KR20170107162A - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

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KR20170107162A
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방순홍
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 4급 암모늄염 화합물, 극성 용제 및 하기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민을 포함하는 것을 특징으로 한다:
[화학식 1]
Figure pat00005

(상기 화학식 1 내 치환기는 명세서 내 정의한 바와 같다).

Description

레지스트 박리액 조성물{Resist stripper composition}
본 발명은 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
컬러필터(color filter)는 상보성 금속 산화막 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 또는 전하결합소자(charge coupled device, CCD)와 같은 이미지 센서의 컬러 촬영 장치 내에 내장되어 실제로 컬러 화상을 얻는데 이용될 수 있으며, 이 밖에도 촬영소자, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정표시장치(LCD), 전계방출 디스플레이(FEL) 및 발광 디스플레이(LED) 등에 널리 이용되는 것으로, 그 응용 범위가 급속히 확대되고 있다. 특히, 최근에는 LCD의 용도가 더욱 확대되고 있으며, 이에 따라 LCD의 색조를 재현하는데 있어서 컬러필터는 가장 중요한 부품 중의 하나로 인식되고 있다.
컬러필터 기판은 적(R), 녹(G), 청(B) 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 그리고 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다.
컬러필터는 용도에 따라 선택된 블랙매트릭스 재료를 유리 기판에 도포하고 블랙 마스크 패턴을 형성한 다음 포토 레지스트 패턴을 포토리소그래피 공정에 의해 형성함으로써 제조된다.
예를 들면, 포토리소그래피 공정은 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막, 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식 또는 건식으로 에칭하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후 불필요해진 포토레지스트층을 박리액(스트리퍼)으로 제거하는 공정으로 진행된다.
이러한 컬러필터 제조 공정 중 불가피하게 포토 레지스트 패턴의 불량이 발생할 수 있는데, 포토 레지스트는 한번 경화되면 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 포토 레지스트를 제거할 수 있는 용제가 거의 없었기 때문에 불량 컬러 필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기 처리되어 생산성이 저하되는 문제가 있다.
이를 해결하기 위해 경화된 포토 레지스트를 제거하기 위한 조성물이 개발되고 있다.
포토레지스트는 방사선의 조사에 따른 현상액에서의 용해성의 차이를 가지고, 네거티브형 또는 포지티브형으로 구분된다.
네거티브형 포토레지스트는 노광되는 부위가 경화되어 현상액에 대한 용해성이 떨어져 패턴부로 존재하게되는 포토레지스트를 의미한다. 이와는 달리 노광된 부분이 현상되는 것을 포지티브형 포토레지스트라고 한다.
네가티브형 포토레지스트는 감도, 내열성, 기판과의 접착성이 우수한 특징이 있으며, 포지티브형 포토레지스트에 비해 도금 내성이 우수하여, 20㎛ 이상의 후막에서도 양호한 형상을 얻을 수 있는 장점이 있다. 그러나, 상기 네거티브형 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트에 비해 박리가 곤란하거나, 박리되기 어렵다는 단점이 있다.
포토레지스트의 박리 방법으로서 박리액을 이용하는 습식 박리법이 채용되고 있으며 이때 사용되는 박리액은 기본적으로 제거 대상물인 포토레지스트를 완전히 박리할 수 있어야 하고 세척(rinse) 후 기판 상에 잔류물을 남기지 않아야 한다. 또한, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 유기계 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 이에 더해서 박리액을 이루는 조성물 간에 상호반응이 일어나면 박리액의 저장 안정성이 문제되고 박리액 제조시의 혼합순서에 따라 다른 물성을 보일 수 있으므로, 조성물 사이의 무반응성 및 고온 안정성이 있어야 한다. 추가적으로 박리액의 취급이 용이하고, 독성이 적고 안전하며, 재생 활용이 가능한 것이 좋다. 또한, 일정 박리액 양으로 처리할 수 있는 기판 수가 많아야 하고, 박리액을 구성하는 성분의 수급이 용이하여야 한다.
전술한 여러 조건들 중에서 가장 주요 항목은 대상이 되는 포토레지스트에 대해 우수한 제거 성능을 가져야 하며 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 이를 충족시키기 위해 다양한 조성을 갖는 포토레지스트 박리액 조성물이 연구, 개발되고 있다.
