KR100324172B1 - 포토레지스트박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 및 액정표시소자의 제조공정에 있어서 기판으로부터 포토레지스트막을 박리하기 위한 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법을 개시한다. 유기아민 화합물, 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물, 및 알킬 피롤리돈 화합물이 소정의 비율로 혼합되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 포토레지스트 박리액 조성물은 건식식각, 습식식각 및/또는 애싱공정에 따르는 가혹한 조건 및 상기 공정중 하부의 금속막으로부터 식각되어 나온 금속성부산물에 의하여 변질된 포토레지스트막도 저온에서 단시간내에 용이하게 박리할 수 있으며, 박리공정중의 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있으며, 후속의 린스공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요없이 물만으로 린스가 가능하며, 장시간 박리공정을 진행하여도 가열로 인한 증발손실이 적어 박리액 조성물 교체주기를 최대화할 수 있다.

Description

포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법{Photoresist stripping composition and photoresist stripping method using the same}
본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물(stripping composition) 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체소자 및 액정표시소자의 제조공정에 있어서 기판으로부터 포토레지스트막을 박리하기 위한 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다.
직접회로(IC), 고집적회로(LSI), 초고집적회로(VLSI)등의 반도체소자와 TFT-LCD, TN-LCD, STN-LCD 등의 액정표시소자 및 평판표시소자(PDP) 등을 제조하기 위해서는 많은 단계의 사진식각공정을 실시하는 것이 필요하다. 상기 사진식각공정은 다음과 같은 단계에 의하여 이루어진다.
먼저, 금속층(metal layer)과 같은 하부구조물을 갖는 반도체기판 또는 유리기판에 포토레지스트를 스핀 코팅하여 포토레지스트막을 형성한다. 이어서, 소정의 패턴이 형성되어 있는 마스크를 통하여 상기 포토레지스트막에 자외선, 전자선, 또는 X선과 같은 고에너지를 갖는 활성선을 조사함으로써 상기 패턴의 잠재상(latentimage)을 상기 포토레지스트막에 형성한다. 계속하여, 상기 포토레지스트막을 현상하여 상기 패턴과 동일한 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 반도체기판 또는 유리기판을 습식 또는 건식으로 에칭함으로써 반도체기판 또는 유리기판에 상기 원하는 패턴을 형성하게 된다. 마지막으로, 상기 포토레지스트 패턴을 박리액 조성물(stripper composition)을 사용하여 제거한다.
최근 가공 패턴의 초미세화 경향으로 금속막 또는 산화막의 식각조건이 가혹해지고 있어 변질경화된 포토레지스트의 발생빈도가 높아지고 있다. 구체적인 식각조건은 식각의 대상이 되는 막질에 따라 달라지지만 크게 식각액에 의한 전기화학반응을 이용한 습식식각과 플라즈마화된 식각가스의 라디칼 반응을 이용하는 건식식각으로 분류된다. 이러한 식각조건에 따라 포토레지스트의 표면에서 일어나는 복잡한 화학반응에 의하여 변질가교된 포토레지스트는 통상적인 종래의 포토레지스트 박리액 조성물을 사용하여도 제거하기 어렵다. 또한, 이러한 변질가교된 포토레지스트는 플라즈마 애싱(ashing) 공정에 의해서도 제거하기 어렵다. 그런데, 이러한 변질가교된 포토레지스트가 완전하게 제거되지 않으면 배선 패턴위 또는 배선 패턴과 패턴의 사이에 포토레지스트 잔류물이 남아 후속 공정에서 단선, 단락의 요인이 되어 반도체소자, 액정표시소자 및 평판표시소자 등의 생산에 있어서 수율이 저하되는 원인이 된다.
종래 포토레지스트의 제거에 사용되는 박리액 조성물로서는, ① 탄소수 10 ~ 20개의 알킬벤젠설폰산과 ② 비점이 150℃ 이상의 비할로겐화방향족 탄화수소와의혼합액(일본 특개소 51-72503호), ① 디메틸 또는 디에틸설폭사이드와 ② 유기설폰으로 이루어진 혼합액(일본 특개소 57-84456호), ① 탄소수 10 ~ 20개의 계면활성제 알킬아릴설폰산과 ② 탄소수 6 ~ 9개의 친수성 방향족설폰산과 ③ 비점 150℃ 이상의 비할로겐화방향족 탄화수소와의 혼합액(미국특허 제4,265,294호) 등이 제안되었다.
