 特殊的，該極性溶劑可被獨自使用，或二或三個溶劑 混合使用。該極性溶劑藉由胺化合物打斷凝膠疙瘩鍵結由 基片上分離，此避免在清洗加工過程中由基片上掉落之光 阻再一次點著在基片上。特殊的，此極性溶劑有一個胺基， 比如N-甲基-2-咐咯啶酮，使得胺化合物滲透進入光阻較容 易。 實例1 i 5 包含胺化合物，乙二醇溶劑和過氟烷基環氧乙院之光 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------装------1T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 538306 A7 B7 五、發明説明（9 ) 阻去除劑組成物如表1所顯示，以各種不同比例被製得。 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 比較例1至3 比較例1和2 :藉由使用N-辛基吡咯啶 酮和N-十二吡咯啶酮替代過氟烷基環氧乙烷得到光阻去 除劑組成物。 第3個比較树：沒有添加物被添加，產生 一包含胺化合物、一個乙二醇溶劑和一個極性溶劑的光阻 去除劑組成物。 表1 例 光阻去除劑組成物組成 一^ — ί 攀 胺化合物 乙二醇溶劑 極性溶劑 表面 #性#J 名稱 内容 (重量 計0/〇 ) 名稱 内容 (重量 計％ ) 名稱 内容 (重量 計％ ) 名稱 一内寥 (t 量奸 實例1 ME A 15 DGBE 42 NMP 40 PFAEI 3丨 實例2 MIPA 10 DGEE 38 DMI+DMSO 30+20 PFAEi 3 fi 實例3 MEA 20 DGBE 24 NMP+DMSO 20+35 PFAE 丨 實例4 MIPA 10 DGEE 29.9 NMP+DMAc 40+20 PFAE 丨 O.jl 實例5 MEA 30 DGBE 29.95 DMF 40 PFAE 丨 0.Q5 比較 例1 MEA 15 DGBE 42 NMP 40 OP 3| 1 比較 例2 MEA 9 DPGME 15 DMSO 75 DP 良 比較 例3 DEA 35 EGME 45 DMF 20 - - 乙 DEA:二乙醇胺；DGBE:二乙二醇單丁基醚；DGEE:二乙二醇單 DMAc:二甲基乙醯胺；DMF:二甲基甲醯胺；DMI:二甲基咪唑 DMSO:二甲基亞颯；DP:N-十二吡咯啶酮；DPGME:二丙二醇單 EGME:乙二醇單曱基醚；MEA:單乙醇胺；MIPA:單異丙醇胺； 甲基吡咯啶酮；OP:N-辛基吡咯啶酮；PFAEO:過氟烷基環氧乙埭

基_ 啶酮 基iU HMP |Ν· (1 )和金屬層型式相關的光阻去除劑組成物的表面張 力： 製備樣本: 艮紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 538306 A7 ~---- B7 _ 五、發明説明（io ) ^一" - 在每一個體積為〇·7麵x5〇咖χ5〇删玻璃基片上由鋁 (Α1)鉻（Cr)、氮化矽（以队）和氧化錫銦（ιτ〇) 形成不帶有圖案的金屬層，及不帶有金屬層裸露的玻璃基 片準備好。每一個鋁、鉻和SiNx層的厚度是ι300Α, ΙΤ〇層 的厚度是900Α。 I里張力之測署: 每一個樣本相對於地面被平行放置，在實例i至實例5 彳比較例1至3所製備的各光阻去除劑組成物被應用在每一 個樣本上，並歷時5分鐘。接下來，光阻去除劑組成物由每 一個基片上藉由氣刀加工被移除，並歷時2分鐘。下一步， 用眼睛檢查玻璃基片上的光阻去除劑組成物的圖案。結果 如表2所示。 表2 I^-------1T------泉. (請先閲讀背面之注意事項再〆，¾本頁) 例子 金屬1 裸露玻璃 基片 A1 Cr SiNx ITO 實例1 0 0 0 0 0 實例2 0 0 0 0 0 實例3 〇 0 0 〇 0 實例4 0 〇 0 0 0 實例5 〇 0 0 0 0 比較例1 X X X X X 比較例2 X X X X X 比較例3 X X X X X 由於被弱的表面張力，光阻去ϋ組成物收 不0 ·、 ^ _由於強的表面張力’光阻去除劑組成物收縮量有顯示。 如表2中，例1至例5所示，包含表面活性劑pFAE〇， 光阻去除劑組成物收縮量在每一個金屬層沒有產生。相對 -13- 538306 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 地’比較例1和2中包含代表性的表面活性劑OP和DP，光阻 去除劑組成物在每一個金屬層表面被縮小。至於比較例3 不包含任何的表面活性劑，由於強表面張力，光阻去除劑 組成物收縮發生在每一個金屬層表面，如比較例1和2中所 示〇 (2)氣刀加工之後留下的光阻劑殘渣量 季備樣本 A1層、Cr層、和SINX層沉澱在每一個玻璃基片上，該 玻璃基片體積為0.7腿X 50mm X 50腿。乾燥每一個帶有金 屬層的玻璃基片，一種商業上可使用的光阻劑 (DTFR-3600，Dongjin Semichem· Co·，Ltd，韓國製造）被 沉積在每一個樣本表面之上，有1·5 # m厚度。