KR20140122082A - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 34
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 40
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 13
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims description 7
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims description 7
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 5
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 claims description 3
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019794 sodium silicate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SPNTUDHMZZDVRK-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol;2-(2-ethoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCOCCO.CCOCCOCCO SPNTUDHMZZDVRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- NWEKXBVHVALDOL-UHFFFAOYSA-N butylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[NH3+] NWEKXBVHVALDOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000012847 fine chemical Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- CXHHBNMLPJOKQD-UHFFFAOYSA-N methyl hydrogen carbonate Chemical compound COC(O)=O CXHHBNMLPJOKQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
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- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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Abstract
본 발명은 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 4급 유기 암모늄 히드록시드 1 내지 10중량%, 디메틸 설폭사이드 40 내지 80중량%, 글리콜에테르계 유기 용매 1 내지 25중량%, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민 1 내지 25중량%, 무기염기 또는 그의 염 0.001 내지 1중량% 및 잔량의 물을 포함함으로써, 컬러필터 레지스트를 용해하여 제거함으로써 박리력이 우수하며, 장비 내 필터 막힘을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 네거티브 및 포지티브 유기 절연막 레지스트도 하부막질 및 각종 금속 배선에 손상을 주지 않고 박리할 수 있는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
컬러필터(color filter)는 상보성 금속 산화막 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 또는 전하결합소자(charge coupled device, CCD)와 같은 이미지 센서의 컬러 촬영 장치 내에 내장되어 실제로 컬러 화상을 얻는데 이용될 수 있으며, 이 밖에도 촬영소자, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 액정표시장치(LCD), 전계방출 디스플레이(FEL) 및 발광 디스플레이(LED) 등에 널리 이용되는 것으로, 그 응용 범위가 급속히 확대되고 있다. 특히, 최근에는 LCD의 용도가 더욱 확대되고 있으며, 이에 따라 LCD의 색조를 재현하는데 있어서 컬러필터는 가장 중요한 부품 중의 하나로 인식되고 있다.
컬러필터 기판은 적(R), 녹(G), 청(B) 패턴과 각 화소 사이의 누설광을 차단하고 대비를 향상시키기 위한 역할을 하는 블랙 매트릭스, 그리고 액정셀에 전압을 인가하는 공통전극으로 구성되어 있다.
컬러필터는 용도에 따라 선택된 블랙매트릭스 재료를 유리 기판에 도포하고 블랙 마스크 패턴을 형성한 다음 컬러레지스트 패턴을 포토리소그래피 공정에 의해 형성함으로써 제조된다.
이러한 컬러필터 제조 공정 중 불가피하게 컬러레지스트 패턴의 불량이 발생할 수 있는데, 컬러 레지스트는 한번 경화되면 잘못된 부분만을 제거하여 수리하는 것이 거의 불가능하며, 또한 컬러 레지스트를 제거할 수 있는 용제가 거의 없었기 때문에 불량 컬러 필터는 수리 등의 재작업을 거치지 않고 바로 대부분 폐기 처리되어 생산성이 저하되는 문제가 있다.
이를 해결하기 위해 경화된 컬러 레지스트를 제거하기 위한 조성물이 개발되고 있다.
레지스트는 크게 포지티브형 레지스트와 네거티브형 레지스트로 나눌 수 있는데, 제거가 보다 용이하여 유기용제 기반의 박리제에 의해 40 내지 50℃의 온도 조건에서 1분 이내에 제거되는 포지티브형 레지스트와는 달리, 컬러 레지스트는 경화도가 높고 열처리에 의해 단단해져 박리 제거가 어려운 네거티브형 레지스트의 특성을 갖고 있다. 이에 따라 컬러 레지스트의 제거를 위해서는 70℃ 이상의 온도 조건에서 5분 이상의 시간이 소요되므로, 보다 강력한 박리 성능이 요구된다.
한국공개특허 제2009-75516호에는 티에프티 엘씨디용 칼라 레지스트 박리액 조성물이 개시되어 있으나, 우수한 박리력 및 이를 장시간 유지하는 능력을 모두 충족시키지는 못하였다.