그러나, 이들은 금속막에 대한 부식이 심하고 유독성, 작업성 및 환경오염 등의 측면에서 문제점이 있기 때문에 수용성 유기아민 화합물과 각종 유기용제를 혼합하여 이루어지는 박리액 조성물이 제안되었다. 특히, 상기 수용성 유기아민 화합물중에서 모노에탄올아민(MEA)을 필수성분으로서 포함하는 박리액 조성물이 널리 사용되고 있다.
예를 들면, ① MEA, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 유기아민류 ② N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디메틸포름아미드(DMF), N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트, 메톡시아세톡시프로판 등의 극성용제로 이루어진 2성분계 박리액조성물(미국특허 4,617,251호); ① MEA, 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA) 등의 알칸올아민 ② 술폴란 등의 술폰화합물 ③ 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 등의 글리콜 모노알킬 에테르를 특정비율로 혼합한 박리액 조성물(일본 특개소 62-49355호); ① MEA, DEA 등의 수용성 아민 ② 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논을 함유한 박리액 조성물(일본 특개소 63-208043호); ① MEA, 에틸렌디아민, 피페리딘 등의 아민화합물 ② DMAc, NMP, DMSO 등의 극성용제 ③ 계면활성제를 함유한 박리액 조성물(일본 특개소 63-231343호); ① MEA 등의 질소함유 유기히드록시화합물 ② 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르, 디에틸렌글리콜 디알킬 에테르, γ-부티로락톤 및 1,3-디메틸-2-이미다졸리논 중에서 선택된 하나 이상의 용제, 및 ③ DMSO를 특정비율로 혼합한 박리액 조성물이 제안되어 있다.
그러나, 상기 박리액은 포토레지스트에 대한 박리능력이 충분하지 못하고, 포토레지스트를 이루는 고분자물질에 대한 용해능력이 충분하지 못하여 포토레지스트 잔류물이 반도체기판 또는 유리기판 등에 재부착하거나, 박리공정중에 가해지는 열에 의한 증발손실량이 많아 박리액 조성물의 사용주기가 짧은 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서 MEA 대신 트리에탄올아민(TEA)을 필수성분으로 하는 박리액조성물(일본 특개평 4-305653)이 제안되었으나 박리능력이 충분하지 못한 문제점을 해결하지는 못했다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기한 문제점을 해결하기 위해서 건식식각, 습식식각 및/또는 애싱공정에 따르는 가혹한 조건 및 상기 공정중 하부의 금속막으로부터 식각되어 나온 금속성부산물에 의하여 변질된 포토레지스트막도 저온에서 단시간내에 용이하게 박리할 수 있으며, 박리공정중의 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있으며, 후속의 린스공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요없이 물만으로 린스가 가능하며, 장시간 박리공정을 진행하여도 가열로 인한 증발손실이 적어 박리액 조성물 교체주기를 최대화할 수 있는 박리액 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명에 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 박리액 조성물을 사용하여 포토레지스트막을 박리하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명은 하기 화학식 1에 의하여 표시되는 유기아민 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물, 및 하기 화학식 3에 의하여 표시되는 알킬 피롤리돈 화합물을 함유하여 이루어지며, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 10 ~ 30중량%이고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 화학식 3로 표시되는 화합물의 총함량이 70 ~ 90중량%이며, 또한 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 : 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 혼합중량비가 1 : 1.1 ~ 2.5인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다:
여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 4의 하이드록시알킬기를,m은 1 ~ 4의 정수를 각각 나타내고,
여기서, R5는 탄소수 1 ~ 4의 알킬기를 나타내고,
여기서, R6는 탄소수 1 ~ 8의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 8의 하이드록시알킬기를 각각 나타낸다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 모노에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, 및 3-에톡시프로필아민으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, 및 N-옥틸 피롤리돈으로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명은 포토레지스트막이 도포된 기판과 상기 청구항 제1항에 기재된 박리액 조성물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법을 제공한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위해서 본 발명은 또한 소정의 물질막 패턴 및 상기 물질막 패턴을 형성하기 