CN1373863A - 光致抗蚀剂脱膜剂组合物 - Google Patents

光致抗蚀剂脱膜剂组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN1373863A
CN1373863A CN00812559A CN00812559A CN1373863A CN 1373863 A CN1373863 A CN 1373863A CN 00812559 A CN00812559 A CN 00812559A CN 00812559 A CN00812559 A CN 00812559A CN 1373863 A CN1373863 A CN 1373863A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
remover composition
photoresist remover
ether
amine compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN00812559A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1219241C (zh
Inventor
白志钦
吴昌一
李相大
柳终顺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjin Semichem Co Ltd
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of CN1373863A publication Critical patent/CN1373863A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1219241C publication Critical patent/CN1219241C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物,包括:10－30%(重量)的胺化合物;20－60%(重量)的二元醇类溶剂;20－60%(重量)的极性溶剂;和0.01－3%(重量)的全氟烷基乙烯氧化物。光致抗蚀剂脱膜剂组合物从基片上剥离光致抗蚀剂残渣的性能被提高了,所述残渣是由于干法或湿法蚀刻,抛光或离子注入而产生的。并且光致抗蚀剂脱膜剂组合物能被光滑地涂敷到包括铝(Al)层的各种金属层上。而且所述光致抗蚀剂脱膜剂组合物几乎不腐蚀金属层。