본 발명은 경화된 컬러필터 레지스트에 대한 박리력이 우수한 레지스트 박리액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 컬러필터 레지스트 뿐만 아니라 네거티브 및 포지티브 유기 절연막 레지스트도 하부막질 및 각종 금속 배선에 손상을 주지 않고 박리할 수 있는 레지스트 박리액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 4급 유기 암모늄 히드록시드 1 내지 10중량%, 디메틸 설폭사이드 40 내지 80중량%, 글리콜에테르계 유기 용매 1 내지 25중량%, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민 1 내지 25중량%, 무기염기 또는 그의 염 0.001 내지 1중량% 및 잔량의 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 4급 유기 암모늄 히드록시드는 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 글리콜에테르계 유기 용매는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬아민은 메틸 아민, 에틸아민, 이소프로필 아민, 모노이소프로필아민, 디에틸 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 1,3-프로판디아민, 1,2-프로필렌디아민, 디에틸렌트리아민 및 디헥실렌트리아민으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
5. 위 1에 있어서, 상기 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
6. 위 1에 있어서, 상기 레지스트는 컬러필터 레지스트 및 유기 절연막 레지스트 중 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
본 발명은 컬러필터 레지스트를 기판으로부터 리프트-오프(lift-off)시키지 않고 용해하여 제거함으로써 박리력이 우수하다.
또한, 본 발명은 장비 내 필터 막힘을 최소화할 수 있고, 우수한 박리력을 장시간 유지할 수 있어 컬러필터 재사용의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 컬러필터 레지스트 뿐만 아니라 네거티브 및 포지티브 유기 절연막 레지스트도 하부막질 및 각종 금속 배선에 손상을 주지 않고 박리할 수 있다.
본 발명은 4급 유기 암모늄 히드록시드 1 내지 10중량%, 디메틸 설폭사이드 40 내지 80중량%, 글리콜에테르계 유기 용매 1 내지 25중량%, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민 1 내지 25중량%, 무기염기 또는 그의 염 0.001 내지 1중량% 및 잔량의 물을 포함함으로써, 컬러필터 레지스트를 용해하여 제거함으로써 박리력이 우수하며, 장비 내 필터 막힘을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라, 네거티브 및 포지티브 유기 절연막 레지스트도 하부막질 및 각종 금속 배선에 손상을 주지 않고 박리할 수 있는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 4급 유기 암모늄 히드록시드는 히드록시드 이온을 배출하고, 이는 레지스트 내로 침투하여 용해를 촉진하는 역할을 한다.
본 발명에 따른 4급 유기 암모늄 히드록시드는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
4급 유기 암모늄 히드록시드는 레지스트 박리액 조성물 총 중량 중 1 내지 10중량%로 포함되고, 바람직하게는 2 내지 8중량%로 포함될 수 있다. 4급 유기 암모늄 히드록시드의 함량이 1중량% 미만인 경우에는 히드록시드 이온의 레지스트 고분자 내로의 침투력이 감소될 수 있고, 10중량% 초과인 경우에는 용해를 위해 과량의 물이 필요하고, 이에 따라 상대적으로 다른 성분의 함량이 저하되어 레지스트에 대한 용해력이 감소될 수 있다.
디메틸설폭사이드는 팽윤된 레지스트에 침투하여 레지스트를 용해시키는 역할을 한다.
디메틸설폭사이드는 레지스트 박리액 조성물 총 중량 중 40 내지 80중량%로 포함되고, 바람직하게는 40 내지 70중량%로 포함될 수 있다. 디메틸설폭사이드의 함량이 40중량% 미만인 경우에는 레지스트에 대한 용해력이 감소할 수 있고, 80중량% 초과인 경우에는 상대적으로 4급 유기 암모늄 히드록시드 및 다른 성분들의 함량이 저하되어 레지스트에 대한 침투력이 저하될 수 있다.
본 발명에 따른 글리콜에테르계 유기 용매는 레지스트에 침투하여 팽윤성을 증가시켜 기판 표면으로부터 박리력을 증가시킨다. 또한, 본 발명의 세정제 조성물의 물에 대한 용해력을 향상시키고, 이후 수세 공정에서 잔류물 제거가 용이하도록 한다.
글리콜에테르계 유기 용매는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르(Ethylene Glycol Monomethyl Ether; MG), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(Diethylene Glycol Monomethyl Ether; MDG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Diethylene Glycol Monoethyl Ether; EDG, carbitol), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene Glycol Monoethyl Ether; EG), 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르(Triethylene Glycol Monoethyl Ether; ETG), 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르(Triethylene Glycol Monomethyl Ether; MTG), 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르(Diethylene Glycol Methyl Ethyl Ether; MEDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(Dipropylene Glycol Monomethyl Ether; MFDG), 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르(Tripropylene Glycol Monomethyl Ether; MFTG), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(Propylene Glycol Monomethyl Ether; MFG) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
글리콜에테르계 유기 용매는 레지스트 박리액 조성물 총 중량 중 1 내지 25 중량%로 포함되고, 바람직하게는 3 내지 20중량%로 포함될 수 있다. 글리콜에테르계 유기 용매의 함량이 1중량% 미만인 경우에는 고분자 레지스트에 대한 박리력을 증가 효과가 미미하고, 25중량% 초과인 경우에는 증량에 따른 효과의 증가가 미미하여 비경제적이며, 상대적으로 다른 성분의 함량이 저하되어 레지스트에 대한 용해력이 감소될 수 있다.