위한 식각마스크로 사용된 포토레지스트 패턴이 차례로 적층되어 있는 기판과 상기 청구항 제1항에 기재된 박리액 조성물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판과 상기 박리액 조성물을 접촉시키기 전에 상기 포토레지스트 패턴을 플라즈마를 이용하여 애싱(ashing)할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 물질막은 알루미늄, 몰리브덴, 크롬, 비정질실리콘, 텅스텐 및 이들을 포함하는 금속합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 박리액 조성물은 건식식각, 습식식각 및/또는 애싱공정에 따르는 가혹한 조건 및 상기 공정중 하부의 금속막으로부터 식각되어 나온 금속성부산물에 의하여 변질되어 경화된 포토레지스트막도 저온에서 단시간내에 용이하게 박리할 수 있으며, 박리공정중의 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 후속의 린스공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요없이 물만으로 린스가 가능하며, 장시간 박리공정을 진행하여도 가열로 인한 조성변화 및 증발손실이 적어 박리액 조성물 교체주기를 최대화할 수 있다. 따라서, 반도체기판 기판 사이즈가 300mm로 대구경화되고 있고 액정표시소자의 기판 사이즈도 1m×1m로 대형화되고 있는 현재 본 발명에 따른 박리액 조성물을 이용하면 경제적으로 박리공정을 수행할 수 있다. 한편, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 위에서 언급한 물질막위에 형성된 포토레지스트를 박리하는데 효과적일 뿐만 아니라 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiXNY)와 같은 절연막위에 형성된 포토레지스트를 박리하는 경우에도 효과적이다.
이하, 본 발명에 따른 박리액 조성물에 대하여 더 자세히 설명한다.
본 발명에 따른 박리액 조성물은 3성분으로 이루어져 있다. 첫 번째 성분은 하기 화학식 1에 의하여 표시되는 유기아민 화합물이다:
〈화학식 1〉
여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 4의 하이드록시알킬기를,m은 1 ~ 4의 정수를 각각 나타낸다. 상기 유기 아민화합물은 치환기 R1~ R4의 종류에 따라 알칸올아민 화합물, 알콕시아민 화합물, 또는 알콕시알칸올아민 화합물로 분류될 수 있다. 이중에서 특히 모노에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, 및 3-에톡시프로필아민이 분자량이 작아 포토레지스트막에 침투하기 용이하므로 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 유기아민 화합물의 총함량은 10 ~ 30중량%가 바람직한데, 더욱 바람직하게는 15 ~ 25중량%이다. 상기 유기아민 화합물의 총함량이 10중량% 미만이면 선행하는 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트를 완전하게 박리하기 어렵고, 30중량%를 초과하면 금속배선에 대한 부식성이 커지는 문제점이 있다.
본 발명에 따른 박리액 조성물의 두 번째 성분은 하기 화학식 2로 표시되는 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물이다:
〈화학식 2〉
여기서, R5는 탄소수 1 ~ 4의 알킬기를 나타낸다. 상기 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물은 상기 화학식 1에 의하여 표시되는 유기화합물에 잘 혼합된다. 이중에서 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(메틸 카비톨), 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(에틸 카비톨), 또는 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(부틸 카비톨)가 바람직하다. 이들은 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(메틸 글리콜), 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(에틸 글리콜), 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(부틸 글리콜), 및 에틸렌글리콜 모노이소부틸 에테르(이소부틸 글리콜) 등의 알킬 글리콜류에 비하여 더 소수성이기 때문에 소수성인 고분자수지로 이루어지는 포토레지스트의 박리에 유리하다. 또한, 비점이 190℃ 이상이고 인화점이 70℃ 이상인 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물이 장시간 박리공정을 진행하여도 가열로 인한 조성변화 및 증발손실이 적으므로 박리액 조성물 교체주기를 최대화할 수 있는 면에서 바람직하다.
본 발명에 따른 박리액 조성물의 세 번째 성분은 하기 화학식 3에 의하여 표시되는 알킬 피롤리돈 화합물이다:
〈화학식 3〉
여기서, R6는 탄소수 1 ~ 8의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 8의 하이드록시알킬기를 각각 나타낸다. 상기 알킬 피롤리돈 화합물은 용해도 파라미터가 10이상으로 포토레지스트를 구성하는 고분자수지에 대한 용해성이 우수하며, 물과 매우 잘 혼합되며, 비이온성으로서 박리공정에 있어서 웨팅시간을 단축할 수 있으며, 분자구조가 컴팩트하기 때문에 물속에서 쉽게 이동할 수 있으며 계면장력을 크게 저하시키는 특성이 있다. 이중에서, N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, 및 N-옥틸 피롤리돈으로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다. 이중에서도, 특히 N-메틸 피롤리돈이 친수기가 작아서 동적표면장력이 낮아 가장 효과적이다.