Description

光致抗蚀剂脱膜剂组合物
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物，更具体而言，涉及一种在光刻蚀法中用于从基片上脱除光致抗蚀剂的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，所述光刻蚀法用于制造半导体元件和液晶显示器(LCDs)。
背景技术
光刻蚀法是一种通用的方法，用于制造半导体元件如集成电路(ICs)、大型集成电路(LSIs)、超大型集成电路(VLSIs)，和图象显示设备如液晶显示器(LCDs)和激光显示板(PDPs)。
简言之，在光刻蚀法中，光致抗蚀剂层沉积在预定的基片上，例如半导体基片或玻璃基片。光致抗蚀剂涂敷的基片可以是裸基片，其在光刻蚀法之前没有经过任何处理。然而，暴露于光刻蚀法的基片通常具有亚结构，例如通过一系列在先的步骤在基片上形成的金属互连。光致抗蚀剂层可在整个基片上或基片的一部分上形成。但是，更通常地是将光致抗蚀剂层沉积在整个基片上。可用各种方法将光致抗蚀剂层沉积在整个表面上，但通常是用旋转涂敷方法来沉积的。
接着，使具有预定图形的曝光掩膜与光致抗蚀剂层接触，或将其安置在光致抗蚀剂层上的预定距离处。然后，用高能放射线束如紫外(UV)线，电子束或X射线，照射带有曝光掩膜的光致抗蚀剂层。形成于整个基片上的光致抗蚀剂层的一部分透过掩膜图形暴露于高能放射线束下，而遮蔽部分由于掩膜图形的作用而未受到高能放射线束的照射。用高能放射线束照射后，曝光部分的物理性能发生改变，而遮蔽区域的物理性能保持不变。刚照射后的光致抗蚀剂图形，具有发生物理变化和未发生物理变化的部分构成的潜在图形，被称作“潜象”。
对具有潜象的光致抗蚀剂层进行显影处理，将掩膜图形转移到光致抗蚀剂层上，得到光致抗蚀剂图形。接着，用光致抗蚀剂图形作为蚀刻掩膜，对光致抗蚀剂图形下的基片进行蚀刻，以在基片上形成预定的图形。然后，将不需要的光致抗蚀剂图形从基片上除去，以此完成了一系列的光刻蚀处理。
本发明涉及在光刻蚀过程中从基片上脱除光致抗蚀剂，其在基片上形成光致抗蚀剂图形之后进行。
常规技术使用水性无机酸溶液或水性无机碱溶液作为光致抗蚀剂脱膜剂。日本专利公开公告号sho 64-42653公开了一种芳香烃和烷基苯磺酸的混合物作为光致抗蚀剂脱膜剂。但是，这些现有的光致抗蚀剂脱膜剂会腐蚀下层的金属互连，并且对人体有害。由于这些原因，在日本专利公开公告号hei 4-124668，hei 4-350660，hei 5-273768，和hei 5-281753中公开了应用有机类溶剂作为光致抗蚀剂脱膜剂。
当选择有机类溶剂作为脱膜剂时，被蚀刻的基片浸在有机类溶剂中，以从基片上剥去光致抗蚀剂。所述浸渍技术需要相当大量的光致抗蚀剂脱膜剂。而且，对大型半导体片和大屏幕显示器的增长的需求，及大规模生产的趋势，使所需的光致抗蚀剂脱膜剂的量进一步增加。在所需的光致抗蚀剂脱膜剂用量方面的这种增加，从光致抗蚀剂脱除工艺的效率方面考虑是不希望的，并且是昂贵的。
最近，单片处理已被用于从大型基片上脱除光致抗蚀剂。在单片处理系统中有多个槽，包括光致抗蚀剂脱膜剂储存器和含有光致抗蚀剂脱膜剂或去离子水的清洗室。在光致抗蚀剂脱除过程中，为了防止在槽中盛有的光致抗蚀剂脱膜剂被来自任何布置在先的槽中的光致抗蚀剂脱膜剂污染，采用了气刀工艺，该法还延长了光致抗蚀剂脱膜剂的使用寿命。
干法或湿法蚀刻，抛光或离子注入工艺形成了光致抗蚀剂残渣。然而，常规的光致抗蚀剂脱膜剂不能除去这种光致抗蚀剂残渣。因此，虽然采用了气刀工艺，残留的光致抗蚀剂残渣仍会进入后面的槽中，由此会缩短光致抗蚀剂脱膜剂的寿命。结果，不能保证后面的过程成功，并且制成的半导体元件或显示器可能具有运转缺陷。
光致抗蚀剂残渣可分为微粒残渣和点状残渣。参照附图将会更清楚地显示残渣的形状。
图1是光学显微镜照片，显示的是在光刻蚀过程中金属线15形成之后，从基片10上脱除光致抗蚀剂之前的基片10的表面。图2是光学显微镜照片，显示的是用在比较例1中制备的光致抗蚀剂脱膜剂除去光致抗蚀剂之后的基片10表面上的微粒残渣20。图3是光学显微镜照片，显示的是在形成金属线30a和30b的过程中残留在基片25表面上的点状残渣35，金属线30a和30b具有与图1和2的金属线15不同的形状。特别地，在形成微型图形时，这种小的点状残渣35的存在，可能会引起设备上的缺陷，因此需要防止出现点状残渣35。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物，该组合物能够完全溶解和除去干法或湿法蚀刻、抛光或离子注入工艺所产生的光致抗蚀剂残渣，对于各金属层具有良好的分散性，并能够除去从光致抗蚀剂残渣中脱落的颗粒，这种颗粒即使用气刀处理也几乎不能除去。
本发明的目的是通过一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物实现的，该组合物含有：10-30％(重量)的胺化合物；20-60％(重量)的二元醇类溶剂；20-60％(重量)的极性溶剂；和0.01-3％(重量)的全氟烷基乙烯氧化物。
优选地，全氟烷基乙烯氧化物是选自化学式(1)的物质中的至少一种：
          Rf-A-(CH2CH2O)n-R            (1)其中Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；A是-(CH2)m-O-，-(CH2)m-SO2NR1-，-(CH2)m-CONR2-，SO3-，-CO2-或-SO2N(R3)CH2CO2-；R是氢或1-18个碳原子的酰基或烷基；m是0-20的整数，n是0-5的整数；R1，R2和R3为氢，1-6个碳原子的烷基，或-(CH2CH20)x-R4，x是1-20的整数；并且R4是1-6个碳原子的烷基。