대한민국 등록특허 제10-0779037호는 티에프티 엘시디의 칼라필터 공정 중 발생하는 불량의 기판을 재사용하기 위해 칼라레지스트 패턴을 제거하는 티에프티 엘시디용 칼라레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 리튬 하이드록사이드, 나트륨 하아드록사이드, 포타슘 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 무기 알칼리 하이드록사이드 1 내지 50 중량%, (b) 알킬렌 글리콜 에테르 5 내지 35 중량%, (c) 수용성 아민 화합물 5 내지 25 중량%, 및 (d) 물 4 내지 49 중량%를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그러나, 상기 선행기술의 무기 알칼리 하이드록사이드는 고온에서 공정할 경우 박리액의 휘발로 인하여, 무기 알칼리의 석출이 발생하는 문제가 있다.
대한민국 등록특허 제10-1375100호는 포토레지스트 제거용 박리액 조성물에 관한 것으로, 1 내지 5 중량%의 화학식(1)로 표시되는 화합물, 70 내지 95 중량%의 극성 유기 용매, 0.1 내지 5 중량%의 하이드록사이드계 화합물 및 나머지량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그러나, 상기 선행기술의 디에틸렌트리아민과 극성 용매만으로는 가교도가 증가된 레진을 제거시키는 효과가 부족한 문제가 있다.
대한민국 등록특허 제10-0779037호(2007.11.19. 주식회사 동진쎄미켐) 대한민국 등록특허 제10-1375100호(2014.03.11. 주식회사 이엔에프테크놀로지)
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 4급 암모늄염 화합물, 극성 용제 및 하기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(상기 화학식 1 내 치환기는 명세서 내 정의한 바와 같다.)
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 4급 암모늄염 화합물, 극성용제 및 특정 사슬형 디아민을 포함함으로써, 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 4급 암모늄염 화합물, 극성 용제 및 하기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, R1 및 R2은 각각 수소 또는 C1 내지 C3의 사슬형 알킬기이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에서, 4급 암모늄염 화합물은 하이드록사이드 이온이 고분자 레지스트 내로 침투하여 고분자 레지스트의 용해를 촉진하는 역할을 한다. 이때, 4급 암모늄염 화합물은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
4급 암모늄염 화합물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 1 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 4급 암모늄염 화합물이 1중량% 미만으로 포함되면 하이드록사이드 이온의 칼라 레지스트 고분자 내로 침투력이 감소되며, 10중량%를 초과하여 포함되면 물의 함량이 증가되어 고분자 레진에 대한 용해력이 감소될 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에서, 극성 용제는 팽윤된 고분자 레지스트에 침투하여 레지스트를 용해시키는 역할을 한다. 이때, 극성 용제는 디메틸설폭사이드, 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 설포란, n-메틸피롤리돈, 피롤리돈, n-에틸피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
극성 용제는 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 10 내지 70중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 극성 용제가 10중량% 미만으로 포함되면 고분자 레진의 용해력이 떨어지게 되고, 70 중량%를 초과하여 포함되면 암모늄염 화합물의 활성을 저해하여 오히려 제거성이 떨어질 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에서, 산소를 포함한 사슬형 디아민은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 화학식 1에서, R1 및 R2은 각각 수소 또는 C1 내지 C3의 사슬형 알킬기이다. 대표적인 화합물로는 디메틸아미노에톡시프로필아민이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 언급하는 알킬기는 사슬형을 포함하고, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-옥틸, n-데실 등을 들 수 있고, 그 중에서도 탄소 원자수 1~3의 알킬기가 바람직하다.
상기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여, 10 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민이 10중량% 미만으로 포함되면 경화된 레진을 팽윤, 용해 및 분해 시키는 능력이 부족하여 잔막발생 등과 같은 성능저하가 발생할 수 있으며, 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민이 50 중량%를 초과하여 포함되면 조성물의 가격이 높아져 경제적이지 못한 문제가 있다.
또한, 상기 무기염기 또는 그의 염, 부식 방지제 및 물 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 무기염기 또는 그의 염은 유기계 절연막에 대한 박리력을 향상시킬 수 있다. 상기 무기염기 또는 그의 염은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 중탄산칼륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨, 아세트산나트륨, 아세트산칼륨 등을 들 수 있다.