상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 화학식 3로 표시되는 화합물의 총함량은 70 ~ 90중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 75 ~ 85중량%이다. 상기 총함량이 70중량% 미만이면 장시간의 박리공정 수행시 증발손실에 의하여 박리성능이 저하되고 상기 총함량이 90중량%를 초과하면 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막을 완전하게 박리하지 못하는 문제점이 있다.
이때, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 : 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 혼합중량비가 1 : 1.1 ~ 2.5일 때 변질된 포토레지스트막에 대한 용해능력이향상되고 박리액조성물의 사용주기가 연장되어 반도체기판의 처리매수가 증가되기때문에 바람직하다. 상기 혼합중량비가 1 : 1.1 미만이면 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막에 대한 용해능력이 저하된다. 상기 혼합중량비가 1 : 2.5를 초과하면 금속배선에 대한 부식성이 과도해지고, 증발손실량이 커지며, 또한 고가인 화학식 3의 알킬 피롤리돈 화합물의 과다사용에 따르는 박리액 조성물 제조비용의 상승에 비하여 용해능력의 상승효과가 크지 않다.
이하, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 하는데, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것이 아님은 물론이다. 한편, 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다. 본 발명의 실시예 및 비교예에 있어서, 박리액 조성물에 대한 성능평가는 다음 방법에 의하여 실시하였다.
(1) 박리성능
시편제조
Al, Cr, Mo, 또는 a-Si(비정질실리콘)이 200nm의 두께로 형성된 1.1mm × 60mm×70mm의 유리기판위에 범용적으로 사용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물 DTFR-3600(동진화성공업사제)를 건조후 막두께가 1.5㎛가 되도록 도포하고 핫 프레이트(Hot plate)상에서 110℃에서 90초간 열처리하였다.
이어서, 상기 포토레지스트막위에 소정의 패턴이 형성된 마스크를 위치시킨 후 자외선을 조사하고 2.38% 테트라메틸암모늄 하드록사이드(TMAH) 현상액 DPD-100S(동진화성공업사제)로 21℃에서 90초 현상한 후 시편을, 건조오븐에서 120℃, 140℃, 160℃, 또는 180℃에서 15분간 하드베이크하여 Al, Cr, Mo, 또는 Cu금속막위에 소정의 레지스트 패턴을 형성하였다.
계속하여, 상기 시편을 질산세륨암모늄을 주성분으로 하는 식각용액에 침지하여 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 덮여 있지 않은 상기 금속막을 식각하여 금속막 패턴을 형성하였다. 이어서, 상기 시편을 초순수로 수세하고 N2 개스로 건조하였다.
박리시험
박리액 조성물에 상기 시편을 온도 50℃, 또는 80℃를 유지하면서 5분간 침지시켰다. 계속하여, 상기 시편을 박리액 조성물로부터 꺼낸 후 초순수로 수세하고 N2 개스로 건조한 후 상기 금속막 패턴중의 라인과 라인사이의 공간 및 상기 금속막 패턴의 표면에 포토레지스트 잔류물이 부착되어 있는 지 여부를 주사전사현미경으로 검사하여 박리성능을 다음과 같이 평가하고 그 결과를 아래의 표 2~ 5에 나타냈다.
◎ : 금속막 패턴의 표면 및 라인과 라인사이의 공간에 포토레지스트 잔류물이 100% 제거된 경우
○ : 금속막 패턴의 표면 및 라인과 라인사이의 공간에 포토레지스트 잔류물이 약 75% 제거된 경우
△ : 금속막 패턴의 표면 및 라인과 라인사이의 공간에 포토레지스트 잔류물이 약 50% 제거된 경우
× : 금속막 패턴의 전표면에 박막형태로 포토레지스트 잔류물이 남아있는 경우
여기서, 상기 포지티브형 포토레지스트 조성물 DTFR-3600은 막형성 성분으로 알카리 가용성 노볼락수지, 감광성 화합물로서 퀴논디아지드계(quinonediazide) 화합물 및 이들을 용해시킬 수 있는 유기용매로 이루어진 것이다.