更优选地，在化学式(1)中，A可以是-(CH2)m-O-；Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；m是0-20的整数；n是0-5的整数。
优选地，胺化合物是脂肪胺化合物。
优选地，脂肪胺化合物是包括一乙醇胺，2-(2-氨基乙氧基)乙醇和2-(2-氨乙基氨基)乙醇的脂肪族一级胺化合物中的至少一种。
优选地，脂肪胺化合物是包括二乙醇胺，亚氨基二丙胺和2-甲基氨基乙醇的脂肪族二级胺化合物中的至少一种。
优选地，脂肪胺化合物是包括三乙基氨基乙醇的脂肪族三级胺化合物中的至少一种。
优选地，二元醇类溶剂是选自下列化合物中的至少一种：乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二乙二醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丁醚，丙二醇甲醚，丙二醇乙醚，丙二醇丁醚，二丙二醇甲醚，二丙二醇乙醚和二丙二醇丁醚。
优选地，极性溶剂是选自下列化合物中的至少一种：二甲亚砜，N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N’-二甲基乙酰胺，N，N’-二甲基甲酰胺和二甲基咪唑啉酮。
附图简述
图1是光学显微镜照片，显示的是在光刻蚀过程中从基片上脱除光致抗蚀剂之前的带有预定图案的基片的表面；
图2是光学显微镜照片，显示的是用在比较例1中制备的光致抗蚀剂脱膜剂从基片上除去图1的光致抗蚀剂之后，基片表面上残留的微粒光致抗蚀剂残渣；和
图3是光学显微镜照片，显示的是用在比较例1中制备的光致抗蚀剂脱膜剂从基片上除去光致抗蚀剂之后，基片表面上残留的点状光致抗蚀剂残渣。
实施本发明的最佳方式
一种根据本发明的光致抗蚀剂脱膜剂组合物的特征在于，含有：10-30％(重量)的胺化合物；20-60％(重量)的二元醇类溶剂；20-60％(重量)的极性溶剂；和0.01-3％(重量)的全氟烷基乙烯氧化物。
优选地，全氟烷基乙烯氧化物是选自化学式(1)的物质中的至少一种：
          Rf-A-(CH2CH2O)n-R             (1)其中Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；A是-(CH2)m-O-，-(CH2)m-SO2NR1-，-(CH2)m-CONR2-，SO3-，-CO2-或-SO2N(R3)CH2CO2-；R是氢或1-18个碳原子的酰基或烷基；m是0-20的整数，n是0-5的整数；R1，R2和R3为氢，1-6个碳原子的烷基，或-(CH2CH20)x-R4，x是1-20的整数；并且R4是1-6个碳原子的烷基。
更优选地，在化学式(1)中，A是-(CH2)m-O-；Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；m是0-20的整数；n是0-5的整数。
当将光致抗蚀剂脱膜剂组合物涂敷到基片表面上时，全氟烷撑氧化物会降低该组合物对于下层金属层的表面张力。结果，可防止光致抗蚀剂残渣粘附到基片的表面上，所以当在湿式光致抗蚀剂脱膜剂中清洗每个单片时，可顺利地施行气刀工艺。
优选地，脂肪胺化合物是包括一乙醇胺，2-(2-氨基乙氧基)乙醇和2-(2-氨乙基氨基)乙醇的脂肪族一级胺化合物中的至少一种，是包括二乙醇胺，亚氨基二丙胺和2-甲基氨基乙醇的脂肪族二级胺化合物中的至少一种，或是包括三乙基氨基乙醇的脂肪族三级胺化合物中的至少一种。在这些化合物中，一乙醇胺是最优选的。
根据本发明的光致抗蚀剂脱膜剂组合物中的胺化合物，是一种强碱化合物，其会进攻干法或湿法蚀刻，抛光或离子注入工艺产生或交联形成的光致抗蚀剂残渣，由此破坏分子间或分子内的吸引力。结果，在光致抗蚀剂残渣的弱结构中形成孔穴，由此得到无定型凝胶块，该凝胶块易于从基片上除去。
优选地，二元醇类溶剂是选自下列化合物中的至少一种：乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二乙二醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丁醚，丙二醇甲醚，丙二醇乙醚，丙二醇丁醚，二丙二醇甲醚，二丙二醇乙醚和二丙二醇丁醚。
更优选地，二元醇溶剂是二乙二醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丁醚，其沸点为180℃或更高，并且可以不受限制地混溶。
如果使用沸点为180℃或更高的二元醇类溶剂，即使在高温下进行光致抗蚀剂的脱除，二元醇类溶剂也不会蒸发，所以可以保持光致抗蚀剂脱膜剂组合物的起始组成。结果，在整个光致抗蚀剂脱除工艺中，可以保持光致抗蚀剂脱膜剂的脱除光致抗蚀剂的能力。而且，沸点为180℃或更高的二元醇类溶剂，可降低光致抗蚀剂和下面的金属层之间的表面张力，以至于可以提高脱除光致抗蚀剂的功效。二元醇类溶剂具有低的凝固点和高的燃点，因此在存储时是非常稳定的。
根据本发明的光致抗蚀剂脱膜剂组合物中的极性溶剂，可以是二甲亚砜，N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N’-二甲基乙酰胺，N，N’-二甲基甲酰胺或二甲基咪唑啉酮。