接下來， 有光阻層的每一個樣本放在加熱板上加熱至11 〇。〇歷時90 秒’乾燥該光阻層。帶有已定圖樣的光罩被放在每一個基 片的光阻層上，使用紫外光（UV)照射。曝露在紫外光的 光阻層在2.38%氫氧化四甲基銨（TMAH )溶液 (DPD-100S，Dongjin Semichem. Co.，Ltd，韓國製造）於21 °C歷時90秒鐘被顯像。樣本放在乾燥烘箱中硬性烘烤之 後’如此以至於預定光阻圖案在樣本的A1層、Cr層、SINX 層上被形成。該等樣本被浸在蝕刻劑中以蝕刻經由光阻囷 案曝露的每一個金屬層，因此在每一個基片上形成金屬囷 案。使用去離子水清洗和使用氮氣乾燥該有金屬囷案的基 片。 測量光阻劑殘渔的晉 (請先閲讀背面之注意事項 本頁) .裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •14· 538306 五、發明説明（12 ) 每一個樣本相對於地面被平行放置，在實例1至實例5 及比較例1至比較例3中所製備的各光阻去除劑組成物，被 應用至每一個樣本上，歷時5分鐘。接下來，光阻去除劑組 成物由每一個基片藉由氣刀加工移除，再歷時2分鐘。下一 步，樣本在去離子水中30秒洗淨，並且使用氮氣乾燥。在 氣刀加工後留在玻璃基片上的每一個被光阻去除劑組成物 處理過樣本上光阻劑殘渣的量被計算，如例i至例5和比較 例1至比較例3。結果如表3所示。 表3 ---------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例子 金屬層型式 Α1層 Cr層 |活性層 · 顆粒殘 渣 似點狀 的殘渣 顆粒殘 渣 似點狀 的殘渣 顆粒殘 渣 似點狀 的殘潰 實例1 1 0 0 0 0 0 實例2 0 0 0 0 1 0 實例3 0 0 0 0 0 0 實例4 0 0 0 0 1 0 實例5 0 0 0 0 1 0 比較例 1 8 >30 3 0 39 0 比較例 2 16 >30 5 0 32 0 比較例 3 7 >30 1 0 23 0 在表3中，「活性層」一詞指的是層狀構造的最上層， 該構造包括SiNj^ ’非晶形的石夕層和非晶形的;ε夕層繼續 地堆積在玻璃基片上。為了清楚的比較在實例1至實例5和 比較例1至比較例3得到的光阻去除劑組成物，評估在極端 的情況下實行。第2圖和第3圖是光學顯微照片，其顯示顆 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公楚） -15- 538306 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（I3 ) 粒殘逢和似點狀的殘渣，在基片上以比較例1的光阻去除劑 組成物處理，在氣刀加工之後。如表3所示，實例1至實例5 添加過氟烷基環氧乙烷當作表面活性劑，不論金屬層的類 型為何，光阻劑殘渣幾乎完全被氣刀加工移除，。 (3)光阻去除劑組成物之光阻劑移除能力 製備樣太 SiNx層被沉積在數個體積〇 7mm X 50mm X 50mm玻璃基 片上至1300A之厚度。烘乾每一個帶有金屬層的玻璃基片 之後’ 一種商業上可使用的光阻劑（DTFR-3600，Dongjin Semichem· Co·，Ltd，韓國製造）被沉積在每一個樣本表面 之上，至1.5 /zm的厚度。接下來，有光阻層的每一個樣 本被放在加熱板上加熱ll〇°C歷時90秒以乾燥光阻層。 帶有已定圖樣的光罩被放在每一個基片的光阻層上， 使用紫外光（UV)照射。曝露在紫外光的光阻層在2.38% 氩氧化四甲基銨溶液（TMAH ) ( DPD-100S，Dongjin Semichem· Co·，Ltd,韓國製造）於21°C下，歷時90秒鐘來 顯像’。該等樣本放在乾燥烘箱中硬性烘烤之後，如此以 至於預定光阻圖樣在每一個樣本的SINX層上形成。該等樣 本經由電漿蝕刻法在混合的SF6、CF4和CHF3氣體中蝕刻， 依光卩且圖案形成金屬圖案。接下來’被乾蚀刻加工硬化的 光阻劑的表面由電漿蝕刻法移除。所產生的樣本被放在加 熱板上烘乾140°C或170°C歷時10分鐘。 翅量光阻劑移除能力 硬化的光阻圖樣使用實例1至實例5和比較例1至比較 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ (請先閲讀背<面之注意事項本頁) 裝. 訂 線 538306 發明説明（l4 例3所得到的各光阻去除劑組成物（其適用溫度為7〇。〇由 每一個基片上移除。之後，不論光阻劑是否存在，使用光 學顯微鏡觀察。由每一個基片上完全移除光阻劑所需時間 被置測。結果如表4所示。 表4 例子 實例1 實例2 實例3 實例4 實例5 比較例1 比較例2 比較例3 烘烤條件 140°C歷時10分鐘 <5秒 <5秒 <5秒 <5秒 <5秒 <10秒 <10秒 <10秒 170°C歷時10分錄 <30秒 <60秒 <30秒 <60秒 <30秒 <60秒 <180 秒 <60秒 ---------^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 比較實例1和比較例1，除了添加的表面活性劑的種類 之外有相同組成，當PFAEO被使用當作表面活性劑時，光 阻劑移除能力優於其他案例。