(2) 박리액 조성물의 사용수명
장시간 박리공정을 수행한 후의 박리액 조성물의 박리성능을 평가하기 위하여 상기 (1)에서 설명한 시편 0매, 1000매, 2000매, 3000매, 또는 4000매에 대하여 박리공정을 이미 수행한 박리액 조성물을 사용하여 다시 상기 (1)의 박리성능시험을 실시하였다. 이때, 시편 (1)에서 설명한 바에 따라 금속막질로서는 Al막을 형성하고, 포토레지스트막 도포시의 하드 베이크온도는 각각 120℃와 160℃로 하였다. 또한, 박리성능시험은 50℃의 박리액 조성물에 상기 시편을 5분 동안 침지한 후 꺼내는 방식으로 실시하였다. 한편, 박리성능의 평가방법은 (1)의 경우와 동일하며 그 결과를 아래의 표 6에 나타냈다.
(3) 금속배선 부식성 시험
(1)의 방법에 따라 금속막질이 알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 시편 50매를 70℃에서 박리액 조성물 5kg에 침지시켰다. 계속하여, 각각 12시간, 24시간, 및 48시간이 경과할 때마다 상기 시편을 꺼낸 후, 상기 박리액 조성물중으로 용출되어 나온 Al과 Mo 이온의 용출량을 ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy)(모델명 : ELAN 6000, 미국 PERKIN-ELMER사제)에 ETV(Electro Thermal Vaporizer)를 장착하여 측정하고 그 결과를 ppb단위로 표 7에 나타냈다.
(4) 증발손실에 의한 무게변화시험
직경 5cm인 유리 비이커에 박리액 조성물 200g을 넣고 70℃를 유지한 상태에서 상기 박리액 조성물을 가열하면서 1, 2, 4, 8, 16, 24, 48시간 간격으로 증발로 인한 박리액 조성물의 무게변화를 측정하고 그 결과를 표 8에 나타냈다. 표 9에서, 수치앞의 (-) 부호는 박리액 조성물이 공기중의 수분을 흡수하여 무게가 오히려 증가되었음을 나타낸다.
실시예 1 ~ 8, 비교예 1 ~ 6
화학식 1에 의하여 표시되는 유기아민 화합물, 화학식 2로 표시되는 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물, 및 화학식 3에 의하여 표시되는 알킬 피롤리돈 화합물이 본원발명의 특허청구범위내에서 혼합하여 박리액 조성물을 조제하였다. 이와 같이 하여 얻은 박리액 조성물에 대하여 위에서 설명한 (1) 박리성능, (2) 박리액 조성물의 사용수명, (3) 금속배선 부식성 시험, 및 (4) 증발손실에 의한 무게변화시험을 실시하고 그 결과를 표 2 ~ 표 8에 나타냈다.
박리액 조성물의 조성
구분 박리액조성물의 조성(wt%)
유기아민 디에틸렌글리콜모노알킬 에테르 알킬 피롤리돈
종류 양 종류 양 종류 양
실시예 1 MEA 15 EC 25 NMP 60
2 MEA 30 MC 30 NEP 40
3 IPA 20 BC 25 NEP 55
4 IPA 10 EC 40 NMP 50
5 3-EPA 30 BC 30 NOP 40
6 MEA 10 BC 40 NMP 50
7 IPA 30 EC 30 NEP 40
8 N-MEA 20 BC 25 NMP 55
비교예 1 DEA 5 BC 70 NEP 25
2 IPA 35 EC 15 NMP 50
3 TEA 8 MG 60 DMF 32
4 MEA 40 BG 15 DMF 45
5 IPA 5 EC 60 TMS 35
6 MEA 32 EG 20 TMS 48
※MEA : 모노에탄올아민 DEA : 디에탄올아민TEA : 트리에탄올아민 IPA : 이소프로판올아민3-EPA : 3-에톡시프로필아민 N-MEA : N-메틸에탄올아민MC : 메틸카비톨 EC : 에틸카비톨BC : 부틸카비톨 NEP : N-에틸 피롤리돈NMP : N-메틸피롤리돈 NOP : N-옥틸 피롤리돈DMF : 디메틸포름아마이드 TMS : 테트라메틸렌설폰EG : 에틸글리콜 MG : 메틸글리콜BG : 부틸글리콜
Al 막질에서의 포토레지스트 박리성능 비교시험
박리액 온도 50℃ 80℃
하드베이크온도 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃ 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃
실시예 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
3 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
5 ◎ ◎ ◎ ○ △ ◎ ◎ ◎ ○ ○
6 ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ○ ○
7 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ ○ △ × × ◎ ○ △ × ×
2 ◎ ◎ ○ △ × ◎ ◎ ○ △ ×
3 ◎ ○ △ × × ◎ ○ △ × ×
4 ◎ ◎ ○ × × ◎ ◎ ○ △ ×
5 ◎ △ △ × × ◎ △ △ × ×
6 ◎ △ △ × × ◎ △ △ × ×
Cr 막질에서의 포토레지스트 박리성능 비교시험
박리액 온도 50℃ 80℃
하드베이크온도 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃ 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃
실시예 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
3 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
5 ◎ ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ○ ○
6 ◎ ◎ ◎ ○ △ ◎ ◎ ◎ ○ ○