特别地，所述极性溶剂可单独使用，或两种或多种溶剂混合使用。该极性溶剂可以打碎胺化合物从基片上分离下来的凝胶块，这防止了从基片上脱落的光致抗蚀剂在清洗过程中再次粘附到基片上。特别地，具有胺基的极性溶剂，例如N-甲基-2-吡咯烷酮，可使胺化合物更容易渗透进入光致抗蚀剂中。
实施例1-5
制得含有示于表1的不同比例的胺化合物，二元醇溶剂和全氟烷基乙烯氧化物的光致抗蚀剂脱膜剂组合物。比较例1-3
比较例1和2采用N-辛基吡咯烷酮(OP)和N-十二烷基吡咯烷酮(DP)代替全氟烷基乙烯氧化物，得到光致抗蚀剂脱膜剂组合物。比较例3不加添加剂，得到含有胺化合物，二元醇溶剂和极性溶剂的光致抗蚀剂脱膜剂组合物。
                                 表1
  实施例                               光致抗蚀剂脱膜剂组合物的组成
      胺化合物       二元醇溶剂       极性溶剂        表面活性剂
  名称    含量(重量％)   名称     含量(重量％)   名称    含量(重量％)  名称    含量(重量％)
实施例1   MEA     15   DGBE     42   NMP     40  PFAEO     3
实施例2   MIPA     10   DGEE     38   DMI+DMSO     30+20  PFAEO     2
实施例3   MEA     20   DGBE     24   NMP+DMSO     20+35  PFAEO     1
实施例4   MIPA     10   DGEE     29.9   NMP+DMAc     40+20  PEAEO     0.1
实施例5   MEA     30   DGBE     29.95   DMF     40  PFAEO     0.05
比较例1   MEA     15   DGBE     42   NMP     40  OP     3
比较例2   MEA     9   DPGME     15   DMSO     75  DP     1
比较例3   DEA     35   EGME     45   DMF     20  -      -
DEA：二乙醇胺；DGBE：二乙二醇一丁醚；DGEE：二乙二醇一乙醚；DMAc：二甲基乙酰胺；DMF：二甲基甲酰胺；DMI：二甲基咪唑啉酮；DMSO：二甲亚砜；DP：N-十二烷基吡咯烷酮；DPGME：二丙二醇一甲醚；EGME：乙二醇一甲醚；MEA：单乙醇胺；MIPA：单异丙醇胺；NMP：N-甲基吡咯烷酮；OP：N-辛基吡咯烷酮；PFAEO：全氟烷基乙烯氧化物
(1)光致抗蚀剂脱膜剂组合物对金属层的表面张力样品的制备
在尺寸为0.7mm×50mm×50mm的玻璃基片上分别形成不带图案的铝(Al)，铬(Cr)，氮化硅(SiNx)和铟锡氧化物(ITO)的金属层，并制备没有金属层的裸玻璃基片。每个Al，Cr和SiNx层的厚度为1300埃，而ITO层的厚度为900埃。表面张力的测定
将各样品相对于地面平行放置，并且将在实施例1-5和比较例1-3中制备的光致抗蚀剂脱膜剂组合物涂敷到每个样品上，并放置5分钟。接着，采用气刀法从各个基片上除去光致抗蚀剂脱膜剂组合物，并再放置2分钟。然后，直观地检测在玻璃基片上的光致抗蚀剂脱膜剂组合物的图形。结果示于表2。
                           表2
  实施例              金属层的类型  裸玻璃基片
    Al     Cr   SiNx   ITO
实施例1     ○     ○     ○     ○     ○
实施例2     ○     ○     ○     ○     ○
实施例3     ○     ○     ○     ○     ○
实施例4     ○     ○     ○     ○     ○
实施例5     ○     ○     ○     ○     ○
比较例1     ×     ×     ×     ×     ×
比较例2     ×     ×     ×     ×     ×
比较例3     ×     ×     ×     ×     ×
○：由于弱的表面张力，未显示出光致抗蚀剂脱膜剂组合物的收缩×：由于强的表面张力，显示出光致抗蚀剂脱膜剂组合物的收缩
如表2所示，对于含有表面活性剂PFAEO的实施例1-5而言，在各个金属层上都不会发生光致抗蚀剂脱膜剂组合物的收缩。相反，对于分别含有表面活性剂OP和DP的比较例1和2而言，光致抗蚀剂脱膜剂组合物在各个金属层表面上都会收缩。对于不含任何表面活性剂的比较例3而言，如比较例1和2，由于强的表面张力，在各个金属层表面上都发生光致抗蚀剂脱膜剂组合物的收缩。(2)在进行气刀工艺后留下的光致抗蚀剂残渣的量样品的制备
将Al层，Cr层和SiNx层分别沉积在尺寸为0.7mm×50mm×50mm的玻璃基片上。干燥具有金属层的各个玻璃基片之后，将商购的光致抗蚀剂(DTFR-3600，韩国Dongjin Semichem.Co.，Ltd制造)沉积在各个样品上至厚度为1.5微米。接着，在110℃的热板上加热具有光致抗蚀剂层的各个样品90秒，以干燥光致抗蚀剂层。将具有预定图形的掩膜放在各基片的光致抗蚀剂层上，并用紫外(UV)线照射。暴露于紫外(UV)线下的光致抗蚀剂层在21℃的2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液(DPD-100S，韩国Dongjin Semichem.Co.，Ltd制造)中显影90秒。在干燥烘箱中强烈烘焙样品，使在样品的Al层，Cr层和SiNx层上形成预定的光致抗蚀剂图案。将样品浸渍在蚀刻剂中，蚀刻透过光致抗蚀剂图案暴露的各金属层，由此在各基片上得到金属图形。用去离子水清洗带有金属图形的基片并用氮气干燥。光致抗蚀剂残渣量的测定