상기 무기염기 또는 그의 염은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 0.01 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 무기염기 또는 그의 염이 0.01중량% 미만으로 포함될 경우에는 유기계 절연막에 대한 박리력 상승 효과가 미미하며, 무기염기 또는 그의 염이 2중량% 초과로 포함될 경우에는 증량에 따른 효과가 미미하여 비경제적이고 경시 휘발에 의한 상안정성이 저해되는 문제가 발생하게 된다.
상기 부식 방지제는 특별히 제한되지 않으며, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올을 포함하는 아졸계 화합물; 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논을 포함하는 퀴논계 화합물; 카테콜; 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산을 포함하는 알킬 갈레이트류 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 부식 방지제는 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있으며, 부식 방지제가 0.1중량% 미만으로 포함될 경우 박리 혹은 탈이온수 린스 공정에서 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 금속배선에 부식이 발생할 수 있으며, 부식 방지제가 5중량%를 초과하여 포함될 경우 표면의 흡착에 의한 2차 오염 및 박리력 저하가 발생할 수 있다.
상기 물은 린스 공정시, 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 레지스트 박리액을 빠르고 안전하게 제거시킬 수 있다. 이때, 물은 반도체 공정용의 물로서, 비저항값이 18MΩ/cm이상인 탈 이온수를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있으나, 상기 물은 1 내지 40중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 물이 1중량% 미만으로 포함될 경우에는 레지스트의 제거 속도가 저하될 수 있으며, 물이 40중량%를 초과할 경우에는 박리력 저하가 발생할 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 성분들을 상기 특정 비율로 포함함으로써, 컬러 필터 레지스트에 대한 우수한 박리력을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물의 사용 방법은 특별히 한정되지 않고, 컬러필터의 제조 공정 중에 레지스트 패턴의 불량이 발생한 경우에, 경화된 레지스트 기판을 박리액 조성물에 침지하거나, 박리액 조성물을 기판에 도포하는 등의 방법으로 사용될 수 있다. 이에 따라 불량 컬러 필터 등을 수리하여 재사용이 가능하므로 생산성을 현저히 개선할 수 있다.
상술한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기에서 언급한 화합물들을 각각 소정량으로 유리하게 혼합하여 제조될 수 있으며, 그 혼합 방법은 특별히 제한되지 않고 여러 가지 공지의 방법을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 하드베이킹, 플라즈마에칭, 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 잔류물과 이온 주입 공정 후 경화된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 박리방법을 제공한다.
상기의 박리 방법은 당업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행할 수 있으며, 박리 용액과 경화되거나 폴리머로 변질된 포토레지스트가 있는 기판이 접촉할 수 있는 방법이면 양호한 결과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 박리 방법으로는 예를 들어 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 적용된다. 침적, 분무, 또는 침적 및 분무에 의하여 박리하는 경우, 박리 조건으로서 온도는 대개 10 내지 100℃, 바람직하게는 20 내지 80℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 40분, 바람직하게는 1분 내지 20분이지만, 본 발명에 있어서 상기 조건이 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이한 그리고 적합한 조건에서 수행될 수 있다.
구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법은 기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막을 선택적으로 노광하는 단계; 상기 노광 후의 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 포스트베이크로 완전 경화시키는 단계; 상기 완전 경화된 포토레지스트 패턴의 불량을 검사하는 단계; 상기 완전 경화된 포토레지스트 불량패턴을, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 10 내지 100℃의 온도에서 30초 내지 40분 동안 침적, 분무, 또는 침적 및 분무하여 제거(박리)하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.
실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 6
하기 표 1 및 표 2의 성분을 포함한 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 6의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
(중량%)
 제4급 암모늄
