JP4279204B2 - ポジ型レジスト組成物およびこれに用いられる化合物 - Google Patents
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Description
KrFエキシマレーザを用いて露光する方法に好適なレジスト材料として提案されている化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、一般に、ベース樹脂として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂の水酸基の一部を酸解離性溶解抑制基で保護したものが用いられている(例えば、特許文献1参照)。
また、その酸解離性溶解抑制基としては、1−エトキシエチル基に代表される鎖状エーテル基又はテトラヒドロピラニル基に代表される環状エーテル基等のいわゆるアセタール基、tert−ブチル基に代表される第三級アルキル基、tert−ブトキシカルボニル基に代表される第三級アルコキシカルボニル基等が主に用いられている。
このディフェクトとは、例えば、KLAテンコール社の表面欠陥観察装置(商品名「KLA」)により、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことである。この不具合とは、例えば現像後のスカム(主に溶け残り残さ等)、泡、ゴミ、レジストパターン間のブリッジ等である。
本発明は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、下記一般式(1)で表される化合物(C)を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物を提供する。
まず、本発明にかかる新規化合物(以下、化合物(C1)ということもある)について説明する。化合物(C1)は上記一般式(2)で表されるトリスフェノール類のトリオキシメチルカルボン酸第三級シクロヘキシルエステルである。
化合物(C1)は、分子中に、第三級炭素原子を含むシクロアルキル基を有しており、このシクロアルキル基は酸により容易に脱離して有機カルボン酸を発生する。かかる化合物(C1)は、化学増幅型のレジスト組成物において有用であり、酸により脱離し易い、嵩高い酸解離性溶解抑制基(前記シクロアルキル基)を有する成分として用いることができる。
R1、R3としての、炭素原子数1〜3のアルキル基は、直鎖でもよく分岐鎖であってもよい。具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基等を挙げることができる。これらのうちメチル基が好ましい。
R1、R3としての、炭素原子数4〜6のシクロアルキル基は、好ましくはシクロヘキシル基である。
nが2または3のとき、置換基R1、R3のベンゼン環への結合位置は特に限定されない。nは好ましくは2であり、その場合の該2つの置換基R1、R1(またはR3、R3)の結合位置はm−位またはp−位が好ましい。
R2としての炭素原子数1〜3のアルキル基は、直鎖でもよく分岐鎖であってもよい。具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基等を挙げることができる。これらのうち、R2はメチル基またはエチル基が好ましい。
1,1−ジ(5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(3−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−エチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−n−プロピル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−イソプロピル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−エチル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−エチル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−n−プロピル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1――n−プロピル−シクロヘキサン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−イソプロピル−シクロヘキサン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−イソプロピル−シクロヘキサン))メタン等を挙げることができる。
まず、出発原料として、下記一般式(4)で表される1,1−ジ(4−ヒドロキシフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン誘導体(以下、出発化合物という)を用い、適宜の反応溶媒中、アルカリ触媒の存在下に、ハロゲン化酢酸アルキルエステル類、好ましくは、ハロゲン化酢酸第三級アルキルエステル類を反応させて、トリスフェノール類のトリオキシメチルカルボン酸第三級アルキルエステル化合物(中間体1)を生成する。
1,1−ジ(4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ビドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(4−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(2−メチル−4−ビドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(3−メチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(2−エチル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(2−n−プロピル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタン、
1,1−ジ(2−イソプロピル−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル)−1−(2−ヒドロキシフェニル)メタンを挙げることができる。