将各样品相对于地面平行放置，并且将在实施例1-5和比较例1-3中制备的各光致抗蚀剂脱膜剂组合物涂敷到各个样品上，并放置5分钟。接着，采用气刀工艺从各个基片上除去光致抗蚀剂脱膜剂组合物，并再放置2分钟。然后，用去离子水清洗样品30秒，并用氮气干燥。计算用实施例1-5和比较例1-3的光致抗蚀剂脱膜剂组合物处理的各样品的光致抗蚀剂残渣的量，该残渣是在气刀工艺之后留在玻璃基片上的。结果示于表3。
                                    表3
  实施例                        金属层的类型
       Al层         Cr层        活化层
  微粒残渣   点状残渣   微粒残渣   点状残渣   微粒残渣   点状残渣
  实施例1     1     0     0     0     0     0
  实施例2     0     0     0     0     1     0
  实施例3     0     0     0     0     0     0
  实施例4     0     0     0     0     1     0
  实施例5     0     0     0     0     1     0
  比较例1     8     ＞30     3     0     39     0
  比较例2     16     ＞30     5     0     32     0
  比较例3     7     ＞30     1     0     23     0
在表3中，术语“活化层”是指包括依次堆叠在玻璃基片上的SiNx层，无定型硅层和n+-无定型Si层的层状结构的上部。为了清楚地比较在实施例1-5和比较例1-3得到的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，在极端条件下进行了评价。图2和3是光学显微镜照片，分别显示的是在气刀工艺之后，在用比较例1的光致抗蚀剂脱膜剂处理的基片上的微粒残渣和点状残渣。如表3所示，对于全氟烷基乙烯氧化物作为表面活性剂加入的实施例1-5而言，不管金属层的类型是什么，采用气刀工艺处理，光致抗蚀剂残渣几乎完全脱除。(3)光致抗蚀剂脱膜剂组合物脱除光致抗蚀剂的能力样品的制备
将SiNx层沉积在多个尺寸为0.7mm×50mm×50mm的玻璃基片上，至厚度为1300埃。干燥具有金属层的各个玻璃基片之后，将商购的光致抗蚀剂(DTFR-3600，韩国Dongjin Semichem.Co.，Ltd制造)沉积在各个样品上至厚度为1.5微米。接着，在110℃的热板上加热具有光致抗蚀剂层的各个样品90秒，以干燥光致抗蚀剂层。
将具有预定图形的掩膜放在各基片的光致抗蚀剂层上，并用紫外(UV)线照射。暴露于UV线下的光致抗蚀剂层在21℃的2.38％的氢氧化四甲铵(TMAH)溶液(DPD-100S，韩国Dongjin Semichem.Co.，Ltd制造)中显影90秒。在干燥烘箱中强烈烘焙样品，这样在各样品的SiNx层上形成预定的光致抗蚀剂图案。用在包括SF6，CF4和CHF3的气体混合物中进行的等离子体蚀刻来蚀刻样品，以沿着光致抗蚀剂图案形成金属图形。接着，用等离子体抛光法清除干法蚀刻固化的光致抗蚀剂的表面。得到的样品在140℃或170℃的热板上烘焙10分钟。评价脱除光致抗蚀剂的能力
采用在实施例1-5和比较例1-3中得到的各光致抗蚀剂脱膜剂组合物，从各个基片上脱除固化的光致抗蚀剂图形，所述组合物的温度被调到70℃。然后，用光学显微镜观察光致抗蚀剂是否存在。测定从各基片上完全脱除光致抗蚀剂所需的时间。结果示于表4。
                       表4
    实施例             烘焙条件
  140℃，10分钟   170℃，10分钟
    实施例1     ＜5秒     ＜30秒
    实施例2     ＜5秒     ＜60秒
    实施例3     ＜5秒     ＜30秒
    实施例4     ＜5秒     ＜60秒
    实施例5     ＜5秒     ＜30秒
    比较例1     ＜10秒     ＜60秒
    比较例2     ＜10秒     ＜180秒
    比较例3     ＜10秒     ＜60秒
比较实施例1和比较例1，它们除了加入的表面活性剂的类型不同外具有相同的组成，当使用PFAEO作为表面活性剂时，脱除光致抗蚀剂的能力优于其它情况。对于实施例2-4而言，脱除光致抗蚀剂的能力优于比较例1-3。
如前所述，当光致抗蚀剂残渣是由干法或湿法蚀刻，抛光和离子注入法形成时，根据本发明的光致抗蚀剂脱膜剂组合物显示出优异的光致抗蚀剂剥离能力。另外，所述光致抗蚀剂脱膜剂组合物对包括Al层的各种金属层具有优异的分散能力，而且几乎不腐蚀这些金属层。而且，在用于从单片上清除光致抗蚀剂脱膜剂组合物的气刀工艺处理过程中，可防止光致抗蚀剂粘附到基片上，所述气刀工艺在LCD的制造中被广泛采用。