相對於比較例1至比較例3， 實例2至實例4的，光阻劑移除能力是出色的。 如先前所描述的，當光組殘渣係由乾或濕蝕刻法、灰 化法和離子植入所產生時，根據本發明之光阻去除劑組成 物存在出色的光阻去除能力。除此之外，該光阻去除劑組 成物對於各種不同的金屬層，包括A1層，有優秀的可擴展 性’及幾乎不腐蝕這些金屬層。更甚之，當氣刀加工由單 晶圓移除光阻去除劑組成物（其已被廣泛地應用在製造 LCDs)時，可避免光阻劑黏在基片上。 雖然本發明已藉由參考本發明的較佳實例被詳細地顯 成張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐 訂 線- -17· 538306 A7 B7 五、發明説明（is ) 示及描述，熟習此藝者將會了解各種形式上及細節上的改 變可被製造，而不會背離如隨附之申請專利範圍中所界定 的本發明技術思想與範圍。 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 裝* 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 538306 A7 B7 五、發明説明（16 ) 元件標號對照表 10 基片 15 金屬線 20 顆粒殘渣 25 基片 30 點狀殘渣 30a 金屬線 30b 金屬線 裝 訂 I I線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） •19-

Claims (1)

1. 538306 _·«ίι 秦一，„· 一一 ----------- 8 88 8 ABCD --------------- _ 六、申請專利範圍 1· 一種光阻去除劑組成物，其包含： 10至30重量％之胺化合物； 20至60重量％之乙二醇系列溶劑； 20至60重量％之極性溶劑；和 〇·〇1至3¾重量之過氟烷基環氧乙烷。 2.如申請專利範圍第1項之光阻去除劑組成物，其中該 過氟烷基環氧乙烷為擇自於由具有通式（1)之材料所 構成的群組中之至少一者： Rf-A-(CH2CH2〇)n-R ...(1) 其中Rf是一個具有1至14個碳原子的過氟烷基；A 是-(CH2)_-〇-，-(CH2).-S〇2NRi-，-(CH2)_-CONR2-， - S〇3- ’ -C〇2-或-S〇2N(R3)CH2C〇2- ; R 是氩或酿基或 1 至 18個碳原子的烧基；m是由0至20的整數，η是由0 至5的整數；R!、！?2和R3是氫、1至6個碳原子的院 基、或-(CH2CH2〇)x-h，x表示1至20的整數，h是1 至6個碳原子的烷基。 經濟部智慧財是局員工消費合作社印製 3·如申請專利範圍第2項之光阻去除劑組成物，其中在 通式（1 ) ’ A是- (CH2)，-0- ; Ri是由1至14個碳原子 的過氟烷基；m是由0至20的整數；η是由0至5的 整數。 4·如申請專利範圍第1項之光阻去除劑組成物，其中該 胺化合物是一種脂肪族胺化合物。 5.如申請專利範圍第4項之光阻去除劑組成物，其中該 脂肪族胺化合物是包含單乙醇胺、2-(2 -胺基乙氧基） •20· 太紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4坑格（210X29*7公釐） 538306 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 乙醇和2-(2-胺基乙基胺基）乙醇的脂肪族伯胺化合物 之至少一者。 6·如申請專利範圍第4項之光阻去除劑組成物，其中該 脂肪族胺化合物是包含二乙醇胺、亞胺鉍丙基胺和2一 曱基胺基乙醇的脂肪族仲胺化合物之至少一者。 7.如申請專利範圍第4項之光阻去除劑組成物，其中該 脂肪族胺化合物是包含三乙基胺基乙醇之脂肪族叔胺 化合物之至少一者。 8·如申請專利範圍第1項之光阻去除劑組成物，其中該 乙二醇系列的溶劑中至少一者係擇自下列群組：乙二 醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇曱醚、 二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、丙二醇 乙醚、丙二醇丁醚、二丙二醇曱醚、二丙二醇乙醚以 及二丙二醇丁鍵。 9·如申請專利範圍第丨項之光阻去除劑組成物，其中該 極14 /合劑中至少一者係擇自下列群組：二甲基亞现、 N-曱基-2-吡咯啶鲷、N,N，-二甲基乙醯胺、N,N、二甲 基甲酿胺和二甲基味嗤咬明。 ^------、玎------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製