該反応において用いられるアルカリ触媒としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム等を挙げることができる。このようなアルカリ触媒は、通常、出発化合物1モルに対し3〜6モルの範囲、好ましくは4〜5モルの範囲で用いられる。
反応終了後、得られた反応混合物は、濾過等の方法により、アルカリ塩を除去した後、これをそのまま次の加水分解反応に供してもよいし、又は常法により水洗後、晶析濾過した精製品として、次の加水分解反応に供してもよい。
この加水分解反応の方法は特に制限されるものではないが、例えば、下記の方法で行うことができる。
すなわち、反応容器に、上記反応で得られた中間体1と、酸触媒及び反応溶媒を添加し、温度80℃〜100℃、好ましくは85℃〜95℃にて、窒素気流下に撹拌しながら反応を行う。
このような反応溶媒は、通常、用いる中間体1の100質量部に対して、150〜300質量部の範囲、好ましくは、150〜200質量部の範囲で用いられる。
反応終了後、得られた反応混合物は、常法により精製することができる。例えば、得られた反応混合物を水洗した後、水層を分離し、得られた油層にシクロヘキサン、トルエン等の適宜の溶媒を加えて、晶析、濾過、乾燥させることより、中間体2(トリスフェノール類のトリオキシメチルカルボン酸)を高純度で得ることができる。
まず、中間体2と、第三級アルコールである1−アルキル置換シクロヘキサン−1−オール類との混合液中に、好ましくは第三級アミド類触媒の存在下に、一価の酸基を有するエステル化剤を逐次添力し、その後さらにエステル化反応させることにより化合物(C1)が得られる。
上記エステル化反応に際しては、通常、エステル化剤から発生する酸を捕捉する為に、塩基が用いられる。
また、中間体2に対する1−アルキル置換シクロヘキサン−1−オール類の添加量は、通常、中間体2の1モルに対して、3〜6モルの範囲、好ましくは3.5〜4モルの範囲で用いられる。
反応終了後の反応混合物は、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ水溶液により中和し、水層を分液除去した後、残った油層中の溶媒を蒸留などで溜去することにより、本発明に係る化合物(C1)が得られる。
なお、反応温度、添加量等の反応条件は適宜変更することができる。
<レジスト組成物>
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)(以下、(A)成分という)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下、(B)成分という)と、前記化学式(1)で表される(C)(以下、(C)成分という)とを含む。
(A)成分においては、露光により(B)成分から発生した酸が作用すると、酸解離性溶解抑制基が解離し、これによって(A)成分全体がアルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。
(C)成分は、3つの酸解離性溶解抑制基を有し(B)成分から発生した酸の作用により該酸解離性溶解抑制基が解離し有機カルボン酸を発生する。
したがって、レジストパターンの形成において、マスクパターンを介して露光すると又は露光に加えて露光後加熱すると、露光部はアルカリ可溶性へ転じる一方で未露光部はアルカリ不溶性のまま変化しないので、アルカリ現像することによりポジ型のレジストパターンが形成できる。
本発明のポジ型レジスト組成物において、(A)成分は、酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分であれば、特に限定されないが、例えば、KrFエキシマレーザー用の化学増幅型ポジ型レジスト組成物に使用される樹脂成分を用いることができる。具体的には、
(a)ポリヒドロキシスチレンの、ヒドロキシ基の一部が酸解離性溶解抑制基で置換されている樹脂成分、
(b)(メタ)アクリル酸から誘導され、カルボキシ基の水素原子が酸解離性溶解抑制基で置換されている構成単位と、下記一般式(I)で表される、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位、および/または下記一般式(II)で表される、スチレンから誘導される構成単位とを有する共重合体からなる樹脂成分等が挙げられる。
また、上記樹脂成分(a)は、さらに下記一般式(II)で表される、スチレンから誘導される構成単位等の他の構成単位を含んでいてもよい。
R’は、炭素原子数1〜5の直鎖又は分岐状アルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられる。工業的にはメチル基又はエチル基が好ましい。
式中のn’は、0または1〜3の整数である。これらのうち、n’は0または1であることが好ましく、特に工業上入手しやすいことから0であることが好ましい。
なお、n’が1〜3である場合には、R’の置換位置はo−位、m−位、p−位のいずれでもよく、さらに、n’が2または3の場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。
具体的には、第三級アルキル基、鎖状アルコキシアルキル基、第三級アルコキシカルボニル基、第三級アルコキシカルボニルアルキル基、及び環状エーテル基、等が挙げられる。
前記、第三級アルキル基としては、tert−ブチル基、tert-アミル基などのような鎖状第三級アルキル基や、2−メチル−アダマンチル基、2−エチルアダマンチル基などのような多環の脂環式炭化水素基を含む第三級アルキル基が挙げられる。
前記鎖状アルコキシアルキル基としては、1−エトキシエチル基、1−メトキシメチルエチル基、1−イソプロポキシエチル基、1−メトキシプロピル基、1−n−ブトキシエチル基などが挙げられる。
前記第三級アルキルオキシカルボニル基としては、tert-ブチルオキシカルボニル基、tert-アミルオキシカルボニル基などが挙げられる。
前記第三級アルコキシカルボニルアルキル基としては、tert-ブチルオキシカルボニルメチル基、tert-アミルオキシカルボニルメチル基などが挙げられる。
前記環状エーテル基としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基などが挙げられる。