Claims (9)

1.一种光致抗蚀剂脱膜剂组合物，含有：
    10-30重量％的胺化合物；
    20-60重量％的二元醇类溶剂；
    20-60重量％的极性溶剂；和
    0.01-3重量％的全氟烷基乙烯氧化物。
2.权利要求1的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中全氟烷基乙烯氧化物是选自具有化学式(1)的物质中的至少一种：
          Rf-A-(CH2CH2O)n-R            (1)其中Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；A是-(CH2)m-O-，-(CH2)m-SO2NR1-，-(CH2)m-CONR2-，SO3-，-CO2-或-SO2N(R3)CH2CO2-；R是氢或1-18个碳原子的酰基或烷基；m是0-20的整数，n是0-5的整数；R1，R2和R3为氢，1-6个碳原子的烷基，或-(CH2CH20)x-R4，x是1-20的整数；并且R4是1-6个碳原子的烷基。
3.权利要求2的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中在化学式(1)中，A是-(CH2)m-O-；Rf是1-14个碳原子的全氟烷基；m是0-20的整数；n是0-5的整数。
4.权利要求1的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中胺化合物是脂肪胺化合物。
5.权利要求4的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中脂肪胺化合物是包括一乙醇胺，2-(2-氨基乙氧基)乙醇和2-(2-氨乙基氨基)乙醇的脂肪族一级胺化合物中的至少一种。
6.权利要求4的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中脂肪胺化合物是包括二乙醇胺，亚氨基二丙胺和2-甲基氨基乙醇的脂肪族二级胺化合物中的至少一种。
7.权利要求4的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中脂肪胺化合物是包括三乙基氨基乙醇的脂肪族三级胺化合物中的至少一种。
8.权利要求1的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中二元醇类溶剂是选自下列化合物中的至少一种：乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二乙二醇甲醚，二乙二醇乙醚，二乙二醇丁醚，丙二醇甲醚，丙二醇乙醚，丙二醇丁醚，二丙二醇甲醚，二丙二醇乙醚和二丙二醇丁醚。
9.权利要求1的光致抗蚀剂脱膜剂组合物，其中极性溶剂是选自下列化合物中的至少一种：二甲亚砜，N-甲基-2-吡咯烷酮，N，N’-二甲基乙酰胺，N，N’-二甲基甲酰胺和二甲基咪唑啉酮。
CNB008125597A 1999-08-19 2000-08-14 光致抗蚀剂脱膜剂组合物 Expired - Lifetime CN1219241C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990034323A KR100335011B1 (ko) 1999-08-19 1999-08-19 레지스트 제거용 조성물
KR1999/34323 1999-08-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1373863A true CN1373863A (zh) 2002-10-09
CN1219241C CN1219241C (zh) 2005-09-14