7 ◎ ◎ ◎ ◎ △ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ ○ △ × × ◎ ○ △ × ×
2 ◎ ○ ○ △ × ◎ ◎ ○ △ ×
3 ◎ ○ △ × × ◎ ○ ○ △ ×
4 ◎ ◎ ○ × × ◎ ◎ ○ △ ×
5 ◎ △ × × × ◎ △ △ × ×
6 ◎ △ △ × × ◎ △ △ × ×
Mo 막질에서의 포토레지스트 박리성능 비교시험
박리액 온도 50℃ 80℃
하드베이크온도 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃ 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃
실시예 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
3 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
5 ◎ ◎ ◎ ○ △ ◎ ◎ ◎ ○ ○
6 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
7 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ ○ △ × × ◎ ○ △ × ×
2 ◎ ○ ○ △ × ◎ ◎ ○ △ ×
3 ◎ △ △ × × ◎ ○ △ × ×
4 ◎ ○ ○ × × ◎ ◎ ○ △ ×
5 ◎ ○ △ × × ◎ △ △ × ×
6 ◎ △ △ × × ◎ △ △ × ×
a-Si 막질에서의 포토레지스트 박리성능 비교시험
박리액 온도 50℃ 80℃
하드베이크온도 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃ 120℃ 140℃ 160℃ 180℃ 200℃
실시예 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
3 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ○
4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
5 ◎ ◎ ◎ ○ △ ◎ ◎ ◎ ○ △
6 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
7 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ ○ △ × × ◎ ○ △ × ×
2 ◎ ◎ ○ △ × ◎ ◎ ○ △ ×
3 ◎ ○ △ △ × ◎ ◎ △ × ×
4 ◎ ◎ ○ × × ◎ ◎ ○ △ ×
5 ◎ △ × × × ◎ △ △ × ×
6 ◎ △ △ △ × ◎ △ △ × ×
표 2 내지 5를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 ~ 8의 박리액 조성물은 하부 금속막의 막질에 관계없이 식각공정에 의하여 변질된 포토 레지스트막까지도 잘 박리할 수 있지만 본 발명에 속하지 않는 비교예 1 내지 6의 박리액 조성물은 포토레지스트의 하드베이크 온도가 120℃인 경우에는 박리성능이 우수하나 하드베이크의 온도가 그 이상으로 증가할수록 박리성능이 불량해짐을 알 수 있다.
박리액 조성물의 사용수명 비교시험
시편처리매수 0매 1,000매 2,000매 3,000매 4,000매
하드베이크 온도 120℃ 160℃ 120℃ 160℃ 120℃ 160℃ 120℃ 160℃ 120℃ 160℃
실시예 1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
2 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ○
3 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ △
4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
5 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ △
6 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ○
7 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ○
8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ △ ◎ △ ○ × × △ × ×
2 ◎ ○ ◎ ○ ◎ ○ ○ × × ×
3 ◎ △ ◎ △ ◎ △ ○ × × ×
4 ◎ ○ ◎ ○ ◎ △ ○ × × ×
5 ◎ △ ◎ △ ○ × × × × ×
6 ◎ △ ◎ △ ○ × × × × ×
표 6을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 ~ 8의 박리액 조성물은 시편을 4000매 처리한 상태에서도 120℃로 하드베이크된 포토레지스트에 대하여는 초기의 박리액 조성물과 동일한 수준으로 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막까지도 잘 박리할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 160℃로 하드베이크된 포토레지스트에 대하여는 시편을 3,000매 처리한 상태에서도 초기의 박리액 조성물과 동일한 수준으로 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막까지도 잘 박리할 수 있으나, 시편을 4,000매 처리한 상태에서는 박리능력이 여전히 양호하나 초기의 박리액 조성물에 비하여는 박리능력이 저하되기 시작하는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른박리액 조성물은 박리수명이 우수함을 알 수 있다.