본 발명에 따른 탄소수 1 내지 20의 알킬아민은 레지스트의 염료 성분을 용해하는 역할을 한다.
본 발명에서 알킬아민은 질소에 결합된 유기기가 알킬기인 아민, 디아민 및 트리아민을 포함하는 의미로서, 질소 원자의 위치는 특별히 한정되지 않고, 탄소 사슬의 양 끝단, 중간 등에 위치한 아민을 포함한 개념이다.
본 발명에 따른 탄소수 1 내지 20의 알킬아민은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸 아민, 에틸아민, 이소프로필 아민, 모노이소프로필아민 등의 1급 아민; 디에틸 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸아민 등의 2급 아민; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 3급 아민; 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 1,3-프로판디아민, 1,2-프로필렌디아민 등의 디아민; 디에틸렌트리아민, 디헥실렌트리아민 등의 트리아민 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
탄소수 1 내지 20의 알킬아민은 레지스트 박리액 조성물 총 중량 중 1 내지 25중량%로 포함되고, 바람직하게는 3 내지 20중량%로 포함될 수 있다. 알킬아민의 함량이 1중량% 미만인 경우에는, 레지스트의 염료 성분을 충분히 용해하기 어려우며, 25중량% 초과인 경우에는 증량에 따른 효과의 증가가 없으므로 경제적이지 못하며, 상대적으로 4급 유기암모늄 히드록시드 및 디메틸설폭사이드의 함량이 저하되므로 레지스트의 용해력이 감소될 수 있다.
본 발명에 따른 무기염기 또는 그의 염은 유기계 절연막에 대한 박리력을 향상시키는 성분이다.
본 발명에 따른 무기염기 또는 그의 염은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨, 규산칼륨 등을 들 수 있다.
무기염기 또는 그의 염은 레지스트 박리액 조성물 총 중량 중 0.001 내지 1중량%로 포함되고, 바람직하게는 0.01 내지 0.5중량%로 포함될 수 있다. 무기염기 또는 그의 염의 함량이 0.001중량% 미만인 경우에는 유기계 절연막에 대한 박리력 상승 효과가 미미하며, 1중량% 초과인 경우에는 증량에 따른 효과가 미미하여 비경제적이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 성분들을 구체적인 필요에 따라 적절하게 채택한 후, 물을 첨가하여 전체 조성을 조절하게 되어 전체 조성물의 잔량은 물이 차지한다. 바람직하게는 상기 성분들이 전술한 함량 범위를 갖도록 조절한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 성분들을 상기 특정 비율로 포함함으로써, 컬러필터 레지스트에 대한 우수한 박리력을 제공할 뿐만 아니라, 네거티브 및 포지티브 유기 절연막 레지스트도 하부막질 및 각종 금속 배선에 손상을 주지 않고 박리할 수 있다.