Family

ID=19607812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008125597A Expired - Lifetime CN1219241C (zh) 1999-08-19 2000-08-14 光致抗蚀剂脱膜剂组合物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6579668B1 (zh)
JP (1) JP4409138B2 (zh)
KR (1) KR100335011B1 (zh)
CN (1) CN1219241C (zh)
AU (1) AU6599300A (zh)
TW (1) TW538306B (zh)
WO (1) WO2001014934A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100346231C (zh) * 2003-08-27 2007-10-31 Lg.菲利浦Lcd有限公司 用于除去与铜相容的抗蚀剂的组合物和方法
CN100365510C (zh) * 2003-01-15 2008-01-30 友达光电股份有限公司 制作一金属图案的方法
CN104423182A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 杜邦公司 正型光阻剥除剂
CN111880384A (zh) * 2020-08-10 2020-11-03 深圳市创智成功科技有限公司 用于去除晶圆表面光刻胶的环保型去胶剂

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002303993A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US7015183B2 (en) 2001-05-21 2006-03-21 Dongjin Semichem Co., Ltd. Resist remover composition
KR20030023204A (ko) * 2001-09-12 2003-03-19 삼성전자주식회사 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
KR100438015B1 (ko) 2001-10-10 2004-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리용 레지스트 제거용 조성물
KR100518714B1 (ko) * 2002-02-19 2005-10-05 주식회사 덕성 레지스트 박리액 조성물
KR101016724B1 (ko) * 2003-08-01 2011-02-25 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물
US7632796B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) * 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
US20070243773A1 (en) * 2005-10-28 2007-10-18 Phenis Michael T Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7655608B2 (en) * 2007-08-03 2010-02-02 Dynaloy, Llc Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt
US8551682B2 (en) 2007-08-15 2013-10-08 Dynaloy, Llc Metal conservation with stripper solutions containing resorcinol
KR101082515B1 (ko) * 2008-04-07 2011-11-10 주식회사 엘지화학 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
TWI450052B (zh) * 2008-06-24 2014-08-21 Dynaloy Llc 用於後段製程操作有效之剝離溶液
TWI539493B (zh) 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
US8987181B2 (en) 2011-11-08 2015-03-24 Dynaloy, Llc Photoresist and post etch residue cleaning solution
JP6144468B2 (ja) * 2012-08-22 2017-06-07 富士フイルム株式会社 レジスト剥離方法および半導体基板製品の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401747A (en) * 1982-09-02 1983-08-30 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
IE59971B1 (en) 1986-11-10 1994-05-04 Baker J T Inc Stripping compositions and their use for stripping resists from substrates
JP2578821B2 (ja) 1987-08-10 1997-02-05 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用剥離液
US4946992A (en) * 1988-06-20 1990-08-07 Ciba-Geigy Corporation Heteroatom containing perfluoroalkyl terminated neopentyl glycols and compositions therefrom
JP2527268B2 (ja) 1990-09-17 1996-08-21 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離剤組成物
US5139607A (en) 1991-04-23 1992-08-18 Act, Inc. Alkaline stripping compositions
JPH04350660A (ja) 1991-05-28 1992-12-04 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
JP3095296B2 (ja) 1991-12-19 2000-10-03 株式会社日立製作所 レジスト剥離方法、これを用いた薄膜回路素子の製造方法、および、レジスト剥離液
JP2980772B2 (ja) 1992-04-02 1999-11-22 ナガセ電子化学株式会社 剥離剤組成物
US6326130B1 (en) * 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
JP3255551B2 (ja) 1995-01-31 2002-02-12 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100365510C (zh) * 2003-01-15 2008-01-30 友达光电股份有限公司 制作一金属图案的方法
CN100346231C (zh) * 2003-08-27 2007-10-31 Lg.菲利浦Lcd有限公司 用于除去与铜相容的抗蚀剂的组合物和方法
CN104423182A (zh) * 2013-08-29 2015-03-18 杜邦公司 正型光阻剥除剂
CN104423182B (zh) * 2013-08-29 2019-05-10 得凯莫斯公司弗罗里达有限公司 正型光阻剥除剂
CN111880384A (zh) * 2020-08-10 2020-11-03 深圳市创智成功科技有限公司 用于去除晶圆表面光刻胶的环保型去胶剂