これらの中でも、前記(a)の樹脂成分においては、鎖状アルコキシアルキル基、第三級アルコキシカルボニル基、および環状エーテル基が好ましく用いられる。特に鎖状アルコキシアルキル基が好ましい。
また前記(b)の樹脂成分においては、第三級アルキル基が好ましく用いられる。
(B)成分は、従来の化学増幅型レジスト組成物において使用されている公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。
このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類、ジアゾメタンニトロベンジルスルホネート類などのジアゾメタン系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロンメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、以下に示す構造をもつ1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物A、分解点135℃)、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン(化合物B、分解点147℃)、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物C、融点132℃、分解点145℃)、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物D、分解点147℃)、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン(化合物E、分解点149℃)、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン(化合物F、分解点153℃)、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン(化合物G、融点109℃、分解点122℃)、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン(化合物H、分解点116℃)などを挙げることができる。
本発明のポジ型レジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜30質量部、好ましくは1〜10質量部とされる。上記範囲より少ないとパターン形成が十分に行われないおそれがあり、上記範囲を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となるおそれがある。
前記一般式(1)で表される化合物(C)において、R1およびR3はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜3のアルキル基、または炭素原子数4〜6のシクロアルキル基を表す。nは1〜3の整数であり、R1およびR3の少なくとも1つは炭素原子数4〜6のシクロアルキル基である。R1およびR3の両方が炭素原子数4〜6のシクロアルキル基を含むことが好ましい。好ましい態様においてR1とR3は同じである。
R1、R3としての、炭素原子数1〜3のアルキル基は、直鎖でもよく分岐鎖であってもよい。具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基等を挙げることができる。これらのうちメチル基が好ましい。
R1、R3としての、炭素原子数4〜6のシクロアルキル基は、好ましくはシクロヘキシル基である。
nが2または3のとき、置換基R1、R3のベンゼン環への結合位置は特に限定されない。nは好ましくは2であり、その場合の該2つの置換基R1、R1(またはR3、R3)の結合位置はm−位またはp−位が好ましい。
R2としての炭素原子数1〜3のアルキル基は、直鎖でもよく分岐鎖であってもよい。具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基等を挙げることができる。これらのうち、R2はメチル基またはエチル基が好ましい。
Xは、炭素原子数4または5のアルキレン基を表す。具体的にはXは直鎖状のアルキレン基であり、R2が結合している炭素原子とともにシクロペンチル基またはシクロヘキシル基を形成する。
(C)成分として、前記一般式(2)で表される化合物(C1)、または下記一般式(5)で表される化合物(C2)が好ましい。
化合物(C1)および(C2)において、R1、R2、R3、およびnは、化合物(C)におけるとR1、R2、R3、およびnとそれぞれ同様である。
化合物(C1)の具体例および好ましい例は、前述のとおりである。
1,1−ジ(5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(3−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−エチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−n−プロピル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−イソプロピル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチルーシクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−エチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−エチル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−n−プロピル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1――n−プロピル−シクロペンタン))メタン、
1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−イソプロピル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−イソプロピル−シクロペンタン))メタン等を挙げることができる。
中でも、化合物(C2)の好ましい例としては、下記化学式(6)で表される化合物が挙げられる。