당 분야에서 사용되는 컬러필터 레지스트 및(또는) 유기 절연막 레지스트라면 제한 없이 본 발명의 레지스트 박리액 조성물의 박리 대상이 될 수 있다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물의 사용 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 유기 절연막 또는 컬러필터의 제조 공정 중에 레지스트 패턴의 불량이 발생한 경우에, 경화된 레지스트 기판을 박리액 조성물에 침지하거나, 박리액 조성물을 기판에 도포하는 등의 방법으로 사용될 수 있다. 이에 따라 불량 컬러필터 등을 수리하여 재사용이 가능하므로 생산성을 현저히 개선할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
및
비교예
하기 표 1의 성분 및 조성(중량%)에 잔량의 물을 첨가하여 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
| 구분 | 4급 유기 암모늄 히드록시드 | 디메틸 설폭사이드 |
글리콜에테르계 유기용매 | 알킬아민 | 무기염기 또는 그의 염 | ||||
| 성분 | 중량% | 중량% | 성분 | 중량% | 성분 | 중량% | 성분 | 중량% | |
| 실시예 1 | TMAH | 2 | 75 | MG | 4 | 이소프로필 아민 | 5 | 수산화나트륨 | 0.1 |
| 실시예 2 | TMAH | 4 | 65 | EDG | 10 | 디에틸 아민 | 5 | 탄산나트륨 | 0.1 |
| 실시예 3 | TMAH | 6 | 55 | MTG | 5 | 에틸렌디아민 | 8 | 탄산칼륨 | 0.05 |
| 실시예 4 | TMAH | 8 | 45 | MFDG | 5 | 프로필렌디아민 | 8 | 수산화칼륨 | 0.05 |
| 실시예 5 | TEAH | 4 | 50 | MDG | 10 | 디에틸렌트리아민 | 15 | 질산나트륨 | 0.02 |
| 실시예 6 | TEAH | 6 | 50 | EG | 10 | 이소프로필 아민 | 12 | 황산칼륨 | 0.2 |
| 실시예 7 | TMAH | 5 | 60 | ETG | 3 | 디에틸 아민 | 7 | 탄산나트륨 | 0.5 |
| 실시예 8 | TMAH | 4 | 60 | EDG | 12 | 에틸렌디아민 | 5 | 탄산칼륨 | 0.5 |
| 실시예 9 | TMAH | 3 | 55 | MFG | 15 | 프로필렌디아민 | 15 | 황산칼륨 | 0.05 |
| 비교예 1 | TMAH | 0.5 | 70 | MDG | 10 | - | - | 질산나트륨 | 0.5 |
| 비교예 2 | TMAH | 2 | 45 | MEDG | 40 | 디에틸 아민 | 5 | 탄산칼륨 | 0.2 |
| 비교예 3 | TEAH | 3 | 25 | EG | 10 | 에틸렌디아민 | 40 | - | - |
| 비교예 4 | TMAH | 12 | 35 | - | - | 프로필렌디아민 | 5 | - | - |
| 비교예 5 | TEAH | 4 | 50 | MDG | 10 | - | - | 질산나트륨 | 0.02 |
| 비교예 6 | - | - | 75 | MG | 4 | 이소프로필 아민 | 5 | 수산화나트륨 | 0.1 |
| 비교예 7 | TMAH | 6 | - | MTG | 5 | 에틸렌디아민 | 8 | 탄산칼륨 | 0.05 |
| 비교예 8 | TMAH | 15 | 55 | EDG | 10 | 디에틸 아민 | 5 | 탄산나트륨 | 0.1 |
| 비교예 9 | TEAH | 10 | 20 | MDG | 20 | 디에틸렌트리아민 | 20 | 질산나트륨 | 0.02 |
| TMAH: 테트라메틸암모늄 히드록시드, TEAH: 테트라에틸암모늄 히드록시드, MG: 에틸렌글리콜모노메틸에테르, EDG: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, MTG: 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, MFDG: 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, MDG: 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, EG: 에틸렌글리콜모노에틸에테르, ETG: 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, MFG: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, MEDG: 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 |
|||||||||
실험예
.
레지스트에
대한
박리력
평가
(1) 컬러필터
레지스트
감광성 수지 조성물(NYB1421, NYG1420, NYR1421, 동우화인켐사)을 유리 기판에 도포하고 90℃에서 120초간 프리베이크시켰다. 이후 노광 및 현상 공정을 거쳐 패턴을 형성한 후에 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크하여 컬러필터 레지스트를 제조하였다.
제조된 컬러필터 레지스트를 70℃의 실시예 및 비교예의 레지스트 박리액 조성물에 각각 3분, 5분, 10분간 침지한 후에, 광학현미경으로 관찰하여 레지스트의 박리력을 평가하였다. 하기의 평가 기준에 따라 평가하였고, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
(2) 유기 절연막
레지스트
폴리아크릴레이트 수지(PAC resin)을 유리 기판에 도포하고 90℃에서 120초간 프리베이크시켰다. 이후 노광 및 현상 공정을 거쳐 패턴을 형성한 후에 기판을 220℃ 오븐에서 하드베이크하여 유기 절연막 레지스트를 제조하였다.