한편, 본 발명에 속하지 않는 비교예 1 ~ 6의 박리액 조성물의 경우에는 시편을 1000매 처리한 상태에서는 120℃로 하드베이크된 포토레지스트에 대하여 초기의 박리액 조성물과 동일한 수준으로 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막까지도 잘 박리할 수 있음을 알 수 있다. 그러나, 시편을 2,000매 처리한 상태 부터는 박리액 조성물의 박리능력이 저하되기 시작함을 알 수 있다. 또한, 160℃로 하드베이크된 포토레지스트에 대하여는 초기부터 박리능력이 우수하지는 않지만 시편을 1,000매 처리한 상태에서도 초기의 박리액 조성물과 동일한 수준으로 식각공정에 의하여 변질된 포토레지스트막을 박리할 수 있으나, 시편을 2,000매 처리한 상태부터는 박리능력이 급격히 저하됨을 알 수 있다.
금속배선 부식성 비교시험
Al막의 경우의 용출량 (ppb) Mo막의 경우의 용출량 (ppb)
침지시간(hr) 12 24 48 12 24 48
실시예 1 2.5 9.7 28.9 2.4 9.8 29.6
2 2.0 9.2 27.6 2.2 9.5 28.5
3 1.1 7.8 19.1 1.4 8.1 22.5
4 2.3 9.9 32.3 2.3 9.4 34.3
5 1.7 8.5 22.7 1.9 8.2 22.6
6 2.1 8.7 28.5 2.0 8.3 27.7
7 1.3 8.1 25.6 1.5 6.9 23.1
8 2.4 9.2 28.9 2.1 9.8 27.6
비교예 1 12.1 73.8 198.9 12.9 78.5 189.7
2 19.9 98.7 229.4 18.9 92.6 248.3
3 11.8 62.1 201.3 12.4 63.7 211.1
4 16.5 98.3 215.3 17.4 95.2 229.6
5 10.6 79.5 203.1 11.8 72.9 209.4
6 14.7 84.6 201.7 13.8 81.0 209.8
표 7을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 ~ 8의 박리액 조성물은 비교예 1 ~ 3의 박리액 조성물에 비하여 Al 또는 Mo 이온을 거의 부식시키지 않음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 포토레지스트 박리공정시 하부의 배선재료를 거의 부식시키지 않으므로 반도체장치 또는 액정표시소자 등의 생산수율을 향상시킬 수 음을 알 수 있다.