レジスト組成物における(C)成分の配合割合は、(A)成分100質量部に対し、0.1〜20質量部、好ましくは0.5〜10質量部である。下限値以上とすることによりディフェクトを効果的に低減させることができる。上限値以下とすることによりコストの点で有利である。
本発明のポジ型レジスト組成物は、上述した(A)成分、(B)成分、(C)成分、および後述する任意の各成分を、有機溶剤に溶解させて製造することができる。
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、またはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は1種単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
また、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)と極性溶剤とを混合した混合溶媒は好ましいが、その配合比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜8:2、より好ましくは2:8〜7:3の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比が好ましくは2:8〜7:3、より好ましくは3:7〜6.5:3.5であると好ましい。
また、有機溶剤として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
有機溶剤の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内とされる。
本発明のポジ型レジスト組成物には、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、さらに任意の成分として、含窒素有機化合物(D)を配合させることができる。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよいが、アミン、特に第2級脂肪族アミンや第三級脂肪族アミンが好ましい。
(D)成分の具体例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリペンチルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のアルキルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールのアミンが挙げられる。これらのうち、炭素原子数7〜15のアルキル基を有する第2級または第三級の脂肪族アミンが好ましい。炭素原子数が7〜15のアルキル基を有することによって、該脂肪族アミンが、形成されたレジストパターン中で拡散しにくいため均等に分布できる。本発明において、特にトリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ドデシルアミンのようなアルキルアミンが好ましい。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
前記(D)成分との配合による感度劣化を防ぎ、またレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体からなる酸成分(E)(以下、(E)成分という)を含有させることができる。なお、(D)成分と(E)成分は併用することもできるし、いずれか1種を用いることもできる。
リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
本発明のポジ型レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。また、公知の染料を含有させてもよい。
次に、本発明のレジストパターン形成方法について説明する。
まずシリコンウェーハ等の基板上に、本発明のポジ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベークを行う。次いで、露光装置などを用い、ポジ型レジスト組成物の塗膜に対して、所望のマスクパターンを介して選択的に露光を行った後、PEB(露光後加熱)を行う。続いて、アルカリ現像液を用いて現像処理した後、リンス処理を行って、基板上の現像液および該現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させる。
これらの工程は、周知の手法を用いて行うことができる。操作条件等は、使用するポジ型レジスト組成物の組成や特性に応じて適宜設定することが好ましい。
露光は、好ましくはKrFエキシマレーザーを用いて行うが、電子線レジストやEUV(極端紫外光)等にも有用である。
なお、場合によっては、上記アルカリ現像後ポストベーク工程を含んでもよいし、基板とレジスト組成物の塗布層との間には、有機系または無機系の反射防止膜を設けてもよい。ポストベークの条件は例えば90〜150℃、30〜90秒とされる。
ここで、本発明におけるディフェクトの抑制効果は、例えば、現像工程を経て得られたレジストパターンをSEM(走査型電子顕微鏡)又は現像欠陥検査装置にて、観察して、現像残渣の有無、マイクロブリッジの有無、およびその他の欠陥の有無を調べることによって確認することができる。
前記化学式(3)で表される化合物の合成
・中間体1[1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボン酸t−ブチル)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボン酸t−ブチル)メタン(化学式(7))]の合成
反応終了後、得られた反応混合物を冷却し、カリウム塩を濾別し、濾液にトルエンと水を加えて水洗後、水層を分液し、得られた油層にメタノールを加えて晶析し、濾過、乾燥して目的物1162g(純度98%、収率90%)を得た。目的物の純度及び収率は、ガスクロマトグラフイー分析ないし液体クロマトグラフィー分析により算出した(以下、同様)。また、目的物は、質量分析及びプロトンNMR分析により、上記化学式(7)で表される1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボン酸t−ブチル)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボン酸t−ブチル)メタンであることを確認した。