수산화물		 극성 용제 산소를 포함한 사슬형 디아민 무기염기 또는 그의 염 물
종류 함량 종류 함량 종류 함량 종류 함량
실시예1 TMAH 8 DMSO 40 DMAEPA 25 수산화칼륨 0.2 잔량
실시예2 TMAH 8 DMSO 35 DMAEPA 30 수산화칼륨 0.2 잔량
실시예3 TMAH 8 DMSO 30 DMAEPA 35 수산화칼륨 0.2 잔량
실시예4 TMAH 9 DMSO 40 DMAEPA 20 수산화칼륨 0.2 잔량
실시예5 TMAH 9 DMSO 35 DMAEPA 25 수산화칼륨 0.1 잔량
실시예6 TMAH 9 DMSO 30 DMAEPA 30 수산화칼륨 0.1 잔량
실시예7 TMAH 10 DMSO 35 DMAEPA 20 질산칼륨 0.1 잔량
실시예8 TMAH 10 DMSO 30 DMAEPA 25 인산칼륨 0.1 잔량
실시예9 TMAH 10 DMSO 25 DMAEPA 30 질산나트륨 0.1 잔량
TMAH : 테트라메틸암모늄 히드록시드
DMSO : 디메틸설폭사이드
DMAEPA : 디메틸아미노에톡시프로필아민
(중량%) 제4급 암모늄
수산화물		 극성 용제 일반 아민 및 글리콜 무기염기 또는 그의 염 물
종류 함량 종류 함량 종류 함량 종류 함량
비교예1 TMAH 10 DMSO 55 - - 수산화칼륨 0.1 잔량
비교예2 TMAH 8 DMSO 35 MEA 30 수산화칼륨 0.1 잔량
비교예3 TMAH 9 DMSO 30 MDG 30 수산화칼륨 0.2 잔량
비교예4 TMAH 9 DMSO 30 DMDG 30 수산화칼륨 0.2 잔량
비교예5 TMAH 10 DMSO 50 DMAEPA 5 질산칼륨 0.2 잔량
비교예6 TMAH 5 DMSO 8 DMAEPA 72 수산화칼륨 0.2 잔량
MEA : 모노에탄올아민
MDG : 메틸디글리콜
DMDG : 디메틸디글리콜
실험예 : 레지스트 제거 평가
레지스트의 제거 평가는 4-pixel을 형성하기 위한 투명재료, Red, Green, Blue(이하 WRGB)가 각 pixel에 도포되어 있는 칼라필터 기판을 사용하였다. 칼라레지스트는 도포 후 90℃에서 120초간 프리베이크 후 노광을 시킨 다음에 현상하였다. 그 후 오븐에서 패턴이 형성된 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크하여 제작하였다.
상기의 칼라 레지스트 패턴이 형성되어 있는 칼라필터 기판 상부에는 재료간 단차부를 해소하기 위한 오버코트 층이 도포 되어 있고, 이 유기막층은 광경화를 통해 형성하였다.
컬러필터 패턴 기판 상부의 유기막 및 투명재료를 포함하는 컬러 레지스트의 제거성을 확인하기 위해 70℃의 용액에 10분, 15분, 20분간 침적하여 광학현미경으로 레지스트의 잔존 여부를 확인하였다. 그 결과는 하기 표 3에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 10분 이내 레지스트 제거
○: 15분 이내 레지스트 제거
△: 20분 이내 레지스트 제거
X: 20분 이내 레지스트 미제거
실험예 : 휘발성 평가
휘발성 평가는 75℃의 중탕가열 조건에서 평가액을 침적한 후 시간 별 증발량을 기록하여, 다음과 같은 기준으로 평가를 진행하였다. 그 결과는 하기 표 3에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 3시간 동안 10% 미만 휘발
○: 3시간 동안 10% ~ 20% 미만 휘발
△: 3시간 동안 20% ~ 30% 미만 휘발
X: 3시간 동안 30% ~ 40% 미만 휘발
박리력 휘발량
실시예 1 ◎ ◎
실시예 2 ◎ ◎
실시예 3 ◎ ◎
실시예 4 ◎ ◎
실시예 5 ○ ◎
실시예 6 ○ ◎
실시예 7 ○ ○
실시예 8 ○ ○
실시예 9 ○ ○
비교예 1 X ○
비교예 2 X ◎
비교예 3 X ○
비교예 4 ◎ X
비교예 5 △ ○
비교예 6 X ◎
상기 표 3을 참조하면, 본 발명에 따라 제조된 실시예 1 내지 9의 경우, 10 내지 15분 이내에 레지스트가 제거되어 박리력이 우수할 뿐만 아니라 3시간 동안 20% 미만으로 휘발되어 휘발성도 낮은 것을 알 수 있다.
반면, 비교예 1 내지 6은 20분 이내에 레지스트가 제거 또는 미제거 되어 박리력이 우수하지 않으나, 휘발성이 높은 것을 알 수 있다.

Claims (6)

  1. 4급 암모늄염 화합물, 극성 용제 및 하기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00004

    (상기 화학식 1에서, R1 및 R2은 각각 수소 또는 C1 내지 C3의 사슬형 알킬기이다).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여
    4급 암모늄염 화합물 1 내지 10중량%, 극성 용제 10 내지 70중량% 및 상기 화학식 1의 산소를 포함한 사슬형 디아민 10 내지 50중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 박리액 조성물은 무기염기 또는 그의 염, 부식 방지제 및 물 중 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 무기염기 또는 그의 염, 부식방지제 및 물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량%에 대하여
    상기 무기염기 또는 그의 염 0.01 내지 2중량%, 부식 방지제 0.1 내지 5중량% 및 물 1 내지 40중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 4급 암모늄염 화합물은
    테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 극성 용제는
    디메틸설폭사이드, 디에틸설폭사이드, 디프로필설폭사이드, 설포란, n-메틸피롤리돈, 피롤리돈, n-에틸피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
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