제조된 레지스트를 70℃의 실시예 및 비교예의 레지스트 박리액 조성물에 각각 3분, 5분, 10분간 침지한 후에, 광학현미경으로 관찰하여 레지스트의 박리력을 평가하였다. 하기의 평가 기준에 따라 평가하였고, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
<평가 기준>
◎: 레지스트가 100% 제거됨
○: 레지스트가 80% 이상 제거됨
△: 레지스트가 80% 미만 제거됨
X: 레지스트의 제거가 거의 이루어지지 않음
| 구분 | 컬러필터 레지스트 | 유기계 절연막 레지스트 | ||||
| 3분 | 5분 | 10분 | 3분 | 5분 | 10분 | |
| 실시예 1 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 2 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 3 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 4 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 5 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 6 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 7 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 8 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 실시예 9 | ○ | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ◎ |
| 비교예 1 | X | X | △ | X | X | △ |
| 비교예 2 | X | X | △ | X | △ | △ |
| 비교예 3 | X | △ | △ | X | △ | △ |
| 비교예 4 | X | X | X | X | X | X |
| 비교예 5 | X | X | △ | X | X | △ |
| 비교예 6 | X | X | △ | X | X | △ |
| 비교예 7 | X | X | △ | X | X | △ |
| 비교예 8 | X | △ | ○ | X | △ | △ |
| 비교예 9 | X | △ | △ | X | X | △ |
상기 표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 9의 레지스트 박리액 조성물은 3분 이내에 컬러필터 레지스트의 80% 이상을 제거하고, 5분 이내에 레지스트를 100% 제거하여 박리력이 매우 우수한 것을 볼 수 있다. 또한, 유기계 절연막 레지스트도 10분 이내에 100% 제거하여 이에 대해서도 우수한 박리력을 나타내었다.
그러나, 비교예 1 내지 9의 레지스트 박리액 조성물은 레지스트의 제거가 거의 이루어지지 않거나, 오랜 시간 침지해야 다소 박리가 일어나는 것으로 보아 박리력이 떨어지는 것을 확인하였다.
Claims (6)
- 4급 유기 암모늄 히드록시드 1 내지 10중량%, 디메틸 설폭사이드 40 내지 80중량%, 글리콜에테르계 유기 용매 1 내지 25중량%, 탄소수 1 내지 20의 알킬아민 1 내지 25중량%, 무기염기 또는 그의 염 0.001 내지 1중량% 및 잔량의 물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 4급 유기 암모늄 히드록시드는 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄 히드록시드(TPAH) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드(TBAH)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 글리콜에테르계 유기 용매는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬아민은 메틸 아민, 에틸아민, 이소프로필 아민, 모노이소프로필아민, 디에틸 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 1,3-프로판디아민, 1,2-프로필렌디아민, 디에틸렌트리아민 및 디헥실렌트리아민으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 무기염기 또는 그의 염은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 중탄산나트륨, 질산나트륨, 질산칼륨, 황산나트륨, 황산칼륨, 규산나트륨 및 규산칼륨으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레지스트는 컬러필터 레지스트 및 유기 절연막 레지스트 중 적어도 1종인 레지스트 박리액 조성물.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130038709A KR20140122082A (ko) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 레지스트 박리액 조성물 |
| CN201410140802.2A CN104102097B (zh) | 2013-04-09 | 2014-04-09 | 抗蚀剂剥离剂组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20130038709A KR20140122082A (ko) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 레지스트 박리액 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140122082A true KR20140122082A (ko) | 2014-10-17 |
Family
ID=51670345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20130038709A KR20140122082A (ko) | 2013-04-09 | 2013-04-09 | 레지스트 박리액 조성물 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140122082A (ko) |
| CN (1) | CN104102097B (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110874026A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 易案爱富科技有限公司 | 彩色滤光片用剥离液组合物及利用其的方法 |
| KR102599334B1 (ko) * | 2023-08-08 | 2023-11-07 | 주식회사 경원켐텍 | 박리효율이 높은 pcb 박리액 조성물 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2017065153A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-07-26 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
| KR20170086965A (ko) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 동우 화인켐 주식회사 | 컬러 레지스트 또는 유기막 박리액 조성물 |
| KR20180087624A (ko) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 |
| CN108008606B (zh) * | 2017-12-25 | 2021-01-15 | 宜昌南玻显示器件有限公司 | 一种用于感光干膜的剥膜液及其生产方法和应用 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4279204B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2009-06-17 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびこれに用いられる化合物 |
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| KR101399502B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2014-06-27 | 주식회사 동진쎄미켐 | 티에프티 엘시디용 열경화성 수지 박리액 조성물 |
-
2013
- 2013-04-09 KR KR20130038709A patent/KR20140122082A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-04-09 CN CN201410140802.2A patent/CN104102097B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110874026A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 易案爱富科技有限公司 | 彩色滤光片用剥离液组合物及利用其的方法 |
| KR102599334B1 (ko) * | 2023-08-08 | 2023-11-07 | 주식회사 경원켐텍 | 박리효율이 높은 pcb 박리액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104102097B (zh) | 2019-11-22 |
| CN104102097A (zh) | 2014-10-15 |
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