目的物は、質量分析及びプロトンNMR分析により、上記化学式(8)で表される1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフェニル−4−オキシメチルカルボン酸)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボン酸)メタンであることを確認した。融点(示差熱分析法)126.7℃、分子量(質量分析法)658.8(M+)であった。
上記で得られた中間体2(化学式(8))(IUPAC名;2−(4−{[4−カルボキシメトキシ]−5−シクロヘキシル−2−メチルフェニル}[2−(カルボキシメトキシ)フェニル]メチル)−2−シクロヘキシル−5−メチルフェノキシ)アセティックアシッド)の46.1g(0.07モル)と、1−エチルシクロヘキサン−1−オール89.3g(0.7モル)をピリジン57.9gに80℃で溶解させ、そこにピリジン120gに溶かしたp−トルエンスルホン酸クロライド133.4g(0.7モル)を3時間かけて滴下し反応を行った。さらに80℃で3時間撹拌反応を行い、そこにシクロヘキサン140gと水343.5gを加え分液し水層464.6gを抜き取った。さらに水70gを加え60℃で30分撹拌後、分液し水層66.7gを抜き取った。有機層をエバポレータで濃縮し、濃縮残をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製(シクロヘキサン:アセトニトリル:トリエチルアミン=9:0.9:0.1(質量比))し目的物15.0g(淡黄色透明液体)を得た。
目的物は、質量分析及びプロトンNMR分析により、前記化学式(3)で表されるエチルヘキシル2−{2−シクロヘキシル−4−[(5−シクロヘキシル−4−{[(エチルシクロヘキシル)オキシカルボニル]メトキシ}−2−メチルフェニル)(2−{[(エチルシクロヘキシル)オキシカルボニル]メトキシ}フェニル)メチル]−5−メチルフェノキシ}アセテートであることを確認した。純度99.2%(高速液体クロマトグラフイー分析による)、収率21.7%であった。プロトン核磁気共鳴分析結果を図1、下記式(9)および表1に示す。高速液体クロマトグラフイー分析結果を図2に示す。赤外分光分析結果を図3に示す。
前記化学式(6)で表される化合物の合成
撹拌機、温度計、滴下ロート及び還流コンデンサーを備えた2Lの四ツロフラスコに、上記実施例1と同様にして得られた中間体2(化学式(8))46.1g(0.07モル)、1−メチルシクロペンタン−1−オール25.2g(0.252モル)、ジメチルホルムアミド6.9g及びピリジン57.9gを仕込み、フラスコ内を窒素ガス置換した後、60℃に加温し撹拌溶解させた。次いで、同温度を保ちながら、p−トルエンスルホン酸クロライド66.7g(0.35モル)をピリジン66.7gに溶解した溶液を1時間かけて滴下し、その後さらに同温度で3時間撹伴した。
反応終了後、得られた反応混合物に水酸化テトラメチルアンモニウム343.5gを加え、撹拌した後、これにヘプタン−2−オンを加え撹伴後、水層を分液除去し、得られた油層中にトルエンと水を加え、60℃で撹拌後、再度水層を分液除去して得られた油層の溶媒を一部溜去した後、イソプロパノールを添加して、晶析、次いで濾過、乾燥することにより白色固体として目的物32.5gを得た。
目的物は、質量分析及びプロトンNMR分析により、前記化学式(6)で表される1,1−ジ(2−メチル−5−シクロヘキシルフエニル−4−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン)−1−(フェニル−2−オキシメチルカルボキシ(1−メチル−シクロペンタン))メタンであることを確認した。高速液体クロマトグラフイー分析による純度99.6%、原料カルボン酸に対する収率51.3%であった。融点(示差熱分析法)89.3℃、分子量(質量分析法)905.2(M+)であった。プロトン核磁気共鳴分析結果(400MHz、溶媒DMSO−d(ジメチルスルフォキシド−d6(重水素化溶媒)))を下記式(10)および表2に示す。
ポジ型レジスト組成物を調製した。
まず(A)成分を用意した。すなわち、p−ヒドロキシスチレン(Mw=15000)と、エチルビニルエーテルを、酸触媒下で公知の手法により反応させて、p−ヒドロキシスチレンの水酸基の30モル%を1−エトキシエチル基で保護した樹脂を(A)成分として使用した。
表面にヘキサメチルシラザン(HMDS)処理を施したSi基板上に、上記で得られたポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で90℃、60秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚380nmのレジスト層を形成した。
ついで、KrF露光装置、NSR−S203B(Nikon社製、NA(開口数)=0.65,σ=0.78)により、KrFエキシマレーザー(248nm)を、C.O.G.マスク(クロム・オン・ガラス・マスク)を介して選択的に照射した。
そして、110℃、60秒間の条件でPEB処理し、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で30秒間パドル現像し、その後30秒間、純水を用いて水リンスした。振り切り乾燥を行った後、100℃で60秒間加熱して乾燥させてレジストパターンを形成した。
(C)成分を配合しなかった以外は実施例2と同様にしてポジ型レジスト組成物を調製し、これを用いてレジストパターンを形成した。同様に評価したところ、180nmのラインアンドスペースパターンが解像していたが、レジストパターンにはスカムが生じており、デフェクトが認められた。感度は15.5mJであった。
特に、実施例2および比較例1のようにポジ型レジスト組成物に染料を含有させると、低分子量の染料がレジストパターン形成時における加熱より昇華してしまい、昇華物がレジストパターン上に付着してスカムがより発生し易いが、実施例2では、そのようなスカムの発生が防止された。
Claims (3)
- さらに含窒素有機化合物(D)を含む請求項1記載のポジ型レジスト組成物。
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