Also Published As

Publication number Publication date
CN1219241C (zh) 2005-09-14
TW538306B (en) 2003-06-21
JP2003507772A (ja) 2003-02-25
WO2001014934A1 (en) 2001-03-01
JP4409138B2 (ja) 2010-02-03
KR20010018377A (ko) 2001-03-05
AU6599300A (en) 2001-03-19
KR100335011B1 (ko) 2002-05-02
US6579668B1 (en) 2003-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1219241C (zh) 光致抗蚀剂脱膜剂组合物
EP0827188B1 (en) Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same
US7951764B2 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions
EP1877870B1 (en) Non-aqueous photoresist stripper that inhibits galvanic corrosion
CN1220115C (zh) 光刻胶剥离剂组合物
US20110207645A1 (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions containing polymeric corrosion inhibitors
CN1916146A (zh) 剥离聚合物的组合物
KR20050001811A (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리방법
KR20100070087A (ko) 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR100554685B1 (ko) 레지스트박리제 조성물
WO2015119759A1 (en) Composition for removing substances from substrates
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
CN1217236C (zh) 包括氟化铵的光刻胶去除剂组合物
KR100324172B1 (ko) 포토레지스트박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법
KR101319217B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용하는포토레지스트의 박리방법
KR101445668B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
JP2004177667A (ja) シリコン含有２層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
JPH11133628A (ja) フォトレジスト洗浄除去剤
JPH11133629A (ja) フォトレジスト洗浄除去剤
CN115039036A (zh) 用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
WO2021100256A1 (ja) レジスト剥離液
KR20030021732A (ko) 포토레지스트 스트립핑 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성방법
KR20020019813A (ko) 암모늄 플로라이드를 함유하는 포토레지스트 리무버조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: CO., LTD. DONG JIN SHI-MEI KEN

Free format text: FORMER NAME: DONG JIN SE MI-KAN CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Inchon, Korea

Patentee after: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd.

Address before: Inchon, Korea

Patentee before: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Beijing world east Macon Technology Co.,Ltd.

Assignor: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd.

Contract fulfillment period: 2009.11.20 to 2024.11.19

Contract record no.: 2009990001324

Denomination of invention: Photoresist remover composition

Granted publication date: 20050914

License type: General permission

Record date: 20091216

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: COMMON LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2009.11.20 TO 2024.11.19; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: BEIJING DONGJIN SEMICHEM TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20091216

EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract

Assignee: Beijing world east Macon Technology Co.,Ltd.

Assignor: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd.

Contract record no.: 2009990001324

Date of cancellation: 20100304

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050914

CX01 Expiry of patent term