증발손실에 의한 박리액 조성물 무게변화시험(단위 : g)
경과시간(hr) 1 2 4 8 16 24 48
실시예 1 -0.05 1.32 4.25 8.62 18.94 26.73 52.14
2 0.16 1.69 6.40 12.78 20.87 27.78 58.65
3 0.15 1.54 5.86 11.85 20.85 28.84 60.05
4 -0.02 1.03 4.12 9.93 19.30 27.61 58.33
5 0.17 1.59 6.29 12.30 24.38 31.19 62.17
6 0.03 1.27 4.45 8.99 18.90 26.85 55.62
7 0.14 1.61 6.57 11.96 21.17 29.76 58.36
8 0.13 1.53 5.92 10.04 20.67 28.91 58.63
비교예 1 0.08 1.85 5.60 11.81 38.54 47.53 96.97
2 0.15 4.45 8.18 15.74 42.28 54.69 111.35
3 0.11 2.37 6.19 13.89 39.97 54.03 112.02
4 0.17 4.97 9.04 18.13 46.96 49.52 124.95
5 -0.07 3.31 7.23 16.26 42.64 48.68 110.03
6 0.09 4.26 9.22 18.78 48.73 53.27 98.32
표 8을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 ~ 8의 박리액 조성물은 본 발명에 속하지 않는 비교예 1 ~ 6의 박리액 조성물에 비하여 박리공정중에 증발에 의한 무게변화가 월등히 작음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 오랫동안 박리공정을 수행하는 경우에도 약액의 소모량이 현저하게 적어 경제성이 높고 박리액 조성물의 교환주기를 장기화할 수 있어 반도체소자 등의 생산성 향상에 도움이 됨을 알 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 증발량이 적으므로 기체화된 박리액에 의하여 야기되는 화재, 작업환경 악화, 및 배기덕트 필터 손상 등을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 건식식각, 습식식각 및/또는 애싱공정에 따르는 가혹한 조건 및 상기 공정중 하부의 금속막으로부터 식각되어 나온 금속성부산물에 의하여 변질된 포토레지스트막도 저온에서 단시간내에 용이하게 박리할 수 있으며, 박리공정중의 하부의 금속배선의 부식을 최소화할 수 있으며, 후속의 린스공정에서 이소프로필알콜, 디메틸설폭사이드와 같은 유기용제를 사용할 필요없이 물만으로 린스가 가능하며, 장시간 박리공정을 진행하여도 가열로 인한 증발손실이 적어 박리액 조성물 교체주기를 최대화할 수 있다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1에 의하여 표시되는 유기아민 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 디에틸렌글리콜 모노알킬 에테르 화합물, 및 하기 화학식 3에 의하여 표시되는 알킬 피롤리돈 화합물을 함유하여 이루어지며,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 10 ~ 30중량%이고, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 화학식 3로 표시되는 화합물의 총함량이 70 ~ 90중량%이며, 또한 상기 화학식 2로 표시되는 화합물 : 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 혼합중량비가 1 : 1.1 ~ 2.5인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물:
    〈화학식 1〉
    여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 4의 하이드록시알킬기를,m은 1 ~ 4의 정수를 각각 나타내고,
    〈화학식 2〉
    여기서, R5는 탄소수 1 ~ 4의 알킬기를 나타내고,
    〈화학식 3〉
    여기서, R6는 탄소수 1 ~ 8의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 8의 하이드록시알킬기를 각각 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 모노에탄올아민, 이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, 및 3-에톡시프로필아민으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 N-메틸 피롤리돈, N-에틸 피롤리돈, 및 N-옥틸 피롤리돈으로 이루어지는 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리액 조성물.
  5. 포토레지스트막이 도포된 기판과 상기 청구항 제1항에 기재된 박리액 조성물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  6. 소정의 물질막 패턴 및 상기 물질막 패턴을 형성하기 위한 식각마스크로 사용된 포토레지스트 패턴이 차례로 적층되어 있는 기판과 상기 청구항 제1항에 기재된 박리액 조성물을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판과 상기 박리액 조성물을 접촉시키기 전에 상기 포토레지스트 패턴을 플라즈마를 이용하여 애싱(ashing)하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 물질막은 알루미늄, 몰리브덴, 크롬, 비정질실리콘, 텅스텐 및 이들을 포함하는 금속합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370135B1 (ko) * 2000-12-28 2003-02-05 주식회사 하이닉스반도체 레지스트 이중 코팅 방법
KR100390553B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 금속막 에칭 공정 제어방법 및에쳔트 조성물의 재생방법
KR100469160B1 (ko) * 2001-12-27 2005-01-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 알루미늄계 금속물질을 이용한 금속 배선 사진식각 공정
KR101304697B1 (ko) * 2006-06-07 2013-09-06 삼성전자주식회사 적층 유도 화합물을 사용한 유기 반도체 소재, 이를포함하는 조성물, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 유기전자 소자
KR20170107162A (ko) * 2016-03-15 2017-09-25 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
KR102124505B1 (ko) * 2018-11-26 2020-06-18 연세대학교 산학협력단 포토레지스트 제거용 조성물 및 그를 이용한 포토레지스트의 제거방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882243A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト用現像液組成物

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5882243A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト用現像液組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
미국특허공보 5.102,777호(1992.4.7) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390567B1 (ko) * 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 포토레지스트 박리공정제어방법 및 포토레지스트 박리액 조성물의 재생방법

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